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DOI: 10.3791/54746-v
Ancor Sanz-García1, Lorena Vega-Zelaya2, Jesús Pastor2, Cristina V. Torres1, Rafael G. Sola1, Guillermo J. Ortega1,3
1Neurosurgery & National Reference Unit for the Treatment of Refractory Epilepsy,Instituto de Investigación Sanitaria Hospital de la Princesa, 2Clinical Neurophysiology & National Reference Unit for the Treatment of Refractory Epilepsy,Instituto de Investigación Sanitaria Hospital de la Princesa, 3CONICET
Please note that some of the translations on this page are AI generated. Click here for the English version.
이 프로토콜은 측두엽 간질(TLE) 환자에서 근심 네트워크 측정의 진화를 추적하는 절차를 설명합니다. 이는 데이터 분석을 위한 새로운 수치 기법과 두개내 기록의 조합을 기반으로 합니다. 구체적으로, 우리는 foramen ovale 기록의 네트워크 분석을 위한 프로토콜을 제시합니다.
이 절차의 전반적인 목표는 측두엽 간질을 앓고 있는 환자의 천공(foramen) 타원형 전극의 기록으로 구축된 피질 상호 작용 맵에서 연결 패턴을 구성하고 분석하는 것입니다. 이 방법은 간질 분야의 주요 질문에 답하는 데 도움이 될 수 있습니다. 왜, 발작이 간질 네트워크에서 어떻게 시작되는지.
이 기술의 주요 장점은 간질 네트워크의 내부를 foramen ovale 전극에서 반침습적 방법을 사용하여 접근할 수 있다는 것입니다. 일반적으로 이 방법을 처음 접하는 개인은 유공(foramen ovale electrodes)의 데이터를 유지하고 네트워크 접근 방식에서 적절하게 분석하는 데 필요한 매우 학제적인 요구 사항 때문에 어려움을 겪을 것입니다. 우리는 동측의 낮은 수준의 동기화가 뇌의 동일한 측두엽 부위에서 발작 출현과 밀접한 관련이 있다는 것을 깨달았을 때 이 방법에 대한 아이디어를 처음 얻었습니다.
환자에게 실험 절차를 설명하는 것으로 시작하고 모든 질문에 답합니다. 그런 다음 서명된 정보에 입각한 동의서를 받습니다. 다음으로, 환자를 누운 자세로 수술대에 눕히고 목을 15도로 부드럽게 뻗습니다.
난원공(foramen ovale)은 이 접형골(sphenoid bone)의 더 큰 날개(greater wing)의 뒤쪽 부분에 할당됩니다. 올바른 바늘 삽입을 위해 Hartel의 랜드마크에 따라 입구 지점이 구강 커미셔의 동측 측면에서 약 3cm 측면으로 두 지점을 향하도록 피부에 마커를 표시합니다. 하나는 동측 동공 및 전방 후방 평면보다 바로 아래에 있고 다른 하나는 측면 평면에서 외부 청각 고기보다 약 2.5cm 앞쪽에 있습니다.
환자의 뺨에 요오드 용액을 발라 절개 부위에서 시작하여 바깥쪽으로 원을 그리며 마사지합니다. 그런 다음 절개 부위 바로 주변 부위를 드레이프합니다. 20게이지 척추 바늘로 피부를 찔러줍니다.
바늘의 가이드로 마지막 어금니 바로 뒤에 손가락을 놓습니다. 다음으로, 형광 투시 안내에 따라 바늘을 구멍 난원 부위로 전진시킵니다. 형광 투시 이미지에서 제공하는 측면 보기를 사용하여 바늘 끝의 위치를 결정합니다.
바늘이 난원공을 통과하면 탐침을 제거하고 6접촉 유공 난원 전극(FOE)으로 교체합니다. 전극은 하악 신경에 가까운 구멍 난원을 통과하여 두개강으로 들어가야 합니다. 마지막으로, 전극을 주변 수조에 배치하여 근심 측두엽 영역에서 기록합니다.
그런 다음 FOE의 올바른 이식을 평가합니다. FOE가 주변 수조에 올바르게 배치된 후 커튼으로 피부에 고정합니다. 마지막으로 환자를 깨워 회복실로 안내하십시오.
환자를 비디오 뇌파 검사 또는 VEEG 실로 안내하여 약 5일 동안 입원시킵니다. 나시온 위 거리의 10%, Fpz 전극을 표시합니다. Cz 전극을 표시하여 FC 위치를 찾고 나머지 전극을 완성합니다.
