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윤리 선언
이 연구는 인간, 동물 또는 규제된 생물학적 물질을 포함하지 않았습니다. 모든 실험은 표준 화학 합성 및 재료 특성화 기법을 사용했습니다.
1. MIP-207-SO3H의 합성
참고: MIP-207-SO3H의 합성은 Wang 등(27)과 Nandi 등14(14)에서 이전에 보고한 프로토콜을 따릅니다. 합성 과정의 도식은 그림 1에 나와 있습니다.
<ol>
	<li>50mL 둥근 바닥 플라스크에 자석 교반봉을 넣고, 1,3,5-벤젠트리카복실산(588 mg, 2.40 mmol)과 5-LiSO3-이소프탈산(5-LiSO3-IPA, 303 mg, 1.21 mmol)을 플라스크에 넣습니다. 주의: 훈기 후드에서 플라스크에 10mL 무수물 아세트를 넣고 25°C에서 5분간 균질할 때까지 저어주세요. 그 다음 빙하 아세트산 10mL를 넣고, 저어주면서 티타늄(IV) 이소프로필자(Ti(iPrO)4, 800 μL, 2.70 mmol을 점차 첨가합니다. 아세트산 무수물/산과 Ti 알콕사이드는 부식성, 자극성, 습기에 민감하고 가연성이 있습니다; 점화원에서 멀리 떨어져 있으세요.</li>
	<li>플라스크에 역류 응축기를 장착하고, 반응 혼합물을 역류로 가열한 뒤, 24시간 동안 연속 저어주면서 역류가 유지되도록 하세요.</li>
	<li>반응이 끝난 후, 혼합물을 실온까지 식힌 후 원심분리로 고체 생성물을 분리합니다. 입자 크기에 따라 적절한 속도로 혼합물을 원심분리하는데, 일반적으로 약 ~27,000 x g 정도입니다.</li>
	<li>수집된 고형물을 끓는 아세톤으로 세 번 세척하여 남은 미반응 링커를 모두 제거한 후, 이후 특성 분석이나 멤브레인 제작에 필요한 공기 중 작업대에서 건조합니다.</li>
	<li>건조된 MOF 가루의 PXRD 패턴을 수집하세요. 수집된 PXRD를 보고/시뮬레이션된 MIP-207-SO3H 패턴과 겹쳐 MOF 구조와 순도를 검증합니다. 푸리에 변환 적외선 분광법(FTIR)과 열중량분석(TGA)도 수행하여 MOF(자유 링크, 결함 등)의 품질을 검증할 수 있습니다.</li>
</ol>
<img alt="그림 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig1v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 1"> 
그림 1: MIP-207-SO3H 합성 절차의 도식적 예시. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig1large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>
2. 혼합 매트릭스 막의 준비
<ol>
	<li>PVA 분말(10% w/w)을 탈이온수에 분산시키고, 투명하고 균질한 용액이 나올 때까지 90°C로 계속 가열합니다.</li>
	<li>혼합 매트릭스 막을 준비하기 위해 필요한 양의 MIP-207-SO3H를 탈이온수에 분산시킵니다.</li>
	<li>초음파 프로브(10% 진폭 5분)를 사용해 용액을 초음파 처리하여 균일한 MOF 현탁을 얻습니다. MOF의 특성에 따라 초음파 치료 시간을 조정하세요. 참고: 분산의 질에 대한 추가 확인은 동적 광 산란(DLS)을 통한 입자 크기 분석이나 주사 전자현미경(SEM)을 이용한 형태학적 관찰을 통해 조사할 수 있습니다.</li>
	<li>용해된 PVA 용액을 미리 분산된 MIP-207-SO3H 현탁액에 1시간 동안 지속적으로 교반 후 혼합하여 확산이 시각적으로 균일해질 때까지 혼합합니다(눈에 띄는 응집체나 상 분리 없음). PVA 용액의 양을 조절하여 최종 농도는 7% w/w로 만듭니다.</li>
	<li>PVA–MIP-207-SO3H 용액을 필름 어플리케이터를 사용해 깨끗한 유리판에 주조하여 두께가 정의된 습식 필름(예: 1mm)을 형성합니다. 멤브레인의 두께는 폴리머 용액의 농도와 점도에 따라 선택할 수 있으며, 일반적으로 드라이 필름 내 약 10 μM에서 200 μM 이상까지 다양합니다.</li>
	<li>주조 필름을 후드 아래에서 주변 조건에서 건조하여 용매 증발이 완료될 때까지 유지한 후, 유리판에서 막을 떼어내어 유연하고 밀도가 높으며 투명한 PVA 및 PVA/MIP-207-SO3H 막을 만듭니다. 혼합 매트릭스 멤브레인(MMM) 제작 과정의 도식은 그림 2에 제시되어 있습니다.</li>
	<li>동일한 제조 공정을 사용하여 순수 고분자 매트릭스가 양성자 전도도에 얼마나 기여하는지를 결정하기 위해 MIP-207-SO3H 없이 PVA 단독 제어 막을 준비합니다.</li>
</ol>
<img alt="그림 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig2v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 2"> 
그림 2: 용액 주조법을 통한 PVA 및 PVA/MIP-207-SO3H 막 제작의 도식화. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig2large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>
3. 양성자 전도도 측정
<ol>
	<li>제작된 막 샘플을 평면 내 측정 셀 형상(예: 2 cm x 2 cm)에 따라 절단합니다.</li>
