Name: 계층의 ZnO / CdSSe 헤테로 Nanotrees의 합성 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-11-29T12:30:00.000+00:00
Duration: 6 min 50 s
Description: 학습하세요 화학 기상 증착법을 이용한 ZnO/CdSSe 계층적 나노트리 합성 방법을. 이 기술은 태양광 변환 및 광전자 소자에 적용 가능한 비용 효율적인 나노구조 제작법을 제공합니다.

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저자는 스퍼터 코터 장비에 대한 지원은 XRD 스펙트럼 및 K. Booksh 그의 도움을 Svilen Bobev 감사합니다.

(1)의 합성 트리 모양의 ZnO의 / CdSSe 나노 구조 <ol><li> 사파이어 기판의 전처리 및 골드 코팅 주 : 금막가 된 ZnO 나노 와이어의 성장의 촉매 역할을한다. <ol><li> 초음파 5 분 99.5 % 에탄올 깨끗 슬라이드 사파이어 (a면, 10 × 10 × 1mm)을 금의 스퍼터링 용 기판을 제조 하였다. </li><li> 스퍼터 코터와 골드 대상으로 사파이어 슬라이드에 10 나노 미터 (± 2 ㎚) 금의 두께의 필름을 증착. </li></ol></li><li> 산화 아연 나노 와이어의 합성 주 : 초음파 단계 균질의 ZnO의 1.2.2 결과와 탄소 (ZnO를 / C) 혼합물. 혼합 후, 혼합물은 회색 컬러를 변경한다. 압밀 단계 1.2.3 공기의 혼합물과의 ZnO 및 탄소가 밀착되어 그 존재하지 않는 것을 보장한다. CVD 후, 산화 아연 나노 와이어의 흰색 필름면이 아래 배쪽으로 향, 기판 상에 증착되어야한다. <ol><li> 의 ZnO 나노 분말 및 액티브의 1g을 혼합ated 탄소 (50:50의 질량 분율) 10 ml의 99.5 %의 에탄올과 주걱으로 잘 저어. </li><li> 30 분 동안 20 ºC 수조의 혼합물을 초음파 처리하고 80 ºC에서 ~ 5 시간 동안 오븐에서 건조시킨다. </li><li> 알루미나 보트에서의 ZnO / C 혼합물을 넣고 주걱으로 잘 컴팩트. </li><li> 금 코팅 된면이 아래로 향하게하여, 알루미나 보트의 상단에 골드 코팅 사파이어 슬라이드를 놓습니다. 수평 튜브로의 석영 관의 중심에 알루미나 보트 놓는다. </li><li> 실온에서 40 SCCM (RT)의 유속으로 아르곤으로 1 시간 동안 석영 튜브를 제거. 80 ºC / 분의 속도로 900 ºC RT의 온도를 증가 및 아르곤 유속을 일정하게 유지한다. </li><li> 2 시간 동안 900 ºC의 온도를 잡습니다. 고무 마개 기체 입구를 제거하여 양단에 석영 관을 열고 공기가 반응에 산소를 공급하는 튜브 들어가게. </li><li> RU에 3 시간 동안 900 ºC에서 반응 온도를 유지bber 마개를 제거합니다. 10 ºC / 분의 속도로 실온까지 냉각. </li><li> 보트와 노의 밖으로 슬라이드를 가져 가라. </li></ol></li><li> 산화 아연 나노 와이어에 CdSSe 가지의 증착 주 : CD의 알루미나 보트 / SE는 중앙 석영 관에 표시 하였다. 제조 된 산화 아연 나노 와이어는 위를 향하고 보트에서 10cm 하류이었다 하였다. 이 두 번째 CVD 후, ZnO의 / CdSSe 나노 구조체 인 오렌지 / 옐로우 필름, 슬라이드에 부착해야한다. <ol><li> CD와의 CdSe (CDS / SE) 분말도 (50 : 50의 질량 분율) 0.5 g을 혼합하고 알루미나 보트에 혼합물을 배치합니다. 잘 혼합물을 압축. </li><li> CdS와 / 셀레늄의 알루미나 보트와 석영 관에서 이전에 제조 된 ZnO 나노 와이어 샘플을 놓습니다. </li><li> 1 시간 동안 실온에서 40 sccm의 유량으로 아르곤과 튜브를 제거. 80 ºC / min의 속도로 820 ºC로 반응 온도를 높입니다. 30 분 동안 820 ºC의 온도를 잡습니다. </li><li> 에서 실온까지 냉각10 ºC / 분. 보트와 노의 밖으로 슬라이드를 가져 가라. </li></ol></li><li> 의 ZnO 및 CdSSe 나노 와이어 : 제어 샘플의 합성 <ol><li> 같은 실험 조건 섹션 1.2에서와 같이 산화 아연 나노 와이어를 합성. </li><li> CD와의 CdSe 조성물 동일한 양으로, 동일한 실험 조건 하에서, 1.3 절과 CdSSe 나노 와이어의 합성, 대신에 ZnO를 증착 슬라이드 기판으로서 깨끗하고, 금 - 코팅 된 사파이어 슬라이드. </li></ol></li></ol> 2. 형태 학적 및 결정학 특성 <ol><li> 클램프와 SEM 무대에서 샘플을 탑재하고 SEM 장비의 진공 챔버에서 샘플을 배치합니다. 3 kV의 전압에서의 12.0 mm의 작업 거리, 3,000 및 10000 (11, 12) 사이의 배율 고 해상도 모드의 SEM 이미지를 가라. </li><li> 동일한 작업 거리에서 X 선 검출기를 사용하여 동일한 샘플 EDS 데이터를 받아12.0 mm. 분석 모드로 기기를 설정하고 20-40 μA (13)의 현재의 결과, 20 kV의에 전압을 조정합니다. </li><li> 여과의 Cu Kα 방사선 (λ = 1.5418 Å) (11, 12)를 사용하여 X 선 분말 회절에 XRD 스펙트럼을 수집한다. </li></ol> 3. PL 방출 분광학 및 시간 해결 PL 수명 측정 참고 : PL 스펙트럼 및 시간 상관 단일 광자 계수는 실온에서 (TCSPC) 측정가 티 증폭 사용하여 수행 하였다 : 400 nm 파장을 중심으로 50 FSEC 펄스의 기차를 생산하고, 두 번째 고조파 세대 (SHG) 후 사파이어 발진기 및 1.76의 출력 14 mW의. <ol><li> 레이저까지와 검출기에 표본면을 배치 샘플 홀더에 샘플을 수정합니다. 샘플에 초점을 레이저를 맞 춥니 다. 섬유 분광계를 사용하여 900 nm의 파장으로 500 nm 내지 샘플의 PL 방출 스펙트럼을 측정한다. </li><li> (AVA 단일 광자 검출기를 사용하여lanche 포토 다이오드 또는 광전관)은 컬러 유리 필터 및 500 또는 650 nm의 간섭 대역 통과 필터와 시분 PL 수명을 측정 하였다. </li><li> 삽입 된 ZnO, CdSSe, 또는 ZnO의 / CdSSe 샘플 홀더에 슬라이드. 500 nm의 대역 통과 필터와 650 나노 미터 대역 통과 필터와 CdSSe 또는 ZnO의 / CdSSe 샘플 순수의 ZnO 나노 와이어를 측정한다. </li><li> 시간 해결 형광 붕괴 수명을 측정하는 시간 상관 단일 광자 계수기 또는 빠른 오실로스코프를 사용합니다. </li></ol>

