Name: van der Waals의 잔류물 없는 제작: 2차원 재료의 이종 구조 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2025-07-18T15:10:00.000+00:00
Duration: 4 min 57 s
Description: 학습하세요 2차원 재료의 잔류물 없는 제작 방법을 통해 단일 플레이크를 생산하고 복잡한 이종 구조를 조립하는 기술입니다. 이 방법은 외부 물질 없이 깨끗한 적층을 보장하며 고품질 나노소자 개발에 기여합니다.

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<ol><li>Piacentini, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Stable+Al2O3+encapsulation+of+MoS2-FETs+enabled+by+CVD+grown+h-BN%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Electron+Mater%22%5BJournal%5D)">Stable Al2O3 encapsulation of MoS2-FETs enabled by CVD grown h-BN.</a> Adv Electron Mater. 8 (9), 2200123(2022).</li>
<li>Wu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((scaled+graphene+transistors+on+diamond-like+carbon%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">scaled graphene transistors on diamond-like carbon.</a> Nature. 472 (7341), 74-78 (2011).</li>
<li>Zhang, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Memristors+based+on+two-dimensional+h-BN+materials%3A+synthesis%2C+mechanism%2C+optimization+and+application%5BTitle%5D)+AND+%22NPJ+2D+Mater+Appl%22%5BJournal%5D)">Memristors based on two-dimensional h-BN materials: synthesis, mechanism, optimization and application.</a> NPJ 2D Mater Appl. 8 (1), 81(2024).</li>
<li>Xia, F., Mueller, T., Lin, Y., Valdes-Garcia, A., Avouris, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrafast+graphene+photodetector%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nanotechnol%22%5BJournal%5D)">Ultrafast graphene photodetector.</a> Nat Nanotechnol. 4 (12), 839-843 (2009).</li>
<li>Lopez-Sanchez, O., Lembke, D., Kayci, M., Radenovic, A., Kis, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrasensitive+photodetectors+based+on+monolayer+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nanotechnol%22%5BJournal%5D)">Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS2.</a> Nat Nanotechnol. 8 (7), 497-501 (2013).</li>
<li>Yan, Z., Liu, G., Khan, J. M., Balandin, A. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Graphene+quilts+for+thermal+management+of+high-power+GaN+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Commun%22%5BJournal%5D)">Graphene quilts for thermal management of high-power GaN transistors.</a> Nat Commun. 3 (1), 827(2012).</li>
<li>Acerce, M., Voiry, D., Chhowalla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metallic+1T+phase+MoS2+nanosheets+as+supercapacitor+electrode+materials%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nanotechnol%22%5BJournal%5D)">Metallic 1T phase MoS2 nanosheets as supercapacitor electrode materials.</a> Nat Nanotechnol. 10 (4), 313-318 (2015).</li>
<li>He, Q., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fabrication+of+flexible+MoS2+thin-film+transistor+arrays+for+practical+gas-sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22Small%22%5BJournal%5D)">Fabrication of flexible MoS2 thin-film transistor arrays for practical gas-sensing applications.</a> Small. 8 (19), 2994-2999 (2012).</li>
<li>Geim, A. K., Grigorieva, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Van der Waals heterostructures.</a> Nature. 499 (7459), 419-425 (2013).</li>
<li>Bellus, M. Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Type-I+van+der+Waals+heterostructure+formed+by+MoS2+and+ReS2+monolayers%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale+Horiz%22%5BJournal%5D)">Type-I van der Waals heterostructure formed by MoS2 and ReS2 monolayers.</a> Nanoscale Horiz. 2 (1), 31-36 (2017).</li>
<li>Hong, X., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrafast+charge+transfer+in+atomically+thin+MoS2%2FWS2+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nanotechnol%22%5BJournal%5D)">Ultrafast charge transfer in atomically thin MoS2/WS2 heterostructures.</a> Nat Nanotechnol. 9 (9), 682-686 (2014).</li>
<li>Yan, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Esaki+diodes+in+van+der+Waals+heterojunctions+with+broken-gap+energy+band+alignment%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Esaki diodes in van der Waals heterojunctions with broken-gap energy band alignment.</a> Nano Lett. 15 (9), 5791-5798 (2015).</li>
<li>Withers, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Light-emitting+diodes+by+band-structure+engineering+in+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Mater%22%5BJournal%5D)">Light-emitting diodes by band-structure engineering in van der Waals heterostructures.</a> Nat Mater. 14 (3), 301-306 (2015).</li>
<li>Dong, W., Dai, Z., Liu, L., Zhang, Z. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Toward+clean+2D+materials+and+devices%3A+Recent+progress+in+transfer+and+cleaning+methods%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Mater%22%5BJournal%5D)">Toward clean 2D materials and devices: Recent progress in transfer and cleaning methods.</a> Adv Mater. 36 (22), 2303014(2024).</li>
<li>Liu, H., Zhao, J., Ly, T. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Clean+transfer+of+two-dimensional+materials%3A+A+comprehensive+review%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Clean transfer of two-dimensional materials: A comprehensive review.</a> ACS Nano. 18 (18), 11573-11597 (2024).</li>
<li>Pettes, M. T., Jo, I., Yao, Z., Shi, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Influence+of+polymeric+residue+on+the+thermal+conductivity+of+suspended+bilayer+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Influence of polymeric residue on the thermal conductivity of suspended bilayer graphene.</a> Nano Lett. 11 (3), 1195-1200 (2011).</li>
<li>Mondal, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Low+Ohmic+contact+resistance+and+high+on%2Foff+ratio+in+transition+metal+dichalcogenides+field-effect+transistors+via+residue-free+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Nanotechnol%22%5BJournal%5D)">Low Ohmic contact resistance and high on/off ratio in transition metal dichalcogenides field-effect transistors via residue-free transfer.</a> Nat Nanotechnol. 19 (1), 34-43 (2024).</li>
<li>Wang, L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((One-dimensional+electrical+contact+to+a+two-dimensional+material%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">One-dimensional electrical contact to a two-dimensional material.</a> Science. 342 (6158), 614-617 (2013).</li>
<li>Wen, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Contamination-free+assembly+of+two-dimensional+van+der+Waals+heterostructures+toward+high-performance+electronics+and+optoelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl+Mater+Today%22%5BJournal%5D)">Contamination-free assembly of two-dimensional van der Waals heterostructures toward high-performance electronics and optoelectronics.</a> Appl Mater Today. 43, 102657(2025).</li>
<li>Pizzocchero, F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+hot+pick-up+technique+for+batch+assembly+of+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Commun%22%5BJournal%5D)">The hot pick-up technique for batch assembly of van der Waals heterostructures.</a> Nat Commun. 7 (1), 11894(2016).</li>
<li>Wang, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Clean+assembly+of+van+der+Waals+heterostructures+using+silicon+nitride+membranes%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Electron%22%5BJournal%5D)">Clean assembly of van der Waals heterostructures using silicon nitride membranes.</a> Nat Electron. 6 (12), 981-990 (2023).</li>
<li>Lee, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Residue-free+fabrication+of+2D+materials+using+van+der+Waals+interactions%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Mater%22%5BJournal%5D)">Residue-free fabrication of 2D materials using van der Waals interactions.</a> Adv Mater. 37 (21), 2418669(2025).</li>
