Name: 자율적이 고 충전식 Microneurostimulator 라고는 Submucosa에 이식 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-09-27T12:30:00.000+00:00
Duration: 8 min 17 s
Description: 배우세요 위장 운동장애 치료를 위한 자율적이고 충전식 미세신경자극기의 점막하 이식술을 돼지 모델에서 수행하는 방법을. 이 기술은 최소침습적 치료를 위한 새로운 가능성을 제시합니다.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

playerTrialDesktop

저자 들은 아무 경쟁 금융 관심사 선언 합니다.

연구소의 동물 생리학 및 유전학, 아카데미의 과학 체코 공화국 (생물 의학 센터 PIGMOD), Libechov, 체코 공화국 (프로젝트의 주입에 실험 동물 주제를 포함 하 여 모든 내 시경 절차 승인 배터리-덜 및 식도 및 위장 submucosa로 배터리 장치-실험 연구). 모든 실험 체코 법 246/1992 준수 행해진다 "에 학대, 개정에 대 한 동물의 보호" 하고있다. 그것은 동물에 직접 접촉 되지 않은 외부 장치 때문에 송신기 장치 살 균 될 필요 하지 않습니다.
1. 이식 장치 디자인
<ol><li>제 3-파티 PCB 제조 서비스를 사용 하 여 PCB를 준비 합니다. 완전 한 인쇄 회로 기판 설계 보조 파일 "gerber_implant.7z"에서 제공 됩니다. 회로도 그림 1에 제공 됩니다.</li>
	<li>평평한 표면 (그림 2a)에 Pcb를 놓습니다. 0.6 m m 바늘과 60 psi 압력 솔더 페이스트 디스펜서를 사용 하 여 수동으로 모든 금속 패드에 PCB에 납땜 붙여넣기 분배. PCB (그림 2b)의 위쪽으로 시작 합니다. PCB의 양쪽 모두에 대 한 붙여넣기를 납땜의 총 금액은 15 μ를 넘지 말아야 한다.</li>
	<li>정전기 방지 핀셋의 쌍, PCB (그림 2e)의 꼭대기 층에 모든 구성 요소를 놓습니다. 그림 3 를 사용 하 여 구성 요소 위치 및 그들의 숫자를 구성 요소 할당에 대 한 보충 파일 "bom_implantabledevice.csv".</li>
	<li>260 ° C에서 PCB 뜨거운 공기 총 역을 사용 하 여 모든 구성 요소 (그림 4a) 땜 납. 다음 뜨거운 공기 총 치워 모든 솔더 페이스트 녹아 때까지 기다려 하 고 실내 온도에 보드 멋진 허용.</li>
	<li>PCB를 뒤집어 놓고 다른 쪽에 솔더 페이스트를 분배 합니다. 동일한 바늘 및 압력 1.2 (그림 2d)에 명시 된 대로 사용 합니다.</li>
	<li>1.3 단계에서., PCB의 하단 계층의 모든 구성 요소를 배치. 구성 요소 위치와 구성 요소를 그들의 숫자의 할당에 대 한 보충 파일 "bom_implantabledevice.csv" 그림 3 을 참조 하십시오.</li>
	<li>하단 측면에 모든 부품을 뜨거운 공기 총으로 PCB의 열을 반복 합니다. 1.4 단계에서 동일한 프로세스를 사용 합니다.</li>
	<li>시각적으로 어떤 짧은 회로 대 한 PCB를 확인 하십시오. 어떤 단락 있으면 납땜을 제거 합니다.</li>
	<li>무선 충전/통신 코일을 제조 한다. AWG42 와이어의 사용 17 변합니다. 코일의 크기는 26 x 13.5 m m2 (그림 4 d)입니다. 두 개의 출력 와이어 트위스트.</li>
	<li>디자인 하 고 제조 하는 전극. 전극 디자인 보조 파일 "gerber_electrodes.7z"에서 제공 됩니다. 단계 1.1 에서처럼 동일한 제조 공정을 사용 합니다. 이 PCB 제조, 후 완전히 완료 되 고 아무 구성 요소 그것에 납땜 필요 합니다. 작은 직사각형 연락처 (그림 4 층)에 두 개의 AWG42 와이어 솔더</li>
	<li>7cm 나 멜된 와이어를 사용 하 여 한쪽 끝 (그림 4e)에서 나 멜의 3 m m에서 근 근이 안테나를 준비</li>
	<li>PICkit 3 프로그래머 PCB (그림 4b-c)에 연결
	<ol>
<li>연결 패드 6 및 7에 따라 그림 5, 핀 2와 3 PICkit 프로그래머의 각각.</li>
		<li>각각 1, 5 및 PICkit 프로그래머의 4 핀 패드 TP1, TP2 및 TP3 ( 그림 3참조)을 연결</li>
	</ol></li>
	<li>MPLAB IPE 소프트웨어가 설치 된 컴퓨터의 USB 포트에 PICkit 3 프로그래머에 연결 합니다.</li>
	<li>MPLAB IPE 소프트웨어를 실행 하 고 펌웨어는 마이크로컨트롤러에 프로그램.
	<ol>
<li>MPLAB IPE v3.61를 실행 합니다. 선택 "설정 | 고급 모드 "</li>
		<li>암호 필드에 암호를 입력 합니다 기본 '마이크로칩'입니다. 클릭 "에 로그"입니다. 다른 패널 왼쪽에 탭이 표시 됩니다.</li>
		<li>왼쪽 상단에 "작동"을 클릭 다음 화면의 상단 중간 부분에 "장치 필드" 및 "PIC16LF1783"에서 유형을 클릭 합니다. "적용"을 클릭 합니다.</li>
		<li>(그림 6) 왼쪽에 패널 "전원"을 선택 합니다.</li>
		<li>2.55에 VDD 전압 값을 변경 합니다. 이 단계는 중요 한. 주의:이 값 2.8 V 이상 설정 보드 (그림 7) 손상 것입니다.</li>
		<li>"도구" (그림 7)에서 "전원 대상 회로" 확인란을 클릭 합니다.</li>
		<li>(그림 6) 왼쪽에 "작동" 탭을 클릭 합니다.</li>
		<li>"연결"을 클릭 합니다.</li>
