Een abonnement op JoVE is vereist om deze inhoud te bekijken. Log in of start vandaag met uw gratis proefperiode.

Methodenartikel

Fabricage en optimalisatie van type II siliciumclathraatfilms

1.6K weergaven

⸱

DOI:

10.3791/69215

⸱

14 oktober 2025

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1ICube Laboratory, University of Strasbourg, CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique), 2IPCMS Laboratory (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg), University of Strasbourg, 3Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, École Centrale de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées (INSA) Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1

In dit artikel

Samenvatting

De twee-thermische gloeimethode maakt de fabricage van dunne films van type II halfgeleider siliciumclathraat mogelijk. Post-synthesebehandelingen, waaronder thermisch persen en reactief ionenetsen, werden uitgevoerd om de materiaaleigenschappen te verbeteren. Deze benadering biedt een toegankelijk pad voor het vervaardigen van afstembare clathraatfilms die geschikt zijn voor elektronische en fotonische apparaten van de volgende generatie.

Samenvatting

Siliciumclathraten (SiCL) zijn een klasse van kooigestructureerde materialen met afstembare opto-elektronische eigenschappen, die een aanzienlijk potentieel bieden voor fotovoltaïsche toepassingen. Onder hen zijn type II SiCL (NaxSi136) bijzonder aantrekkelijk vanwege hun unieke vermogen om gastatomen omkeerbaar op te vangen zonder de kristalstructuur in gevaar te brengen. Traditionele synthesemethoden, zoals synthese onder extreme druk of fabricage onder handschoenenkastjes, zijn weliswaar essentieel voor het onderzoeken van de intrinsieke eigenschappen van clathraten onder goed gecontroleerde omstandigheden, maar zijn niet goed geschikt voor opschaling en zijn vaak energie-intensief en vereisen gespecialiseerde apparatuur. Om deze beperkingen te overwinnen, werd een schaalbare, dashboardkastjevrije synthesemethode ontwikkeld op basis van twee thermische ontledingsstappen om siliciumclathraatfilms te produceren. Post-synthesebehandeling, inclusief thermisch persen en reactief ionenetsen, werd gebruikt om de elektrische eigenschappen van het materiaal te verbeteren. Fasevorming en kristalliniteit worden bevestigd door röntgendiffractie en Raman-spectroscopie; morfologie wordt beoordeeld door middel van scanning-elektronenmicroscopie (SEM); en opto-elektronische eigenschappen worden geëvalueerd door fotoluminescentie. Deze aanpak biedt een reproduceerbare en schaalbare route om type II siliciumclathraatfilms te fabriceren, met een veelbelovend potentieel voor integratie in opto-elektronische apparaten.

Inleiding

Sinds de jaren 1950 vormen materialen op basis van silicium de kern van moderne opto-elektronische en energietechnologieën1, met name in de fotovoltaïsche en halfgeleiderindustrie2. Silicium voldoet aan de criteria overvloed, thermische stabiliteit, verouderingsbestendigheid3 en niet-toxiciteit 4,5. Ondanks het commerciële succes lijdt diamantsilicium (d-Si) echter aan intrinsieke beperkingen, zoals een indirecte bandkloof en zwakke lichtabsorptie6, waardoor dikke actieve lagen en energie-intensieve verwerking nodig zijn om een extreem hoge elementaire zuiverheid te bereiken7. In de afgelopen jaren hebben alternatieve allotropen en exotische fasen van silicium, met name clathraatfasen8, steeds meer aandacht gekregen als veelbelovende kandidaten om deze beperkingen te overwinnen9. Toepassingen zijn veelbelovend vanwege hun open-framework-structuur en afstembare elektronische eigenschappen10. Hiervan is type II SiCL (NaxSi136) naar voren gekomen als een metastabiel maar robuust materiaal met een quasi-directe bandkloof in het bereik van 1,6-2 eV 9,11.