	<li>마이크로미터를 사용해 여러 위치에서 시료 크기와 두께를 측정한 후 평균 두께(t)를 계산하여 기록합니다( 그림 3, 단계 2 참조). 참고: 막 중앙 근처에서 최소 세 차례 정확한 두께 측정을 하는 것이 권장됩니다.</li>
	<li>알려진 기하학적 접촉 면적 A를 가진 두 전극 사이에 막을 놓고, 두 개의 테플론 전지 사이에 조립물을 끼운 뒤, 나사와 육각 너트로 부드럽게 조여 좋은 전면 접촉을 보장합니다. 막 전도도 세포를 단계적으로 조립하는 과정은 그림 3에 제시되어 있습니다.</li>
	<li>조립된 테플론 셀을 기후 습도 챔버 안에 넣고, 이 챔버는 포텐셔탯에 직접 연결되어 원하는 온도와 습도 조건으로 설정됩니다.</li>
	<li>온도와 RH 설정값(시스템에 따라 30°C에서 90°C 범위, RH을 60%에서 95%까지 증가시키는 경우)을 프로그래밍 가능한 습도 챔버에서 직접 프로그래밍합니다. 수작업 없이 시간이 지남에 따라 자동으로 변합니다.</li>
	<li>평면 내 전도율 셀을 주파수 응답 분석기가 장착된 포텐시오스탯에 연결하고, 선택한 온도/RH 조건에 설치합니다. 주의: 측정 전 막이 1시간 동안 평형을 맞춰야 합니다.</li>
	<li>EIS 소프트웨어를 사용해 1 MHz에서 1 Hz까지 주파수 범위를 지정하고, 각 주파수당 최소 두 번의 측정을 수행하고, AC 섭동 진폭을 20 mV로 설정한 후 측정을 시작하여 임피던스 스펙트럼을 기록하여 후속 분석을 수행합니다.</li>
	<li>임피던스 스펙트럼은 측정이 완료된 후 후속 분석을 위해 저장하세요. 실험 구성의 시각화를 용이하게 하기 위해 평면 내 양성자 전도도 측정 장치의 도식이 그림 4 에 제공되어 있습니다.</li>
	<li>습도 챔버를 끄고 1시간 동안 식혀 온도가 30°C 이하로 내려가도록 하세요. 습도실에서 측정 셀을 꺼내 분해한 후, 양성자 전도도 측정에 사용되는 조건에서 막이 기계적 마모 없이 유지되는지 확인하세요.</li>
	<li>멤브레인을 건조시켜 전용 비닐봉지에 보관하여 전도도 측정 후 구조적·기계적 특성을 검증하기 위해 추가 분석(예: PXRD, 기계적 시험 등)을 수행하세요.</li>
	<li>EIS 결과를 분석하기 위해 막 저항은 나이퀴스트 플롯(−Im(Z) 대 Re(Z))에서 결정됩니다. 저항은 고주파에서 반원과 실축 사이의 교차점으로 읽을 수 있습니다. 저항은 보데 플롯(log(|Z|) 빈도에 대비한 값). 이는 경사 파열에서의 경사점에 해당합니다.</li>
	<li>측정된 막 저항에서 양성자 전도도(σ(S/cm))를 Eq-1을 사용해 계산합니다. L(cm)을 전극 간 거리(설정에 의해 정의됨), R(Ω)을 임피던스 분광법에서 얻은 벌크 멤브레인 저항, A(cm2)를 멤브레인 단면적(멤브레인 폭 w와 두께 T의 곱으로 정의)으로 사용한다. 참고: 양성자 전도도, σ(S·cm-1) 대 온도 플롯은 사용 가능한 모든 데이터 분석 도구를 사용하여 생성할 수 있습니다. 
	<img alt="방정식 1" src="/files/ftp_upload/71248/71248eq1.jpg" style="margin:auto;" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Equation 1"></li>
	<li>In(σ) 대 1/T(또는 1000/T, T는 켈빈 단위)를 통해 활성화 에너지인 Ea를 선형 적합(Eq-2)에서 추출하여 아레니우스 플롯을 구성하고, 양성자 수송이 차량 이동(Ea &gt; 0.5 eV)으로 이루어지는지, 아니면 호핑(Ea &lt; 0.4 eV) 메커니즘으로 이루어지는지 결정합니다.</li>
	<li>측정된 양성자 전도도σ (S.cm-1), A를 지수 전파 인자, Ea 를 활성화 에너지(eV), kB 를 볼츠만 상수 = 8.62 × 10-5 eV K-1, 온도로 T를 사용한다. 
	<img alt="방정식 2" src="/files/ftp_upload/71248/71248eq2.jpg" style="margin:auto;" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Equation 2"></li>
</ol>
<img alt="그림 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig3v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 3"> 
그림 3: 평면 내 양성자 전도도 측정 셀의 2전극 셀, 내부 구성(1단계), 막 배치(2단계), 조립 구성(3단계)을 보여줍니다. 표시된 척도는 측정 셀에 사용되는 막 조각의 물리적 크기를 나타냅니다. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig3large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>
<img alt="그림 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig4v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 4"> 
그림 4: 온도 및 습도 제어된 조건에서 평면 내 양성자 전도도 측정 장치의 회로도, 멤브레인 어셈블리, 전극 구성, 전기화학 워크스테이션과의 연결을 보여줍니다. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig4large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>