		<li>보충을 다운로드 "IMPLANTABLE_V2. X.production.hex"하드 드라이브에 위치 하 고. IPE 소프트웨어 소스 줄을 찾아 고 근처 (그림 8) "찾아보기" 버튼을 클릭 합니다.</li>
		<li>프로그램을 클릭 합니다. 소프트웨어는 소프트웨어 마이크로컨트롤러 (그림 9)에 성공적으로 다운로드 되었습니다 말합니다 때까지 기다려.</li>
	</ol></li>
	<li>전선을 납땜 패드 TP1, TP2 TP3 desolder (그림 3) 전선을 납땜 패드 6 및 7 (그림 5) 뿐만 아니라.</li>
	<li>PCB (그림 10a) 배터리를 제외한 다른 모든 전기 구성 요소에 연결 합니다.<ol>
<li>그림 8에 따라 패드 2와 3을 무선 충전/통신 코일 땜 납. 극성 중요 하지 않습니다.</li>
		<li>그림 5에 따라 1을 안테나에 연결 합니다. PCB 전극 패드 번호 4 및 그림 5에 따르면 5에 연결 합니다. 극성 중요 하지 않습니다.</li>
	</ol></li>
	<li>CG-320 배터리 패드 6 및 7 (그림 5)에 땜 납. 배터리의 부정적인 터미널 패드 7에 납땜 해야 합니다. 다음 단계를 수행 하는 동안 주의 해야 합니다. 장치 전원이 지금 하 고는 단락 회로 금속 물체와 접촉.</li>
	<li>무선 충전 회로의 기능을 테스트 하려면 제 2 부의 모든 단계 완료 될 필요가 있다. 그 후, 소자의 가까이에 무선 충전기/송신기를 놓습니다. 배터리의 전압을 측정 하는 멀티 미터를 사용 합니다. 배터리 전압은 천천히 (분 당 몇 가지 mV) 상승, 충전 기능 작동 됩니다.</li>
	<li>(그림 10b) 나선형 안테나 장치 주위 바람</li>
	<li>9.5 m m의 내부 직경을 가진 열 수축 튜브의 32 m m 긴 조각 잘라.</li>
	<li>PCB에는 코일을 배치 합니다. 정확한 위치에 대 한 그림 7b 를 참조 하십시오.</li>
	<li>장치, 코일, 안테나 열 수축 튜브를 넣어. 전극만 한다는 배관에서 내 다. 정확한 그림 7 c 를 참조 하십시오.</li>
	<li>150 ° C에서 축소 하 고 냉각 (그림 10의 d) 그것을 허용 하는 뜨거운 공기 총으로 튜브를 열.</li>
	<li>튜빙 (그림 10e)의 한쪽을 봉인 하기 위해 왼쪽된 끝에 에폭시 접착제를 적용 합니다.</li>
	<li>튜빙 PCB의 뒷면에 전극을 붙입니다. 또한 튜브의 다른 쪽 끝을 붙입니다. 정확한 위치는 그림 10 층을 를 참조 하십시오.</li>
	<li>강화 하 고 완벽 하 게 치료를 접착제에 대 한 24 시간 이상 기다립니다.</li>
	<li>무선 충전기/송신기 장치 완료 후 1 시간에 대 한 포화 식 염 수 솔루션의 30 cm 높은 열으로 배치 하 여 물 누출 이식할 수 있는 장치를 테스트 합니다. 모든 주요 누출 배터리 전압의 급강하 또는 전자 단락 염으로 인 한 장치의 오작동으로 발견하실 수 있습니다. 테스트 후 장치는 완벽 하 게 이식 될 준비가.</li>
	<li>오실로스코프를 사용 하 여 이식의 자극 기능을 테스트 합니다. 오실로스코프의 2 개의 측정 전극 이식 장치에 전극의 주석 금속 도금된 접촉 패드에 연결 합니다. 오실로스코프 화면에 자극 패턴을 관찰 합니다. 정확한 자극 패턴은 그림 11에서 주어진 다.</li>
</ol>2. 무선 충전기/송신기 설계
<ol><li>PCB 디자인 보조 파일 "gerber_transmitter.7z"에서 제공 됩니다. 이식 장치에 관해서는 동일한 제조 공정을 사용 합니다. 회로도 그림 12에 제공 됩니다.</li>
	<li>평평한 표면에 PCBs 장소입니다. 0.6 m m 바늘과 60 psi 압력 솔더 페이스트 디스펜서를 사용 하 여 수동으로 모든 금속 패드에 PCB에 납땜 붙여넣기 분배. PCB에 적절 하 게 하는 솔더 페이스트의 총 금액 50 μ를 넘지 말아야 한다.</li>
	<li>정전기 방지 핀셋의 쌍, PCB의 꼭대기 층에 모든 구성 요소를 놓습니다. 구성 요소와 구성 요소를 그들의 숫자의 할당에 대 한 보충 파일 "bom_transmitterdevice.csv"에 대 한 그림 13 을 참조 하십시오.</li>
	<li>260 ° C로 프리셋 PCB 뜨거운 공기 총 역을 사용 하 여 모든 구성 요소를 땜 납. 뜨거운 공기 총을 치워 모든 솔더 페이스트 녹아 때까지 기다려야 하 고 실내 온도에 냉각 보드 허용.</li>
	<li>장치의 하단 측면에 대 한 2.3-2.4 단계를 반복 합니다. 이식 장치 제조 중으로 비슷한 절차를 따릅니다.</li>
	<li>나 멜 AWG18 와이어 (그림 14의 c)의 3 회전으로 코일을 만들고 패드 COIL1 및 COIL2에 연결 (그림 13).</li>
	<li>(그림 13, Q1 및 Q2) 파워 트랜지스터는 알루미늄 방열판을 확인 합니다. 방열판의 정확한 형태는 중요 하지. 가능한 구현 중 하나는 그림 9 d에 표시 됩니다. 이 경우에, 방열판 또한 장치에 대 한 인클로저를 형성 한다.</li>
	<li>조립 pcb PICkit 3 프로그래머를 연결 합니다. 패드 TP1 TP5 연결 (그림 13)와 함께 각각 1 ~ 5 PICkit 프로그래머의 핀.</li>
	<li>MPLAB IPE 소프트웨어가 설치 된 컴퓨터의 USB 포트에 PICkit 3 프로그래머에 연결 합니다.</li>
	<li>
MPLAB IPE 소프트웨어를 실행 하 고 펌웨어는 마이크로컨트롤러에 프로그램. 프로세스는 이식 장치, VDD 전압 및 파일 업로드를 제외한 동일 합니다.
	<ol>
<li>MPLAB IPE v3.61를 실행 합니다. 선택 "설정 | 고급 모드 "입니다.</li>
