큰 면적 기판 기반 Nanofabrication 출장 Dewetting 통해 제어 하 고 사용자 정의 금 나노 입자의

당사의 프로토콜은 재료 두께를 변경하지 않고 비습 역학을 변경하여 기판에서 제작된 나노입자 분포를 사용자 지정하는 기술을 제공합니다. 우리의 기술은 간단하지만 여전히 다양한 입자 크기를 제공합니다. 거기 밖으로 다른 기술은 입자 제어를 제공하기 위해 광범위한 리소그래피 단계가 필요합니다.

입자 분포를 제어하는 것은 태양 에너지 변환, 광장 장치 생성 및 데이터 저장 밀도 증가에 초점을 맞춘 연구에 유익한 나노 입자 제조 기술을 제공합니다. 각 단계에서 증착 두께에 주의를 기울이세요. 우리의 기술은 층 두께에 매우 민감합니다.

실험을 수행하면 인쇄물에서 전달할 수 없는 세부 수준을 제공합니다. 프로세스 전체에서 이동하는 예제를 보는 것은 필수적입니다. 첫째, 실리콘 기판에 100 나노미터 실리콘 이산화를 청소하고 아세톤 린스를 사용하고 이소프로필 알코올 헹구는 다음.

질소 가스의 스트림을 사용하여 기판을 건조. 기판을 열 증발기 시스템에 적재하고 챔버를 대피하여 금속 필름의 증착에 대한 원하는 압력에 도달합니다. 챔버에서 공기와 수증기를 제거하기 위해 10 대에서 마이너스 6 토로의 순서에 대한 압력으로 챔버를 대피해야합니다.

열 증발기 시스템을 사용하여, 이 실험에서 5 나노미터인 원하는 두께로 금막을 증정한다. 두 번째 증착 단계에서, 아르곤 압력은 1 ~ 5 밀리토르이며, 범위는 증착 속도에 대해 보정하기 위해 다른 압력으로 선택되기 때문에 주어진다. 우리의 기술은 우리의 결과에 표시된 바와 같이 필름 두께에 매우 민감합니다.

적절한 두께를 보장하기 위해 필름을 증착하기 전에 증착 속도를 보정하는 것이 중요합니다. 증착후, 챔버를 배출하고 기판을 제거, 기판, 증착 된 금속 필름, 열 증발기 시스템에서. 다음으로, 기판을 증착된 금속 필름으로 직접 전류 자석 스퍼터 증착 시스템에 적재하고 캡핑 필름의 증착에 대한 원하는 압력에 도달하기 위해 대피한다.

시스템에서 샘플을 찾으려면 샘플을 로드 잠금에 넣습니다. 그리고 장치는 충분한 수준의 진공을 보장하기 위해 샘플을 주요 증착 챔버로 전송합니다. 지금, 금층 증착과 유사한 절차 및 조건에 따라 원하는 재료 및 두께의 캡핑 층을 증착한다.

가변 두께 일루미나, 이 경우. 증착 후, 챔버를 배출하고 스퍼터 증착 시스템에서 준비된 샘플을 제거한다. 일루미나로 덮인 5나노미터 금필름을 섭씨 300도에 예열된 핫 플레이트에 놓고 샘플을 1시간 동안 디웨드할 수 있도록 합니다.

일루미나에 1시간 동안 수산화암모늄과 과산화수소의 수성 용액을 1시간 동안 80도에 남기고 금과 기판을 그대로 둡다. 특성화를 위해 아세톤과 이소프로필 알코올로 헹도으로써 시료를 진공 과호환로 준비합니다. 그런 다음 질소 가스의 스트림을 사용하여 샘플을 건조시.

높은 진공 및 높은 배율에서 주사 전자 현미경 검사를 사용하여 나노 입자 필름을 이미지합니다. 나노입자 크기 및 간격 분포에 대한 정보를 얻기 위해 이미지 분석을 수행합니다. 여기에 설명된 프로토콜은 여러 금속에 사용되었으며 제어 가능한 크기와 간격을 가진 넓은 면적의 기판에서 나노 입자를 생성하는 능력을 보여주었습니다.

대표적인 결과는 여기에 표시되며, 제조된 나노입자 크기 및 간격을 제어하는 기능을 강조합니다. 제조된 나노입자 필름의 크기 및 간격 분포는 금속, 기판, 캡핑 층 재료, 금속 두께 및 캡핑 층 두께에 의존한다. 예를 들어, 실리콘 이산화수소의 5나노미터 금막은 알루미늄 산화물 상한층 두께가 0, 5, 10 및 20 나노미터로 각각 14.2, 18.4, 17.3 및 15.6 나노미터의 평균 나노 입자 반을 초래한다.

그리고 평균 노노입자 간격은 각각 36.9, 56.9, 51.3 및 47.2 나노미터이다. 원하는 파티클 분포의 경우 증착 층 두께를 정확하게 제어하는 것이 중요합니다. 나노 입자 필름의 적용에 따라 더 많은 특성화가 필요할 수 있습니다.

여기에는 광 흡수 및 자기 특성과 같은 응용 프로그램 기반 측정이 포함됩니다. 응용 프로그램에서 나노 입자 필름의 연구는 입자 크기와 분포를 제어하기 위해,이 기술을 사용하여 수행 할 수 있습니다. 적절한 개인 보호 장비를 착용해야 합니다.

특히 에칭과 접촉하지 않습니다. 핫 플레이트와의 접촉을 피하십시오.