Name: 준비 및 C60/Graphene 하이브리드 Nanostructures의 특성화 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-05-15T13:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 40 s
Description: 배우세요 물리적 열 증착과 어닐링 조건을 조절하여 그래핀 위에 1차원 및 준1차원 C60 구조를 형성하는 하이브리드 나노구조 제조 방법을. 이 기술은 분자 자기조립 연구에 활용됩니다.

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이 작품은 그랜트 W911NF-15-1-0414 아래 미국 육군 연구 사무실에 의해 지원 됩니다.

1입니다. 수 제 Knudsen 셀의 준비
<ol><li>
Knudsen 셀에 대 한 구성 요소를 준비
	<ol>
<li>구매 CF 플랜지 전원 피드스루 (2.75"CF, 4 핀 스테인리스)를 기반으로 합니다. 1 직경 1.30"라인과 그것의 둘레 사이의 교차 지점에서 피드스루를 통해 두 스레드 구멍을 드릴 합니다.</li>
		<li>유리 튜브 ("외부 직경 (OD), 2.50" 길이 0.315)를 준비 합니다.</li>
		<li>0.005"두께가 얇은 구리 시트 (99.9%)을 구입. 7.5"L의 치수를 하나의 시트를 잘라 x 5.0" W가 위, 다음 컬 빈 columniform을 손으로 1.45"직경을 가진 방패의 쌍을 사용 하 여 (그림 1a).</li>
		<li>3"길이 chromel 및 모 와이어를 절단 하 여 직경 0.005" 유형 K 열전대 (chromel/모)를 준비 합니다. 두 전선의 양 끝에서 길이 약 0.5"절연체 레이어를 껍질.</li>
		<li>약 60"의 길이 0.01" 직경 텅스텐 와이어 (99.95%)를 잘라. 코일 직경 0.315"스프링 모양으로 포장 하 여 밀접 하 게 그것은 유리 튜브의 유사한 직경의 막대 주위.</li>
		<li>세라믹 조각 구입. 적당 한 사각 원피스 (5 그림 1b) 유리의 치수에 맞는 중간에 구멍을 준비 합니다.</li>
		<li>밴딩 및 선반 기계 톱 질 7"길이 2 표준 강철 스레드 0.10" 직경 막대를 잘라.</li>
		<li>대략 30"길이 시저를 사용 하 여 부드러운, 0.01" 직경 구리 와이어를 잘라.</li>
		<li>2"길이, 및 길이 4" 사이드 커터를 사용 하 여 하나의 막대에 3 개의 막대를 절단 하 여 0.094"OD 직경 4 빈 구리 막대를 준비 합니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Knudsen 셀에 이러한 조각을 조립합니다
	<ol>
<li>1.1 초음파 30 분 아세톤에 42 kHz에서 청소를 사용 하 여 단계에서 언급 한 모든 구성 요소를 청소.</li>
		<li>2 표준 강철 전원 피드스루의 CF 플랜지에 있는 드릴된 구멍에 스레드 막대를 탑재 합니다. 참고: 구멍은 스레드 (7 그림 1b).</li>
		<li>하단의 CF 플랜지 전원 피드스루의 4 핀의 상단 부분에 4 빈 구리 막대의 절반에 장착 빈 구리 막대에 핀을 삽입 하 고 사이드 커터 (6 그림 1b) 하 여 그들을 수정 합니다.</li>
		<li>연약한 구리 철사와 스레드 막대의 아래쪽에서의 2.5"높은 위치에 세라믹 조각을 탑재 합니다. 참고:이 다음 단계 (5 그림 1b)에 유리 튜브를 지원 합니다.</li>
		<li>컬된 텅스텐 봄에 유리 튜브 슬라이드. 세라믹 작품의 구멍에 유리 튜브의 하단을 짠 다. 연약한 구리 철사를 사용 하 여 스레드 봉 (3, 4 그림 1b)의 맨 끝에 유리 튜브의 위쪽 끝을 잡고.</li>
		<li>A. 짧은 구리 봉, B (A와 B 그림 1b)로 정의 된 중 하나에 스프링의 하단 끝을 그립 정의 더 긴 구리 막대에 스프링의 맨 끝을 잡습니다.</li>
		<li>트위스트 chromel 및 모 전선 함께 (2에서 그림 1b)의 껍질을 벗 겨 한쪽.</li>
		<li>유리 튜브의 외부 하단 밀접 하 게 접촉 되도록 트위스트 관절 끝을 놓습니다. 세라믹 조각의 도움으로 그것을 고정.</li>
		<li>손잡이 D (C와 D에서 그림 1b)로 정의 된 왼쪽된 짧은 구리 막대에 모 와이어의 다른 벗 겨 끝에 왼쪽된 2 짧은 구리 막대, C. 그립으로 정의 중 하나에 벗 겨의 다른 쪽 끝은 chromel 와이어.</li>