		<li>암호 상자에 암호를 입력 합니다 기본 '마이크로칩'입니다. 클릭 "로그온". 다른 패널 왼쪽에 탭이 표시 됩니다.</li>
		<li>왼쪽 상단에 "작동"을 클릭 다음 화면의 상단 중간 부분에 "장치"와 "PIC16LF1783"에서 유형을 클릭 합니다. "적용"을 클릭 합니다.</li>
		<li>왼쪽에 "전원" 패널을 선택</li>
		<li>3.3 VDD 전압 값을 변경 합니다.</li>
		<li>"도구"에서 "전원 대상 회로" 확인란을 클릭 합니다.</li>
		<li>왼쪽에 "작동" 탭을 클릭 합니다.</li>
		<li>"연결"을 클릭 합니다.</li>
		<li>보충을 다운로드 "IMPLANTABLE_V2_TRANSMITTER. X.production.hex"하드 드라이브에 위치 하 고. IPE 소프트웨어에서 소스 줄을 찾아서 그것에 가까운 "찾아보기" 버튼을 클릭 합니다.</li>
		<li>"프로그램"을 클릭 합니다. 소프트웨어 소프트웨어는 마이크로컨트롤러에 성공적으로 다운로드 말합니다 때까지 기다려.</li>
	</ol>
</li>
	<li>전선을 납땜 패드 TP1 TP5 desolder</li>
	<li>V-와 V + 패드 (그림 5)에 12 V 전원 공급 장치를 연결 합니다. 네거티브 터미널 V 패드에 연결 될 수 있다.</li>
	<li>X1 A USB 케이블 미니 USB 연결 커넥터 (그림 5) 퍼 소프트웨어가 사전 설치 된 컴퓨터에 연결 하는 고.</li>
	<li>
퍼 티 소프트웨어를 열고 (그림 15)을 설정 합니다.
	<ol>
<li>퍼 티 소프트웨어를 엽니다. "직렬" 연결 유형으로 선택 합니다.</li>
		<li>여기서 x는 장치의 COM 포트의 번호는 직렬 라인으로 COMx을 입력 합니다. 다른 COM 포트 장치 설치 된이 수 1이 됩니다.</li>
		<li>"38400" 속도를 입력 합니다. "열기"를 클릭 합니다. 충전기/송신기 장치를 사용할 수 지금 이다. 도움에 대 한 보도 H 키입니다.</li>
	</ol>
</li>
</ol>3. 내 시경 이식
<ol><li>
라이브 미니 돼지를 사용 하 여 비보에 모델, 성인 (8-36 개월), 20-30 k g 무게.
	<ol>
<li>빠른 절차 이전 24 시간에 대 한 돼지를 하자.</li>
		<li>맑은 액체 광고 libitum허용.</li>
		<li>premedication으로 근육 tiletamine (2 mg/kg), zolazepam (2 mg/kg)과 케 타 민 (11 mg/kg)를 관리 합니다.</li>
		<li>정 맥 thiopental 광고 effectum (5% 용액)와 흡입 마 취와 isoflurane, N2O propofol 주입 적용 됩니다. 적절 한 마 취는 반사 및 근육, 눈 위치, 종을 반사, 동 공 반사에 의해 확인 된다. 순환, 산소, 환기 및 온도 지속적으로 모니터링 된다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>이식 및 시각화를 수행 하기 위해 동물 모델 전용 내 시경을 사용 합니다. Vivo에서 모델에 표준 방식을 사용 하 여 삽입 합니다.</li>
	<li>무와 외부 장치를 파악. 그 후, 복 부에 삽입 한 다음 그것을 해제.</li>
	<li>내 시경을 추출 하 고 절 개 캡 (15.5 m m), 장비 한 다음 복 부에 다시 삽입.</li>
	<li>Submucosa 장치 임 플 란 트, 염 분 해결책을 적용 하려면 submucosal 레이어에 주입 치료 바늘 카 테 터 (25 G)을 사용 하 여 메 틸 렌 블루 혼합.</li>
	<li>Submucosa 손잡이 모양의 팁 electrosurgical 나이프를 사용 하 여에 개방을 만드는 가로 절 개를 확인 합니다.</li>
	<li>부착된 모자를 사용 하 여 새로 만든된 공간으로 및 electrosurgical 나이프를 사용 하 여 모자를 삽입, 방해, dilating, 그리고 submucosal 레이어를 만드는 자극 장치를 삽입 하는 충분히 큰 만큼 주머니에 해 부를 계속 합니다.</li>
	<li>장치를 삽입 및 추출 루프 위 안에 자유롭게 거짓말을 파악 하 고 submucosal 주머니에 그것을 이동 쥐고 집게를 사용 하 여. 이해 집게를 사용 하 여 muscularis 오는 접촉 자극 전극 배치 합니다.</li>
	<li>이상의 범위는 submucosal 내부 장소에 장치를 확보 하 여 클립을 사용 하 여 포켓 및 모든 마이그레이션 방지 dislodging.</li>
</ol>4. 실험-이식 후
<ol><li>성공적인 이식 후 이식된 장치의 근접에 충전기/송신기 코일을 배치 합니다.</li>
	<li>RTL2832 동글을 PC에 연결 한다.</li>
	<li>
HDSDR 소프트웨어를 실행 하 고 432 mhz 중심 주파수를 설정 합니다.
	<ol>
<li>(그림 15) 올바른 설정에 대 한 HDSDR 소프트웨어 및 퍼 티 소프트웨어 (그림 16)를 엽니다. HDSDR 소프트웨어에서 클릭 합니다 "옵션 | 입력 선택 | ExtIO "입니다.</li>
		<li>선택 대역폭-"960000"입니다. 선택 하는 LO 주파수 431.95 m h z.에 조정 주파수 432.00 m h z를 선택합니다.</li>
	</ol>
</li>
	<li>퍼 터미널에서 R 키를 눌러 충전기/송신기에서 맨체스터 코딩 시퀀스를 전송 하 고 주요 HDSDR 창 ( 그림 17e-f)의 관찰에 의해 이식에서 OOK 변조 회신을 받을.</li>
</ol>5입니다. 실험 후 안락사
<ol><li>안락사 (thiopental KCl의 치명적인 복용량)에 대 한 마 취 과다를 사용 합니다.</li>
</ol>

