Antibacteriële activiteit van verschillende laserbehandelingen tegen E. faecalis
De antibacteriële effectiviteit van de drie lasersystemen tegen E. faecalis werd geëvalueerd door de CFU-aantallen te bepalen na drie opeenvolgende behandelingen. De resultaten worden weergegeven in Figuur 1 en Aanvullende Figuur 1. De negatieve controlegroep met steriele zoutoplossing vertoonde aanzienlijke bacteriële groei, met een gemiddelde grijswaarde voor het kolonieaantal van 39618,7 ± 6787,5. De positieve controlegroep met 5,25% NaOCl behaalde een algehele gemiddelde inhibitiegraad van 47,2% ± 3,0%, met individuele inhibitiewaarden van 46,8%, 43,1% en 51,7%.

Figuur 1Antibacteriële werkzaamheid van laserbehandelingen tegen Enterococcus faecalis. Bacteriële remmingspercentages na drie opeenvolgende dagen behandeling met 808 nm diode-, 1940 nm thulium- en 2940 nm erbiumlasersystemen met verschillende bestralingsparameters. Natriumhypochloriet (NaOCl), 5,25%, diende als positieve controle en steriele zoutoplossing diende als negatieve controle met 0% remming. Gegevens worden weergegeven als gemiddelde ± standaarddeviatie (SD) van n = 3 onafhankelijke monsters per behandelingsgroep. Foutenbalken vertegenwoordigen de SD. * geeft aan P < 0,05, ** geeft aan P < 0,01, en *** geeft aan P < 0.001. Klik hier om een grotere versie van deze figuur te bekijken.
Alle laserbehandelde groepen vertoonden hogere inhibitiepercentages dan de positieve controlegroep met 5,25% NaOCl. Er werd een toename van de antibacteriële activiteit waargenomen bij een toenemend laservermogen of een hogere pulsenergie en langere bestralingstijden. Zo steeg in de 808 nm diodelasergroep het gemiddelde inhibitiepercentage van 53,1% ± 6,5% bij 1,0 W gedurende 10 s naar 80,2% ± 2,6% bij 2,0 W gedurende 30 s. Er werd een statistisch significant verschil waargenomen tussen de behandelingsgroepen van 1,0 W gedurende 30 s en 2,0 W gedurende 30 s (P < 0,01).
De 1940 nm thuliumlaser vertoonde onder de meeste geteste condities een grotere antibacteriële activiteit dan de diodelaser. Bij 1.5 W gedurende 10 s was de gemiddelde inhibitiegraad 78.8% ± 1.9%. Bij 2.5 W gedurende 30 s steeg de inhibitiegraad naar 91.6% ± 0.4%. De hoogste inhibitiegraad binnen de thuliumlasergroep werd waargenomen bij 3.5 W gedurende 30 s, waarbij 97.4% ± 0.8% werd bereikt. Deze waarde was significant hoger dan die van de positieve controlegroep met 5.25% NaOCl (P < 0.01) en de 808 nm diodelaser bij 2.0 W gedurende 30 s (P < 0.01).
De 2940 nm erbiumlaser vertoonde de grootste antibacteriële activiteit van de drie lasersystemen. Bij 10 mJ gedurende 10 s bereikte de gemiddelde inhibitiegraad 84,3% ± 1,5%. Bij 20 mJ gedurende 30 s was de inhibitiegraad 96,5% ± 2,0%. De hoogste inhibitiegraad werd waargenomen bij 30 mJ gedurende 30 s, met een waarde van 9,0% ± 0,6%. Deze waarde was significant hoger dan die van de positieve controlegroep met 5,25% NaOCl (P < 0,001), de 1940 nm thuliumlaser bij 2,5 W gedurende 30 s (P < 0,01) en alle behandelingsgroepen met de 808 nm diodelaser (P < 0,001).
De resultaten tonen aan dat alle drie de lasersystemen antibacteriële activiteit vertoonden tegen E. faecalis, waarbij toenemende bestralingsparameters over het algemeen geassocieerd werden met hogere inhibitiegraden. Van de geteste condities bereikte de 2940 nm erbiumlaser de hoogste antibacteriële inhibitie, gevolgd door de 1940 nm thuliumlaser en de 808 nm diodelaser, wat de hypothese van de studie ondersteunt dat laser-ondersteunde intracanalaire desinfectie de bacteriële belasting onder de geteste experimentele omstandigheden effectief kan verminderen.