<li>Lee, G. -H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+and+transparent+MoS2+field-effect+transistors+on+hexagonal+boron+nitride-graphene+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Flexible and transparent MoS2 field-effect transistors on hexagonal boron nitride-graphene heterostructures.</a> ACS Nano. 7 (9), 7931-7936 (2013).</li>
<li>Lee, G. -H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Highly+stable%2C+dual-gated+MoS2+transistors+encapsulated+by+hexagonal+boron+nitride+with+gate-controllable+contact%2C+resistance%2C+and+threshold+voltage%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Highly stable, dual-gated MoS2 transistors encapsulated by hexagonal boron nitride with gate-controllable contact, resistance, and threshold voltage.</a> ACS Nano. 9 (7), 7019-7026 (2015).</li>
<li>Rokni, H., Lu, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+measurements+of+interfacial+adhesion+in+2D+materials+and+van+der+Waals+heterostructures+in+ambient+air%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Commun%22%5BJournal%5D)">Direct measurements of interfacial adhesion in 2D materials and van der Waals heterostructures in ambient air.</a> Nat Commun. 11 (1), 5607(2020).</li>
<li>Eda, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Photoluminescence+from+chemically+exfoliated+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Photoluminescence from chemically exfoliated MoS2.</a> Nano Lett. 11 (12), 5111-5116 (2011).</li>
<li>Ma, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Control+of+hexagonal+boron+nitride+dielectric+thickness+by+single-layer+etching%5BTitle%5D)+AND+%22J+Mater+Chem+C%22%5BJournal%5D)">Control of hexagonal boron nitride dielectric thickness by single-layer etching.</a> J Mater Chem C. 7 (21), 6273-6278 (2019).</li>
<li>Peimyoo, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-writable+high-k+dielectric+for+van+der+Waals+nanoelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22Sci+Adv%22%5BJournal%5D)">Laser-writable high-k dielectric for van der Waals nanoelectronics.</a> Sci Adv. 5 (1), eaau0906(2019).</li>
<li>Liang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Impact+of+post-lithography+polymer+residue+on+the+electrical+characteristics+of+MoS2+and+WSe2+field+effect+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Mater+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Impact of post-lithography polymer residue on the electrical characteristics of MoS2 and WSe2 field effect transistors.</a> Adv Mater Interfaces. 6 (3), 1801321(2019).</li>
<li>Xiao, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomic-layer+soft+plasma+etching+of+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Sci+Rep%22%5BJournal%5D)">Atomic-layer soft plasma etching of MoS2.</a> Sci Rep. 6, 19945(2016).</li>
<li>Koperski, M., Vaclavkova, D., Watanabe, K., Taniguchi, T., Novoselov, K. S., Potemski, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Midgap+radiative+centers+in+carbon-enriched+hexagonal+boron+nitride%5BTitle%5D)+AND+%22Proc+Natl+Acad+Sci%22%5BJournal%5D)">Midgap radiative centers in carbon-enriched hexagonal boron nitride.</a> Proc Natl Acad Sci. 117 (24), 13214-13219 (2020).</li>
<li>Li, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((From+bulk+to+monolayer+MoS2%3A+Evolution+of+Raman+scattering%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Funct+Mater%22%5BJournal%5D)">From bulk to monolayer MoS2: Evolution of Raman scattering.</a> Adv Funct Mater. 22 (7), 1385-1390 (2012).</li>
<li>Bampoulis, P., Teernstra, V. J., Lohse, D., Zandvliet, H. J. W., Poelsema, B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrophobic+Ice+Confined+between+Graphene+and+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22J+Phys+Chem+C%22%5BJournal%5D)">Hydrophobic Ice Confined between Graphene and MoS2.</a> J Phys Chem C. 120 (47), 27079-27084 (2016).</li>
<li>Ghorbanfekr-Kalashami, H., Vasu, K. S., Nair, R. R., Peeters, F. M., Neek-Amal, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Dependence+of+the+shape+of+graphene+nanobubbles+on+trapped+substance%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Commun%22%5BJournal%5D)">Dependence of the shape of graphene nanobubbles on trapped substance.</a> Nat Commun. 8 (1), 15844(2017).</li>
<li>Haigh, S. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cross-sectional+imaging+of+individual+layers+and+buried+interfaces+of+graphene-based+heterostructures+and+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Mater%22%5BJournal%5D)">Cross-sectional imaging of individual layers and buried interfaces of graphene-based heterostructures and superlattices.</a> Nat Mater. 11 (9), 764-767 (2012).</li>
<li>Purdie, D. G., Pugno, N. M., Taniguchi, T., Watanabe, K., Ferrari, A. C., Lombardo, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Cleaning+interfaces+in+layered+materials+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nat+Commun%22%5BJournal%5D)">Cleaning interfaces in layered materials heterostructures.</a> Nat Commun. 9 (1), 5387(2018).</li>
<li>Rosenberger, M. R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nano-%26%2334%3BSqueegee%26%2334%3B+for+the+creation+of+clean+2D+material+interfaces%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Appl+Mater+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Nano-&#34;Squeegee&#34; for the creation of clean 2D material interfaces.</a> ACS Appl Mater Interfaces. 10 (12), 10379-10387 (2018).</li>
<li>Hanbicki, A. T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Double+indirect+interlayer+exciton+in+a+MoSe2%2FWSe2+van+der+Waals+heterostructure%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Double indirect interlayer exciton in a MoSe2/WSe2 van der Waals heterostructure.</a> ACS Nano. 12 (5), 4719-4726 (2018).</li>
<li>Liu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Interlayer+friction+and+superlubricity+in+single-crystalline+contact+enabled+by+two-dimensional+flake-wrapped+atomic+force+microscope+tips%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Interlayer friction and superlubricity in single-crystalline contact enabled by two-dimensional flake-wrapped atomic force microscope tips.</a> ACS Nano. 12 (8), 7638-7646 (2018).</li>
<li>Li, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Superlubricity+between+MoS2+monolayers%5BTitle%5D)+AND+%22Adv+Mater%22%5BJournal%5D)">Superlubricity between MoS2 monolayers.</a> Adv Mater. 29 (27), 1701474(2017).</li>
<li>Tian, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Tribo-Induced+interfacial+material+transfer+of+an+atomic+force+microscopy+probe+assisting+superlubricity+in+a+WS2%2Fgraphene+heterojunction%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Appl+Mater+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Tribo-Induced interfacial material transfer of an atomic force microscopy probe assisting superlubricity in a WS2/graphene heterojunction.</a> ACS Appl Mater Interfaces. 12 (3), 4031-4040 (2020).</li>
<li>Liang, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((First-principles+study+of+superlubricity+of+two-dimensional+graphene%2FWS2+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Tribol+Lett%22%5BJournal%5D)">First-principles study of superlubricity of two-dimensional graphene/WS2 heterostructures.</a> Tribol Lett. 73 (1), 1-9 (2025).</li>
<li>Li, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Superlubricity+of+molybdenum+disulfide+film%5BTitle%5D)+AND+%22Surf+Sci+Technol%22%5BJournal%5D)">Superlubricity of molybdenum disulfide film.</a> Surf Sci Technol. 1 (1), 27(2023).</li>
</ol>