다음으로 피부를 깨끗이 닦고 말리십시오. 각 전극 컵에 전도성 젤이 있는 적당한 양의 콜로디온을 놓고 준비된 영역에 전극을 배치합니다. 헤어 드라이어로 콜로디온을 말리십시오.
모든 두피 전극과 FOE 와이어를 뇌파계에 연결된 전극 상자에 연결합니다. 두피 전극 임피던스가 10킬로옴 미만이고 모든 전극 신호가 양호한지 확인하십시오. 그런 다음 비디오 동기화 뇌파를 사용하여 1, 024 헤르츠에서 디지털 두피 EEG 데이터와 FOE 데이터를 획득합니다.
interictal paroxysmal 및 ictal activities를 모두 사용하여 ictogenic area를 대략적으로 찾습니다. 느린 파동 복합체, 폴리스파이크, 빠른 스파이크의 실행, 날카로운 파동, 날카로운 파동 및 느린 파동 복합체, 느린 날카로운 파동, 스파이크, 스파이크 및 느린 파를 포함하여 간질 유발 요소가 나타나는 전극을 식별합니다. 발작 시작 및 종료 시간뿐만 아니라 연구와 관련된 기타 임상 징후 또는 발생을 기록합니다.
마지막으로, 저장된 데이터를 사용하여 숫자 코드를 실행하여 피질 네트워크를 생성하고, 이를 통해 여러 네트워크 파라미터를 시각화하고 동기화 패턴을 계산합니다. 이 그림에서 일반적인 원시 두피 및 FOE 신호는 왼쪽 FOE에서 발작의 모양을 보여주며, 이는 두피와 오른쪽 FOE 접촉부로 퍼집니다. 여기서, 간질 유발 활동의 표현은 전(pre-ictal)에서 익탈(ictal) 및 이크탈 이후(post-ictal)로 전환되는 동안 보여집니다.
pre-ictal에서 ictal 및 post-ictal 단계로 전환하는 동안 여러 네트워크의 시간적 역학은 측정합니다. 발작 중 DOL 및 ACC 값이 더 높았으며, APL과 MOD가 감소하여 전반적인 연결성이 증가했음을 시사합니다. 간기 및 ictal 기간 모두에 연결성 불균형이 있으며, 오른쪽 FOE의 선 밀도에 비해 왼쪽 FOE의 선 밀도가 낮은 것에서 알 수 있듯이 동측 연결성이 낮습니다.
마지막 그림은 전극 간의 해당 연결 패턴에서 원시 EEG 신호를 보여줍니다. 대부분의 경우, 발작 발병 쪽, 즉 좌측에 대한 근심 연결성(mesial connectivity)이 감소합니다. 이러한 낮은 동측 연결성은 발작 기간뿐만 아니라 발작 전단계에도 존재합니다.
발작 중과 발작 후의 전반적인 연결성의 급격한 증가는 링크의 수와 그 두께에서 쉽게 알 수 있습니다. 연결성은 ictal 이후 기간 동안 점진적으로 감소합니다. 이 절차를 적절하게 수행하려면 잘 훈련된 학제 간 팀이 필요하며 그들 간의 유동적이고 유익한 의사 소통이 필요합니다.
그것이 누구나 다른 사람의 필요와 욕구를 아는 방식입니까? 이 절차를 시도하는 동안 주로 편측 근측 측두엽 간질 환자의 간질 영역을 식별하기 위해 고안된 기술의 휴리스틱 기능을 기억하는 것이 중요합니다. 이 절차에 따라 분광 분석과 같은 다른 방법을 수행하여 발작 중에 어떤 주파수 대역이 우세한지와 같은 추가 질문에 답할 수 있습니다.
네트워크 이론과 유공(foramen ovale) 전극을 모두 사용하면 측두엽 간질 환자의 근심 영역의 연결성 불균형을 빠르고 강력하게 분석할 수 있습니다. 이 비디오를 시청한 후에는 구멍 난원 전극 이식 수술을 성공적으로 수행하고 피질 활동에 대한 네트워크 분석을 완료하는 방법을 잘 이해하게 될 것입니다. FOE 이식 수술은 매우 어려워질 수 있으며, 예방 조치는 정확한 형광 투시 지침을 설정하고 이 절차를 수행할 때 항상 전극 배치에 대한 양호한 수술 후 평가가 수행된다는 것을 잊지 마십시오.
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