1.6K 조회수
•
06:53 분
•
2025년 10월 14일
2025년 10월 14일
•2 열 어닐링 방법은 유형 II 반도체 실리콘 클래레이트의 박막을 제조할 수 있습니다. 재료 특성을 개선하기 위해 열 압착 및 반응성 이온 에칭을 포함한 합성 후 처리가 수행되었습니다. 이 접근 방식은 차세대 전자 및 광자 장치에 적합한 조정 가능한 격환 필름을 제조하기 위한 접근 가능한 경로를 제공합니다.
Chapters in this video
0:00
Introduction
0:27
Preparation and Synthesis of SiCL
3:39
Post-Treatment of the Prepared SiCL
4:37
Results
6:20
Conclusion
Related Videos
저작권 © 2026 MyJoVE Corporation. 모든 권리 보유.