<ol><li>Abell, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Gastric+electrical+stimulation+for+medically+refractory+gastroparesis%5BTitle%5D)+AND+%22Gastroenterology%22%5BJournal%5D)">Gastric electrical stimulation for medically refractory gastroparesis.</a> Gastroenterology. 125 (2), 421-428 (2003).</li>
<li>O'Grady, G., Egbuji, J., Du, P., Cheng, L. K., Pullan, A. J., Windsor, J. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High-frequency+gastric+electrical+stimulation+for+the+treatment+of+gastroparesis%3A+a+meta-analysis%5BTitle%5D)+AND+%22World+J+Surg%22%5BJournal%5D)">High-frequency gastric electrical stimulation for the treatment of gastroparesis: a meta-analysis.</a> World J Surg. 33 (8), 1693-1701 (2009).</li>
<li>Chu, H., Lin, Y., Zhong, L., McCallum, R. W., Hou, X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Treatment+of+high-frequency+gastric+electrical+stimulation+for+gastroparesis%5BTitle%5D)+AND+%22J+Gastroenterol+Hepatol%22%5BJournal%5D)">Treatment of high-frequency gastric electrical stimulation for gastroparesis.</a> J Gastroenterol Hepatol. 27 (6), 1017-1026 (2012).</li>
<li>Rodríguez, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrical+stimulation+therapy+of+the+lower+esophageal+sphincter+is+successful+in+treating+GERD%3A+final+results+of+open-label+prospective+trial%5BTitle%5D)+AND+%22Surg+Endosc%22%5BJournal%5D)">Electrical stimulation therapy of the lower esophageal sphincter is successful in treating GERD: final results of open-label prospective trial.</a> Surg Endosc. 27 (4), 1083-1092 (2013).</li>
<li>Ellis, F., Berne, T. V., Settevig, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+prevention+of+experimentally+induced+reflux+by+electrical+stimulation+of+the+distal+esophagus%5BTitle%5D)+AND+%22Am+J+Surg%22%5BJournal%5D)">The prevention of experimentally induced reflux by electrical stimulation of the distal esophagus.</a> Am J Surg. 115, 482-487 (1968).</li>
<li>Rinsma, N. F., Bouvy, N. D., Masclee, A. A. M., Conchillo, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrical+Stimulation+Therapy+for+Gastroesophageal+Reflux+Disease%5BTitle%5D)+AND+%22J+Neurogastroenterol%22%5BJournal%5D)">Electrical Stimulation Therapy for Gastroesophageal Reflux Disease.</a> J Neurogastroenterol. 20 (3), 287-293 (2014).</li>
<li>Medtronic Inc, <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aMedtronic+Inc%2C++%22Enterra+Therapy+3116+-+Gastric+Electrical+Stimulation+System%22">Enterra Therapy 3116 - Gastric Electrical Stimulation System</a>. , December 2016 
 <a target="_blank" href="http://www.medtronic.com/content/dam/medtronic-com-m/mdt/neuro/documents/ges-ent3116-ptmanl.pdf">http://www.medtronic.com/content/dam/medtronic-com-m/mdt/neuro/documents/ges-ent3116-ptmanl.pdf</a> (2016).</li>
<li>Rodriguez, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Two-year+results+of+intermittent+electrical+stimulation+of+the+lower+esophageal+sphincter+treatment+of+gastroesophageal+reflux+disease%5BTitle%5D)+AND+%22Surgery%22%5BJournal%5D)">Two-year results of intermittent electrical stimulation of the lower esophageal sphincter treatment of gastroesophageal reflux disease.</a> Surgery. 157 (3), 556-567 (2015).</li>
<li>Hajer, J., Novák, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Development+of+an+Autonomous+Endoscopically+Implantable+Submucosal+Microdevice+Capable+of+Neurostimulation+in+the+Gastrointestinal+Tract%5BTitle%5D)+AND+%22Gastroent+Res+Pract%22%5BJournal%5D)">Development of an Autonomous Endoscopically Implantable Submucosal Microdevice Capable of Neurostimulation in the Gastrointestinal Tract.</a> Gastroent Res Pract. , 8098067(2017).</li>
<li>Deb, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Development+of+innovative+techniques+for+the+endoscopic+implantation+and+securing+of+a+novel%2C+wireless%2C+miniature+gastrostimulator+%28with+videos%29%5BTitle%5D)+AND+%22Gastrointest.+Endosc%22%5BJournal%5D)">Development of innovative techniques for the endoscopic implantation and securing of a novel, wireless, miniature gastrostimulator (with videos).</a> Gastrointest. Endosc. 76 (1), 179-184 (2012).</li>
<li>Jiang, G., Zhou, D. D. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aJiang%2C+G+%22Technology+advances+and+challenges+in+hermetic+packaging+for+implantable+medical+devices%22">Technology advances and challenges in hermetic packaging for implantable medical devices</a>. , (2017).</li>
<li>Vonthein, R., Heimerl, T., Schwandner, T., Ziegler, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrical+stimulation+and+biofeedback+for+the+treatment+of+fecal+incontinence%3A+a+systematic+review%5BTitle%5D)+AND+%22Int+J+Colorectal+Dis%22%5BJournal%5D)">Electrical stimulation and biofeedback for the treatment of fecal incontinence: a systematic review.</a> Int J Colorectal Dis. 28 (11), 1567-1577 (2013).</li>
</ol>