Impact van laserbehandelingen op de kinetiek van bacteriële groei
Bacteriële hergroei na de behandeling werd beoordeeld door de OD60 gedurende 24 u te meten. De resultaten zijn weergegeven in Figuur 2 en Aanvullende Figuur 2. De controle groep met steriele zoutoplossing vertoonde een typisch bacteriële groeipatroon, bestaande uit een lag-fase van ongeveer 4 u, gevolgd door een snelle exponentiële groei tussen 4 en 12 u, en een stationaire fase met maximale OD60-waarden variërend van 1,167 tot 1,245.

Figuur 2Groeicurves van Enterococcus faecalis na laserbehandeling. Groeikinetiek van Enterococcus faecalis hersteld uit behandelde wortelkanalen gedurende 24 uur, gemeten als optische dichtheid bij 600 nm (OD600). Representatieve groeicurves worden getoond voor de steriele zoutoplossingscontrole, de 5,25% natriumhypochloriet (NaOCl) controle en geselecteerde behandelingsgroepen met de 808 nm diode-, 1940 nm thulium- en 2940 nm erbiumlaser. De gegevens worden gepresenteerd als gemiddelde ± standaarddeviatie (SD) van n = 3 onafhankelijke monsters, met vijf technische replica-wells per monster. De foutenbalken representeren de SD. * geeft aan P < 0,05, ** geeft aan P < 0,01, en *** geeft aan P < 0.001. Klik hier om een grotere versie van deze figuur te bekijken.
De groepen met de 808 nm diodelaser vertoonden een parameterafhankelijke onderdrukking van de bacteriële groei. Bij 1,0 W gedurende 10 s was de groeicurve vergelijkbaar met die van de 5,25% NaOCl-groep, waarbij de exponentiële groei begon bij ongeveer 8 h. Bij 2,0 W gedurende 30 s werd de lag-fase verlengd tot ongeveer 10 h, en de OD60-waarde na 14 h was significant lager dan die van de 5,25% NaOCl-groep (0,59 ± 0,042 vs. 0,934 ± 0,042, P < 0,01).
De groepen met de 1940 nm thuliumlaser vertoonden een sterkere onderdrukking van de bacteriële groei dan de groepen met de diodelasers. Bij 1,5 W gedurende 10 s begon de exponentiële groei na ongeveer 10 u. Bij 2,5 W gedurende 30 s werd de lag-fase verlengd tot ongeveer 1 u, met significant lagere OD60-waarden dan zowel die van de steriele zoutoplossing-controle als van de 808 nm diodelaser bij 2,0 W gedurende 30 s op het corresponderende tijdstip (P < 0,001 voor beide). Bij 3,5 W gedurende 30 s bleef de bacteriële groei duidelijk onderdrukt, waarbij de OD60-waarden vanaf 12 u op of onder ongeveer 0,15 bleven en daarna nagenoeg ongewijzigd bleven.
De 2940 nm erbiumlaser-groepen vertoonden de grootste onderdrukking van bacteriële hergroei. Bij 10 mJ gedurende 10 s werd geen exponentiële toename van de bacteriële groei waargenomen tot ongeveer 10 u na de behandeling. Een verhoging van de pulsenergie vertraagde het begin van de exponentiële groei verder. Bij 30 mJ gedurende 30 s werd de exponentiële groei vertraagd tot ongeveer 12 u, waarbij de gemiddelde OD60 onder de 0,20 bleef. Na 12 u was de OD60-waarde voor de 2940 nm erbiumlaser-groep behandeld bij 30 mJ gedurende 30 s significant lager dan die van de 808 nm diodelaser-groep behandeld bij 2,0 W gedurende 30 s (0,120 ± 0,01 vs. 0,274 ± 0,04, P < 0,01).