De synthese van SiCL is gebaseerd op hogedrukmethoden12, zoals stromingsgroei13 of redoxchemie in ionische vloeistoffen14, die vaak complex zijn en niet altijd compatibel met opschaling en dunnefilmverwerking. Desalniettemin waren deze traditionele benaderingen essentieel om de intrinsieke eigenschappen van clathraten te onderzoeken door extrinsieke effecten zoals oxidatie of secundaire fase 15,16,17 te onderdrukken. Daarentegen maakt dit tweestaps thermische ontledingsprotocol zonder handschoenenkastje de synthese mogelijk van dunne films van siliciumclathraat met de reactieve Na4Si4, intermediaire verbinding, met behulp van gematigde temperaturen en vacuümomstandigheden. Dit protocol maakt een nauwkeurige controle van het natriumgehalte gedurende de duur van de thermische behandeling mogelijk, waardoor het gedrag van NaxSi136 van metaal naar halfgeleider verandert, afhankelijk van de bezetting van natrium in de siliciumkooien. In dit proces wordt eerst een Na4Si 4-precursorfilm gevormd door de thermische reactie van natrium met kristallijn silicium onder een inerte atmosfeer (Figuur 1). Daaropvolgend thermisch gloeien onder dynamisch vacuüm bevordert de extractie van natrium uit de film, waardoor de Zintl-fase kan worden herschikt in het gewenste clathraatraamwerk, met minimale contaminatie18,10 (Figuur 2).

Hoewel de structurele vorming van clathraten door deze methode is aangetoond, wordt meer inzicht in hun afstembaarheid en halfgeleidend gedrag bereikt na twee opeenvolgende post-synthesebehandelingen, thermisch persen en reactief ionenetsen. Thermisch persen wordt uitgevoerd om de dikte van de clathraatfilm met ongeveer de helft te verminderen, wat resulteert in een dichte, gladde laag die beter geschikt is voor verdere verwerking. Het is aangetoond dat etsen de homogeniteit van de oppervlaktetoestand verder verbetert met behoud van het kooiraamwerk, waardoor het een krachtig hulpmiddel is voor het afstemmen van elektrische en optische eigenschappen19.

Hoewel het aantal laboratoria dat met succes 20,21,22 SiCL-filmfabricage heeft gerapporteerd, op de vingers van één hand kan worden geteld, zijn we van mening dat dit te wijten is aan het feit dat de verwerkingsparameters zorgvuldig moeten worden afgestemd om met succes de gewenste fase te verkrijgen. Met dit huidige protocol, terwijl de veiligheid wordt gewaarborgd door middel van passende maatregelen, vereist de fabricage van SiCL-film slechts één buisvormige oven in argon en één dynamische vacuümoven, zuiver natrium en een c-Si-wafer10. Deze aanpak toont de haalbaarheid aan van het fabriceren en engineeren van SiCL-films door middel van een eenvoudig en schaalbaar syntheseproces, met minimale middelen en apparatuur, wat de weg vrijmaakt voor toekomstige apparaatintegratie.

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Protocol

De reagentia en de apparatuur die in dit onderzoek zijn gebruikt, staan vermeld in de materiaaltabel.