이 작품 연구 프로젝트 채권-Q28에 의해 지원 하 고 프라하의 찰리 대학에 의해 수 여 되었다. 저자는 엉덩이에 감사합니다. 교수 1 월 Martínek, 박사 및 PIGMOD 센터.

이식 장치 디자인 장치, 달성 자극 프로 파일 (최대 전압, 최대 결과물 전류 펄스와 펄스 주파수의 길이)의 전반적인 크기에 주로 집중 해야 한다. 하드웨어 관점에서 주요 제한은 크기와의 적합 한 구성 요소입니다. 전체 크기를 최소화 하려면 표면 실장 부품의 소형 포장 때문에 선호 됩니다. 최고의 솔루션 맨 손으로 칩을 통합 하는 기판에 죽을 것입니다. 그러나,이 두 구성 요소에 대 한 맨 손으로 다 포장 옵션 및 와이어 본딩 기술에의 접근에 의해 제한 됩니다. 두 번째 중요 한 매개 변수는 배터리. 리튬 배터리의 높은 에너지 밀도 때문에 선호 됩니다. 또한, 3.7 V의 공칭 전압 도움이 됩니다. 제시 하드웨어 토폴로지에서의 주요 이점은 그것의 작은 크기와 최소 침해 이다. 현재 솔루션7,8에 비해 제시 솔루션 작은 크기 이며 외부 리드와는 neurostimulator의 피하 주입에 대 한 필요 없이 submucosa에 직...

위 dysmotility gastroparesis는 일반적으로 만성 진행 되는 특징은 환자의 사회적, 업무 관련, 물리적 상태에 오히려 심각한 결과 부과 등 여러 가지 상대적으로 일반적인 질병의 징조 수 있습니다. Gastroparesis의 대부분의 경우는 일반적으로 당뇨 나 기원에 idiopathic 저항 고 있습니다 종종 사용 가능한 약물1. 환자 들은이 조건에 시달리는 가장 일반적으로 메스꺼움을 제시 하 고 구 토를 반복. 이전 연구를 바탕으로, 높은 주파수 낮은-에너지 전기 자극의 신청은 효과적으로 온건 하 고 위 dysmotility1,2의 증상을 완화 도울 수 있다 알려져 있다.
이전의 연구를 바탕으로, 그것은 높은-주파수 위 전기 자극 크게 향상 시킬 수 있는 증상과 위 비우는3입증 된다. 그것은 또한 표시 되었습니다 더 낮은 식도 괄약근 neurostimulator 치료는 안전 하 고 효과적인 치료 위 식도 역류 질환 (GERD)의 산 노출 감소 매일 프로톤 펌프 억제제 (PPI) 사용 없이 제거 자극 관련 부작용4. 인체 실험 하기 전에 첫 번째 연구 (개 모델5) 동물 모델에서 수행 했다. 이러한 연구를 바탕으로, 더 낮은 식도 괄약근 (레, 20 Hz, 3 ms의 펄스 폭)의 전기 자극 발생 레5의 장기간된 수축 합니다. 비슷한 효과 (20 Hz, 200 μ s의 펄스폭) 높 및 낮은 (6 사이클/분, 375 ms의 펄스 폭) 주파수 레에 GERD 환자에서 전기 자극을 조사 했다. 모두 높은 저주파 자극 했다 효과적인6. 그러나, 현재, 있다 위 또는 식도 자극에 대 한 두 개의 통제 장치 사용할 수 있는 시장7,8. 이러한 장치에서 수술, laparoscopically 또는 robotically 전극 이식 수 있습니다. 장치 자체는 피하 이식 이다. 이 일반적인 마 취를 요구 하 고 부피가 큰 장치를 장착, 위 또는 식도 근육 조직의 자극에 대 한 수 있도록 근육 내 카 테 터를 사용 하 여. 그래서, 위 submucosal 레이어로 이식 무선 통신 장치를 사용 하 여 옵션 확실 한 장점 및 개선 환자 편안 하 게에서 나타내는 것 이다. 이전 연구9,10에서 설명 했 듯이, 그것은 submucosa로 소형 neurostimulator의 주입이 가능 하다는 입증 되었다. 내 시경 submucosal 이식에 대 한 우리 내 시경 submucosal 포켓 (ESP), 라는 기술을 사용 하 여 내 시경 submucosal 터널 절 개10에 따라. 이 연구의 목표는 전원 관리 (특히 무선 충전 기능), 각각 법률 및 무선에 대 한 규정 준수의 범위에서 주로 이식 neurostimulator의이 개념을 더욱 개선 하기 위해 바이 폴라 통제의 가능성과 이식 재 의료 장비에 통신 링크. 다음, 제시 microneurostimulator은 양방향 통신 및 실시간 자극 매개 변수를 변경할 수 있습니다, 그리고 장치는 동안에 이식.
이 기술은 치료 endoscopist 내 시경 포켓 또는 터널 해 경험으로 팀을 위해 적당 하다. 다음으로, 하드웨어와 임베디드 소프트웨어 디자이너와 마이크로컨트롤러와 하드웨어 프로토타입을 환경 및 무선 주파수 회로 표면 실장 기술을 사용 하 여 필요 하다. 하드웨어 프로토타입을, 리플로우 납땜 역 및 전기 측정 (적어도 디지털 멀티 미터, 오실로스코프, 스펙트럼 분석기와 PICkit3 프로그래머)에 대 한 기본적인 장비를 갖춘 실험실이 필요 합니다.

