Name: 생산 및 진공의 입금 유기 발광 다이오드 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-11-16T12:30:00.000+00:00
Duration: 7 min 44 s
Description: 학습하세요 진공 열 증착법을 이용한 유기 발광 다이오드(OLED) 제조 방법을. ITO 기판 전처리, 유기층 순차 증착, 캡슐화 기술을 통해 고효율 소자를 생산하는 신뢰성 있는 프로토콜입니다.

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저자는 받은 자금 H2020-MSCA-ITN-2015/674990에서 "Excilight 프로젝트"를 인정 하 고 싶습니다.

주의: 다음 절차 그래서 적절 한 주의 해야 합니다 그들을 사용 하는 경우 다른 용 매의 사용을 포함 한다. 연기 및 개인 보호 장비 (장갑, 랩 코트) 사용 하십시오. 증발 장치의 품질을 보장 하기 위해 모든 절차 (클린 룸은 글러브 등) 깨끗 한 환경에서 수행 됩니다 것이 좋습니다. 안전 데이터 시트는 각 장비/재료 사용 하기 전에 상담 해야 합니다.
1. ITO 패턴
<ol><li>인듐 주석 산화물을 균일 하 게 커버 (24 x 24 m m2, ITO 코팅 유리 기판 20 Ω/c m2 의 시트 저항 및 ITO 두께 100 nm)는 피 펫을 사용 하 여 p 형 포토 레지스트와 기판. 스핀 코트 속도 5 500 rpm에서 4000 rpm 45 s 뒤 s.</li>
	<li>95 ° c.에 적어도 5 분 동안 열판에 기판 anneal 이렇게 하면 모든 나머지 용 매 증발 균일 한 필름을 생산 한다.</li>
	<li>레지스트 코팅 된 ITO 기판에 4 m m 스트라이프 (또는 원하는 패턴) 마스크를 배치 합니다. 50 8 W 365 nm UV 램프에 노출 s.</li>
	<li>개발자 솔루션으로 ITO 기판 배치 (1 파트 개발자: 2 부품 이온된 (DI) 수) 60에 대 한 s.</li>
	<li>조심 스럽게 씻어 약 10 기판 세척 병 기판 핀셋으로 잡고, 디 물을 포함 하는 s. 건조를 공기 총으로 나머지 물.</li>
	<li>적어도 15 분 동안 95 ° C에서 열판에 ITO 기판이 열.</li>
	<li>기판 사이 아세톤으로 젖은 면봉을 사용 하 여 줄무늬의 가장자리에서는 포토 레지스트를 제거 합니다.</li>
	<li>염 산 및 질소 산 (20:1 v/v)의 혼합물을 사용 하 여 이토 제거, 실 온에서 5 분 동안 그것을 두고.</li>
	<li>10 s를 제거 아세톤과 감광 나머지 디 물으로 씻어.</li>
</ol>2입니다. 기판 청소
<ol><li>두 패턴된 ITO 기판, 약 10 린스 종이의 시트 또는 건조 질소 총 아세톤과 닦아 비 다공성과 s.</li>
	<li>아세톤과 컨테이너에는 기판 잠수함 완전 족집게를 사용 하 여. 15 분 동안 초음파 목욕 (320 W, 37khz)에 그것을 넣어.</li>
	<li>이제이 소 프로필 알코올로 용기에는 기판 잠수함 (IPA, 2-프로 판 올). 또 다른 15 분 동안 초음파 목욕에 컨테이너를 넣어.</li>
	<li>초음파 목욕 그리고 IPA 목욕에서 기판에서 컨테이너를 제거 하 고 건조 한 질소 총. 시각적으로 볼 경우에 단단한 잔류물 또는 얼룩 기판 검사 합니다. 경우, 2.1에서 반복 합니다.</li>
	<li>약 50 대의 속도에 산소 탱크에서 흐름을 엽니다. 확실히 얼굴 위쪽으로 이토 되는 2.5 L/h 산소 흐름에서 6 분의 ITO 기판 청소 하는 산소 플라즈마 클리너 (100 W, 40 kHz)를 사용 합니다.</li>
	<li>기판 플라즈마 챔버에서 제거 하 고 기판 소유자에 그들을 첨부. 두 개의 마스크를 사용할 것입니다: (A) 모든 유기 층의 증발 및 (B) 알루미늄 (그림 1)의 증발. 이 프로토콜에서 편의상 마스크 A 기판 홀더에 연결</li>
</ol>3입니다. 증발 챔버의 준비
<ol><li>증발 약 실에 기판 홀더, 마스크 A와 B, 마스크를 삽입 합니다. 증발 시스템의 유형에 따라 마스크 증 착 선반에 A와 B 선반 1에 마스크 기판 홀더를 배치 합니다.</li>
	<li>다른 알루미늄 산화물 도가니 표면 그것에 의해 덮여 있는지에이 장치에 대 한 사용 되는 모든 다른 재료의 유기 분말을 추가 합니다. 이 경우에 일, DPTZ-DBTO2, 추가 CBP와 4 다른 10 mL 산화 알루미늄 도가니를 TPBi. 한 5 mL 도가니에 알루미늄 LiF를 추가 (알) 하프-풀 5 mL 붕 소 질 화물 고 열 도가니에 조각.</li>
	<li>고려 유기 도가니 위치 각각 크리스털 중량 (QCM) 센서 두께의 진정한 가치를 줄 것 이다. D A G-H 시스템 evaporations에 대 한 공동 증발 프로세스 할 수 있어야 합니다. 따라서, 공동 증발 과정을 제어 하려면 DPTZ DBTO2 와 CBP (TADF OLED) 또는 DtBuCz DBTO2 와 TAPC (Exciplex OLED) 필요 다른 QCMs에 의해 제어 됩니다. 이 경우에, 각 화합물의 위치는 그림 2에 표시 됩니다.</li>
	<li>챔버를 닫고 진공 절차 (일컬어 아래로 양수)를 시작 합니다. 압력 P에 대 한 대기 < 1·10-5 mbar 증발을 시작 하.</li>
</ol>4입니다. 유기 층의 증발
참고: 모든 생명체에 대 한 초과 하지 마십시오 2 Å/s의 증발 속도이 결과로 증가 거칠기 층의 감소 균일 하 고. 특정 시점에이 비 균등 배출와 심지어 반바지에 발생할 수 있습니다.