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이 문서의 데이터 및 수치는 리 등. (17)에 의해 나노 기술 문헌에서 인용된다.

된 ZnO 나노 와이어 (줄기)의 수직 정렬은 기판 상에 에피 택셜 성장에 기초한다. 된 ZnO 나노 와이어는 사파이어 (12)의 A면의주기와 일치하는 &lt;0001&gt; 방향을 따라 우선적으로 성장한다. 따라서, 유형 및 기판의 품질이 매우 중요하다. 5 nm 내지 20의 기재에 금 코팅의 두께가 다른, 테스트와의 ZnO 나노 와이어의 성장에 유의 한 차이를 보이지 않았다되었다. 산화 아연 나노 와이어의 길이는 사용되는 산화 아연 / C 혼합물은 아르곤 유량과 공기 노출 시간을 변경하여 조정할 수있다. 일정한 길이의 ZnO 나노 와이어의 합성, 잘 정의 된 비율 또는 인공 공기 (산소 / 질소 혼합물)와 산소 / 아르곤 혼합물을 캐리어 가스로 추천된다. 지금까지,이 방법을 이용하여 본 연구실에서 배양 한 최장의 ZnO 나노 와이어는 30 ㎛이었으며, 최단 5 μm의 있었다. <p class="jove_content"&gt; CdSSe 증착 중에 기판 위치에서의 온도는 삼원 합금의 조성을 제어하는...