		<li>(그림 1a) CF 플랜지 전원 피드스루에 컬된 구리 빈 columniform 방패를 넣어.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. 수 제 Knudsen 셀에 C60 소스 준비
<ol><li>만든 Knudsen 셀에 C60 소스를 로드 합니다.<ol>
<li>만든 Knudsen 셀의 유리 튜브에 C60 분말 (순도 99.5%)의 대략 50 밀리 그램을 로드 합니다. 참고: 분말의 질량의 1 밀리 그램 이상의 정밀도 필요 하지 않습니다.</li>
		<li>다시 로드 자물쇠의 한 지점에 Knudsen 셀을 탑재 합니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>로드 잠금 펌프.<ol>
<li>로드 잠금에 대 한 펌프를 켭니다. 먼저 터보 펌프를 냉각 하는 물 밸브 설정 다음 기계적인 펌프를 냉각 팬을 켭니다. 기계적인 펌프를 켭니다 하 고 마지막으로 터보 펌프를 켭니다.</li>
		<li>로드 잠금에 압력을 확인 하 고 약 10 h를 기다립니다. 참고: 터보 펌프의 출구 압력은 10-2 mbar x 6.0 이어야 한다.</li>
		<li>(일반적으로 10-6 mbar) 아래 낮은 압력 부하 잠금에 이온 게이지를 켭니다.</li>
		<li>로드 잠금에 압력을 확인: 압력 10 h 펌핑 후 10-8 mbar의 범위에 있어야 한다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>만든 Knudsen 셀에 C60 소스 anneal<ol>
<li>점차적으로 만든 Knudsen 셀에 C60 소스 anneal (1.5 ° C/min) CF 플랜지 전원 피드스루의 컬된 텅스텐 스프링에 연결 된 두 개의 핀에 공급 힘을 연결 하 여 기체 제거를 위한 2 h 250 ° C에서.</li>
		<li>300 ° c 증 착 온도 (270 ° C) 위에 있는 어 닐 링 온도 증가.</li>
		<li>Anneal 추가 기체 제거를 위한 0.5 h 300 ° C에서.</li>
		<li>증 착을 위한 270 ° C의 온도 감소.</li>
	</ol>
</li>
</ol>3. 준비 UHV 챔버에 개별적으로 깨끗 한 그래
<ol><li>STM 시스템 (위한 특별 한 장소를 준비 하 고 초고 진공에서 샘플을 어 닐 링)의 초고 진공 준비 실에서 어 닐 링 플레이트에 샘플 저장소 회전 목마에서 (동 박)에 그래 핀 전송.</li>
	<li>400 ° c 온도 점차적으로 늘려 기본 준비 챔버 내 낮은 10-10 mbar에서 그래 핀 기판 anneal</li>
	<li>12 h는 그래 핀 표면에 잔류 불순물 제거를 기다립니다.</li>
	<li>실내 온도를 점차적으로 그래 핀 기판에 대 한 어 닐 링 온도 감소.</li>
</ol>4. 입금 부하 잠금에 만든 Knudsen 셀을 사용 하 여 그래 핀 기판에 C 60
<ol><li>그래 핀 기판 부하를 전송 합니다.<ol>
<li>전송 위치에 준비 실에서 접시를 정렬 합니다. 원자적 깨끗 한 그래 핀 및 C60 소스 준비 후 착 C60 에 대 한 부하를 원자적 깨끗 한 그래 핀을 전송.</li>
		<li>로드 잠금 및 준비 챔버 사이의 밸브를 엽니다.</li>
		<li>준비 실에서 접시의 그래 핀 기판 아웃 도구와 함께 로드 잠금에 전송.</li>
		<li>그래 핀 기판 얼굴 다운 (C60 아래 소스에서 온다).</li>
	</ol>
</li>
	<li>그래 핀 기판에 C60 을 예금 한다. 참고: C60 분자는 270 ° c.에 그래 핀 기판에 수 제 Knudsen 셀에서 전송<ol>
<li>0.9 단층/분의 증 착 속도와 1 분 기다립니다.</li>
		<li>준비 약 실에 다시 C60/graphene 샘플을 전송 합니다.</li>
	</ol>
</li>
</ol>5. C 60 /Graphene STM 메인 챔버에서 측정 샘플 준비
<ol><li>초고 진공 준비 실에서 2 h를 위한 3.1 ° C/min의 속도로 150 ° C에 C60/graphene 샘플 anneal</li>
	<li>STM 메인 챔버에 STM와 C60/graphene 샘플을 검사 합니다.</li>
	<li>210 ° C 2 h를 위한 3.1 ° C/min의 속도 C60/graphene 샘플 anneal</li>
	<li>STM와 C60/graphene 샘플을 검사 합니다.</li>
</ol>