<ol><li>설정에 물 흐름 요소의 충분 한 냉각 제공 하.</li>
	<li>유니폼 레이어 증 착 되도록 당 분 (rpm), 10 회전 시 기판 회전을 켭니다.</li>
	<li>예약 일 도가니 스위칭-시스템 오픈의 온도 조절기에 의해 열의 ' 셔터. 이 수행할 수 있습니다 사용자의 처분 VTE 소프트웨어를 사용 하 여. 증발 (오픈 예금 셔터) 시작 속도 안정화 1 Å/s의 Evaporate에 40 nm 두꺼운 층 셔터를 닫고, 도가니는 다음 프로세스를 시작 하려면 아래로 냉각 될 때까지 기다립니다.</li>
	<li>4.3 가리키도록 비슷한 방식에서. CBP와 DPTZ DBTO2 를 예 열 하 고 공동 증발에 대 한 그들의 셔터를 열고. 계층의 최종 농도 따라 화합물의 다른 비율을 사용 합니다.<ol>
<li>10%에 대 한 브 레이어 CBP에 대 한 약 2.0 Å/s 및 0.22 DPTZ DBTO2Å/s 속도 안정화 됩니다 때 증발을 시작 합니다. 속도 달성 하는 경우 입금 셔터를 엽니다.</li>
		<li>증발 20 nm 두께 레이어 포함 18 CBP와 2 nm DPTZ DBTO2, nm는 셔터를 닫고, 도가니는 다음 프로세스를 시작 하려면 아래로 냉각 될 때까지 기다립니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>미리는 TPBi가 열 하 고 그 셔터를 엽니다. 증발 (오픈 예금 셔터) 시작 속도 1 Å/s의 Evaporate 60 nm 두께 계층에서 안정화는 셔터를 닫고, 도가니는 다음 프로세스를 시작 하려면 아래로 냉각 될 때까지 기다립니다.</li>
	<li>미리는 LiF가 열, 증발 (오픈 증발 셔터) 시작 때 속도 약 0.2 Å/s 안정화. 0.5 Å/s의 1 nm 두께 레이어 증발, 셔터를 닫고, 도가니는 다음 프로세스를 시작 하려면 아래로 냉각 될 때까지 기다립니다의 증발 속도 초과 하지 마십시오.</li>
	<li>기판 회전을 해제 합니다.</li>
	<li>B. 마스크 마스크를 A 기판 홀더를 바꿉니다 필요한 경우, 증발 약 실 환기. 통풍, 경우 절차를 계속 하기 전에 챔버 내려 펌핑 해야 합니다. 이 프로토콜에서 마스크 A B. 마스크에 배치 됩니다.</li>
	<li>설정에 기판 회전, 즉, 10 rpm.</li>
	<li>미리는 알이 열, 증발 (오픈 예금 셔터) 시작에서 1 Å/s 속도 안정화 되는 때. 하지 2 Å/s의 Evaporate 100 nm 두께 층의 증발 속도 초과, 셔터를 닫고, 도가니가 냉각 될 때까지 기다립니다.</li>
	<li>환기 하 고 챔버를 엽니다. 예금 된 디바이스와 기판 홀더를 제거 합니다. 참고: 증발, 일단 4 픽셀 얻을 수 있습니다 두 개의 서로 다른 크기를 가진 그림 1에서 보듯이: 2 x 4 및 4 x 4 c m2. 그러면 upscaling 장치 때 재현성이 있다. 결점의 수준 더 큰 픽셀11에서 볼 수 있습니다.</li>
</ol>5. OLED 캡슐화
참고:이 섹션은 비록이 좋습니다에 하지 Oled의 분석에 대 한 필수입니다. 확보 하기 위해 그들의 품질, 그것은 또한 중요 한이 섹션에서는 제어 된 환경에서 이루어집니다.
<ol><li>기판 기판 홀더를 제거 합니다. 앞으로 직면 하는 증발된 영화와 함께 캡슐화 무대 위에 배치 합니다.</li>
	<li>수 지 관 및 분산 도구 준비. 나사는 관의 1 개의 측에 적절 한 팁와 튜브의 다른 쪽에 압력 총.</li>
	<li>총 수 지 분산을 가진 압력을 적용 합니다. 모든 증발된 픽셀 (그림 2)를 포함 하는 사각형을 그립니다.</li>
	<li>수 지의 각 사각형 위에 캡슐화 유리를 놓습니다.</li>
	<li>UV 치료로 수 지 제조에 필요한 수 지와 캡슐화 기판 대 유리.</li>
</ol>6. OLED 특성
<ol><li>필요한 경우, 청소 이토 줄무늬 측정 장치에 연결 하기 전에 예금 어떤 유기 물질 제거를 아세톤 이나 IPA를 사용 하 여 이쑤시개와 캡슐화 유리에 포함 되지 않습니다. 이 측정 시스템 및 전극 사이 좋은 저항 접촉 달성을 보장할 것 이다.</li>
	<li>보정 전 보정된 램프를 사용 하 여 NIST 표준에 따라 OLED 측정.</li>
	<li>통합 영역에서 연락처 올바르게 배치 됩니다 확인 하 고 (그림 1)는 OLED를 놓습니다. 양극 (+)과 음극 (-)에 연결 되어 있는지 이토와 알루미늄 패드 각각 확인 합니다. 통합 영역을 닫습니다.</li>
	<li>장치 및 획득된 광도 및 다른 전압에서 방출 스펙트럼의 I-v 곡선을 측정 합니다.<ol>
<li>두 단자 사이의 전압을 적용 하 고 현재 출력을 측정. 휘도 측정기 측정 밝기 출력 합니다.</li>
		<li>전류 밀도 (J), 외부 양자 효율 (EQE), 전원, 벽 플러그 효율, 광속, 발광 효율 (ƞP), 전류 효율 (ƞL) 휘도 (L) 및 수수료 계산 소프트웨어 및 올바른 픽셀 크기 using, 국제 드 L'Eclairage (CIE)를 조정합니다. 이러한 값에 대 한 자세한 정보는 참조15에서 찾을 수 있습니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>플롯 EQE-J, J V L ƞP-V-ƞL, 엘-λ 다른 전압에서 데이터를 분석 하 고. 이 행 해질 수 있다 데이터 처리 소프트웨어를 사용 하 여. 더 나은 이해를 위해 다음 표에서 플롯에 대 한 참조로 사용 합니다.</li>
</ol>