<table><tbody><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 1.8 pF</td><td>AVX</td><td>04025U1R8BAT2A</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 100 nF</td><td>TDK</td><td>CGA2B3X7R1H104K050BB</td><td>7 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 100 pF</td><td>Murata Electronics</td><td>GRM1555C1H101JA01D</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 후막 저항기 10 k&Omega;</td><td>Vishay</td><td>CRCW040210K7FKED</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 10 nF</td><td>Murata Electronics</td><td>GRM155R71C103KA01D</td><td>3 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 10 pF</td><td>Murata Electronics</td><td>GJM1555C1H100JB01D</td><td>3 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 12 pF</td><td>Murata Electronics</td><td>GJM1555C1H120JB01D</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 18 pF</td><td>KEMET</td><td>C0402C180J3GACAUTO</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항기 1 m&Omega;</td><td>Vishay</td><td></td><td>MCS04020C1004FE000 2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항기 1 k&Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402FR-071KL</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 1 nF</td><td>Murata Electronics</td><td>GRM1555C1H102JA01D</td><td>3 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0603 세라믹 커패시터 2.2 uF</td><td>Murata Electronics</td><td>GCM188R70J225KE22D</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항기 220 k&Omega;</td><td>Vishay</td><td>CRCW0402220KJNED</td><td>5 개</td></tr><tr><td>0805 22 uH 인덕터</td><td>TDK</td><td>MLZ2012N220LT000</td><td>1 개</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항 330 k&Omega;</td><td>Vishay</td><td>CRCW0402330KFKED</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0603 세라믹 커패시터 4.7 uF</td><td>TDK</td><td>C1608X6S1C475K080AC</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항 470 &Omega;</td><td>Vishay</td><td></td><td>RCG0402470RJNED 1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항기 470 k&Omega;</td><td>Vishay</td><td>CRCW0402470KJNED</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0603 인덕터 470 nH</td><td>Murata Electronics</td><td>LQW18ANR47G00D</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 저항 47 k&Omega;</td><td>Murata Electronics</td><td></td><td>CRCW040247K0JNED 2개</td></tr><tr><td>27.0000MHz 크리스털 5032</td><td>AVX / Kyocera</td><td>KC5032A27.0000CMGE00</td><td>1</td></tr>개 <tr><td>EIA 0402 커패시터 6.8pF</td><td>Murata Electronics</td><td>GJM1555C1H6R8CB01D</td><td>1</td></tr>개 <tr><td>EIA 0402 인덕터 82nH</td><td>EPCOS / TDK</td> B82498F3471J <td></td><td>1</td></tr>개 <tr><td>ABS05 32.768kHz 크리스털</td><td>ABRACON</td><td>ABS05-32.768KHZ-T</td><td>1개</td></tr><tr><td>CDBU00340-HF 쇼트 다이오드</td><td>COMCHIP 기술</td><td>CDBU00340-HF</td><td>2 개</td></tr><tr><td>CG-320S 리튬 이온 핀 포인트 배터리</td><td>Panasonic</td><td>CG-320S</td> 1 <td>개</td></tr><tr><td>HSMS282P 쇼트 키 다이오드 정류기</td><td>Broadcom / Avago</td><td>HSMS-282P-TR1G</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>MAX8570 승압 컨버터</td><td>Maxim Integrated</td><td>MAX8570EUT + T</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>MICRF113 RF 송신기</td><td>Microchip Technology</td><td>MICRF113YM6-TR</td><td>1개</td></tr><tr><td>4.3V 제너 다이오드</td><td>ON Semiconductor</td><td>MM3Z4V3ST1G</td><td></td></tr><tr><td>OPA237 연산 증폭기</td> 1개 <td>Texas Instruments</td><td>OPA237N</td><td>PIC16LF1783 8</td></tr><tr><td>비트 마이크로컨트롤러</td> 1개 <td>Microchip Technology</td><td>PIC16LF1783-I/ML</td><td></td></tr><tr><td>TPS70628 저하강 레귤레이터</td><td>1개 Texas Instruments</td><td>TPS70628DBVT</td><td>1 PC</td></tr>를<tr><td>EIA 1206 후막 저항기 0 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC1206JR-070RL</td><td>2 개</td></tr><tr><td>EIA 0603 후막 저항기 0 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0603JR-070RL</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0402 후막 저항기 100 k&Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402FR-07100KL</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0603 후막 저항기 100 k&Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0603FR-07100KL</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 0805 세라믹 커패시터 100 nF</td><td>KEMET</td><td>C0805C104K5RAC7210</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 후막 저항기 10 k&Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402JR-0710KL</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 1206 세라믹 커패시터 10 nF</td><td>삼성</td><td>CL31B103KHFSW6E</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 후막 저항기 1 k&Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402JR-071KL</td><td>2 개</td></tr><tr><td>EIA 0402 후막 저항기 220 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402JR-07220RL</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 220 nF</td><td>TDK</td><td>C1005X5R1C224K050BB</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>EIA 1206 세라믹 커패시터 22 nF</td><td>TDK</td><td>C3216X7R2J223K130AA</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>SMC B 탄탈륨 커패시터 22 uF</td><td>AVX</td><td>TPSB226K010T0700&nbsp;</td><td>1 PC</td></tr>를<tr><td>EIA 0402 후막 저항기 27 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0402FR-0727RL</td><td>2 개</td></tr><tr><td>EIA 1206 후막 저항기 3.3 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC1206JR-073K3L</td><td>3 pcs</td></tr><tr><td>SOT23 3.3V 제너 다이오드</td><td>ON Semiconductor</td><td>BZX84C3V3LT1G</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>SMC A 탄탈륨 커패시터 4.7uF</td><td>KEMET</td><td>T491A475M016AT</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>EIA 0603 후막 저항기 470 &Omega;</td><td>Yageo</td><td>RC0603JR-07470RL</td><td>2개</td></tr><tr><td>EIA 1206 세라믹 커패시터 470nF</td><td>KEMET</td><td>C1206C471J5GACTU</td><td>3개</td></tr><tr><td>전해 커패시터 470uF</td><td>Panasonic</td><td>EEE-1CA471UP</td><td>3개</td></tr><tr><td>EIA 0402 세라믹 커패시터 47pF</td><td>AVX</td><td>04025A470JAT2A</td><td>2개</td></tr><tr><td>0603 GREEN LED</td><td>Lite-On Inc.</td><td>LTST-C191KGKT</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>0603 RED LED</td><td>Lite-On Inc.</td> (주)<td>LTST-C191KRKT</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>16 MHz CX3225 크리스탈</td><td>EPSON</td><td>FA-238 16.0000MB-C3</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>0805 페라이트 비드</td><td>Wurth Electronics Inc.</td><td>742792040</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>IR2110SO FET 드라이버</td><td>Infineon Technologies</td><td>IR2110SPBF</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>FT230XS USB를 seri&aacute; l 컨버터</td><td>FTDI Ltd.</td><td>FT230XS-R</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>미니 USB 커넥터</td><td>EDAC Inc.</td><td>690-005-299-043</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>PIC16F1783 8비트 마이크로컨트롤러</td><td>Microchip Technology</td><td>PIC16F1783-I/ML</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>REG1117 3.3 V 레귤레이터 SOT223</td><td>Texas Instruments</td><td>REG1117-3.3/2K5</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>쇼트키 SMB 다이오드 정류기</td><td>STMicroelectronics</td><td></td><td>STPS3H100UF 1 pc</td></tr><tr><td>SMB 패키지 TVS 다이오드</td><td>Littelfuse Inc.</td><td>1KSMBJ6V8</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>IRLZ44NPBF N-채널 MOSFET</td><td>Infineon Technologies</td><td>IRLZ44NPBF</td><td>2 pcs</td></tr><tr><td>RTL2832U 수신기 동글</td><td>EVOLVEO</td><td>Mars</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>PICkit 3</td><td>Microchip Technology</td><td>PICkit 3</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>미니 USB to USB A 케이블</td><td>OEM</td><td>미니 USB to USB-A</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>인쇄 회로 기판, 이식 가능한 장치</td><td>---</td><td>제공된 보충 파일로 제조</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>인쇄 회로 기판, 송신기/수신기 장치</td><td></td><td>---제공된 추가 파일로 제조 1</td><td>pc</td></tr><tr><td>인쇄 회로 기판, 이식 가능한 장치</td><td>---</td><td>제공된 추가 파일로 제조</td><td>1 PC</td></tr><tr><td>AWG18 와이어</td><td>Alpha Wire</td><td>3055 BK001</td><td>2 m</td></tr><tr><td>AWG42 와이어</td><td>Daburn 전자 제품</td><td>2420/42 BK-100</td><td>1 m</td></tr><tr><td>Olympus GIFQ-160</td><td>Olympus</td><td>N/A (일부 폐기됨)</td><td>손잡이</td></tr><tr><td>모양의 팁과 통합 제트 기능이 있는 일회용 전기수술 칼</td><td>1개 Olympus</td><td>KD-655L</td><td>1개</td></tr><tr>일회용<td>타원형 전기수술 스네어</td><td>Olympus</td><td>SD-210U-15</td><td>1개</td></tr><tr><td>15.5mm 렌즈 후드</td><td>FujiFilm</td><td>DH-28GR</td><td>1개</td></tr><tr><td>주사 요법 바늘 카테터</td><td>Boston Scientific</td><td>25G</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>앨리게이터 법칙 집게</td><td>Olympus</td><td>FG-6L-1</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>인스턴트 믹스 5 분 에폭</td><td>시 록타이트</td><td>N/A</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>열 수축 튜브, 내경 9.5 mm</td><td>TE Connectivity</td><td>RNF-100-3/8-X-STK</td><td>1 pc</td></tr><tr><td>ChipQuik 솔더 페이스트</td><td>Chip Quik</td><td>SMD4300AX10</td><td>1 PC</td></tr></tbody></table>

