ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

<ol>
	<li>Zhao T, et al. Prediction of higher thermoelectric performance in BiOCuSe by weakening electron-polar optical phonon scattering. J Mater Chem A. 2020;8(47):25245-25254.</li>
	<li>Ben-Nana M, Abbassi A, Elhadadi B. Rb&#8322;XCl&#8326; (X = Zr, Te, Pt): promising materials for high-temperature thermoelectric power generation. In: 2025 International Conference on Circuit, Systems and Communication (ICCSC). IEEE; 2025:1-7.</li>
	<li>Hu K, Han J, Xu B, Lin Y-H. Thermoelectric power factor of doped Bi&#8322;O&#8322;Se: a computational study. Phys Chem Chem Phys. 2020;22:27096-27104.</li>
	<li>Li S, et al. High thermoelectric power factor in Ni-Fe alloy for active cooling applications. Mater Horiz. 2025;12:6956-6966.</li>
	<li>Sun Y, et al. Strategies to improve the thermoelectric figure of merit in thermoelectric functional materials. Front Chem. 2022;10:865281.</li>
	<li>Hu B, et al. Advances in flexible thermoelectric materials and devices fabricated by magnetron sputtering. Small Sci. 2025;5:2300061.</li>
	<li>Gong T, et al. Ultrahigh power factor of sputtered nanocrystalline n-type Bi&#8322;Te&#8323; thin film via vacancy defect modulation and Ti additives. Adv Sci. 2024;11:2403845.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Kumar A, et al. Thermoelectric properties of GaN with carrier concentration modulation: an experimental and theoretical investigation. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021;23(2):1601-1609.</li>
	<li>Musah J, et al. Ultralow thermal conductivity in dual-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323; material for enhanced thermoelectric properties. Adv Electron Mater. 2021;7(2):2000910.</li>
	<li>Jang H, et al. Comparative study of thermoelectric properties of Sb&#8322;Si&#8322;Te&#8326; and Bi&#8322;Si&#8322;Te&#8326;. ACS Appl Mater Interfaces. 2022;14:1270-1279.</li>
	<li>Ye W, Du P, Xiao S, Li M. Effect of annealing temperature on properties of WS&#8322; thin films. Surf Eng. 2022;38:411-416.</li>
	<li>Singh A, Kamboj VS, Barnes CHW, Hesjedal T. Magnetotransport measurements in overdoped Mn:Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Crystals (Basel). 2025;15:557.</li>
	<li>Gadhavajhala SSS, et al. Magnetic frameworks and non-magnetic dopants: a novel strategy for enhancing thermoelectric efficiency in manganese telluride-mechanistic insights into charge carrier dynamics and phonon transport. Small. 2025;21(25):2411481.</li>
	<li>Wei M, et al. Directional thermal diffusion realizing inorganic Sb&#8322;Te&#8323;/Te hybrid thin films with high thermoelectric performance and flexibility. Adv Funct Mater. 2022;32(45):2207903.</li>
	<li>Chen X, et al. Flame doping of indium ions into TiO&#8322; nanorod arrays for enhanced photochemical water oxidation. Dalton Trans. 2023;52:14747-14751.</li>
	<li>Zhao Y, Ding W, Xiao Y, Yang P. Manipulating the optoelectronic characteristic of AZO films by magnetron sputtering power. Vacuum. 2023;210:111849.</li>
	<li>Kander NS, et al. The role of Mn in Bi2-xMnxTe3&#160;topological insulator: structural, compositional, magnetic, and weak anti-localization property analysis. J Mater Sci Mater Electron. 2023;34:1198.</li>