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<li>Shin, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Sky-Blue+Phosphorescent+OLEDs+with+34.1%25+External+Quantum+Efficiency+Using+a+Low+Refractive+Index+Electron+Transporting+Layer%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Sky-Blue Phosphorescent OLEDs with 34.1% External Quantum Efficiency Using a Low Refractive Index Electron Transporting Layer.</a> Advanced Materials. , 1-6 (2016).</li>
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<li>Bardsley, N., et al. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aBardsley%2C+N+%22Solid-State+Lighting+R%26D+Plan%22">Solid-State Lighting R&D Plan</a>. , (2016).</li>
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<li>Sa Pereira, D., Data, P., Monkman, A. P. <a target="_blank" href="https://www.researchgate.net/publication/317136674_Methods_of_Analysis_of_Organic_Light_Emitting_Diodes">Methods of Analysis of Organic Light Emitting Diodes.</a> Display and Imaging. 2, 323-337 (2017).</li>
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</ol>

저자는 공개 없다.

현재 프로토콜 패턴화, 생산, 캡슐화 및 작은 분자 무게 TADF 방출 또는 exciplex 발광 층에 따라 Oled의 특성에 대 한 효과적인 도구를 제시 하는 것을 목표로. 박막의 생산에 대 한 수 있습니다 유기 진공 열 증 (몇에서 Å 수백 nm) 유기 및 무기 재료와 생산 경로 전 하 운반자 재결합 하는 빛을 방출 합니다. 다재 다능 한 장치 생산 이지만 상당히는 증발 즉, 유기 및 무기 소스 사용할 수의 수 또는 (co와 트라이 evaporations는 매우 일반적 이다, 동시에 하나 이상의 증발의 가능성을 제한 특히에서 TADF 장치). 고급 시스템 디스플레이 및 일반 조명에 대 한 백색 Oled28 같은 응용 프로그램에 대 한 도움이 될 수 있습니다 같은 시간에 3 개 이상의 소스 증발에 대 한 수 있습니다. 그럼에도 불구 하 고, 장치 복잡성과 성능 사이 트레이드 오프는 충족 되어야 합니다. 이 증발 절차의 많은 또한이 작품을 넘어 다른 연구를 하 고 있습니다. 이러한 효과의 레이어 두께, 불순물 농도, 레이어 기능을 포함 또는 심지어 새 레이어의 고유 mobilities 공부. 단일 및 공동 증발 계층의 비율 잘 제어할 제어 정확한 식량으로 균일 한 필름 형성에 대 한 수 있기 때문에 중요 한 이기도 합니다.
이 프로토콜의 모든 단계는 통제 된 환경에서 그리고, 더 중요 한 어떤 주위 관련된 저하를 피하기 위해 글러브 안에 캡슐화에 대 한 다는 것이 좋습니다. 마지막으로, 통합 영역은 가장 환영 더 자세한 전기 및 광학 분석을 제공 합니다. 이 마음으로 생산 및 TADF 기반 Oled의 특성 이론 소개에서 모든 단계는 수 있도록 안정적인 장치 생산, 캡슐화, 지난 수 있습니다 다른 이러한 모든 단계를 강조 하는이 프로토콜에 제시 했다 큰 오랜 시간에 대 한