자율적이 고 충전식 microneurostimulator 라고는 submucosa에 이식

Autonomous and Rechargeable Microneurostimulator Endoscopically Implantable into the Submucosa

위 dysmotility 오랜 당뇨병 등 일반적인 질병의 징조 수 있습니다. 그것은 높은 주파수 낮은 에너지 자극의 신청은 효과적으로 온건 하 고 위 dysmotility의 증상을 완화 도울 수 있다 알려져 있다. 연구의 목표는 소형, submucosal 주머니 라고 이식 장치 개발 했다. 이식 장치는 완벽 하 게 사용자 지정 된 전자 패키지는 submucosa에 실험을 위해 특별히 설계 되었습니다. 장치는 무선 충전/전송 코일에서 사고 자기장을 수신 하 여 재충전 될 수 있는 리튬-이온 배터리를 갖추고 있습니다. 업링크 통신 432 m h z에서 MedRadio 대역에서 수행 됩니다. 장치 라고 모델로 vivo에서 , 특히 위 동굴에서에서 사용 하는 라이브 국내 돼지의 submucosal 주머니에 삽입 되었다. 실험 설계 된 장치는 submucosa에 이식 될 수 있는 양방향 통신 가능 확인. 장치는 근육 조직의 바이 폴라 자극을 수행할 수 있습니다.

그림 17 submucosa에 주머니에 위 neurostimulator의 내 시경 위치 뿐만 아니라 근육 층을 전극의 적절 한 배치 되었는지 보여 줍니다. 장치 (그림 10)의 크기는 35 x 15 x 5 m m3 무게는 2.15 g. 그림 17 보여주는 장치 함께 연결 되는 6 다른 모듈의 구성 소자의 회로 다이어그램을 보여 줍니다. 그림 3 은 장치에서 PCB 레이아웃 및 부품 배치를 보여준다. 그림 18 submucosal 계층에는 장치를 이식 하기 위하여는 내 시경 submucosal 포켓9,<sup class=...

높은 주파수 낮은 에너지의 응용 프로그램은 위 dysmotility의 증상을 완화 수 있습니다. 이 연구에서 submucosal 주머니에 이식 초소형, 라고 이식 및 무선 충전식 장치 제공 됩니다. 두 방법은 통신 및 자극 제어 라이브 돼지에 실험 하는 동안 달성 했다.

자율적이 고 충전식 Microneurostimulator 라고는 Submucosa에 이식

Gastric dysmotility can be a sign of common diseases such as longstanding diabetes mellitus. It is known that the application of high-frequency ...

이 기술의 주요 장점은 훨씬 덜 침습적 인 접근 방식을 제공한다는 것입니다. 일반적으로 이식형 장치 개발은 하드웨어 및 소프트웨어 설계에 대한 경험이 필요한 분야이기 때문에 이 방법을 새로 사용하는 개인은 어려움을 겪게 됩니다. 이 방법의 시각적 데모는 내시경 부막 이식이 현재 매일 연습에서 사용되지 않는 실험 절차이기 때문에 중요합니다.이 절차를 시작하려면 PCB를 평평한 표면에 배치합니다. 0.6mm 바늘과 60 PSI 압력의 납땜 페이스트 디스펜서를 사용하여 PCB의 모든 금속 패드에 납땜 페이스트 15 마이크로리터 미만을 수동으로 분배합니다. PCB의 상단으로 시작합니다.정전기 방지 핀셋 을 사용하면 모든 구성 요소를 PCB의 맨 위 층에 배치합니다. 구성 요소 위치와 구성 요소를 해당 번호에 할당합니다. 그 후, 모든 구성 요소를 납땜하는 섭씨 260도에서 PCB 핫 에어 건 스테이션을 사용합니다.모든 솔더 페이스트가 녹을 때까지 기다립니다. 뜨거운 에어건을 버리고 보드가 실온으로 식힙니다. 배터리를 제외한 다른 모든 전기 부품에 PCB를 연결합니다.무선 충전 통신 코일을 패드 2개와 3개로 납땜한 다음 안테나를 패드 1에 연결하고 PCB 전극을 4번과 5번 패드에 연결합니다. 그 다음에 CG-320 배터리를 6및 7을 패드로 솔더합니다. 배터리의 음수 단말은 패드 7에서 납땜되어야 합니다.다음 단계를 수행하는 동안 주의하십시오. 이제 장치가 전원이 공급되며 단락 및 금속 물체와의 접촉에 민감합니다. 다음으로, 뜨거운 공기총으로 튜브를 섭씨 150도까지 가열한 다음 식힙니다.그 후, 튜브의 한쪽을 밀봉왼쪽 끝에 에폭시 접착제를 적용한 다음 튜브로 PCB의 뒷면에 전극을 붙입니다. 그 후, 튜브의 다른 쪽 끝을 밀봉. 이 단계에서는 PCB를 평평한 표면에 배치합니다.0.6mm 바늘과 60 PSI 압력의 납땜 페이스트 디스펜서를 사용하여 PCB의 모든 금속 패드에 납땜 페이스트 50 마이크로리터 미만을 수동으로 분배하십시오. 정전기 방지 핀셋 을 사용하면 모든 구성 요소를 PCB의 맨 위 층에 배치합니다. 구성 요소 위치와 구성 요소를 해당 번호에 할당합니다.PCB 핫 에어건 스테이션 프리셋을 섭씨 260도로 사용하여 모든 부품을 납땜할 수 있습니다. 모든 솔더 페이스트가 녹을 때까지 기다립니다. 뜨거운 에어건을 버리고 보드가 실온으로 식힙니다.다음으로, 12볼트 전원 공급 장치가 벽에 연결되어 USB 커