Over het algemeen vertraagden alle drie de lasersystemen de bacteriële hergroei in vergelijking met de controlegroepen, waarbij een progressief sterkere onderdrukking werd waargenomen naarmate de bestralingsparameters toenamen. Onder de geteste omstandigheden zorgde de 2940 nm erbiumlaser voor de grootste remming van de bacteriële hergroei, gevolgd door de 1940 nm thuliumlaser en de 808 nm diodelaser, wat de hypothese van de studie ondersteunt.
Thermische veiligheidsevaluatie van verschillende laserbehandelingen op het externe worteloppervlak
Naast hun antibacteriële activiteit werd de thermische veiligheid van de drie lasersystemen geëvalueerd door de stijging van de temperatuur van het externe worteloppervlak (ΔT) te meten. Een temperatuurstijging van meer dan 10°C werd beschouwd als de drempelwaarde voor potentiële beschadiging van het periodontal weefsel. De resultaten zijn weergegeven in Figuur 3.

Figuur 3Veranderingen in de temperatuur van het externe wortelflectoppervlak tijdens laserbestraling. Veranderingen in de temperatuur van het externe worteloppervlak (ΔT) na bestraling met 808 nm diode-, 1940 nm thulium- en 2940 nm erbiumlasersystemen met gebruik van verschillende bestralingsparameters. De gestreepte horizontale lijn geeft de 10°C drempelwaarde die gewoonlijk wordt geassocieerd met potentieel letsel aan het periodontal weefsel. Gegevens worden gepresenteerd als gemiddelde ± standaarddeviatie (SD) van n = 3 onafhankelijke monsters. Foutbalken vertegenwoordigen de SD. * geeft aan P < 0,05, ** geeft aan P < 0,01, en *** geeft aan P < 0.001. Klik hier om een grotere versie van deze figuur te bekijken.
De 808 nm diodelaser zorgde voor de grootste stijging van de temperatuur van het externe worteloppervlak. Bij 1,0 W gedurende 10 s was de gemiddelde temperatuurstijging (ΔT) 6,0°C ± 0,7°C. Door de bestralingstijd te verhogen naar 30 s bij gelijkblijvend vermogen, steeg de gemiddelde ΔT naar 10,4°C ± 0,9°C. Bij 2,0 W gedurende 30 s nam de gemiddelde ΔT verder toe tot 14,8°C ± 3,8°C, waarmee de veiligheidsdrempel van 10°C in alle monsters werd overschreden.
De 1940 nm thuliumlaser produceerde matige temperatuurstijgingen. Bij 1.5 W gedurende 10 s was de gemiddelde ΔT 2.5°C ± 0.7°C. Door het vermogen te verhogen naar 2.5 W en de bestralingstijd naar 30 s, steeg de gemiddelde ΔT naar 8.8°C ± 0.9°C, waarbij één monster 10.2°C bereikte. Bij 3.5 W gedurende 30 s steeg de gemiddelde ΔT naar 12.7°C ± 1.9°C, en overschreden alle monsters de veiligheidsdrempel van 10°C. De temperatuurstijging bij 3.5 W gedurende 30 s was significant groter dan die bij 2.5 W gedurende 30 s (P < 0.01).
De 2940 nm erbiumlaser veroorzaakte de kleinste stijging van de oppervlaktetemperatuur van de wortel over alle geteste parameters. Bij 10 mJ gedurende 10 s was de gemiddelde ΔT 0.8°C ± 0.1°C. Bij de maximaal geteste instelling van 30 mJ gedurende 30 s was de gemiddelde ΔT 3.6°C ± 1.0°C, waarbij de gemeten temperaturen varieerden van 2.1°C tot 5.0°C. Alle geregistreerde temperatuurstijgingen bleven onder de veiligheidsdrempel van 10°C. De temperatuurstijging waargenomen bij de 1940 nm thuliumlaser bij 3.5 W gedurende 30 s was significant groter dan die waargenomen bij de 2940 nm erbiumlaser bij 30 mJ gedurende 30 s (P < 0.01).
Over het algemeen vertoonde de 2940 nm erbiumlaser de laagste stijgingen van de externe worteloppervlaktetemperatuur onder alle geteste condities, terwijl de 808 nm diodelaser en de thuliumlaserinstellingen met een hoger vermogen op 1940 nm grotere temperatuurstijgingen veroorzaakten, waarbij sommige condities de vooraf gedefinieerde veiligheidsdrempel overschreden.