<table><tbody><tr><td>원자력 현미경</td><td>파크 시스템</td><td>XE-100</td><td></td></tr><tr><td>공초점 라만 현미경</td><td>호리바</td><td>LabRAM HR 에볼루션</td><td></td></tr><tr><td>접촉 모드 AFM 팁&nbsp;</td><td>나노센서</td><td>PPP-CONTSCR</td><td>접촉 모드 측정의 경우, 스프링 상수: 0.2 N/m&nbsp;</td></tr><tr><td>디지털 카메라</td><td>소니</td><td>E3ISPM06300KPB</td><td></td></tr><tr><td>양면 Kapton 테이프</td><td>대현 ST</td><td>ST-930H</td><td>슬라이드 유리판에 단면 테이프를 부착하기 위해</td></tr><tr><td>h-BN 크리스탈</td><td>2D 반도체</td><td>BLK-hBN</td><td>고압 모루 세포 성장</td></tr><tr><td>MoS2 크리스탈</td><td>2D 반도체</td><td>BLK-MoS2-SYN</td><td>합성 결정, 플럭스 영역 성장</td></tr><tr><td>비접촉 모드 AFM 팁&nbsp;</td><td>나노센서</td><td>PPP-NCHR</td><td>나노 압착의 경우, 높은 스프링 상수: 42N/m</td></tr><tr><td>광학 현미경</td><td>올림푸스</td><td>BX51 시리즈</td><td></td></tr><tr><td>플라즈마 시스템&nbsp;</td><td>펨토 사이언스</td><td>귀여운-1MP/R</td><td>산소 플라즈마 처리용</td></tr><tr><td>단면 테이프</td><td>닛토 덴코</td><td>레발파 RA-98LS(N)</td><td>고강성 테이프</td></tr><tr><td>초음파 세척기</td><td>브 랜 슨</td><td>5510E-DTH</td><td></td></tr></tbody></table>