1. Voorbereiding van materialen

  1. Preparaat van silicium (c-Si (001))
    1. Snijd met een pen met diamantpunt een 525 μm ± 25 μm dikke, enkelzijdig gepolijste, n-gedoteerde silicium (001) wafer precies tot een rechthoek met afmetingen van 56 × 38 mm2.
    2. Dompel het siliciumsubstraat onder in een fluorwaterstofzuuroplossing met een concentratie van 10% vol., met behulp van een 48% HF-fles, gedurende precies 2 minuten om het natuurlijke siliciumdioxide te verwijderen dat op het substraatoppervlak aanwezig zou kunnen zijn.
      OPMERKING: Alle HF-bevattende vloeistoffen en alle verontreinigde gespoelde/oplosmiddelen werden verzameld in speciale, compatibele HDPE-containers (High-Density Polyethyleen) die waren gelabeld met de productie-eenheid en de samenstelling van het mengsel, opgeslagen op retentiebakken in de daarvoor bestemde afvalruimte en gescheiden gehouden van andere zuren, waarbij HF specifiek werd geïsoleerd voor de veiligheid. De definitieve berging werd geregeld via SPSE-UNISTRA/Suez in overeenstemming met de verwijderingsregels van de Universiteit van Straatsburg, die de Franse milieucode en de regels voor het vervoer van gevaarlijke goederen volgen.
      LET OP: Waterstoffluoride (HF) is zeer giftig en bijtend. Alleen hanteren onder een zuurkast, het dragen van handschoenen, een volgelaatsmasker en geschikte beschermende kleding.
    3. Spoel het substraat na blootstelling aan HF grondig af met gedeïoniseerd water om eventueel zuur te verwijderen. Droog de wafers met een stikstofpistool om eventuele resterende waterdruppels weg te blazen en restvorming op het oppervlak te voorkomen.
  2. Natrium voorbehandeling
    1. Snijd voorzichtig een stuk metallisch natrium (99% zuiverheid) met behulp van een snijder om een klein rechthoekig plakje van ongeveer 0,22 g te verkrijgen, gemeten met een analytische balans.
    2. Plaats het natriumschijfje onmiddellijk in een luchtdichte glazen (afgesloten met een geslepen glazen verbinding) container gevuld met watervrij cyclohexaan (≥99% zuiverheid). Zorg ervoor dat het natrium volledig is ondergedompeld om oxidatie te voorkomen.
      LET OP: Metallisch natrium reageert heftig met water. Hanteer altijd onder een zuurkast, draag handschoenen, een veiligheidsbril, een geschikte laboratoriumjas en neem alle andere voorzorgsmaatregelen die nodig zijn om de veiligheid te garanderen (brandblusser klasse D).
  3. Assemblage in de smeltkroes
    1. Wassen met pure ethanol en drogen op 300 °C gedurende 4 uur in een boot van Inconel legering (54 × 18 × 13,3 mm3). Plaats vervolgens de eerder bereide natriumschijf in een gereinigde boot van Inconel-legering en plaats de siliciumwafel er direct boven, met het gepolijste oppervlak naar beneden gericht op de boot.
    2. Plaats het voorbereide geheel (boot-natrium-silicium) voorzichtig in het midden van een afgedichte roestvrijstalen buis (ISO-KF met O-ringafdichting), in een programmeerbare horizontale buisoven.
      OPMERKING: De buis moet grondig worden gereinigd met aceton en ethanol en vervolgens 1.5 uur worden gedroogd.
    3. Steek een zeer zuivere tantaal (Ta) draad in de buis om eventuele sporen van zuurstof op te vangen. De gebruikte draad heeft een diameter van 0,5 mm, een zuiverheid van 99,95% en een totale lengte van 3,4 cm.
    4. Sluit de buis aan beide uiteinden af met fittingen die alleen argon (zuiverheid ≥ 99,9999%) in de buis laten circuleren.
    5. Spoel de buis gedurende 15 minuten met argon bij een constante druk van 1,6 bar om een inerte atmosfeer tijdens de reactie te garanderen.

2. Synthese van SiCL

  1. Thermische ontleding voor de vorming van Na4Si4
    1. Start de programmeerbare horizontale buisoven met de volgende gloeicyclus.
      1. Verhoog de temperatuur tot het plateau van 600 °C met een hellingssnelheid van 5 °C/min. Houd deze temperatuur stabiel op 600 °C gedurende 19 uur. Laat het systeem meer dan 7 uur op natuurlijke wijze afkoelen.
    2. Wanneer de oven en de buis weer op kamertemperatuur zijn, spoelt u de buis met een continue stroom argon (zuiverheid ≥ 99,9999%).
  2. Hoog vacuüm dynamische nabehandeling
    1. Breng de verkregen monsters zo snel mogelijk over in een kwartsbuis en sluit deze aan op de dynamische vacuümoven. De buis werd vooraf gereinigd door achtereenvolgens te spoelen met aceton en gedeïoniseerd water, gevolgd door drogen met een stikstofpistool. De blootstellingstijd aan omgevingslucht werd onder de 40 s gehouden in een laboratoriumomgeving met een relatieve vochtigheid die onder de 40% werd gehouden, wat reproduceerbare en niet-verontreinigde films bleek op te leveren.
      1. Na aansluiting van de slang op het pompsysteem, eerst evacueren met de primaire pomp en vervolgens de turbomoleculaire pomp inschakelen totdat een hoog vacuüm van 5 × 10-7 mbar is bereikt.
    2. Opschrijving tot 400 °C gedurende 30 minuten; gedurende 4 uur bij 400 °C houden; Schakel vervolgens de buisoven uit en laat het monster op natuurlijke wijze afkoelen tot kamertemperatuur. Laad daarna het monster uit de oven.