	<li>Kavita, Gupta V, Ranjeet. Structural and morphological properties of nanostructured Bi&#8322;Te&#8323; with Mn-doping for thermoelectric applications. Mater Today Proc. 2022;54:820-826.</li>
	<li>Bibby J, et al. Synthesis of nanocrystalline Mn-doped Bi&#8322;Te&#8323; thin films via magnetron sputtering. Crystals (Basel). 2025;15:54.</li>
	<li>Tang X, et al. A comprehensive review on Bi&#8322;Te&#8323;-based thin films: thermoelectrics and beyond. Interdiscip Mater. 2022;1:88-115.</li>
	<li>Islam R, et al. Modulating Mn-doped NiO nanoparticles: structural, optical, and electrical property tailoring for enhanced hole transport layers. Nanoscale Adv. 2025;7:133-143.</li>
	<li>Ahmad Musri N, et al. Fabrication of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; thermoelectric thin films using radio frequency magnetron sputtering technique. J Vis Exp. 2024;(207):e66248.</li>
	<li>Adam AM, et al. Optical properties of thin Bi&#8322;Te&#8323; films synthesized by different techniques. Superlattices Microstruct. 2021;155:106909.</li>
	<li>Ali Z, Dawood AL-Niaimi A. Structural and electrical characterizations of new synthesized PVA/PoPDA-rGO-ZnO nanocomposite. Egypt J Chem. 2021;65(4):761-770.</li>
	<li>Kabekkodu SN, Dosen A, Blanton TN. PDF-5+: a comprehensive Powder Diffraction File for materials characterization. Powder Diffr. 2024;39:47-59.</li>
	<li>Kawsar Md, et al. Synthesis of nano-crystallite hydroxyapatites in different media and a comparative study for estimation of crystallite size using Scherrer method, Halder-Wagner method size-strain plot, and Williamson-Hall model. Heliyon. 2024;10:e25347.</li>
	<li>Fatimah S, Ragadhita R, Husaeni DF Al, Nandiyanto ABD. How to calculate crystallite size from X-ray diffraction using Scherrer method. ASEAN J Sci Eng. 2021;2:65-76.</li>
	<li>Mongkolsuttirat K, Buajarern J. Uncertainty evaluation of crystallite size measurements of nanoparticle using X-ray diffraction analysis. J Phys Conf Ser. 2021;1719:012054.</li>
	<li>Ateia EE, et al. A comparative approach for estimating microstructural characteristics of BaTi1-xZrxO&#8323; (0.0 &#8804; x &#8804; 0.3) nanoparticles via X-ray diffraction patterns. J Solgel Sci Technol. 2024;110:887-899.</li>
	<li>Abdul-Jabbar SS, Harbi KH. A study of the relationship between the two types of crystallite dislocation density and the particle size of barium oxide (BaO) nanoparticle. Ibn Al-Haitham J Pure Appl Sci. 2024;37:193-202.</li>
	<li>Ahmad M, Agarwal K, Mehta BR. An anomalously high Seebeck coefficient and power factor in ultrathin Bi&#8322;Te&#8323; film: spin-orbit interaction. J Appl Phys. 2020;128(3):035108.</li>
	<li>Lou L, et al. Tunable electrical conductivity and simultaneously enhanced thermoelectric and mechanical properties in n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Adv Sci. 2022;9(27):2203250.</li>
	<li>Wang Y, et al. Enhancement of NIR-II emission of Er3&#8314; by doping Fe3&#8314; in double perovskites: multimode luminescence for versatile optoelectronic applications. Angew Chem Int Ed. 2025;137(4):e202416021.</li>
	<li>Isram M, et al. Impact of Mg doping on structural, morphological and thermoelectric properties of SnO&#8322; nanoparticles: a combined experimental-theoretical investigation. Molecules. 2025;30:4135.</li>