ZnO를 3.3 EV의 밴드 갭 (BG), 고 전자 이동도 및 큰 여기자 바인딩 에너지 1,2 갖춘 II-VI 반도체이다. 그것은 광학 장치의 현재와 미래의 응용 프로그램, 태양 전지, 광촉매의 과다와 풍부한 반도체 물질이다. 그러나, ZnO의 가시 스펙트럼 범위에서의 적용을 제한하는 투명합니다. 따라서, 좁은 갭 반도체 (3), 염료 분자 (4) 및 감광성 중합체 5와 같은 가시 광선을 흡수하는 재료는, 자주 가시광 흡수의 ZnO 민감 위해 사용되어왔다. CD에 (BG 2.43 EV)과의 CdSe (BG 1.76 eV의)는 일반적인 II-VI 좁은 갭 반도체이고 집중적으로 조사되었다. 삼원 합금 CdSSe의 BG 및 격자 매개 변수는 VI 성분 -6,7-의 몰비를 변화시킴으로써 조절 될 수있다. ZnO의 / CdSSe 나노 복합 재료는 효율적인 photov 결과보고되었다oltaic 에너지 변환 8,9. CdSSe 분기 향상된 가시광 흡수성을 갖는 기판으로 수직 배향 된 ZnO 나노 와이어의 효율적인 전자 이동 경로를 결합하여 줄기와 가지 9,10 사이의 효율적인 전자 전달되었다. 따라서, 우리는 수직으로 정렬 된 ZnO 나노 와이어가 CdSSe 가지로 장식되어 새로운 트리 형의 ZnO / CdSSe의 나노 구조를 합성. 이 복합 재료는 신규 태양 에너지 변환 장치를위한 빌딩 블록으로서 작용할 수있다. 이 프로토콜의 ZnO 나노 와이어 어레이는 이전 11 출판 된 절차에 따라, ZnO의 분체 및 C로부터 한 단계 화학 기상 증착 (CVD)에 의해 사파이어 기판 상에 성장하는 방법을 설명한다. 된 ZnO 나노 와이어의 성장에 따라, CVD의 제 2 단계의 산화 아연 나노 와이어 CdSSe 분기 성장이 사용된다. 우리는 X 선 분말 회절 (XRD), 주사 전자 현미경 (SEM) 등을 사용에너지 분산 형 X 선 분광법 (EDS)은 산화 아연 / CdSSe의 nanotrees (NTS)의 결정 구조, 형태, 및 조성물을 측정한다. 분기와 스템 사이의 광학 특성 및 전하 캐리어 운송기구는 광 발광 (PL) 스펙트럼 및 시간 - 분해 PL 수명 측정에 의해 연구되었다.

<table><tbody><tr><td>ZnO</td><td>시그마 Aldrich</td><td>1314-13-2</td><td></td></tr><tr><td>활성탄</td><td>Alfa</td><td>231-153-3</td><td></td></tr><tr><td>CdSe</td><td>시그마 Aldrich</td><td>1306-24-7</td><td></td></tr><tr><td>CdS</td><td>시그마 Aldrich</td><td>1306-23-6</td><td></td></tr><tr><td>사파이어</td><td>MTI</td><td>2SP</td><td>비행기, 10 &times; 10 &times; 1mm</td></tr><tr><td>용광로</td><td>Lindberg Blue M</td><td>SSP</td><td></td></tr><tr><td>주사 전자 현미경</td><td>Hitachi</td><td>S5700</td>은 <td>Oxford Inca X-act 검출기와 조립</td></tr>되어 <tr><td>X선 분말 회절계</td><td>Rigaku</td><td>MiniFlex</td>가 <td>Cu K를 필터링했습니다. & 방사선 (&lambda;=1.5418&nbsp; &아링;)</td></tr><tr><td>증폭된 Ti:sapphire oscillator</td><td>Coherent Mantis</td><td>Coherent Legend-Elite</td><td></td></tr><tr><td>단일 광자 감지 모듈</td><td>ID Quantique</td><td>ID-100</td><td></td></tr><tr><td>스퍼터 코팅기</td><td>Cressington</td><td>308</td>은 <td>금 타겟으로 조립됨</td></tr><tr><td>섬유 프로브 분광계</td><td>Photon Control</td><td>SPM-002</td><td></td></tr><tr><td>컬러 글라스 필터</td><td>Thorlabs</td><td>FGB37-A - & 오슬래시; 25mm BG40</td><td>AR 코팅: 350 - 700&nbsp; nm</td></tr><tr><td>압축 아르곤 가스</td><td>예리한</td><td>7440-37-1</td><td></td></tr></tbody></table>