3. Nabehandeling

  1. Pers gloeien
    1. Gebruik een handmatige hydraulische tafelpers die is uitgerust met twee vierkante roestvrijstalen platen (15 × 15cm2) en een geïntegreerd verwarmingssysteem dat temperaturen tot 300 °C kan bereiken voor het persgloeiproces.
    2. Bevestig de bovenplaat en oefen kracht uit door de onderste plaat omhoog te brengen. Voer het afdrukproces uit in een omgevingsatmosfeer.
    3. Plaats het siliciumclathraatmonster tussen de twee platen in de thermische pers.
    4. Til de onderste plaat op om de kracht geleidelijk te verhogen totdat de druk een waarde van ongeveer 2 kN bereikt.
    5. Wanneer de kracht 2 kN bereikt, verhoogt u de temperatuur van de twee metalen platen die in contact komen met het monster tot 250 °C en houdt u deze gedurende 30 minuten aan.
    6. Laat tijdens het thermisch persen de kracht geleidelijk toenemen van de initiële 2 kN tot ongeveer 8,5 kN aan het einde van het proces.
    7. Stop na 30 minuten met verwarmen. Pas een snelle afkoeling toe met behulp van een koudwatercirculatiesysteem (20 °C/min) totdat de temperatuur terugkeert naar omgevingstemperatuur. Laat de druk los.
      OPMERKING: Aan het einde van het proces wordt de dikte, bepaald op basis van dwarsdoorsnede SEM-beelden, teruggebracht van 82 μm naar 31 μm. De korrelgrootte van het geperste materiaal bereikt ongeveer 200 nm, wat vier keer hoger is dan die van het gesynthetiseerde materiaal.
  2. Droog etsen
    1. Reinig het monster achtereenvolgens met aceton en isopropanol (IPA) en droog het vervolgens af met een stikstofpistool, dat resterende oplosmiddeldruppels wegblaast en de vorming van residuen voorkomt.
    2. Plaats het gereinigde monster op de onderste elektrode in het RIE-etssysteem.
    3. Pomp de kamer naar beneden om een basisdruk van 5 × 10-7 mbar te bereiken.
    4. Breng het etsgas (SF6) in de kamer met een debiet van 50 sccm.
      OPMERKING: Alle SF6-uitlaatgassen van etsprocessen moeten door een reductiesysteem gaan. Directe ventilatie naar de atmosfeer is verboden. De scrubber moet worden geactiveerd voordat de gasstroom begint en blijven draaien totdat het ontluchten is voltooid.
    5. Stel de bodemtemperatuur in op 5 °C met behulp van het geïntegreerde koelsysteem.
    6. Ontsteek het plasma door 800 W ICP-vermogen toe te passen om een plasma met hoge dichtheid te genereren, en pas tegelijkertijd 400 W RF-vermogen (13,56 MHz) toe op de onderste elektrode om de ionenbombardementsenergie te beheersen.
    7. Voer etsproeven uit met een duur van 15 s. Onder deze omstandigheden werd de etssnelheid gemeten op 1 μm·min-1 op het geperste monster.
    8. Schakel na het etsen zowel de ICP- als de RF-voeding uit om het plasma te stoppen.
    9. Evacueer de resterende procesgassen en ontlucht de kamer vervolgens langzaam tot atmosferische druk.
  3. Verwijder het geëtste monster uit de kamer.

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Resultaten

Deze studie onderzocht de structurele en optische evolutie van type II clathraat NaxSi136-films voor en na het persen en etsen van SiCL-films, met behulp van een combinatie van röntgendiffractie, Raman-spectroscopie en fotoluminescentiemetingen. De eerste stap is ervoor te zorgen dat de juiste fase wordt bereikt na fabricage en na nabewerking. Figuur 3 toont het röntgendiffractie (XRD) θ-2θ-patroon (Cu Kα bron) dat de vorming...

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Discussie

De synthese van type II siliciumclathraatfilms (NaxSi136) via de tweestaps thermische ontledingsmethode omvat twee kritische stappen die het succes en de kwaliteit van het uiteindelijke materiaal bepalen. De initiële vorming van de Na4Si4 Zintl-precursor is cruciaal (Figuur 1), aangezien deze dient als de reactieve tussenfase27. Deze stap vereist de blootstelling van een siliciumwaf...

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Openbaarmakingen

De auteurs bevestigen dat zij geen financiële belangenconflicten hebben.

Dankbetuigingen

Dit onderzoek werd ondersteund door het Franse Nationale Onderzoeksbureau (ANR) in het kader van de Exosil-Exotic Silicon Clathrate Films (ANR-22-CE50-0025). De auteurs bedanken het XRD-platform van IPCMS en het personeel van het C3Fab-platform van ICube.