	<li>Korkmaz L, et al. Insights into the structural, microstructural and thermoelectric properties of Ce/Cr co-doped CaMnO&#8323; manganites. J Mater Sci Mater Electron. 2025;36:1004.</li>
	<li>Saleh A. Improvement of the optical properties of Zn-doped MnO nanocomposites thin films. Passer J Basic Appl Sci. 2023;5:348-355.</li>
	<li>Arif D, et al. Influence of defects on the enhancement of thermoelectric properties in Sn-doped ZnO nanostructure synthesized via hydrothermal route. Front Chem. 2025;13:1598509.</li>
	<li>Rana VS, Rajput JK, Pathak TK, Pal PK, Purohit LP. Impact of RF sputtering power on AZO thin films for flexible electro-optical applications. Cryst Res Technol. 2021;56(4):2000144.</li>
	<li>Lanchero &#193;P, et al. Impact of Mn/Co substitution on magnetoelectric and structural properties of ZnO nanostructures thin films. Heliyon. 2025;11:e42337.</li>
	<li>Othman NA, et al. Effects of radio-frequency power on structural properties and morphology of AlGaN thin film prepared by co-sputtering technique. ELEKTRIKA. 2021;20:14-18.</li>
	<li>Vadakepurathu F, Rana M. Electrical, optical and thermal properties of Ge-Si-Sn-O thin films. Materials. 2024;17:3318.</li>
	<li>Kim H-M, et al. Atomic layer deposition for nanoscale oxide semiconductor thin film transistors: review and outlook. Int J Extrem Manuf. 2023;5:012006.</li>
	<li>Hadia NMA, et al. Structural, optical and electrical properties of Bi2-xMnxTe3&#160;thin films. J Mater Sci Mater Electron. 2022;33:158-166.</li>
	<li>Wu H, et al. Improved thermoelectric and mechanical performance of Sb&#8322;Te&#8323;-based materials toward the segmented operation. Mater Today Energy. 2022;27:101045.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Hegde GS, Prabhu AN, Rao A, Chattopadhyay MK. Enhancement in thermoelectric figure of merit of bismuth telluride system due to tin and selenium co-doping. Mater Sci Semicond Process. 2021;127:105645.</li>
	<li>Osmic E, Barzola-Quiquia J, Winnerl S, B&#246;hlmann W, H&#228;ussler P. Thermopower and resistivity of the topological insulator Bi&#8322;Te&#8323; in the amorphous and crystalline phase. J Phys Condens Matter. 2024;36:355001.</li>
	<li>Singha P, et al. Enhancement of electron mobility and thermoelectric power factor of cobalt-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Int J Energy Res. 2022;46:17029-17042.</li>
	<li>Sitnicka J, et al. Systemic consequences of disorder in magnetically self-organized topological MnBi&#8322;Te&#8324;/(Bi&#8322;Te&#8323;)n&#160;superlattices. 2D Mater. 2022;9:015026.</li>
	<li>Jiang Y, et al. Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials. Nat Commun. 2022;13:6087.</li>
	<li>Chen X, et al. Excellent thermoelectric performance of boron-doped n-type Mg&#8323;Sb&#8322;-based materials via the manipulation of grain boundary scattering and control of Mg content. Sci China Mater. 2021;64:1761-1769.</li>
	<li>Bugalia A, Gupta V, Pandey A. Improvement in thermoelectric properties of Zn-Mn co-doped nanostructured SnTe through band engineering and chemical bond softening. J Phys D Appl Phys. 2024;57:195502.</li>
	<li>Zhou M, et al. Enhancement of thermoelectric performance for InTe by selective substitution and grain size modulation. Crystals (Basel). 2023;13:601.</li>
	<li>Dur&#225;n I, et al. High conductivity and thermoelectric power factor in p-type MoS&#8322; nanosheets. ACS Appl Energy Mater. 2025;8:3500-3508.</li>