계층의 zno / cdsse 헤테로 nanotrees의 합성

Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees

두 단계의 화학 기상 증착 방법이 여기에 트리 형 계층의 ZnO / CdSSe 헤테로 - 나노 구조물을 제조하는데 사용된다. 수직 구조는 투명한 사파이어 기판 상에 정렬 된 ZnO 나노 와이어 성장 CdSSe 가지로 구성된다. 형태는 주사 전자 현미경을 통해 측정 하였다. 결정 구조는 X 선 분말 회절 분석에 의해 측정 하였다. ZnO의 양이 줄기 CdSSe 분기 주로 우르 자이 트 결정 구조를 갖는다. CdSSe 지점에서 S 및 Se 몰비는 에너지 분산 X 선 분광법에 의해 측정 하였다. CdSSe 분기 강한 가시광 흡수를 초래한다. 광 발광 (PL) 스펙트럼은 줄기와 가지 유형-II의 이종 접합을 형성하는 것으로 나타났다. 개개의 ZnO로부터 방출 CdSSe 줄기 또는 가지로 비교 CdSSe 및 ZnO의 사이에 고속의 전하 전송을 나타내는 경우 PL 수명 측정은 나무에서 발광 수명의 감소를 보였다. VERTI으 배향 된 ZnO 기판에 직접 전자 전달 경로를 제공하고, 가시광에 의한 광 여기 후 효과적인 전하 분리를 허용 유래한다. 상술 한 특성의 조합 된 ZnO / CdSSe 태양 전지, 광촉매 및 광전자 소자에 응용 프로그램에 대한 유망한 후보를 nanotrees 수 있습니다.

도 1의 ZnO / CdSSe NTS의 성장 메커니즘을 나타낸다. 절차는 비 촉매 증기 - 고체 (VS)의 성장에 이어 촉매 증기 - 액체 - 고체 (VLS) 공정을 포함했다. 제 VLS 공정에서의 ZnO 및 C 금속성 아연과 탄소 산화물의 결과로, 아르곤 분위기 하에서 반응한다. 아연이어서, 사파이어 기판 상에 금 전구체에 용해시킨다. 의 ZnO 나노 와이어는 용해 아연 및 잔류 산소에서 성장. 두 번째 단계에서, 상기 단락의 ZnO 씨의 위에 VLS-VS 장거리의 ZnO 나노 와이어의 성장 공기 결과로 노출. VLS에-VS기구 11,12 앞서 상세히 논의되었다. 마지막 단계에서, CdSSe 분기는 ZnO 나 노선을 촉매없이 직접 성장한다. 첫번째 단계 후에 수득 된 ZnO 나노 와이어 (120 프로토콜)의 ...

여기, 우리는 CdSSe 가지가 수직으로 정렬 된 ZnO 나노 와이어의 성장 소설 나무와 같은 계층의 ZnO / CdSSe 나노 구조를 준비하고 특징. 얻어진 nanotrees 태양 에너지 변환 및 다른 광전자 기기에 대한 잠재적 인 재료이다.

계층의 ZnO / CdSSe 헤테로 Nanotrees의 합성

A two-step chemical vapor deposition procedure is here employed to prepare tree-like hierarchical ZnO/CdSSe hetero-nanostructures. The structures are ...

