Name: Voorbereiding van Macroporeuze Epitaxiale Quartz Films on Silicon door chemische oplossing Deposition (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-12-21T15:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 37 s
Description: Leer de bereiding van macroporeuze epitaxiale kwartsfilms op silicium via chemische oplosdeposities. Deze methode integreert piezo-elektrische materialen voor geavanceerde sensor- en informatietechnologieën.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Dit werk werd deels gefinancierd door een PEPS project van Cellule Energie INSIS-CNRS (1D-RENOX) naar ACG en de Spaanse regering (MAT2012-35324 en PIE-201460I004).

1. Bereiding van de Sol <ol><li> Bereid een oplossing van geprehydrolyseerde tetraethylorthosilicaat (TEOS) de dag vóór de bereiding van het gel films in een zuurkast waar een laboratoriumbalans en een magnetische roerder geplaatst. In deze stap en in de hele protocol dragen van een laboratoriumjas, handschoenen en een veiligheidsbril. <ol><li> In een bekerglas van 50 ml dat een met Teflon beklede magnetische roerstaaf weegt 1,68 g CTAB, voeg 48,13 ml ethanol en 3,00 ml HCl 35%, Bedek het bekerglas met een horlogeglas en roer tot het CTAB volledig is opgelost. </li><li> Voeg 7,37 ml TEOS druppelsgewijs aan de beker (met een snelheid van ongeveer 1-2 druppels per seconde) al roerend, bedek de kolf met een horlogeglas en laat het roer O / N. </li></ol></li><li> De volgende dag, bereid een 1 M waterige oplossing van Sr 2+. Voer deze en volgende stappen net voor de bereiding van de gel films omdat een verouderde oplossing gevoelig opnieuw neerslaan van het zout Sr. <ol><li> Weeg 6,6654 g srcl 2 · 6H 2 O in een 25 ml maatkolf. </li><li> Voeg ultrapuur water (bv, Milli-Q) tot 25 ml (meniscus rakend aan de kolf markering) en sluit de kolf met een plastic dop en schud de kolf met strontiumchlorideoplossing ontbinden. </li></ol></li><li> Voeg 2 ml van 1 M waterige oplossing van Sr 2+ tot de 50 ml bekerglas bevattende sol die overbleef roeren O / N. Roer de oplossing gedurende 25 min. </li><li> Gooi de resten die uiteindelijk hebben gegenereerd op basis van de veiligheid en milieubescherming protocollen van het lab. </li></ol> 2. Gel Film Deposition op Si (100) substraten <ol><li> Bereiding van de substraten <ol><li> Snij Si platen van ongeveer 2 cm bij 5 cm uit een 2-inch p-type (100) silicium wafer met een dikte van 200 micron door splitsing van de wafer in een richting parallel aan of loodrecht op de wafer flat met een diamantpunt of scherpe voorwerp. Voer deze stap in advertentievance bijvoorbeeld de dag vóór de afzetting van de gel films. </li><li> Net vóór de afzetting van de gels, de substraten gereinigd met ethanol en laat ze drogen of gebruik een stikstofstroom of perslucht om het drogen te versnellen. Voer deze stap in afwachting van de voltooiing van stap 1.3. </li></ol></li><li> De vacht van de films. Om een ​​homogene structuur te verkrijgen macroporie uitvoeren van deze stap onder omstandigheden van relatieve vochtigheid tussen 20% en 55% bij kamertemperatuur. <ol><li> Opzetten van een dip coating volgorde. Selecteer de begin- en eindposities rekening houdend met de lengte van de Si plaat en het niveau van de oplossing in de beker, zodat de plaat ten minste 2 cm boven het vloeistofniveau in de startpositie en 1 cm boven de bodem van de beker aan het einde van de onderdompeling. Stel zowel de onderdompeling en intrekking snelheden tot 150 mm / min. Stel de onderdompeling (tijd op de laatste positie) naar nul. </li><li> Na voltooiing van stap 1.3 plaats de beker met de zogenaamdelution in een goed gecentreerde positie onder de Si plak opknoping van de dip-coater arm. </li><li> Bevestig een uiteinde van de Si plak de dip-coater arm met de clip, zodat de plaat zo loodrecht mogelijk ten opzichte van de horizontaal. </li><li> Voeren de dip coating volgorde en maak de Si plak van de dip-coater arm. Herhaal stap 2.2.3 en 2.2.4 met extra Si platen meer films produceren, verzorgen deze preparaten niet verder dan 1 uur, zodat de stabiliteit van de oplossing niet in het gedrang. </li></ol></li><li> Gooi de oplossingen die uiteindelijk hebben gegenereerd op basis van de veiligheid en milieubescherming protocollen van het lab. </li></ol> 3. Gel Film kristallisatie door thermische behandeling <ol><li> Thermisch behandelen van de gel films op Si (100). <ol><li> Programmeer een oven om de volgende thermische behandeling in lucht atmosfeer uitvoeren: verwarming van kamertemperatuur tot 1000 ° C bij 3 ° C / min, houden op 1000 °; C gedurende 5 uur en afkoelen tot kamertemperatuur bij 3 ° C / min. </li><li> Plaats de dip-gecoate Si substraten in een aluminium boot, introduceren in de oven en voer de thermische behandeling. </li></ol></li><li> Reinigen van het gekristalliseerde films. <ol><li> Dompel het gekristalliseerde films voor 3 uur in geconcentreerd HNO3 om de opeenhoping van Sr 2+ die zijn uitgezet op het filmoppervlak tijdens de kristallisatie te verwijderen en spoel de folies eerst met gedeioniseerd water en daarna met ethanol. </li></ol></li></ol>