유기 전자 제공 함께 모든 분야에서 화학 물리학, 재료 과학을 통과 하 고 더 효율적이 고 보다 안정적인 구조와 장치 쪽으로 현재 기술을 개선 하기 위해 엔지니어링 합니다. 이것에서 유기 발광 다이오드 (Oled)는 기술입니다 지난 몇 년간, 효율성 및 안정성1,2측면 모두에서 큰 향상을 보이고 있다. 보고서는 디스플레이 OLED 산업 증가 시킬 수 있습니다 16 십억 달러에서 2016 년에 2020 년까지 약 40 십억 달러를 20263이상 50 십억을 말한다. 그것은 또한 일반 조명과 microdisplays 헤드 장착으로 증강 현실4나름대로 찾는입니다. 생물 의학 응용 프로그램에 대 한 유기 센서 같은 응용 프로그램은 더 높은 광도 및 안정성5에 대 한 요구를 주어진 순간에, 미래의 응용 프로그램. 이 추세는 천연 자원의 더 적은 비용에 보다 효율적인 분자를 포함 하는 향상 된 장치 구조에 대 한 필요를 확인 한다. Oled에 사용 되는 재료의 고유의 프로세스의 더 나은 이해는이 디자인할 때 큰 중요성의 또한 이다.
OLED는 다층된 유기 스택 중 적어도 하나는 후자의 투명 두 전극 사이 끼여. 설계 각 레이어에 따라 그들의 가장 높은 점유한 분자 궤도 (호모)와 가장 낮은 빈된 분자 궤도 (LUMO)와 그들의 본질적인 이동성, 특정 기능이 있다 (사출, 막힘, 그리고 전송) 전체 장치에. 메커니즘은 반대 전 하 운반자 (전자와 구멍)에 따라 그들은 특정 계층에서 만나는 장치에 걸쳐 여행,6광자 방출 온다 양식 excitons와이 excitons의 비활성화를 재결합. 이 광자 비활성화 장소7,,89복용 레이어의 특성 일 것 이다. 그래서, 분자 설계 전략, 보류 중인 다른 빨강, 녹색 및 파랑 미터 합성 고 스택에 적용. 함께 넣고, 흰색 장치 생산된10,11일 수도 있습니다. OLED는 스택의 발광 층 일반적으로 게스트 빛9 의 냉각을 방지 하 고 나란히 반응12를 호스트에 분산은 게스트-호스트 (G-H) 시스템 기반으로 합니다.
열 활성화 지연된 형광 (TADF)와 빛을 방출 하는 분자를 여러 가지 방법으로 구현13,,1415최근에 있다. TADF 전형적인 형광이 미터의 5%에서 장치의 외부 효율의 증가 대 한 허용 최대 세 개에 의하여 30% 작은 내의 triplet 프로세스에서 에너지 분할을 통해 수확 이라는 역 intersystem 교차점 (rISC). 효율적인 TADF 기반의 Oled를 형성 하는 몇몇 방법이 있다: 중 하나 가장 일반적인 문학에는 G H 시스템 브 상태 단일 분자16,,1718에 의해 형성 된다. 두 번째 시스템 전자 기증자 (D)와 단순히 기증자 수락자 (D-A) 시스템15,,1920, 라고 하는 전자 수락자 (A) 분자 사이 형성 하는 exciplex 미터를 사용 하 여 21; TADF 재료 및 장치의 작은 범위 보고 되었습니다, 저조한 매우 높은 외부 양자 수율14, 예를 들어, 값에 도달 19% EQE22, 명확 하 게 나타내는 수확 하는 매우 효율적인 triplet 발생 그리고 100 %의 내부 양자 효율은 가능 합니다. 이러한 TADF 기반 Oled에 (르) 상태, 따라서 감소 TADF 메커니즘을 흥분 환경의 극성 로컬에서 충전 전송 (CT) 상태로 변경할 수 있습니다 적절 한 호스트 재료를 선택 하는 때 배려를가지고 한다. 고려 되어야 하는 절차는 다른 형광 방출23와 비슷합니다. 이러한 장치 비교적 간단한 스택 구조, 일반적으로 3 ~ 5 유기 레이어, 그리고 p i n 의 필요 없이24, 매우 낮은 턴 온 전압이 2.7 V 및 최대 두께 약 130의 순서의 결과로 구조 모두에 대 한 nm 좋은 충전 균형을 보장 하기 위해 유기 레이어입니다.
물자의 속성 떨어져 다층 스택 생산 중 진공 열 증 (VTE) 또는 더 작은 분자에 대 한 자주 전 스핀 코팅에 따라 될 수 있습니다. 온도, 압력, 환경, 속도, 및 각 층의 두께 정밀 하 게 제어를 해야합니다. G H 레이어를 내보내기 위한 공동 증발 속도 얻을 수 원하는 비율에 대 한 제어 해야 합니다. 또한 극단적인 중요성의 비 작업 장치 또는 고르지 방출 발광 픽셀25에 걸쳐 초래할 수 있는 Oled에 사용 되는 기판의 청소입니다.
따라서,이 문서 준비, 생산, 및 유기 소자의 특성의 모든 단계를 목표로 하 고 높은 효율과 배출의 균일성에 필요한 주의 프로토콜에 새로운 전문가 도움을 계획 이다. DPTZ-DBTO2 (TADF G H 시스템16,26이용 방출로 2,8-Bis(10H-phenothiazin-10-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide)의 사용을 포함 하 고 있습니다. 비슷한 메서드는 또한 DtBuCz DBTO2 (TAPC (4, 4 '-Cyclohexylidenebis [N, N-bis(4-에서에서 2,8-Bis(3,6-di-tert-butyl-9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene-S,S-dioxide)를 사용 하 여 기반으로 exciplex D A 시스템의 형성에 대 한 구현 될 수 있습니다. methylphenyl) benzenamine])15, 어디 절차에서 주요 차이점은 있지만 브 레이어의 농도 비율 크게 방출 (단일 분자 CT 방출 대 exciplex CT 방출)의 특성을 변경 합니다. 여기에 설명 된 G H 시스템 단일 분자 CT 미터는 3, 5 층 그리고 2 무기 재료의 증발을 포함 한다. 장치 인듐 주석 산화물 (ITO)의 작성 하는 양극, 40 nm의 N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (일)으로 구멍 전송 계층 (HTL), 그리고 총 20 nm의 4, 4 '-bis (N -carbazolyl)-1, 1 '-비페닐 (CBP) DPTZ DBTO2 G H 시스템에 따라 발광 층으로의 10%. 60 2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1H의 nm-benzimidazole) (TPBi)는 그 전자 수송 층 (ETL) 및 1으로 사용의 전자 주입 층 (EIL)로 리튬 플로 (LiF) nm. 100 nm 알루미늄 (Al)의 마무리는 음극으로 장치. 모든 절차의 다이어그램은 그림 1에서 찾을 수 있습니다. 생명체의 두께 문학에서 사용 하는 다른 장치에 비슷한 되도록 선정 됐다. 각 계층의 이동성 좋은 캐리어 균형 레이어의 안쪽으로 신중 하 게 검사 해야 합니다. LiF의 작업 터널링 효과에 따라, 즉, 사업자는 전송 계층에 더 나은 주입 보장 포장된 LiF의 터널을 통해 여행. 즉, (0.8과 1.5 nm) 사이 얇은 레이어는 필요한27. 알의 레이어 어떤 산화를 방지 하기 위해 충분히 두꺼운 되어야 합니다 (70 nm은 최소한의 요구 사항).