Beschikbaarheid van gegevens:
Alle ruwe gegevens ter ondersteuning van de bevindingen van deze studie worden verstrekt als aanvullende bestanden. Representatieve afbeeldingen van colony-forming units (CFU) en volledige bacteriële groeicurves zijn respectievelijk beschikbaar in Aanvullende figuren 1 en 2. Temperatuurmetingen van het externe worteloppervlak op individueel specimenniveau worden verstrekt in Aanvullende tabel 1, en de ruwe gegevens van de antibacteriële activiteit, inclusief grijswaarden van het kolonieoppervlak en berekende inhibitiesnelheden voor alle behandelingsgroepen, worden verstrekt in Aanvullende tabel 2. Deze aanvullende bestanden bevatten de primaire gegevens die ten grondslag liggen aan de resultaten die in het hoofdmanuscript worden gepresenteerd.
Aanvullende bestanden
Aanvullende figuur 1. Representatieve platen met colony-forming units (CFU) na laserbehandeling van Enterococcus faecalis. Representatieve brain heart infusion (BHI) agarplaten die colony-forming units (CFU's) tonen, hersteld uit wortelkanaalmonsters na drie opeenvolgende behandelingen. De monsters werden serieel verdund (10−3) vóór het uitplaten en gedurende 24 h geïncubeerd. Representatieve afbeeldingen worden getoond voor de negatieve controle met steriele zoutoplossing, de positieve controle met 5,25% natriumhypochloriet (NaOCl) en de behandelingsgroepen met een 808 nm diodelasers (2,0 W, 30 s), 1940 nm thuliumlaser (3,5 W, 30 s) en 2940 nm erbiumlaser (30 mJ, 30 s). Klik hier om dit bestand te downloaden.
Aanvullende Figuur 2. Volledige groeicurves over 24 u van Enterococcus faecalis na laserbehandeling. Groeikinetiek van Enterococcus faecalis teruggewonnen uit behandelde wortelkanalen over 24 u, gemeten als optische dichtheid bij 600 nm (OD60). Bacteriële suspensies werden aangepast naar 1 × 106 colony-forming units (CFU)/mL en geïncubeerd in brain heart infusion (BHI) bouillon bij 37°C. Groeicurves worden getoond voor de negatieve controle met steriele zoutoplossing, de positieve controle met 5,25% natriumhypochloriet (NaOCl), en alle experimentele laserbehandelingsgroepen: 808 nm diodelaser (1,0, 1,5 en 2,0 W gedurende 10, 20 en 30 s), 1940 nm thuliumlaser (1,5, 2,5 en 3,5 W gedurende 10, 20 en 30 s), en 2940 nm erbiumlaser (10, 20 en 30 mJ bij 15 Hz gedurende 10, 20 en 30 s). Klik hier om dit bestand te downloaden.
Aanvullende tabel 1. Metingen van de externe worteloppervlaktetemperatuur tijdens laserbestraling.
De externe worteloppervlaktetemperaturen vóór en na bestraling worden gerapporteerd voor elk specimen dat behandeld is met de 808 nm diode-, 1940 nm thulium- of 2940 nm erbiumlaser onder de aangegeven omstandigheden van vermogen of pulsenergie en bestralingstijd. Het temperatuurverschil werd berekend als ΔT = temperatuur na bestraling − temperatuur vóór bestraling. Drie onafhankelijke specimens werden geëvalueerd voor elke parametercombinatie. Klik hier om dit bestand te downloaden.
Aanvullende tabel 2. Ruwe gegevens van de colony-forming unit (CFU)-analyse voor antibacteriële activiteit na laserbehandeling.
De grijswaarden van het kolonieoppervlak en de berekende inhibitiepercentages voor elk specimen na behandeling met de 808 nm diode-, 1940 nm thulium- of 2940 nm erbiumlaser onder de aangegeven bestralingsparameters worden weergegeven. Saline en 5,25% natriumhypochloriet (NaOCl) dienden respectievelijk als negatieve en positieve controlegroepen. Het inhibitiepercentage werd berekend ten opzichte van de saline controlegroep. Voor elke behandelconditie werden drie onafhankelijke specimens geanalyseerd. Klik hier om dit bestand te downloaden.