<ol><li>Esser, A. T., Smith, K. C., Gowrishankar, T. R., Vasilkoski, Z., Weaver, J. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mechanisms+for+the+intracellular+manipulation+of+organelles+by+conventional+electroportation%5BTitle%5D)+AND+%22Biophys.+J%22%5BJournal%5D)">Mechanisms for the intracellular manipulation of organelles by conventional electroportation.</a> Biophys. J. 98 (11), 2506-2514 (2010).</li>
<li>Stava, E., Yu, M., Shin, H. C., Shin, H., Kreft, D. J., Blick, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+fabrication+and+piezoelectric+tuning+of+micro-+and+nanopores+in+single+crystal+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22Lab+Chip%22%5BJournal%5D)">Rapid fabrication and piezoelectric tuning of micro- and nanopores in single crystal quartz.</a> Lab Chip. 13 (1), 156-160 (2013).</li>
<li>Varshneya, A. K. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aVarshneya%2C+AK+%22Fundamentals+of+Inorganic+Glasses%22">Fundamentals of Inorganic Glasses</a>. , Academic Press. San Diego. (1994).</li>
<li>Christov, M., Kirov, G. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+ratio+of+dissolving+surface+area%2Fgrowing+surface+area+in+the+hydrothermal+growth+of+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Cryst.+Growth%22%5BJournal%5D)">The ratio of dissolving surface area/growing surface area in the hydrothermal growth of quartz.</a> J. Cryst. Growth. 131 (3-4), 560-564 (1993).</li>
<li>Bertone, J. F., Cizeron, J., Wahi, R. K., Bosworth, J. K., Colvin, V. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+quartz+nanocrystals%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of quartz nanocrystals.</a> Nano Lett. 3, 655-659 (2003).</li>
<li>Jiang, Y., Brinker, C. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+monodisperse+single-crystalline+alpha-quartz+nanospheres%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Comm%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of monodisperse single-crystalline alpha-quartz nanospheres.</a> Chem. Comm. 47 (26), 7524-7526 (2011).</li>
<li>Okabayashi, M., Miyazaki, K., Kono, T., Tanaka, M., Toda, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Preparation+of+Spherical+Particles+with+Quartz+Single%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Lett%22%5BJournal%5D)">Preparation of Spherical Particles with Quartz Single.</a> Chem. Lett. 34 (1), 58-59 (2005).</li>
<li>Carretero-Genevrier, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Soft-Chemistry-Based+Routes+to+Epitaxial+%CE%B1-Quartz+Thin+Films+with+Tunable+Textures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Soft-Chemistry-Based Routes to Epitaxial α-Quartz Thin Films with Tunable Textures.</a> Science. 340 (6134), 827-831 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Clem, P. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Quartz+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Quartz on Silicon.</a> Science. 340 (6134), 818-819 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Lu, Y., Sellinger, A., Fan, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaporation-Induced+Self-Assembly%3A+Nanostructures+Made+Easy%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Evaporation-Induced Self-Assembly: Nanostructures Made Easy.</a> Adv. Mater. 11 (7), 579-585 (1999).</li>
<li>Griffith, C. S., Sizgek, G. D., Sizgek, E., Scales, N., Yee, P. J., Luca, V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mesoporous+Zirconium+Titanium+Oxides.+Part+1%3A+Porosity+Modulation+and+Adsorption+Properties+of+Xerogels%5BTitle%5D)+AND+%22Langmuir%22%5BJournal%5D)">Mesoporous Zirconium Titanium Oxides. Part 1: Porosity Modulation and Adsorption Properties of Xerogels.</a> Langmuir. 24 (21), 12312-12322 (2008).</li>
<li>Lu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Continuous+formation+of+supported+cubic+and+hexagonal+mesoporous+films+by+sol-gel+dip-coating%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Continuous formation of supported cubic and hexagonal mesoporous films by sol-gel dip-coating.</a> Nature. 389 (6649), 364-368 (1997).</li>
<li>Drisko, G. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water-Induced+Phase+Separation+Forming+Macrostructured+Epitaxial+Quartz+Films+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Funct.+Mater%22%5BJournal%5D)">Water-Induced Phase Separation Forming Macrostructured Epitaxial Quartz Films on Silicon.</a> Adv. Funct. Mater. 24 (35), 5494-5502 (2014).</li>
</ol>