<ol><li>Gutzler, R., Heckl, W. M., Lackinger, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Combination+of+a+Knudsen+effusion+cell+with+a+quartz+crystal+microbalance%3A+In+situ+measurement+of+molecular+evaporation+rates+with+a+fully+functional+deposition+source%5BTitle%5D)+AND+%22Review+of+Scientific+Instruments%22%5BJournal%5D)">Combination of a Knudsen effusion cell with a quartz crystal microbalance: In situ measurement of molecular evaporation rates with a fully functional deposition source.</a> Review of Scientific Instruments. 81, 015108(2010).</li>
<li>de Barros, A. L. F., et al. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900206000635">A simple experimental arrangement for measuring the vapour pressures and sublimation enthalpies by the Knudsen effusion method: Application to DNA and RNA bases.</a> Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section a-Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment. 560, (2006).</li>
<li>Shukla, A. K., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1793892">Versatile UHV compatible Knudsen type effusion cell.</a> Review of Scientific Instruments. 75, 4467(2004).</li>
<li>Cho, J., et al. <a target="_blank" href="https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl3008049">Structural and Electronic Decoupling of C60 from Epitaxial Graphene on SiC.</a> Nano Letters. 12, 3018(2012).</li>
<li>Jung, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomically+resolved+orientational+ordering+of+C60+molecules+on+epitaxial+graphene+on+Cu%28111%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">Atomically resolved orientational ordering of C60 molecules on epitaxial graphene on Cu(111).</a> Nanoscale. 6 (111), 11835(2014).</li>
<li>Li, G., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.3673830">Self-assembly of C60 monolayer on epitaxially grown, nanostructured graphene on Ru(0001) surface.</a> Applied Physics Letters. 100 (0001), 013304(2012).</li>
<li>Lu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Using+the+Graphene+Moire+Pattern+for+the+Trapping+of+C60+and+Homoepitaxy+of+Graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Acs+Nano%22%5BJournal%5D)">Using the Graphene Moire Pattern for the Trapping of C60 and Homoepitaxy of Graphene.</a> Acs Nano. 6, 944(2012).</li>
<li>Zhou, H. T., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.3646406">Direct imaging of intrinsic molecular orbitals using two-dimensional, epitaxially-grown, nanostructured graphene for study of single molecule and interactions.</a> Applied Physics Letters. 99, 153101(2011).</li>
<li>Belaish, I., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.350583">Spin Cast Thin-Films of Fullerenes and Fluorinated Fullerenes - Preparation and Characterization by X-Ray Reflectivity and Surface Diffuse-X-Ray Scattering.</a> Journal of Applied Physics. 71, 5248(1992).</li>
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<li>Ma, D. N., Sandoval, S., Muralidharan, K., Raghavan, S. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0167931716304968">Effect of surface preparation of copper on spin-coating driven self-assembly of fullerene molecules.</a> Microelectronic Engineering. 170, 8(2017).</li>
<li>Chen, C. H., Zheng, H. S., Mills, A., Heflin, J. R., Tao, C. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Temperature+Evolution+of+Quasi-one-dimensional+C60+Nanostructures+on+Rippled+Graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Scientific+Reports%22%5BJournal%5D)">Temperature Evolution of Quasi-one-dimensional C60 Nanostructures on Rippled Graphene.</a> Scientific Reports. 5, 14336(2015).</li>
</ol>

공개 하는 것이 없다.