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Materialen

Lijst van materialen gebruikt in dit artikel
NaamBedrijfCatalogusnummerOpmerkingen
AcetoneSigma-Aldrich32201-2.5L-M
Luchtdichte glazenop maat gemaakt
Analytische weegschaalSartorius1409 001
Anhydrisch cyclohexaanThermo Scientific11403087≥99% zuiverheid
Argon gasLINDE GAS2890122 2010Flesgrootte S11 Zuiverheid 99,9999%
DiamantstiftOxford Instruments SarlT5357
Dry Scroll-pompEdwardsXDS10 
EthanolVWR Chemicals20821.365
Horizontaal buisovenCARBOLITE GEROEST12150B-230SNProgrammeerbare oven
Hydraulische persRondolHandmatig, tafelmodel, met verwarmingsplaten
Fluorwaterstofzuur (HF)VWR Chemicals20319.29148% HF gebruikt om 10% vol. oplossing te maken
Inconel legering bootANALABAR900154 x 18 x 13,3 mm3
IsopropanolVWR Chemicals20842.367
Metallisch natriumThermo Scientific ChemicalsL13285.2499% zuiverheid
KwartsbuisALC Quartzop maat gemaaktExterne diameter: 65,5 ± 0,3 mm, interne diameter: tussen 57 en 60 mm, lengte: 550 mm
RIE-etssysteemCORIAL210IL
SegmentsnijderFacom844.S9PB9 mm bladbreedte
Silicium (c-Si (001)) waferBT Electronicsuit voorraad525 ± 25 µm dik, eenzijdig gepolijst, n-gedoteerd (P) silicium (001)
Roestvrij stalen buisHositradop maat gemaaktGebruikt voor verzegelde assemblage, materiaal SST304
Zwavelhexafluoride (SF6)Air LiquideP0964S05R0A001Flesgrootte S05 zuiverheid 99,9990%
Tantale (Ta) draadThermo Scientific Chemicals10349.G90,5 mm diameter 99,95% zuiverheid, 25 m totaal
TurbopompEdwardsEXT255H