<table><tbody><tr><td>N, N &prime, -Di (1-naphthyl) -N, N : prime, - diphenyl-(1,1 &prime, -biphenyl) -4,4 &prime; -diamine</td><td>NPB</td><td>시그마 Aldrich</td><td>556696</td></tr><tr><td>4,4 &prime; -Bis(N-carbazolyl) -1,1 &prime; -biphenyl</td><td>CBP</td><td>시그마 Aldrich</td><td></td></tr><tr><td>699195 2,2&prime;,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)</td><td>TPBi</td><td>시그마 Aldrich</td><td>806781</td></tr><tr><td>리튬 플로라이드 99.995%</td><td>LiF</td><td>시그마 알드리치</td><td>669431</td></tr><tr><td>알루미늄 99.999%</td><td>알루미늄</td><td>알파 에자르</td><td>14445</td></tr><tr><td>아세톤 99.9%</td><td>아세톤</td><td>시그마 알드리치</td><td>439126</td></tr><tr><td>이소프로필 알코올 99.9%</td> <td>IPA</td><td>시그마 알드리치</td><td>675431</td></tr><tr><td>포토레지스트</td><td></td><td>DOW 전자 재료</td><td>Microposit S1813</td></tr><tr><td>개발자</td><td></td><td>DOW Electronic Materials</td><td>Microposit 351</td></tr><tr><td>염산 37%</td><td>HCl</td><td>시그마 Aldrich</td><td>435570</td></tr><tr><td>질산 70%</td><td>HNO3</td><td>시그마 Aldrich</td><td>258113</td></tr><tr><td>캡슐화 수지</td><td></td><td>Delo</td><td>Kationbond GE680</td></tr><tr><td>캡슐화 사각 유리 15x15mm</td><td></td><td>한천</td><td>AGL46s15-4</td></tr><tr><td>ITO</td><td></td><td>Naranjo 기판</td><td>맞춤 제작</td></tr></tbody></table>

생산 및 진공의 입금 유기 발광 다이오드

Production and Characterization of Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes

게스트-호스트를 기반으로 하는 간단 하 고 효율적인 열 활성화 지연된 형광 유기 발광 다이오드 (Oled)를 생산 하는 방법 또는 exciplex 기증자 수락자 미터 제공 됩니다. 단계별 절차와 독자 반복 하 고 간단한 유기 미터에 따라 OLED 장치 생산 수 있을 것입니다. 맞춤된 인듐 주석 산화물 (ITO) 모양의 창조를 허용 하는 패턴화 프로시저에 표시 됩니다. 이것은 모든 레이어, 캡슐화 및 각 개별 소자의 특성의 증발에 의해 선행 된다. 최종 목표에 제시 된 정보를 반복 하는 기회를 줄 것 이다 절차를 제시 하는 인용 게시 하지만 또한 효율적인 Oled를 준비 하기 위하여 사용 하 여 다른 화합물 및 구조.