이 프로토콜에서 설명 하는 기술은 유기 물질 및 기타 높은 증기압 자료의 열 증 착을 위해 설계 되었습니다. 이러한 기술은 샘플 준비 영역 분자 증발으로 열 어 닐 링을 지원할 수 있는 초고 진공 시스템 통합 될 수 있습니다. 이 특정 실험에 대 한 목표는 그래 핀 기판 연구에 C60 분자를 예금 하는 C60 와 열 효과의 자기 조립.
방법의 이점은 다른 박막 준비 방법, 같은 스핀 코팅에 비해 슈퍼 깨끗 한 샘플 제공입니다. 화학 증기 증 착 (CVD) 같은 좀 더 복잡 한 기술에 비해,이 물리적 열 증발은 훨씬 쉽게 실현 하 고 안정 되어 있는 원자와 분자 증 착에 적합. 원자와 분자 해상도 영상 C60/graphene 하이브리드 nanostructures를 관찰 해야 합니다. STM이이 박람회에 사용 됩니다. 그것은 기체 제거 하 고 시간을 미리 어 닐 링 과정 전반에 걸쳐 높은 진공을 유지 하 여 기판의 증 착을 ...

이 프로토콜에는 입금 하 고 1 D와 유사-1 D C60 체인 구조를 실현 될 수 있다는 그래 핀에 C60 분자를 조작 하는 방법을 설명 합니다. 이 실험에서 기술은 느린 이며 위대한 노력을 요구할 수 있습니다 수동 조작에 의존 하지 않고도 바람직한 구성으로 adsorbates를 안내 하는 필요를 해결 하기 위해 개발 되었다. 여기에 설명 된 절차는 분자 증 착 및 샘플의 열 어 닐 링을 지원할 수 있는 샘플 준비 지역으로 높은 진공 시스템의 사용에 의존 합니다. STM은 샘플, 특성화 하는 데 사용 됩니다 하지만 다른 분자 해상도 기법을 적용할 수 있습니다.
Knudsen 셀 내에서 분자의 열 증발은 얇은 필름을 준비 하는 효율적이 고 깨끗 한 방법 이다. 이 프로토콜에서 Knudsen 셀 그래 핀 기판에 C60 분자를 증발 하는 데 사용 됩니다. Knudsen 셀 증발이 주로 이루어져 있다 석 영 관, 난방 필 라 멘 트, 열전대 와이어 및 피드스루1,2,3. 석 영 튜브는 분자를 수용 하는 데 사용 됩니다, 석 영에 있는 분자를 통해 튜브 텅스텐 필 라 멘 트가 열 전류를 적용 하 고 열전대 와이어는 온도 측정 하는 데 사용 됩니다. 실험, 증 착 속도 Knudsen 셀에서 온도 소스를 조정 하 여 제어 됩니다. 열전대 와이어 석 영 튜브의 외부 벽에 부착 하 고 따라서 일반적으로 약간 다른 분자 소스는 셀의 내부 온도 외부 벽의 온도 측정. 석 영 튜브에서 정확한 온도를, 2 개의 열전대 설정을 사용 하 여 튜브의 내외 온도 측정 하는 보정을 수행 하 고 온도 차이 기록. 이 방법에서는, 우리 보다 정확 하 게 석 영 튜브의 외부에 부착 된 서 모 커플 와이어를 사용 하 여 분자 증발 실험 동안 소스의 온도 제어할 수 있습니다. 분자는 증발 하는 때 적은 양의 승화 분자 낮은 압력에서 기체 단계에 있을 것입니다, 때문에 일반적으로 관련 된 압력 변화가입니다. 따라서, 신중 하 게 부하 잠금에 압력의 변화를 모니터링합니다.
C60, C70, subphthalocyanine 염화 붕 소, 조지아, 알, 그리고 Hg4,5,6,,78다양 한 분자 소스 예금이 증발 기를 사용할 수 있습니다. 다른 박막 준비 기술에 비해, 예를 들어, 스핀 캐스팅9,10,11, 높은 진공 상태에서 열 증발이 훨씬 깨끗 하 고 다양 한 있기 때문에 필요 없는 용 매 증 착입니다. 또한, 증 착 하기 전에 생성 프로세스 소스, 가능한 불순물 제거의 순도 향상 시킵니다.