본 실험의 전반적인 목표는 산화아연 줄기와 카드뮴 설포셀레나이드 가지로 이루어진 나무 모양의 나노구조를 합성하고, 그 형태, 결정 구조 및 광학적 특성을 분석하는 것입니다. 이 방법은 광학 및 전기 광학 응용 분야에서 나노복합 재료의 활용과 관련된 핵심 질문들에 대한 답을 찾는 데 도움이 될 수 있습니다.이 기술의 주요 장점은 화학 기상 증착법이 경계면이 명확한 나무 모양의 나노구조를 제작하는 간단하고 비용 효율적인 방법이라는 점입니다. 카드뮴 설포셀레나이드 분지는 가시광선을 흡수하고 산화아연 줄기와 함께 type-II 이종접합을 형성합니다. 이러한 이종접합은 분지에서 줄기로의 효율적인 전자 전달을 용이하게 합니다.광학적 특성은 나노 트리(nano trees)가 태양 전지 및 기타 광전자 소자와 같이 z-scheme 전하 이동 메커니즘의 이점을 활용하는 응용 분야에 유망한 재료임을 나타냅니다. 이 내용은 산화아연-카드뮴 설포셀레나이드 나노 트리에 대한 통찰을 제공할 뿐만 아니라 나노와이어, 나노튜브, 나노봇 등 다른 시스템에도 적용될 수 있습니다. 일반적으로 이 방법에 익숙하지 않은 사용자는 유화, 온도, 불소와 같은 각 파라미터가 나노 트리의 형태에 영향을 미치기 때문에 어려움을 겪을 수 있습니다.먼저, 사파이어 슬라이드를 99.5% ethanol에서 5분 동안 초음파 세척하여 세척합니다. 그다음 스퍼터 코터를 사용하여 슬라이드 위에 10 nm 두께의 금 박막을 증착합니다. 이어서, 산화아연 나노분말과 활성탄을 질량비 1:1로 혼합한 1 g의 혼합물을 10 mL의 99.5% ethanol에 넣고 교반합니다.혼합물을 20 °C의 항온수조에서 30분 동안 초음파 처리합니다. 이 단계는 혼합물 내에 공기가 존재하지 않도록 하며, 산화아연과 탄소가 밀접하게 접촉하도록 보장합니다.초음파 처리한 혼합물을 80 °C에서 5시간 동안 건조합니다. 그런 다음 건조된 혼합물을 알루미나 연소 보트에 넣고 스패튤라로 압착하여 혼합물 내의 공기를 제거합니다. 연소 보트 위에 금 코팅 슬라이드의 금 코팅 면이 아래로 향하도록 올려놓습니다.수평 튜브 전기로의 석영 튜브 중앙에 보트를 배치합니다. 그다음 전기로의 가열 및 냉각 매개변수를 설정합니다. 실온에서 40 standard cubic centimeters per minute의 유량으로 아르곤 가스를 사용하여 튜브 내부를 1시간 동안 퍼지합니다.그 후 온도를 상온에서 900 °C까지 분당 80 °C의 속도로 올리고, 해당 온도에서 2시간 동안 유지합니다. 그런 다음, 반응에 필요한 산소를 공급하기 위해 튜브의 양 끝을 공기 중에 개방합니다. 튜브를 개방한 상태로 시료를 900 °C에서 3시간 동안 계속 가열합니다.전기로를 분당 10 °C의 속도로 실온까지 냉각시킨 후 보트와 슬라이드를 꺼냅니다. 슬라이드 위의 흰색 막은 산화아연 나노와이어로 구성되어 있습니다. 다음으로, 황화카드뮴과 셀레늄화카드뮴 분말을 각각 0.25 g씩 넣어 충분히 혼합한 후, 이 혼합물을 다른 알루미나 연소 보트에 담습니다.혼합물을 잘 다집니다. 산화아연 나노와이어가 코팅된 슬라이드를 보트에서 하류 방향으로 약 10 centimeters 떨어진 곳에 배치합니다. 보트를 석영 가열로 튜브의 중앙에 놓습니다.슬라이드 위에서 산화아연 나노와이어가 위를 향하도록 하십시오. 다시 한번 가열로의 파라미터를 설정합니다. 실온에서 분당 40 standard cubic centimeters의 속도로 아르곤 가스를 흘려 가열로의 석영관 내부를 1시간 동안 퍼지합니다.그런 다음 가열로를 분당 80 °C의 속도로 820 °C까지 가열하고, 820 °C에서 30분 동안 온도를 유지합니다. 온도가 달라지면 조성과 형태가 변하게 됩니다. 이어서 가열로를 분당 10 °C의 속도로 실온까지 냉각시킨 후, 가열로에서 보트와 슬라이드를 꺼냅니다.산화아연 카드뮴 황셀레나이드 나노트리는 슬라이드 위에 오렌지-노란색 박막 형태로 얻어집니다. 동일한 절차를 사용하여 깨끗한 금 코팅 사파이어 슬라이드 위에 산화아연 및 카드뮴 황셀레나이드 나노와이어 대조군 샘플을 준비합니다. 주사 전자 현미경, X선 분말 회절 및 에너지 분산 X선 분광법을 통해 나노구조를 분석합니다.광루미네선스 방출 스펙트럼을 얻고, 광루미네선스 및 형광 감쇠 수명 시간을 측정합니다. 산화아연 나노와이어 위에 화학 기상 증착법으로 카드뮴 설포셀레나이드 나노와이어를 성장시켜 나무 모양의 나노구조를 형성했습니다. 줄기 부분은 카드뮴 설포셀레나이드로 캡핑되었습니다.나노트리는 순수 산화아연 나노와이어와 순수 황화셀레늄 카드뮴 나노와이어 모두의 특성을 나타내는 X선 회절 피크를 보였습니다. XRD 스펙트럼에서 관찰된 추가 피크는 분지 성장을 유도하는 산화아연 줄기의 점 결함에서 형성된 황화셀레늄 카드뮴의 다른 상에 기인한 것입니다. 분지 내 황과 셀레늄의 몰 백분율 비율은 EDS와 XRD를 통해 약 54 대 46으로 결정되었습니다.몰비는 분지의 밴드갭에 영향을 미치며, 분지 성장 온도를 변경하여 조절할 수 있습니다. 나노트리의 광루미네선스 수명은 산화아연 및 카드뮴 설포셀레나이드 나노와이어의 수명보다 짧았습니다. 이는 나노구조의 계면을 통해 빠른 전자 전이가 일어나며, 이를 통해 대체 이완 경로가 제공됨을 시사합니다.이 기술을 숙달하면 적절히 수행했을 때 8시간 만에 완료할 수 있습니다. 산화아연 준비에 6시간, 카드뮴 설포셀레나이드 성장에 2시간이 소요됩니다. 그리고 카드뮴 황 및 카드뮴 셀레나이드를 다루는 작업은 매우 위험할 수 있다는 점을 잊지 마십시오.또한 본 절차를 수행하는 동안에는 항상 장갑, 실험복, 앞코가 막힌 신발을 착용하는 등의 주의 사항을 준수해야 합니다.