그림 3 에 표시 하는 데이터 한 Oled의이 종류의 분석에 의해 얻을 수 있는 다른 정보의 좋은 예입니다. 그림 3a, 턴 온 전압에서에서 (에서 감지기 시작 되는 장치에서의 빛을 감지 하는 전압)를 확인할 수 있습니다. 이 경우에, 그것은 높은 전압으로 인해 V. 장치 저하 때 휘도 감소 (약 13 V) 실질적으로 볼 수 있다 4. 캐리어 주입 장치 채권과 분자의 결과로 유기 레이어 반응 저하 발생 합니다. 또한, 전기 긴장 장치 저하와 연결할 수 있습니다. 이 소자의 최대 광도 17000 cd/m2이다. 그림 3b, 최대 E.Q.E. (약 7%)와 롤-오프에서 장치 전기 안정성의 척도 결정 됩니다. 롤 오프 장치도로 정의 됩니다 드롭 그것을 통해 흐르는 전류와 효율에. 롤 오프 다른 장치 비교를 100과 1000 cd/m2 의 표준 광도 EQE의 값은 보통6을주어진 다. 이 경우, 6.1 및 5.5%에에서 각각 나타내는 그것의 최대값의 20%와 9%의 드롭. 이 불 쌍 한 롤-오프 나타냅니다. 좋은 값은 0과 5% 사이 광도의 높은 수준까지 이어야 합니다. 효율성의 다른 값은 비슷한 유형의 장치 비교의 다른 수단으로 그림 3 c에 표시 됩니다. 마지막으로, EL 573에서 정점을 표시 됩니다 nm, 전형적인 녹색-노란색 방출 ( 그림3d 삽입). 다른 전압에서 엘 방출 일어나는 곳으로 광 안정성 즉, 통찰력을 주는 수 있습니다. 이 경우에,이 겉보기 적용 전압 변경 되지 않습니다, 하나의 장치는 광학 안정 가정할 수 있습니다. 검사는 CIE 좌표 (전압 그림 3b 의 삽입은 광 안정성을 측정 하는 또 다른 방법은.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig1.jpg"> 그림 1:이 프로토콜에 표시 하는 모든 단계를 포함 하는 다이어그램. 모든 유기 레이어 및 LiF 마스크 a.를 사용 하 여 증발은 금속 (알루미늄의 증발), 후 장치의 2 세트 4 x 4 cm2마스크 하나 b: 2 x 4 c m2 와 다른을 사용 하 여 생산 수 있습니다. 전압은 이토 사이 적용 됩니다 (양극: +) 및 알루미늄 (음극:-)와 전류 측정 됩니다. 장치 구조의 횡단면도 표시 됩니다. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig1large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig2.jpg"> 그림 2:는) 유기 낮은 온도 (블랙)의 다이어그램 및 진공 챔버에 배치 무기 과열 소스 (파란색). 각 물자로 그들은 이전 각 자료에 대 한 최적화 된 소프트웨어에 대 한 특정 난방 번호로 지정된 된 소스에 넣어 있다. b) QCM 센서 챔버에 걸쳐 배열. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig2large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/56593/56593fig3.jpg"> 그림 3: a) J-V-L, b) EQE-J, c) ƞP-V-ƞL, d)이이 연구에서 장치에 대 한 다른 전압에서 엘-λ. B의 삽입에는 CIE 좌표 변화 전압 표시 됩니다) 장치의 사진 d의 삽입에 표시). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/56593/56593fig3large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭 하십시오.</a>
<table border="1" fo:keep-together.within-page="1" fo:keep-with-next.within-page="always"><tbody>
<tr>
<td>곡선</td>
			<td>x</td>
			<td>규모</td>
			<td>y1</td>
			<td>규모</td>
			<td>y2</td>
			<td>규모</td>
		</tr>
<tr>
<td>J V-L</td>
			<td rowspan="2">V</td>
			<td rowspan="2">선형</td>
			<td>J</td>
			<td>로그</td>
			<td>L</td>
			<td>로그</td>
		</tr>
<tr>
<td>ȠP-V ƞL</td>
			<td>ȠP
</td>
			<td>로그</td>
			<td>ȠL
</td>
			<td>로그</td>
		</tr>
<tr>
<td>EQE J</td>
			<td>J</td>
			<td>로그</td>
			<td>EQE</td>
			<td>로그</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
<tr>
<td>엘-Λ</td>
			<td>Λ</td>
			<td>선형</td>
			<td>엘</td>
			<td>선형</td>
			<td></td>
			<td></td>
		</tr>
</tbody></table>표 1: 곡선과 관련된 규모 Oled의 특성의 통일에 대 한 간주 됩니다.

간단한 구조 유기 발광 다이오드 (Oled)의 생산을 위한 프로토콜 제공 됩니다.

A method for producing simple and efficient thermally-activated delayed fluorescence organic light-emitting diodes (OLEDs) based on guest-host or exciplex ...