De auteurs hebben niets te onthullen.

De gepresenteerde methode is een bottom-up benadering van macroporeus kwarts films op Si produceren. Vergeleken met de standaard werkwijze voor de productie van kwarts films, een top-down technologie op basis van snijden en polijsten van grote hydrothermaal gegroeid kristallen, de in het protocol beschreven werkwijze maakt het verkrijgen van veel dunnere films met diktes tussen 150 en 450 nm, die kan worden bediend met de terugtrekking tarief. Alle experimentele details inzake de controle van kwarts films dikte en piëzo...

Bij een piëzo-elektrisch materiaal zoals α-kwarts een spanning voorspanning wordt ingediend ondergaat een mechanische vervorming. Indien dit materiaal poreus is, kunnen deze volumeveranderingen tot porie uitzetting of krimp, scheppen van een systeem vergelijkbaar met wat kan worden waargenomen in levende biologische organellen. 1 vervormbare poreuze α-kwarts is geproduceerd microfabricage, 2 maar deze technieken kunnen nog niet produceren 3-D poriestructuren en poriën diameters in de orde van honderden nanometers. Kristallisatie van gestructureerde amorfe silica werd belemmerd door homogene nucleatie veroorzaakt door hoge oppervlakte-energieën en architecturale vervorming als gevolg van vergroving en smelten. Aangezien alle vormen van silica gebouwd op uiterst stabiele SiO 4 tetraëdrische netwerken, de vrije energie van vorming van amorfe silica, α-kwarts en andere SiO 2 polymorfen zijn bijna gelijk in een breed temperatuurbereik, makinG het moeilijk α-kwarts produceren als een polymorf van de kristallisatie van een amorf silica gel. 3 Een ander aspect dat maakt harder gecontroleerde kristallisatie van gestructureerde amorfe silica dat quartz tijd relatief langzame nucleatiesnelheid maar een extreem snelle groei, gerapporteerd tussen 10-94 nm / sec. 4,5 Slow nucleatie combinatie met snelle groei neiging om kristallen veel groter dan de oorspronkelijke nanoporeuze structuur, waardoor de oorspronkelijke morfologie verloren genereren. Alkalimetalen, zoals Na + en Li +, zijn gebruikt om α-kwarts kristalliseren, vaak in combinatie met hydrothermische behandeling. 5,6 Ook een Ti 4+ / Ca2 + combinatie werd toegepast om bolvormige deeltjes van siliciumdioxide kristalliseren tot kwarts door een zachte chemische route met behulp van silicium alcoxides. 7 Maar de gecontroleerde kristallisatie van een gestructureerde amorfe silica film in kwarts bleef een uitdaging. 2 onder omgevingsdruk en relatief lage temperaturen te katalyseren. 8,9 Epitaxy, ontstaat door de gunstige mismatch tussen α-kwarts en de &lt;100&gt; siliciumsubstraat, producerende georiënteerde piëzo-elektrische dunne films. Verdamping geïnduceerde zelf-assemblage op mesoporeuze silica films produceren is gebruikt sinds 1999. 10 Deze techniek is bestudeerd en toegepast op een veelheid van malmiddelen onder verschillende omstandigheden poriën van verschillende afmetingen en mesofasen produceren. Gebleken is dat subnanometric veranderingen in mesoporie grootte een dramatisch effect op opgeloste stof diffusie hebben door poreuze systemen 11, het valideren van deze uitgebreide aandacht structuur poriën. Bovendien kan de toegankelijkheid van het interne silica poriënsysteem worden verkregen door regeling van de micellaire fase van het template. 12 Hier, de syntheseroute tpet maakt ongekende controle over de dikte en de poriegrootte van amorf silica lagen Volgens een nieuw fasescheiding wordt gedemonstreerd. 13 Deze films worden geïnfiltreerd met Sr (II) zouten en gekristalliseerd aan a-kwarts bij 1000 ° C onder lucht bij omgevingsdruk. De poriegrootte retainable met deze kristallisatieproces wordt bepaald, en het effect van de wanddikte en filmdikte wordt bestudeerd. Tenslotte wordt de piëzo-elektriciteit en de vervormbaarheid van het poriënsysteem bestudeerd.