van der waals의 잔류물 없는 제작: 2차원 재료의 이종 구조

Residue-Free Fabrication of van der Waals Heterostructures of Two-Dimensional Materials

본원에 기술된 프로토콜은 배타적으로 vdW 상호작용을 활용하여 잔류물이 없는 단일 플레이크 및 복잡한 이종구조 어셈블리를 제작합니다. 이전 연구에서는 잔류물이 없는 MoS2 플레이크의 표면 형태, 화학적 조성 및 전기적 특성에 대한 포괄적인 특성화가 수행되었습니다22. 그림 7에서 볼 수 있듯이 HR-TEM을 사용하여 원자 수준에서 표면 구조를 검사했습니다. HR-TEM 이미지와 SAED(Selected Area Electron Diffraction) 패턴은 MoS2의 대칭 육각형 구조를 확인합니다. 또한 에너지 분산 X선 분광법(EDS)은 원소 매핑 및 조성 분석을 제공하여 탄소 및 산소 원자의 존재를 무시할 수 있는 수준으로 보여주었으며, 이는 최소한의 폴리머 잔류물 및 산화를 나타냅니다. 또한 XPS를 사용하여 원소의 화학적 상태를...

van der Waals의 잔류물 없는 제작: 2차원 재료의 이종 구조

In this work, a unique methodology is presented that utilizes van der Waals (vdW) interactions to fabricate residue-free single flakes of two-dimensional ...

residue-free-fabrication-van-der-waals-heterostructures-two

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연구

JoVE Journal

Engineering

공학

우리는 표면 패터닝을 위한 스캐닝 터널링 현미경의 원자 계측과 선택적 원자층 증착 및 반응성 이온 에칭을 결합하기 위한 프로토콜을 보고합니다. 수많은 대기 노출 및 운송을 포함하는 견고한 프로세스를 사용하여 원자 계측을 갖춘 3D 나노 구조를 제작합니다.