<ol>
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</ol>

```html
<table><tbody><tr><td>&nbsp;장비</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>원심분리기</td><td>Thermo Fisher Scientific</td><td>Sorvall LYNX 6000</td><td>합성 후 고체 분리.</td></tr><tr><td>기후 습도 챔버</td><td>Memmert</td><td>HCP50</td><td>양성자 전도성 측정을 위한 습도 및 온도 조정</td></tr><tr><td>필름 도포기</td><td>Elcometer Limited</td><td>4340 필름 도포기</td><td>캐스팅 중 습막 두께 제어.</td></tr><tr><td>유리판</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>캐스팅 기판.</td></tr><tr><td>자석 교반기 핫 플레이트 + 교반 막대</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>합성 및 고분자 준비 중 교반 및 가열.</td></tr><tr><td>마이크로미터</td><td>Mitutoyo</td><td>Quantumike</td><td>멤브레인 두께 측정(여러 지점의 평균).</td></tr><tr><td>기타 실험실 용기</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>주걱, 퓨지 후드, 화학 첨가용 피펫/주사기 등.</td></tr><tr><td>전위계&nbsp;</td><td>Biologic</td><td>VSP-3e</td><td>EIS 측정용</td></tr><tr><td>PTFE(테플론) 셀, 나사, 육각 너트</td><td>Equilabrium</td><td>BT-112</td><td>좋은 전극 접촉을 보장하기 위한 기계적 조임.</td></tr><tr><td>PXRD 기기</td><td>Bruker</td><td>D8 Advance</td><td>MOF 분말의 상/결정성 확인용.</td></tr><tr><td>반사 응축기</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>MOF 합성 중 반응 온도 유지</td></tr><tr><td>둥근 바닥 플라스크</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>MOF 합성 반응 용기 및 고분자 용해</td></tr><tr><td>초음파 프로브</td><td>Branson</td><td>Ultrasonic Sonifier SFX550</td><td>PVA와 혼합하기 전에 물 속에서 MOF 분산.</td></tr><tr><td>초음파 프로브</td><td>Branson</td><td>Ultrasonic Sonifier SFX550</td><td>PVA와 혼합하기 전에 물 속에서 MOF 분산.</td></tr><tr><td>필름 도포기</td><td>Elcometer Limited</td><td>4340 필름 도포기</td><td>캐스팅 중 습막 두께 제어</td></tr><tr><td>유리판</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>캐스팅 기판</td></tr><tr><td>마이크로미터</td><td>Mitutoyo</td><td>Quantumike</td><td>멤브레인 두께 측정(여러 지점의 평균)</td></tr><tr><td>기타 실험실 용기</td><td>다양한</td><td>N/A</td><td>주걱, 퓨지 후드, 화학 첨가용 피펫/주사기 등.</td></tr><tr><td>화학제품</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>1,3,5-벤젠트리카복실산</td><td>Thermo Scientific</td><td>A15947.18</td><td>MOF 유기 링커</td></tr><tr><td>5-설포이소프탈산 리튬염&nbsp;</td><td>Thermo Scientific</td><td>A18028.36 (95%)</td><td>산성 부위를 도입하는 데 사용되는 설폰화된 링커 소스.</td></tr><tr><td>아세트산 무수물</td><td>Thermo Scientific</td><td>149490010 (99+%,)</td><td>합성 혼합물에 사용됨</td></tr><tr><td>티타늄(IV) 아이소프로폭사이드&nbsp;</td><td>Sigma Aldrich</td><td>205273 ((97%)</td><td>Ti-MOF 형성에 사용되는 티타늄 전구체</td></tr><tr><td>아세톤</td><td>Carlo Erba</td><td>002100DD14150</td><td>끓는 세척/활성화에 사용됨</td></tr><tr><td>폴리(비닐 알코올)(PVA)&nbsp;</td><td>Alfa Aesar</td><td>ALF-041243-14</td><td>멤브레인 용 고분자 매트릭스</td></tr></tbody></table>
```