synthesis-of-hierarchical-znocdsse-heterostructure-nanotrees

Research

연구

JoVE Journal

Chemistry

화학

태양 에너지 생산을위한 전개 반도체 nanocrystal의 복합를 충전 분리의 개발을위한 일반적인 전략을 제시하고 있습니다. 기증자 - 수용체 nanocrystal 영화의 대량 heterojunctions는 태양 광 에너지 변환에 사용하실 수 있습니다 우리는 하나의 nanoparticle 형태의 기증자 - 수용체 nanocrystal 도메인의 조립 photocatalytic 함수에 상승을 제공합니다을 보여줍니다.

충전 분리 Nanocrystals와 고체를 통해 태양 에너지를 수확

우리는 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초고 밀도 배열을 제조하기위한 간단한 방법을보고합니다. 이 방법은 저렴 임의의 기판에 성장 할 수있는 복잡한 heterostructured 하이브리드 나노 와이어 형상의 합성 수 있습니다. 이러한 구조는 유기 전자 공학, 광전자 공학, 화학 감지, 태양 전지 및 스핀 트로닉스의 잠재적 인 응용 프로그램이 있습니다.

임의 기판에 수직으로 정렬 작은 분자 유기 나노 와이어의 초 밀도 배열

CdS와 CdSe로 구성된 막대 모양과 테트라포드 모양의 다성분 나노 구조의 시딩 합성을 위한 프로토콜이 제시됩니다.