	<li>Bourg&#232;s C, et al. Investigation of Mn single and co-doping in thermoelectric CoSb&#8323;-skutterudite: a way toward a beneficial composite effect. ACS Appl Energy Mater. 2023;6:9646-9656.</li>
	<li>Nguyen TAK, et al. Effects of RF magnetron sputtering power on the mechanical behavior of Zr-Cu-based metallic glass thin films. Nanomaterials. 2023;13:2677.</li>
	<li>Wang G, et al. Boosting thermoelectric performance of Bi&#8322;Te&#8323; material by microstructure engineering. Adv Sci. 2024;11(6):2308056.</li>
	<li>Chaiwas S, et al. Enhanced thermoelectric power factor of magnetron co-sputtered Pd-added Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Vacuum. 2024;230:113696.</li>
	<li>Jha R, et al. High thermoelectric performance of p-type Fe&#8322;V&#8320;.&#8328;Mn&#8320;.&#8322;Al Heusler alloy thin films grown on insulating oxide substrates. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2512705.</li>
	<li>Abinaya C, et al. The effect of post-deposition annealing conditions on structural and thermoelectric properties of sputtered copper oxide films. RSC Adv. 2020;10:29394-29401.</li>
	<li>Tao X, et al. Exceptional performance of room-temperature sputtered flexible thermoelectric thin film using high target utilisation sputtering technique. Adv Mater Technol. 2024;9(6):2301958.</li>
	<li>Dolabella S, Borz&#236; A, Dommann A, Neels A. Lattice strain and defects analysis in nanostructured semiconductor materials and devices by high-resolution X-ray diffraction: theoretical and practical aspects. Small Methods. 2022;6(2):2100932.</li>
	<li>Dores BS, Maciel MJ, Correia JH, Vieira EMF. Toward enhancing the thermoelectric properties of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; alloys by co-evaporation of Bi&#8322;Te&#8323;:Bi and Sb&#8322;Te&#8323;:Te. Nanomaterials. 2025;15:299.</li>
	<li>Morgan KA, Zeimpekis I, Feng Z, Hewak D. Enhancing thermoelectric properties of bismuth telluride and germanium telluride thin films for wearable energy harvesting. Thin Solid Films. 2022;741:139015.</li>
	<li>Helt A, et al. MgCuSb as a suitable electrode for contacting pre-compacted pellets of MgAgSb thermoelectric material. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2506982.</li>
</ol>

<table><tbody><tr><td>Acetone (&ge;99,5%)</td><td>Merck</td><td>100012</td><td>Substraatreinigingsoplosmiddel</td></tr><tr><td>Aluminiumfolie</td><td>Pospaperroll</td><td>86871915</td><td>Kamerbekleding en substraathouderbedekking</td></tr><tr><td>Argon gas (Ar)</td><td>Gaslink Industrial Gases Sdn. Bhd.</td><td>N/A (geleverd door distributeur)</td><td>Sputteren werkgas; 4 sccm flow; graad 5.0 (99,999%)</td></tr><tr><td>Bismuttelluride sputterdoel, 50,8 mm diameter, 4,25 mm dikte, 99,999%</td><td>Changsha Xinkang Advanced Materials Co., Ltd.