전기화학 임피던스 분광법을 이용한 mof 기반 혼합 매트릭스 막의 양성자 전도도 측정

Measuring Proton Conductivity in MOF-Based Mixed Matrix Membranes by Electrochemical Impedance Spectroscopy

그림 5 A와 B는 합성된 MIP-207-(SO3H-IPA)x(BTC)1−x (x=0.28) 및 MIP-207 시뮬레이션 패턴의 구조 일러스트레이션 및 PXRD 회절도(CuKα)로, 원래 연구에서 Wang과 등이 보고한 결정학적 정보 파일(CIF)에서 계산되었습니다. 이러한 특징적인 브래그 반사의 위치, 특히 2θ ≈ 5.0°와 2θ ≈ 12-13°에서의 지배적인 저각 피크의 위치가 매우 일치한다는 점은, 설폰화 유도체가 MIP-207과 등구조성을 유지함을 확인시켜 준다. 또한, 이러한 시그니처 MIP-207-SO3H 피크는 합성 복합막에서 관찰되며, 이는 PVA 매트릭스에 양성자 전도 MOF가 성공적으로 통합되었음을 나타냅니다. MOF 구조는 막 제작 과정에서 영향을 받아서는 안 되며, 결함이 있는 막(내재적 공허 또는 강한 MOF 입자 응집)도 고품질 PXRD 패턴을 나타낼 수 있습니다. 따라서 주사전자현미경(SEM)을 통한 막 추가 분석이 필요합니다. 또한, EIS 측정 전에 높은 상대습도에 노출된 후 막의 무결성도 확인해야 합니다.
<img alt="그림 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig5v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 5"> 
그림 5: (A) MIP-207(Ti)의 결정 구조: (왼쪽 위) Ti–oxo 군집 무기 단위; (왼쪽 하단) 벤젠 트리카복실산(BTC) 또는 5-치환 이소프탈산 링커(5-치환 IPA)로 구성되며, 분홍색 원자는 –COOH와 –SO3H 작용기를 나타내며, Ti는 파란색, C는 회색, 아세테이트 기는 초록색, O는 빨간색으로 표시됩니다; (오른쪽) 주기적인 기공 채널을 가진 확장 3D 프레임워크, (B) PVA의 화학 구조, (C) MIP-207-SO3H의 실험적 PXRD 패턴(CuKα), 시뮬레이션된 MIP-207 패턴, PVA 및 PVA/MIP-207-SO3H 막. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig5large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>
30-60°C에서 95% RH에서 EIS로 평가된 순수한 PVA(MOF가 없는 상태)와 PVA/MIP-207-SO3H막의 나이퀴스트 플롯과 양성자 전도도는 그림 6 A 와 B에 제시되어 있습니다. PVA/MIP-207-SO3H 막의 나이퀴스트 플롯은 온도가 상승할수록 반원형이 감소하는 것을 보여주며( 그림 6 A 참조), 이는 벌크 저항이 감소함을 나타냅니다. 그림 6 B 는 양막 모두에서 온도에 따른 양성자 전도도의 단조 증가를 보여줍니다. 이 추세는 열활성화된 양성자 수송 행동이 예상되는 막 성능과 일치함을 나타냅니다. 성공적인 결과는 나이퀴스트 플롯에서 완전한 반원형과 명확한 고주파 교차로, 벌크 막 저항성을 나타내는 점이 특징입니다. 불규칙한 형태의 아크나 매우 비대칭적인 플롯과 같은 편차는 막-전극 접촉 불량, 막 수화 부족, 부적절한 막-전극 조립, 또는 결함 있는 포텐티오스탯 연결 등 실험적 문제를 시사할 수 있습니다. 복합 막인 PVA/MIP-207-SO3H는 양성자 전도도가 7.4 x 10-4 S·cm-1 인 반면, 순수한 PVA는 3.1 x 10-4 S·cm-1로 60°C에서 140% 높고 RH 95%입니다. 이 연구에서는 연속 운행 하에서의 장기 내구성이 평가되지 않았으며, 향후 연구에서 중요한 측면으로 남아 있습니다.