<table><tbody><tr><td>Dip coater</td><td>Nadetech&nbsp;</td><td>ND-DC 11/150&nbsp;</td><td></td></tr><tr><td>Furnace</td><td>Nabertherm&nbsp;</td><td>R 50/250/12</td><td></td></tr><tr><td>Atomic Force Microscope</td><td>Agilent&nbsp;</td><td>5500 LS</td><td></td></tr><tr><td>Silicon wafers</td><td>SHE Europe Ltd.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SrCl2&middot;6H2O</td><td>Aldrich</td><td>13909</td><td></td></tr><tr><td>CTAB</td><td>Aldrich</td><td>H5582</td><td></td></tr><tr><td>Ethanol Absolute&nbsp;</td><td>Aldrich</td><td>161086</td><td></td></tr><tr><td>HCl 35% solution</td><td>PanReac</td><td>721019</td><td></td></tr><tr><td>TEOS</td><td>Aldrich</td><td>131903</td><td></td></tr></tbody></table>

voorbereiding van macroporeuze epitaxiale quartz films on silicon door chemische oplossing deposition

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

Dit werk beschrijft het gedetailleerde protocol voor het bereiden van piëzo-elektrische macroporeuze epitaxiale kwartsfilms op silicium(100) substraten. Dit is een driedelig proces gebaseerd op de bereiding van een sol in een eenpotsynthese, gevolgd door het afzetten van een gelfilm op Si(100) substraten door verdamping geïnduceerde zelf-assemblage met behulp van de dip-coatingtechniek en eindigt met een thermische behandeling van het materiaal om de gelkristallisatie en de groei van de kwartsfilm te induceren. De vorming van een silicagel is gebaseerd op de reactie van een tetraethylorthosilicaat en water, gekatalyseerd door HCl, in ethanol. De oplossing bevat echter twee extra componenten die essentieel zijn voor het bereiden van mesoporeuze epitaxiale kwartsfilms van deze silicagels die op Si zijn gedipt. Aardalkali-ionen, zoals Sr2+, fungeren als glas smeltmiddelen die de kristallisatie van silica vergemakkelijken en in combinatie met cetyltrimethylammoniumbromide (CTAB) een amfifiel sjabloon vormen dat verantwoordelijk is voor de macroporositeit van de films. De goede overeenstemming tussen de celparameters van kwarts en silicium is ook essentieel voor de stabilisatie van kwarts boven andere SiO2 polymorfen en ligt aan de basis van de epitaxiale groei.