<table><tbody><tr><td>CF 플랜지 전원 피드스루</td><td>Kurt J. Lesker</td><td>EFT0042033</td><td></td></tr><tr><td>구리 시트</td><td>Alfa Aesar</td><td>7440-50-8</td><td></td></tr><tr><td>열전대 크로멜/알루멜 와이어</td><td>Omega Engineering</td><td>ST032034/ST080042</td><td></td></tr><tr><td>텅스텐 와이어</td><td>Alfa Aesar</td><td>7440-33-7</td><td></td></tr><tr><td>스테인리스강 막대</td><td>McMaster-Carr</td><td>95412A868</td><td></td></tr><tr><td>구리선</td><td>McMaster-Carr</td><td>8873K28</td><td></td></tr><tr><td>중공 구리 막대</td><td>McMaster-Carr</td><td>7190K52</td><td></td></tr><tr><td>C60</td><td>MER Corporation</td><td>MR6LP</td><td></td></tr></tbody></table>

준비 및 c60/graphene 하이브리드 nanostructures의 특성화

Preparation and Characterization of C60/Graphene Hybrid Nanostructures

높은 진공 환경에서 실제 열 증 착은 그래 핀에 비 발한 분자 nanostructures 날조를 위한 깨끗 하 고 제어할 수 있는 방법입니다. 선물이 입금 하 고 수 동적으로 미리 1 D C60/graphene 하이브리드 구조를 포함 하는 실현 응용의 추구 파문이 그래 핀에 C60 분자 조작 방법. 이 박람회에 적용 되는 기술은 준비 영역 분자 증 착으로 샘플의 열 어 닐 링을 지원할 수 있는 높은 진공 시스템으로 되어있습니다. 우리는 낮은 압력으로 주사 터널링 현미경 (STM) 시스템에 연결 된 수 제 Knudsen 셀을 사용 하 여 C60 증 착에 초점. 입금 하는 분자의 수는 증 착 시간과 Knudsen 셀의 온도 제어 하 여 통제 된다. 폭이 2 ~ 3 분자의 1 차원 (1d) C60 체인 구조 실험 조건의 튜닝을 통해 준비 될 수 있다. C60 분자의 표면 이동성 파문이 그래 핀의 정기적인 잠재력 내 이동할 수 있도록 하는 어 닐 링 온도 함께 증가 합니다. 이 메커니즘을 사용 하 여, 1 D C60 체인 구조는 6 각형 가까운 포장된 준-1 D 스트라이프 구조를의 전환 제어 가능 하다.

증발, 다음 새로 입금 C60 그래 2 h 150 ° C에서 단련 이다. 그림 2a 에서 대규모 STM 이미지가 초기 어 닐 링 과정 후 발견 특성 즉-1 D C60 체인 구조를 보여 줍니다. 그림 2b 에서 가까이 검사가 1d 구조, 각 밝은 구형 돌출 한 단일 C60 분자를 나타냅니다의 자세한 정보를 보여준다. 일반적으로, 1 D 체인은 평균60-C60 거리 C60 분자는 육각형에 정렬 나타내는 1.00 ± 0.01 nm의 분자와 trimolecular C60 체인 가까이 포장된 방식으로 발생 합니다. 그림 2 c 해당 그림 2b</st...

여기 우리는 실제 열 증발에 의해 C60/graphene 하이브리드 nanostructures의 제조에 대 한 프로토콜을 제시. 특히, 증 착 및 어 닐 링 조건의 적절 한 조작 1 D와 유사 1D C의 창조 제어할60 구조에 허용 파문이 그래.

준비 및 C60/Graphene 하이브리드 Nanostructures의 특성화

Physical thermal deposition in a high vacuum environment is a clean and controllable method for fabricating novel molecular nanostructures on graphene. We ...