autonomous-rechargeable-microneurostimulator-endoscopically

Research

연구

JoVE Journal

Neuroscience

신경과학

우리는 만성 신경 기록 전극을 이온 주입하는 과정을 배우고있는 외과의에 대한 유용한 정보를 제공합니다. 관통 및 표면 양쪽 전극 시스템을위한 기술은 쥐 동물 모델에 설명되어 있습니다.

단일 유닛 활동과 Electrocorticographic 신호를 녹음하기 위해 만성 신경 전극 외과 이식

이 비디오에서는 돼지 모델에서 갑상선 수술 중 신경을 모니터링하기 위해 미주신경에 자동 주기적 자극 전극을 설치하는 절차를 보여줍니다. 이는 수술 중 표적 신경을 올바르게 식별하는 데 도움이 됩니다.

Automated Periodic Stimulation Electrode Installation: 돼지 모델의 미주신경에 자동 자극 장치를 외과적으로 이식하는 기술

쥐의 시상하핵(STN)에 전극을 이식하는 방법을 설명합니다. STN의 더 나은 위치 파악은 마이크로 기록 시스템을 사용하여 달성되었습니다. 또한, 동물의 머리와 자극기 사이의 오래 지속되는 연결을 특징으로 하는 자극 설정이 제공됩니다.

미세 전극은 장기 깊은 뇌 자극 쥐의 Subthalamic 핵에 전극의 주입을 가이드

이 연구 돼지 모델에서 갑 상선 수술의 내부 작용 신경 모니터링의 표준 프로토콜을 개발 하는 것을 목표로. 여기, 우리는 일반 마 취, 전극의 다른 종류를 비교 하 고 정상적이 고 부상 재발 후 두 신경의 electrophysiological 특성 조사를 설명 하는 프로토콜을 제시.

돼지 모델에서 갑 상선 수술의 내부 작용 신경 모니터링

여기서 제시된 것은 유발되고 자발적인 근전도 전위내의 생체 내 연대순 기록을 위한 이식형 시스템의 제조를 위한 프로토콜이다. 이 시스템은 신경 손상 다음 후두 근육의 회안의 조사에 적용됩니다.

만성 생체 내 근전도를 위한 이식형 시스템

당사는 전기 생리학을 위해 설계된 마이크로인로드 시스템을 제시하고 선택적 약물 주입과 함께 실험 프로브(즉, 나노센서, 마이크로전극)의 보조 전달을 지원합니다. 널리 이용 가능한 미세유체 성분은 프로브를 함유하는 캐뉼라에 결합된다. 마이크로 인젝트 로드 건설을위한 단계별 프로토콜이 포함되어 있으며, 마카크 피질에서 muscimol 주입 중 결과가 있습니다.

결합 된 약물 주입 및 전기 생리학을위한 마이크로 인젝트 로드 시스템

원고는 ASK 변조 된 무선 출력이있는 소형 이식형 pH 센서와 제로 바이어스 쇼트키 다이오드를 기반으로 한 완전히 패시브 수신기 회로를 제공합니다. 이 용액은 생체 내 교정 된 전기 자극 치료 장치의 개발및 외래 pH 모니터링의 기초로 사용될 수 있습니다.

제로 바이어스 쇼트키 다이오드 기반 수신기를 사용하여 pH 모니터링을 위한 무선 지원 내시경 이식형 센서 구축

이것은 말초 신경을 위한 무선 전원 인터페이스의 외과적 이식 및 작동을 위한 프로토콜입니다. 우리는 쥐의 좌골 신경이나 횡격막 신경에 배치된 신경 자극기의 예를 통해 이 접근법의 유용성을 입증합니다.

말초 신경 인터페이스를 위한 배터리가 필요 없는 무선 시스템의 이식 및 제어

여기에서는 설치류의 만성 전기 생리학을 위한 가볍고 비용 효율적인 프로브 임플란트 시스템을 소개하며, 사용 편의성, 프로브 회수율, 실험적 다양성 및 행동과의 호환성에 최적화되어 있습니다.

DREAM Implant: 머리가 고정되고 자유롭게 행동하는 마우스의 만성 전기생리학을 위한 가볍고 비용 효율적인 모듈식 임플란트 시스템

마우스에 utero 서바이벌 수술 개발하는 동안 유전자 발현의 분자 조작 수 있습니다. 여기 우리는 배아 하루 마우스 뇌 (E) 9.5에 r​​etroviral 벡터의 주사를 안내 고주파 초음파 이미징의 사용을 설명합니다.

마우스 Forebrain에 초음파 유도 Microinjection Utero에서 E9.5에서

배우세요 위장 운동장애 치료를 위한 자율적이고 충전식 미세신경자극기의 점막하 이식술을 돼지 모델에서 수행하는 방법을. 이 기술은 최소침습적 치료를 위한 새로운 가능성을 제시합니다.

자율적이 고 충전식 Microneurostimulator 라고는 Submucosa에 이식

더 많은 동영상 탐색