Referenties

  1. Akinwande, D., et al. Graphene and two-dimensional materials for silicon technology. Nature. 573 (7775), 507-518 (2019).
  2. Luo, W., Ma, Y., Gong, X., Xiang, H. Prediction of silicon-based layered structures for optoelectronic applications. J Am Chem Soc. 136 (45), 15992-15997 (2014).
  3. Huang, H., Du, W., Deng, H., Xiang, H. Aging-resistant, high-strength, reprocessable, and recyclable silicones through dynamic thiol-maleimide chemistry. Ind Eng Chem Res. 63 (35), 15373-15382 (2024).
  4. Liu, Y., et al. Advancements in low-density crystalline silicon allotropes. Appl Phys Lett. 126 (9), 090501(2025).
  5. Matsunami, H. Fundamental research on semiconductor SiC and its applications to power electronics. Proc Jpn Acad Ser B Phys Biol Sci. 96 (7), 235-254 (2020).
  6. Oh, Y. J., Lee, I. H., Kim, S., Lee, J., Chang, K. J. Dipole-allowed direct band gap silicon superlattices. Sci Rep. 5, 18086(2015).
  7. Battaglia, C., Cuevas, A., Wolf, S. D. High-efficiency crystalline silicon solar cells: status and perspectives. Energy Environ Sci. 9 (5), 1552-1576 (2016).
  8. Bi, Y., Xu, E., Strobel, T. A., Li, T. Formation of inclusion type silicon phases induced by inert gases. Commun Chem. 1 (1), 15(2018).
  9. Beekman, M., Wei, K., Nolas, G. S. Clathrates and beyond: low-density allotropy in crystalline silicon. Appl Phys Rev. 3 (4), 040804(2016).
  10. Vollondat, R., et al. Synthesis and characterization of silicon clathrates of type I Na8Si46 and type II NaxSi136 by thermal decomposition. J Alloys Compd. 903, 163967(2022).
  11. Smelyansky, V. I., Tse, J. S. The electronic structure of metallo-silicon clathrates NaxSi136 ( = 0, 4, 8, 16 and 24). Chem Phys Lett. 264 (5), 459-465 (1997).
  12. Yamanaka, S., Komatsu, M., Tanaka, M., Sawa, H., Inumaru, K. High-pressure synthesis and structural characterization of the type II clathrate compound Na30.5Si136 encapsulating two sodium atoms in the same silicon polyhedral cages. J Am Chem Soc. 136 (21), 7717-7725 (2014).
  13. Kanatzidis, M. G., Pöttgen, R., Jeitschko, W. The metal flux: A preparative tool for the exploration of intermetallic compounds. Angew Chem Int Ed Engl. 44 (43), 6996-7023 (2005).
  14. Liang, Y., et al. Synthesis of the clathrate-I phase Ba8−xSi46 redox reactions. Inorg Chem. 50 (10), 4523-4528 (2011).
  15. Stefanoski, S., Beekman, M., WongNg, W., Zavalij, P., Nolas, G. S. Simple approach for selective crystal growth of intermetallic clathrates. Chem Mater. 23 (6), 1491-1495 (2011).
  16. Stefanoski, S., Martin, J., Nolas, G. S. Low temperature transport properties and heat capacity of single-crystal Na8Si46. J Phys Condens Matter. 22 (48), 485404(2010).
  17. Beekman, M. Intrinsic electrical and thermal properties from single crystals of Na24Si136. Phys Rev Lett. 104 (1), 018301(2010).
  18. Fix, T., et al. Silicon clathrate films for photovoltaic applications. J Phys Chem C. 124 (28), 14972-14977 (2020).
  19. Bharwal, A. K., et al. Enhancing morphological and optoelectronic properties of silicon clathrate films through thermal press annealing and SF6 treatment. ACS Appl Energy Mater. 8 (3), 1752-1758 (2025).
  20. Kumar, R., et al. Synthesis and characterization of type II Ge-Si clathrate films for optoelectronic applications. Mater. 17 (2), 504(2024).
  21. Liu, Y., et al. Synthesis and characterization of type II silicon clathrate films with low Na concentration. Appl Phys Rev. 8 (4), 041408(2021).
  22. Martinez, A. D., et al. Synthesis of Group IV clathrates for photovoltaics. IEEE J Photovoltaics. 3 (4), 1305-1310 (2013).
  23. Beekman, M., et al. Framework contraction in Na-stuffed Si(cF136). Inorg Chem. 49 (12), 5338-5340 (2010).
  24. Bharwal, A. K., et al. Influence of sodium concentration on the optoelectronic properties of silicon clathrate films. ACS Appl Energy Mater. 7 (19), 8554-8561 (2024).
  25. Kume, T., et al. NaSi and Si clathrate prepared on Si substrate. Phys Status Solidi C. 10 (12), 1739-1741 (2013).
  26. Kume, T., Ohashi, F., Nonomura, S. Group IV clathrates for photovoltaic applications. Jpn J Appl Phys. 56 (5S1), 05DA05(2017).
  27. Ma, X., et al. A versatile low temperature synthetic route to Zintl phase precursors: Na4Si4, Na4Ge4 and K4Ge4 as examples. Dalton Trans. 46, 10250-10255 (2009).
  28. Vollondat, R., et al. Tunability of silicon clathrate film properties by controlled guest-occupation of their cages. J Chem Phys. 158 (16), 164709(2023).
  29. Kishimoto, K., Koda, S., Akai, K., Koyanagi, T. Thermoelectric properties of sintered type-II clathrates (K, Ba)24(Ga, Sn)136 with various carrier concentrations. J Appl Phys. 118 (12), 125103(2015).
  30. Liu, Y., et al. Formation of type II silicon clathrate with lithium guests through thermal diffusion. Inorg Chem. 62 (18), 6882-6892 (2023).

Toegang beperkt. Log in of start een proefperiode om deze inhoud te bekijken.

Herprints en machtigingen

Tags

Type II-clathratenthermische ontledingreactief ionenetsenwarmpersenröntgendiffractieRaman-spectroscopiefotoluminescentiemetingscanning-elektronenmicroscopieopto-elektronische eigenschappen
Fabricage en optimalisatie van type II siliciumclathraatfilms
Neem contact met ons op
Aanbevelen aan de bibliotheek

Privacy

Gebruiksvoorwaarden

Beleidsoverzicht

Copyright © 2026 MyJoVE Corporation. Alle rechten voorbehouden.