원자 추적 가능한 나노 구조 제작

우리는 미크론 크기의 새로운 물질 플레이크를 기질에 기계적 박리 및 증착, 수송 실험을 위한 실험 장치 구조 제작, 0.300K의 낮은 온도와 최대 12T의 자기장에서 건조 헬륨 근접 주기 저온 유지 장치에서의 자기 수송 측정 방법을 설명합니다.

소설 재료의 저온 Magnetotransport 측정을위한 고급 실험 방법

미리 입금된 전이 금속 sulfurization를 통해 큰 지역 및 수직 2D 크리스탈 이종 구조 날조 될 수 있다. 영화 전송 및 장치 제조 절차는 또한이 보고서에 설명 했다.

큰 지역 수직 2D 크리스탈 Hetero-구조 장치 제조에 전이 금속 영화 Sulfurization의 준비

프로토콜은 대형 단일 레이어 직사각형 모양의 SnSe는 대기압 석 영 튜브로 시스템에 저가 SiO2/Si 유 전체 웨이퍼에 부스러기를 성장 하는 2 단계 제조 기법을 보여주는 제공 됩니다.

단일 레이어 사각형 SnSe 대형 조각의 대기압 제조

이 논문에서 우리 직접 아직 코피는 성장 하는 프로토콜 유연한 리드 지르코늄 타이타늄 메모리 요소에 현재 모스크바 운 모.

제조 및 반 데르 발스 Heteroepitaxy에 따라 유연한 Ferroelectric 요소에 대 한 측정 방법

문서 미래의 낮은 차원 일렉트로닉스의 개발에 대 한 표준 및 신뢰할 수 있는 제조 절차를 소개 하는 것을 목표로.

2 차원 일렉트로닉스를 조작 하는 표준 및 신뢰할 수 있는 방법

높은-품질 쇼트 키 접촉의 달성은 heterostructure 필드 효과 트랜지스터 (HFETs)에서 효율적인 게이트 변조를 달성 하기 위한 필수적입니다. 우리는 제조 방법론 및 GaN 템플릿에 플라즈마를 이용한 분자 빔 피 여 성장 고밀도 2 차원 전자 가스 (2DEG)와 Zn-폴라 BeMgZnO/ZnO heterostructures에 쇼트 키 다이오드 특성을 제시.

Zn-폴라 BeMgZnO/ZnO Heterostructure 플라즈마를 이용한 분자 빔 피 성장에 쇼트 키 다이오드 제작

이 작품에서 우리는 위치와 상대 방향을 정밀하게 제어하여 초박형 층 2D 재료를 적층하여 새로운 결정 (반 데르 발스 이종 구조)을 만드는 데 사용되는 기술을 설명합니다.

정밀 회전 정렬을 통해 반 데르 발스 이종 구조 제작

비엔나 Ab initio 시뮬레이션 패키지에 의해 수행된 계산은 나노 스케일 재료의 본질적인 전자 특성을 식별하고 잠재적인 물 분할 광촉매를 예측하는 데 사용할 수 있습니다.

첫 번째 원리 계산을 사용하여 1차원 반 데르 발스 이종 구조의 프로브 유형 II 밴드 정렬

이 기사는 고도로 조정 가능한 맞춤형 전달 설정을 기반으로 하는 수정된 건식 전달 기술을 활용하여 정밀한 비틀림 각도를 가진 고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 장치를 제작하기 위한 최적화된 경험 기반 프로토콜을 제시합니다.

고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 소자를 위한 최적화된 제작 절차

학습하세요 2차원 재료의 잔류물 없는 제작 방법을 통해 단일 플레이크를 생산하고 복잡한 이종 구조를 조립하는 기술입니다. 이 방법은 외부 물질 없이 깨끗한 적층을 보장하며 고품질 나노소자 개발에 기여합니다.

van der Waals의 잔류물 없는 제작: 2차원 재료의 이종 구조

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