CdSe/CdS 막대 및 테트라포드 나노결정의 시딩 합성

각종 절차는 복합 산화물 박막의 에피 택셜 성장을위한 원자 정의 된 템플릿을 준비하기 위해 설명되어 있습니다. 단결정 된 SrTiO3 3 (001) 및 (3)의 DyScO 화학적 처리는 (110) 기판은 원자 적으로 매끄러운 표면 단일 말단을 수득 하였다. 칼슘이 Nb를 3 O (10) - 나노 시트는 임의의 기판에 원자 적으로 정의 된 템플릿을 만드는 데 사용되었다.

복합 산화물 박막의 에피 택셜 성장을위한 원자 적으로 정의 된 템플릿

우리는 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의해 고 c 축 (0002) ZnO 박막을 직접 합성하는 방법을 제공했습니다. Pt interdigitated electrode와 결합 된 synthesized ZnO 박막은 자외선 광 검출기의 감지 층으로 사용되어 우수한 응답성과 신뢰성의 조합을 통해 높은 성능을 보여주었습니다.

합성 및 플라즈마에 의해 높은 c 축 된 ZnO 박막의 특성은 화학 기상 증착 시스템과 자외선 광 검출기 응용 프로그램 강화

자립 택셜 더블 헤테로 구조를 얻기위한 한 단계 제조 방법이 제공된다. 이 방법은 증가 된 성능과 출력 전기 압전 나노 발전기로 이어지는 단일 헤테로 에피보다 높은 수밀도 ZnO에 커버리지를 달성 할 수 있었다.

예열 열수를 사용하여 Piezoelectrical 나노 발전기에 대한의 ZnO 나노 막대 / 그래 핀 / ZnO의 나노로드 에피 택셜 더블 헤테로 구조의 제조

이 원고에서는 디자인과 고품질 알 실수로 ZnO (AZO) 씨앗 층에 성장 하는 ZnO nanorods (NRs)와 효율적인 거꾸로 SMPV1:PC71BM 태양 전지를 조작 하는 방법을 설명 합니다. 잘 정렬 된 수직으로 ZnO NRs 전시 높은 결정 속성 지향. 전력 변환 효율의 태양 전지는 6.01%를 도달할 수 있다.

잘 정렬 된 수직 지향 ZnO Nanorod 배열 및 그들의 응용 프로그램에서 반전 된 작은 분자 태양 전지

높은-품질 쇼트 키 접촉의 달성은 heterostructure 필드 효과 트랜지스터 (HFETs)에서 효율적인 게이트 변조를 달성 하기 위한 필수적입니다. 우리는 제조 방법론 및 GaN 템플릿에 플라즈마를 이용한 분자 빔 피 여 성장 고밀도 2 차원 전자 가스 (2DEG)와 Zn-폴라 BeMgZnO/ZnO heterostructures에 쇼트 키 다이오드 특성을 제시.

Zn-폴라 BeMgZnO/ZnO Heterostructure 플라즈마를 이용한 분자 빔 피 성장에 쇼트 키 다이오드 제작

비엔나 Ab initio 시뮬레이션 패키지에 의해 수행된 계산은 나노 스케일 재료의 본질적인 전자 특성을 식별하고 잠재적인 물 분할 광촉매를 예측하는 데 사용할 수 있습니다.

첫 번째 원리 계산을 사용하여 1차원 반 데르 발스 이종 구조의 프로브 유형 II 밴드 정렬

쌍결정 구조 광촉매를 사용하여 가시광선 반응성 ZnCoS/ZnCdS를 제조하는 합성 기술과H2 발생 및 벤즈알데히드 생성에서 광촉매 활성 및 선택성에 대한 광산화환원 반응 시험 기술을 제시합니다.

에너지 응용 분야에서 다기능 산화환원 광촉매를 위한 쌍결정 구조를 갖는 ZnCoS/ZnCdS의 합성 및 성능 평가

학습하세요 화학 기상 증착법을 이용한 ZnO/CdSSe 계층적 나노트리 합성 방법을. 이 기술은 태양광 변환 및 광전자 소자에 적용 가능한 비용 효율적인 나노구조 제작법을 제공합니다.

계층의 ZnO / CdSSe 헤테로 Nanotrees의 합성

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