De voortgang van het materiaal synthese gecontroleerd door het monitoren van verschillende aspecten. Na de dip-coating proces kan men het aspect van de films, de uiteindelijke verschijning van diffractie structuren in de gereflecteerde spot van een groene laser en de Scanning Electron Microscopy (SEM) beelden in terugverstrooide elektronen mode (Figuur 1A-B) waarnemen. Nadat het kristallisatieproces is het belangrijk Atomic Force Microscopy (AFM) topografische beelden <s...

Er wordt een protocol gepresenteerd voor de bereiding van piëzo-elektrische macroporeuze epitaxiale kwartsfilms op silicium door middel van oplossingschemie met behulp van dip-coating en thermische behandelingen in de lucht.

Voorbereiding van Macroporeuze Epitaxiale Quartz Films on Silicon door chemische oplossing Deposition

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

Het algemene doel van deze synthese is het prepareren van dunne epitaxiale kwartslagen op siliciumsubstraten, wat belangrijk is om een bottom-up integratie op nanoschaal van twee relevante materialen voor informatie- en sensortechnologieën te bereiken. De belangrijkste motivatie van dit werk was om een epitaxiale integratie van twee technologisch relevante materialen te realiseren. Dit is de eerste keer dat directe integratie van kwarts op silicium is bereikt met behulp van soft-chemistry.Deze methodologie is zeer veelzijdig omdat er meso-, micro- en macroporeuze dunne films worden geproduceerd, wat zeer voordelig is voor kathodische en katalytische toepassingen. De elektrische eigenschappen van deze dunne kernfilms zijn aantrekkelijk voor het vervaardigen van elektromechanische sensorapparaten, aangezien hoge resonantiefrequenties worden verwacht voor films met een dikte die één micron niet overschrijdt. Weeg eerst 1,68 gram fijn trimethylammoniumbromide en voeg 48,13 milliliter ethanol toe. Voeg daarna 37,90 gram en drie milliliter 35% zoutzuur toe.Dit is 3,67 gram in een bekerglas van 100 milliliter met een met Teflon gecoate magnetische roerstaaf. Dek het bekerglas af met een h

preparation-macroporous-epitaxial-quartz-films-on-silicon-chemical

Research

JoVE Journal

Chemistry

Scheikunde

Hier beschrijven we een eenvoudige methode voor de patronen oxide-vrij silicium en germanium met reactieve organische monolagen en demonstreren functionalisering van het patroon substraten met kleine moleculen en eiwitten. De aanpak beschermt volledig oppervlakken tegen chemische oxidatie, biedt nauwkeurige controle over de functie morfologie, en biedt direct toegang tot chemisch gediscrimineerd patronen.

Zacht Lithografische functionalisering en patroonvorming Oxide-vrij silicium en germanium

Polykristallijn silicium dunne-film zonnecellen op glas worden vervaardigd door afzetting van boor en fosfor gedoteerd silicium lagen gevolgd door kristallisatie, defect passivering en metallisatie. Plasmonische licht-trapping wordt ingeleid door de vorming van Ag nanodeeltjes op de silicium celoppervlak afgedekt met een diffuus reflector resulteert in ~ 45% fotostroom toebehoren.

Polykristallijn silicium dunne-film zonnecellen met plasmonische-enhanced Light-trapping

Verschillende procedures worden geschetst om atomair gedefinieerde templates voor te bereiden op epitaxiale groei van complexe oxide deklagen. Chemische behandeling van enkele kristallijne SrTiO 3 (001) en DYSCO 3 (110) substraten werden uitgevoerd om atomair glad, enkel beëindigd oppervlakken te verkrijgen. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets werden gebruikt om atomair gedefinieerde templates op willekeurige substraten te creëren.

Atomair gedefinieerde templates voor epitaxiale groei van complexe oxide deklagen

We beschrijven een methode voor het fabriceren van grootoppervlakte (tot 13 cm diameter) en ultradunne (zo dun als 8 nm) polymeerfilms. In plaats van een opofferlaag te gebruiken om de film van zijn substraat te delamineren, gebruiken we een zelflimiterende oppervlaktebehandeling die geschikt is voor willekeurig grote oppervlakken.