진공 열 증발은 연구 및 산업에서 사용되며 유기 발광 다이오드를 생산하는 데 가장 많이 사용되는 기술입니다. 이 기술의 주요 장점은 고효율 장치로 변환 할 수있는 고품질의 쉽게 재현 가능한 구조의 생산입니다. 두 개의 패턴기판으로 시작합니다.이 24 밀리미터 바이 24 밀리미터 ITO 코팅 유리 기판은 4 밀리미터 줄무늬로 패턴화되었습니다. 각 기판을 아세톤으로 약 10초 동안 헹구고 질소 총으로 건조시다. 다음으로, 아세톤의 용기에 기판을 담그고 용기를 초음파 욕조에 15 분 동안 놓습니다.완료되면 기판을 이소프로필 알코올이 있는 용기에 옮길 수 있습니다. ITO 필름을 향하고 있는 측면에 있는 두 컨테이너에 신호를 주는 것을 잊지 마십시오. 이 용기를 초음파 욕조에 15 분 간 배치하십시오.두 번째 초음파 목욕 후, 기판을 제거하고 질소 총으로 건조. 플라즈마 클리너에 적합한 플랫폼에 건조 기판을 배치합니다. 진행하기 전에 기판에 잔류물이나 얼룩이 없는지 확인하십시오.패드 영역에서 멀티미터를 사용하여 ITO가 앞으로 향하고 있는지 확인합니다. 다음으로, 산소 플라즈마 클리너로 이동하여 기판 ITO 측을 위로 배치합니다. 6 분 동안 청소하십시오.플라즈마 세척 후 증발 단계를 준비하십시오. 모든 유기 층의 증발에 사용되는 마스크 A를 사용하여 기판 홀더에 기판을 부착하여 ITO가 아래쪽으로 향하고 있는지 확인합니다. 의심스러운 경우 멀티미터로 다시 테스트합니다.알루미늄의 증발을 위해 두 번째 마스크, 마스크 B를 준비하십시오. 그런 다음 마스크 A를 마스크 B.기판 홀더와 마스크를 장갑상자의 대기실에 가져가기, 증발 챔버가 있는 곳에 놓습니다. 다음으로, 이 장치에 필요한 다른 유기 분말 및 기타 재료를 준비하고 챔버에 추가합니다.글러브박스에서 작업할 때 챔버에 새로운 것을 추가하기 전에, 방의 세 번 을 대피하고 리필하여 산소가 장갑박스에 들어가지 않도록 하십시오. 증착 선반에 마스크 A를 놓습니다. 마스크 B를 대체 선반에 놓습니다.마지막으로, 유기 분말을 해당 영역에 배치합니다. 그런 다음 챔버를 닫고 진공 절차를 시작합니다. 압력이 낮으면 냉각수 및 기판 회전의 흐름을 시작합니다.이는 증발 시퀀스의 시작 시 픽셀의 기판 상단 뷰 및 단면의 표현이다. 증발 속도가 초당 약 1 앙스트롬일 때 예열된 NPB의 40나노미터를 입금하십시오. NPB 도가니 냉각 후, 다른 증발 속도를 사용하여 예열된 CBP의 18 나노미터 및 예열된 DPTZ-DBTO2의 2 나노미터를 공동 증발시합니다.공동 증발 단계는 좋은 장치 성능을 보장하는 데 매우 중요합니다. 비율이 전체 계층에서 동일한지 확인하기 위해 절차 전반에 걸쳐 공동 증발 속도를 유지관리해야 합니다. 다음으로 초당 약 1개의 협스트롬에서 예열된 TPBi의 60 나노미터를 증발시다.그런 다음 예열된 리튬 불소의 1나노미터를 증발시합니다. 리튬 불소 도가니가 시원할 때 마스크 A를 마스크 B에 놓고 100나노미터의 예열된 알루미늄을 초당 약 1개의 앙스트롬에 보관하십시오. 환기 후, 피난실에서 기판을 제거합니다.이것은 증발 단계 후에 나타나고 유리 기판을 통해 보는 방법입니다. 4픽셀이 있습니다. 이 회로도 보기에서는 패드 크기가 다른 마스크 B를 사용하면 두 가지 크기로 4 픽셀을 허용했습니다.2~ 4센티미터, 4~4센티미터 광장. 기판을 캡슐화 단계로 옮기고 홀더에서 제거한 다음 증발된 필름이 앞으로 향하도록 무대에 배치합니다. 수지분산을 분산하여 증발된 모든 픽셀을 포함하는 사각형을 그립니다.다음으로, 수지 위에 캡슐화 유리를 놓고 장치에 고정합니다. 준비가 되면 UV는 수지 지침에 따라 기판을 치료합니다. 캡슐화는 장치가 산소 나 습도로 저하되지 않도록 보장합니다, 결국, 그 품질을 보장.통합 구를 사용하여 OLED를 특성화합니다. 특성화하기 전에 OLED를 검사합니다. OLED의 캡슐화 유리 외부의 ITO 줄무늬가 깨끗하다는 것을 확인하십시오.통합 구체에 OLED를 배치합니다. 양극이 ITO 패드에 연결되어 있는지 확인하고 음극이 알루미늄 패드에 연결되어 있는지 확인합니다. 연결이 이루어지면 통합 구를 닫고 특성 화 측정을 진행합니다.이 플롯은 현재 밀도를 검은색 전압 함수로 가지고 있습니다. 또한 빨간색전압 함수로서 휘도를 갖는다. 빛이 처음 감지되는 전압은 4볼트입니다.고전압에서 장치 성능 저하가 명백해지며, 휘도가 약 13볼트에 나타납니다. 이러한 플롯은 다른 장치와 비교할 수 있습니다. 이것은 전류 밀도의 함수로서 외부 양자 효율이다.다음은 블랙의 발광 효율이며, 왼쪽 축이라고 하며, 현재 효율은 파란색으로 지칭되며, 각각 전압의 함수로서 우축을 지칭한다. 마지막으로, 다양한 전압에 대한 파장의 함수로서 방출된 빛의 이 플롯은 피크 방출의 파장이 변하지 않는다는 것을 보여줍니다. 이것은 장치가 광학적으로 안정되어 있음을 시사한다.이 절차를 시도하는 동안 모든 재료와 기판 표면이 환경에 민감하다는 것을 기억하는 것이 중요합니다. 온도, 습도, 먼지 및 산소와 같은 매개 변수는 장치 성능에 영향을 미칩니다. 개발 후, 여기에 표시된 진공 열 증발 기술은 현재 의 OLED 생성을위한 길을 열었습니다.이 세대에서는 평면 패널 디스플레이 및 스마트폰을 위해 다양한 이미터및 응용 프로그램 조언 스택을 살펴봅시다. 이 프로토콜은 소수의 유기 층으로 장치 스택을 구축하는 간단하지만 효과적인 방법을 보여 주며, 이는 여전히 고효율 시스템의 생산을 가능하게 합니다. 청소에 사용되는 용매로 작업하는 것은 위험할 수 있다는 것을 잊지 마십시오.적절한 장갑, 실험실 의류 및 보호 용 안경을 사용하는 것과 같은 예방 조치는 항상이 절차를 수행 할 때 취해야합니다.