이 프로토콜의 전반적인 목표는 물리적 열 증발 및 어닐링 조건을 조작하여 하이브리드 C60/그래핀 나노 구조를 형성하기 위해 리플 그래핀에서 1D 및 준 1D C60 구조의 생성을 제어하는 것입니다. 이 방법은 2D 재료에 자체 조립 분자 나노 구조를 준비하는 것에 대한 분자 자체 조립 분야의 주요 질문에 답하는 데 도움이 될 수 있습니다. 이 기술의 주요 장점은 다재다능하고 수행하기 쉬워 온도와 시간을 조정하여 다양한 구조의 유기 박막을 준비할 수 있다는 것입니다.Knudsen 셀 조립을 시작하려면 셀 구성 요소를 청소하고 4핀 CF 플랜지 스테인리스강 전원 피드스루를 통해 뚫린 구멍에 두 개의 7인치 길이의 나사산 강철 지지대를 장착합니다. 피드스루 핀에 2인치 길이의 중공 구리 막대 3개와 4인치 길이의 중공 구리 막대를 장착합니다. 부드러운 구리선을 사용하여 지지대 상단에서 2.5인치 떨어진 중앙에 구멍이 있는 1cm 두께의 세라믹 가로대를 고정합니다.그런 다음 석영 유리관을 위아래에 텅스텐 와이어 길이가 있는 텅스텐 와이어 스프링에 밀어 넣습니다. 유리관의 바닥을 세라믹 조각의 일치하는 구멍에 끼웁니다. 부드러운 구리선으로 지지 막대 사이의 상단을 고정하여 유리관을 제자리에 고정합니다.스프링 바닥의 와이어를 길고 속이 빈 구리 막대에 삽입합니다. 사이드 커터를 사용하여 로드 상단을 꼬집어 와이어를 제자리에 고정합니다. 스프링 상단의 와이어를 긴 막대와 한 쌍으로 짧고 속이 빈 구리 막대에 삽입합니다.막대 상단을 꼬집어 와이어 주위를 닫습니다. 그런 다음 각 끝에서 절연체가 0.5인치 제거된 3인치 길이의 절연형 K형 열전대 와이어를 얻습니다. 열전대의 한쪽 끝에 노출된 전선을 함께 꼬아줍니다.석영 유리관과 세라믹 조각 사이에 꼬인 와이어를 단단히 쐐기로 고정하여 와이어가 튜브 바닥에 고정되도록 합니다. 노출된 니켈-크롬 와이어를 나머지 속이 빈 구리 막대 중 하나에 삽입하고 막대 상단을 와이어 주위로 끼웁니다. 노출된 니켈-알루미늄 와이어를 마지막 속이 빈 구리 막대에 삽입하고 와이어 주위를 막대를 꼬집습니다.마지막으로, 어셈블리 위에 속이 빈 구리 기둥형 쉴드를 끼워 전원 피드스루에 단단히 고정합니다. 동박 기판 위의 잔물결 모양의 그래핀을 시료 저장 캐러셀에서 주사 터널링 현미경의 초고진공 준비 챔버에 있는 어닐링 플레이트로 옮깁니다. 챔버가 기본 압력이 10의 4배 미만에서 영하 10mbar 미만

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연구

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여기, 선물이 3 차원 그래 핀 기반 polyhedrons을 통해 종이 접기 같은 자체 접는의 제조에 대 한 프로토콜.

3 차원 그래 핀 기반 Polyhedrons을 통해 종이 접기 같은 자체 접는의 제조

용액과 표면 보조 합성의 조합은 나노 구조의 원자 정밀 합성에 새로운 방향을 제시합니다. 비접촉 원자력 현미경(nc-AFM)으로 보완된 주사 터널링 현미경(STM)을 통해 새롭게 설계 및 생성된 탄소 기반 나노 물체의 상세한 특성 분석을 수행할 수 있습니다.

용액과 표면 화학의 조합을 통해 합성된 다공성 nanographenes의 현미경 시각화

여기에서는 그래핀의 단일 단층을 전자 현미경 그리드에 적용하기 위한 프로토콜과 CryoEM 구조 결정에 사용하기 위해 이를 준비하는 방법에 대해 설명합니다.

Fabrication of Monolayer Graphene-Coated Grids for Cryoelectron Microscopy(초저온 전자 현미경을 위한 단층 그래핀 코팅 그리드 제작)

극저온 전자 현미경(cryoEM) 그리드에 지지층을 적용하면 입자 밀도를 높이고, 공기-물 계면과의 상호 작용을 제한하고, 빔 유도 동작을 줄이고, 입자 배향 분포를 개선할 수 있습니다. 이 백서에서는 cryoEM 그리드를 그래핀 단층으로 코팅하여 cryo-sample 전처리를 개선하기 위한 강력한 프로토콜에 대해 설명합니다.

고분해능 구조 측정을 위해 Monolayer Graphene을 Cryo-Electron Microscopy Grid에 적용

이 기사는 고도로 조정 가능한 맞춤형 전달 설정을 기반으로 하는 수정된 건식 전달 기술을 활용하여 정밀한 비틀림 각도를 가진 고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 장치를 제작하기 위한 최적화된 경험 기반 프로토콜을 제시합니다.

고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 소자를 위한 최적화된 제작 절차

배우세요 물리적 열 증착과 어닐링 조건을 조절하여 그래핀 위에 1차원 및 준1차원 C60 구조를 형성하는 하이브리드 나노구조 제조 방법을. 이 기술은 분자 자기조립 연구에 활용됩니다.

준비 및 C₆₀/Graphene 하이브리드 Nanostructures의 특성화

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