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DOI: 10.3791/53675-v
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시드 막대 나노 입자의 표면에서 작은 결정질 이리듐 산화물 나노 입자의 광화학적 산화 성장에 대한 프로토콜CdSe@CdS 제시됩니다.
이 절차의 전반적인 목표는 광화학적 산화에 의해 반도체 기판에서 이리듐 산화물 나노 결정을 성장시키는 것입니다. 합성 도구로서의 광화학적 산화는 화학자가 새로운 하이브리드 재료를 만들 수 있는 방법을 확장합니다. 그들은 미개척 개척지로 생산을 광촉매 할 수 있습니다.
우리의 연구는 수소 생산에 매우 활성이 높은 것으로 알려져 있지만 광화학적 불안정으로 인해 방해를 받는 황화카드뮴의 아킬레스건을 치료합니다. 광화확적 산화는, 지방화한 책임 운반대를 가진 nanoscale 물자에 적용될 때, 또한 제품의 간단한 검사에 의해 산화 환원 반응의 kinistic styleze에서 이용될 수 있습니다. 시작하려면 먼저 카드뮴 설파이드-카드뮴 셀레나이드 파종 막대를 합성한 다음 텍스트 프로토콜에 표시된 톨루엔 용액에 현탁합니다.
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