<img alt="그림 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig6.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 6"> 
그림 6: (A) PVA/MIP-207-SO3H 막의 95% RH(30-60 °C)에서 측정된 PVA/MIP-207-SO3H 막의 허수 임피던스 (-Z")와 실수 임피던스(Z')의 나이퀴스트 플롯, 그리고 (B) 노출 PVA 및 PVA/MIP-207-SO3H 막의 온도에 따른 양성자 전도도(S/cm)). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig6large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>
In(σ) 대 1000/T(95% RH, 30-60 °C)의 아레니우스 플롯은 순수한 PVA와 PVA/MIP-207-SO3H 막 모두에 선형 적합을 보여줍니다( 그림 7 참조). 여기서 아레니우스 플롯은 ln(σ) 대 1000/T로 표현되며, 이는 수학적으로 ln(σ) 대 1/T를 그리는 것과 동등하지만, 활화 에너지 추출과 데이터 시각화를 위한 더 편리한 x축 스케일을 제공합니다. 복합재는 활성화 에너지가 Ea = 0.65 eV인 반면, 노출된 PVA는 Ea = 0.46 eV를 가집니다. 전반적으로 이 값들은 복합 막에서 주로 차량 내 양성자 수송 메커니즘을 통해 이루어지며, 차량 및 홉 메커니즘 모두 순수한 PVA 막에서 발생함을 나타냅니다. 이 결과는 프로토콜이 활성화 에너지의 신뢰성 높은 추출과 양성자 수송 메커니즘의 식별을 가능하게 함을 확인시켜 줍니다. 비효율적인 실험 결과는 상당한 산란과 낮은 결정계수(R2) 값을 가진 비선형 아레니우스 플롯으로 특징지어지며, 이는 보겔-타만-풀처(VTF) 방정식과 같은 대체 모델이 온도 의존적 전도도 거동을 설명하는 데 더 적합할 수 있음을 시사한다. 또한, 비정상적으로 높은 활성화 에너지(Ea &gt; 1.0 eV)나 전도도 값이 10-6 S/cm 미만이면 MOF 분산 부족, 수분 부족, 또는 양성자 전도 경로가 불연속임을 나타낸다.
<img alt="그림 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/71248/71248fig7v1.jpg" data-altupdatedat="1784005267000" data-alt="Figure 7"> 
그림 7: Arrhenius 플롯: 95% RH(30-60 °C)에서 측정된 노출 PVA 및 PVA/MIP-207-SO3H막의 In(σ) 대 1000/T; 기호는 실험 데이터이고, 점선은 활성화 에너지를 추출하는 선형 적합입니다. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/71248/71248fig7large.jpg" target="_blank">이 그림의 더 큰 버전을 보시려면 여기를 클릭해 주세요.</a>

전기화학 임피던스 분광법을 이용한 MOF 기반 혼합 매트릭스 막의 양성자 전도도 측정

This protocol describes a reproducible method to measure the in-plane proton conductivity of metal-organic framework (MOF)/polymer mixed-matrix membranes ...

measuring-proton-conductivity-mof-based-mixed-matrix-membranes

Research

연구

JoVE Journal

Chemistry

화학

외부 전기장은 세포의 막에 전압을 유도, 유도 멤브레인 전압 (ΔΦ) 칭했다. potentiometric 염색 DI - 8 - ANEPPS을 사용하여, 그것은 noninvasively ΔΦ를 측정할 수 있습니다. 이 비디오는 측정을위한 프로토콜을 보여줍니다 ΔΦ DI - 8 - ANEPPS를 사용합니다.