Fabricage van Groot-area Vrijstaande Ultradunne Polymer Films

Het isoleren van elektrische en thermische effecten op elektrisch ondersteunde vervorming (EAD) is erg moeilijk met behulp van macroscopische monsters. Metaalmonster micro- en nanostructuren samen met een aangepaste testprocedure zijn ontwikkeld om de invloed van toegepaste stroom op de formatie te evalueren zonder de verwarming van de uil en de evolutie van ontwrichten op deze monsters.

Een nieuwe methode voor<em&gt; In situ</em&gt; Elektromechanische Karakterisering van Nanoscale Exemplaren

Presenteren we een gedetailleerde methode voor het fabriceren van ultradunne kleur films met verbeterde eigenschappen voor optische coatings. De schuine hoek afzetting techniek met behulp van een electron beam verdamper kan verbeterde kleur tunability en zuiverheid. Bewerkte films van Ge en Au op Si substraten werden geanalyseerd door metingen van de reflectiecoëfficiënt en informatie kleurconversie.

Fabricage van Films van de ultra-dunne kleur met zeer absorberen van Media met behulp van schuine hoek depositie

Oppervlakte fabricage methoden voor patroon afzetting van nanometer dik borstels of micron dik, kruisverwijzende films van een azlactone blok co-polymeer worden gemeld. Kritische experimentele stappen, representatieve resultaten en beperkingen van elke methode worden besproken. Deze methoden zijn handig voor het creëren van functionele interfaces met op maat gemaakte fysieke kenmerken en afstembare oppervlakte reactiviteit.

Fabriceren van reactieve oppervlakken met borstel-achtige en kruisverwijzende Films van Azlactone-matiemaatschappij blok co-polymeren

Theoretische berekening en experimentele verificatie worden voorgesteld voor een vermindering van de threading dislocatie (TD) dichtheid in germanium epitaxiale lagen met semicylindrische holtes op silicium. Berekeningen op basis van de interactie van TD's en oppervlak via beeldkracht, TD-metingen en transmissie-elektronenmicroscoopwaarnemingen van TD's worden gepresenteerd.

Theoretische berekening en experimentele verificatie voor dislocatiereductie in Germanium epitaxiale lagen met semicylindrische holtes op silicium

De Quartz Crystal micro Balance kan nauwkeurige massa-en viscoelastische eigenschappen bieden voor films in het micron-of submicron bereik, wat relevant is voor onderzoeken in biomedische en milieu-sensing, coatings en polymeer wetenschappen. De monster dikte beïnvloedt welke informatie kan worden verkregen uit het materiaal dat in aanraking komt met de sensor.

Monstervoorbereiding in kwartskristal microbalans metingen van eiwit adsorptie en polymeer mechanica

Dit werk presenteert een gedetailleerd protocol voor de microfabrication van nanogestructureerde α-kwarts cantilever op een Silicon-On-Insulator (SOI) technologiesubstraat beginnend bij de epitaxiale groei van kwartsfilm met de dipcoatingmethode en vervolgens nanostructuratie van de dunne film via nanoimprintlithografie.

Epitaxiale nanogestructureerde α-quartzfilms op silicium: van materiaal tot nieuwe apparaten

Het huidige protocol beschrijft hulpmiddelen voor het omgaan met siliciumplanaire intracortische micro-elektroden tijdens behandelingen voor oppervlaktemodificatie via gasafzetting en waterige oplossingsreacties. De assemblage van de componenten die worden gebruikt om de apparaten tijdens de procedure te hanteren, wordt in detail uitgelegd.

Hulpmiddelen voor oppervlaktebehandeling van siliciumplanaire intracorticale micro-elektroden

Leer de bereiding van macroporeuze epitaxiale kwartsfilms op silicium via chemische oplosdeposities. Deze methode integreert piezo-elektrische materialen voor geavanceerde sensor- en informatietechnologieën.

Voorbereiding van Macroporeuze Epitaxiale Quartz Films on Silicon door chemische oplossing Deposition

Meer video's verkennen