production-characterization-vacuum-deposited-organic-light-emitting

Research

연구

JoVE Journal

Engineering

공학

Vacuum Deposited Organic Light Emitting Diodes의 생산 및 특성화

우리는 유기계 페리 자성체 바나듐 테트라시의 합성을 제시 (V [TCNE] X, X 1 ~ 2), 저온 화학 기상 증착 (CVD)을 통한. 이 최적화 된 조리법은 K 600 400 K에서 퀴리 온도의 증가와 자기 공명 특성의 극적인 향상을 얻을 수 있습니다.

자석의 유기 화학 기상 증착, 바나듐 테트라시

저자는 청색 방출 플루오렌 중합체와 방향족 아민 사이에 형성된 엑시플렉스에서 방출을 활용하여 안정적인 백색광 방출 전기화학 전지를 제조하는 방법을 제시합니다.

화이트의 제작 Exciplexes에서 안정 방출과 전기 화학 셀 라이트 발광

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스케일-업 Dibenzothiophene S, S-이산화 코어에 따라 열 활성화 지연된 형광 방출의 화학 합성

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이 문서에서는, 우리는 전기, 설명 전자 상자성 공명, 및 유기 전자 응용 프로그램에 대 한 유기 화합물을 분석 자외선 보이는 및 적외선 근처 spectroelectrochemical 방법.

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여기, 우리는 디자인, 제조, 및 공기에 민감한 유기 광전자 소자의 광학 및 전기 특성에 대 한 간단 하 고, 다양 한 3D 인쇄 및 제어 대기 챔버의 사용에 대 한 프로토콜을 제시.

유기 광전자 소자에 대 한 3D 인쇄 챔버 저하 테스트

프로토콜은 autoxidized 알루미늄 음극을 채용 하 여 높은-성능, 퓨어 블루 ZnCdS/ZnS 기반 양자 점 발광 다이오드 날조를 위한 제공 됩니다.

향상 된 전자 주입 및 순수한 청색 양자 점 발광 다이오드 부분적으로 도입 하 여에 대 한 여 기자 감 금 산화 알루미늄 음극

여기에 제시된 것은 낮은 롤오프를 가진 효율적이고 간단한 용액 증착 유기 발광 다이오드의 제조를위한 프로토콜입니다.

용액 증착을 통한 효율적인 OLED 개발

이 백서는 롤투롤 슬롯다이 코팅, 비 풀러렌 유기 태양광에 잉크건조의 SITU GISAXS 실험에서 사내 (실험실 X 선 악기와) 수행하고 분석하는 데모 및 지침입니다.

실험실 X 선 계측기와 유기 태양 전지의 롤 투 롤 코팅에 작은 각도 X 선 산란 시

유기 발광 다이오드(OLED) 장치는 더 나은 대비로 우수한 디스플레이 품질을 제공하는 동시에 에너지 소비를 줄여 환경적 이점을 제공합니다. 여기에서는 용액 처리 OLED 소자 제작을 위한 간단한 전략을 순차적으로 제시한다.

TADF 이미터의 용액 처리 장치 제조에 의한 유기 발광 다이오드 활용을 위한 단계별 가이드

학습하세요 진공 열 증착법을 이용한 유기 발광 다이오드(OLED) 제조 방법을. ITO 기판 전처리, 유기층 순차 증착, 캡슐화 기술을 통해 고효율 소자를 생산하는 신뢰성 있는 프로토콜입니다.

생산 및 진공의 입금 유기 발광 다이오드

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