디 - 8 - ANEPPS으로 유도된 막 전압 측정

전도성 고분자 (CP) 트랜스 듀서에서 생성 모든 고체 이온 선택성 전극 (ASSISEs) 액체 매체의 기능적 수명이 몇 달을 제공합니다. 여기, 우리는 실험실 - 온 - 칩 형식 ASSISEs의 제조 및 교정 과정을 설명합니다. ASSISE 복잡한 생물학적 매체에서 장기간 보관 후 가까운 따른다 Nernstian 기울기 프로파일을 유지 한 것으로 설명된다.

생리 연구를위한 모든 고체 이온 선택성 전극 (ASSISE)를 기반으로 다중 분석 바이오칩 (MAB)

여기에서 우리는 electrogenic 막 수송의 특성에 대한 응용 프로그램에 초점을 맞춘 견고한 지원 세포막에 따라 전기 생리학 방법을 제시한다.

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작동 조건에 관계없이 상기 ICP 대역의 전파를 정지 할 수있는 신규 한 이온 농도 분극 (ICP) 플랫폼에 대한 프로토콜을 설명한다. 플랫폼의 독특한 능력은 ICP 현상이 극성은 이온 고갈과 농축, 병합의 사용에있다.

나란히 이온 교환 멤브레인 사이의 이온 농도 분극을 병합하면 편광 영역의 전파를 차단하는

전기 화학 임피던스 분광학 (EIS) 가역 산화 또는 감소 솔루션에서 받을 종의 산화 또는 감소의 속도 상수 결정 사용 되었다.

전기 화학 임피던스 분 광 전기 화학 속도 상수 추정을 위한 도구로

간단 하 고, 재현성, 다양 한 다공성의 수정 되지 않은 넓은 범위에 intergrown, 다 결정 금속-유기 프레임 워크 세포 막의 합성에 대 한 접근 및 비 다공성 제공 됩니다.

Ultrathin 높은 성능 금속-유기 프레임 워크 막의 전기 이동 화

여기 우리 합성 및 주문된 성공 (4.6 nm 기 공 크기)와 탄소와 SBA-15 (5.3 nm 기 공 크기)의 특성을 보고합니다. 작업 표면 및 성공 분자 체의 텍스처 속성, 그들의 습윤 D2O 자료에 국한의 녹는 동작에 설명 합니다.

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Electrophysiological 측정, 유포 잠재력의 존재 전극 전위를 변경 하 여 역 잠재력의 정확한 측정을 방해. 마이크로-한 천 염 다리를 사용 하 여 잠재적인 확산의 영향 최소화 됩니다, 재구성 된 재조합 막 단백질의 기판 회전율 숫자의 더 정확한 측정을 허용 하.

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여기, 우리는 예를 들어 시 토 크롬 보3  를 사용 하 여 단일 리의 지질 막에 걸쳐 양성자 전 좌의 분자 메커니즘을 연구 하는 프로토콜 제시. 전기 화학 및 형광 현미경 검사 법, 단일 소포, 포함 하는 단일 또는 여러 효소의 루멘에서 pH 변화를 결합 수 있습니다 감지 되며 개별적으로 분석.

전기 화학 및 형광 현미경 검사 법을 사용 하 여 양성자 펌프 막 효소의 연구에 대 한 단일 Liposome 측정

표면 상에 대량으로 선택 이온의 연착륙은 새로운 물질의 높은 제어 준비를위한 강력한 방법입니다. 현장 이차 이온 질량 분석 (SIMS)과 적외선 반사 흡수 분광법 (IRRAS)에 의한 분석과 함께, 부드러운 착륙은 표면과 잘 정의 된 종의 상호 작용에 전례없는 통찰력을 제공합니다.

대량 선택 이온 소프트 랜딩에 의해 준비 잘 정의 된 표면의 제자리 SIMS 및 IR 분광법

PSL University.  이 프로토콜은 지속 가능한 금속-유기 프레임워크/폴리머 혼합 매트릭스 멤브레인을 제작하고, 전기화학 임피던스 분광법을 사용하여 온도 및 습도 가변 하에서 평면 내 양성자 전도도를 정확히 측정하는 재현 가능한 방법론을 설명합니다. 이는 양성자 교환막 연료전지(PEMFC)에 유용할 수 있습니다.

전기화학 임피던스 분광법을 이용한 MOF 기반 혼합 매트릭스 막의 양성자 전도도 측정

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