</td><td>xk-Bi2Te3</td><td>Bi2Te3 doel; vaste RF-vermogen = 100 W</td></tr><tr><td>De-ioniserd water</td><td>In-house</td><td>N/A</td><td>Substraatspoelen en ultrasoon schoonmaken</td></tr><tr><td>Energie-dispersieve X-ray spectroscopie detector</td><td>Geïntegreerd met FESEM-systeem</td><td>N/A</td><td>Dünnschicht-samenstellingsanalyse</td></tr><tr><td>Veld-emissie scanning elektronenmicroscoop</td><td>Carl Zeiss</td><td>SUPRA 55VP</td><td>Beeldvorming van oppervlaktemicrostructuur</td></tr><tr><td>Glazen substraten, soda-lime glas, 1,1 mm dikte</td><td>Mevid</td><td>B105-2002</td><td>Substraat voor dunne-filmdeposition</td></tr><tr><td>Hot plate</td><td>IKA</td><td>C-MAG HS 7</td><td>Substraat drogen bij 393 K</td></tr><tr><td>Isopropylalcohol (&ge;99,8%)</td><td>Merck</td><td>109634</td><td>Substraatreinigingsoplosmiddel</td></tr><tr><td>Laboratoriumdetergent</td><td>Merck</td><td>107553</td><td>Initiële substraatreiniging</td></tr><tr><td>Koelmiddelcirculatie-eenheid</td><td>Fisher Scientific</td><td>250LCU</td><td>Koelcirculatie voor sputtergeweren</td></tr><tr><td>Methanol (&ge;99,9%)</td><td>Merck</td><td>106009</td><td>Substraatreinigingsoplosmiddel</td></tr><tr><td>Mangaan sputterdoel, 50,8 mm diameter, 5,08 mm dikte, 99,999%</td><td>Hunan Boyu Technology Co., Ltd.</td><td>N/A</td><td>Mn doel; RF-vermogen varieerde van 0 tot 15 W</td></tr><tr><td>Multimeter</td><td>RS PRO</td><td>EN61010-1 CATIII</td><td>Elektrische isolatieverificatie</td></tr><tr><td>Stikstofgas (N2)</td><td>Gaslink Industrial Gases Sdn. Bhd.</td><td>N/A (geleverd door distributeur)</td><td>Substraat drogen na reiniging; graad 4.0 (99,99%)</td></tr><tr><td>Petrischaal deksel</td><td>Merck</td><td>41121812</td><td>Kamerbeschouwing-vensterbescherming; ongeveer 94 mm diameter &times; 16 mm hoogte</td></tr><tr><td>RF-magnetron sputteren systeem</td><td>Op maat gemaakt</td><td>N/A</td><td>Co-sputtering van Bi2Te3 en Mn dunne films</td></tr><tr><td>Seebeck/resistiviteitsmeetsysteem met platinaadapter</td><td>Linseis</td><td>LSR-3 (LSR L31)</td><td>Seebeck-coëfficiënt en elektrische resistiviteitsmetingen</td></tr><tr><td>Pincet</td><td>Fisher Scientific</td><td>10-316B</td><td>Gebruik van gereinigde substraten</td></tr><tr><td>Ultrasoon bad</td><td>Elma</td><td>ElmaSonic S30H</td><td>Oplosmiddelreiniging voor methanol, aceton, isopropylalcohol en DI water</td></tr><tr><td>UV&ndash;ozone reiniger</td><td>Novascan Technologies</td><td>PSDP-UV4</td><td>Substraatoppervlaktebehandeling</td></tr><tr><td>Vacuumopslagcontainer</td><td>AS ONE Corporation</td><td>VM</td><td>Stapelopslag na depositie</td></tr><tr><td>Stylus profilometer</td><td>Bruker</td><td>DektakXT</td><td>Dünnschicht-diktemeting</td></tr><tr><td>Röntgendiffractometer</td><td>Bruker</td><td>D8 ADVANCE</td><td>&theta;&ndash;2&theta; XRD-scans met gebruik van Cu K&alpha; straling</td></tr><tr><td>DIFFRAC.EVA</td><td>Bruker</td><td>DIFFRAC.EVA versie 8</td><td>Peak fitting, diffractie-analyse en grafiek plotten</td></tr><tr><td>Origin</td><td>OriginLab</td><td>OriginPro (64-bit)</td><td>Peak fitting en grafiek plotten</td></tr></tbody></table>

verbetering van thermo-elektrische eigenschappen van bi2te3 dunne films door mangaan co-sputtering

Improving Thermoelectric Properties of Bi2Te3 Thin Films By Manganese Co-Sputtering

Verbetering van thermo-elektrische eigenschappen van Bi2Te3 dunne films door mangaan co-sputtering

Bi2Te3 remains a benchmark n-type thermoelectric (TE) material for low-temperature energy conversion, but its small band gap can reduce efficiency because ...

Mijn onderzoek bestudeert de verandering in de thermo-elektrische prestaties van een met mangaan gedopeerde bismuttelluride-dunne film, gedeponeerd via gecontroleerde co-sputtering. Bestaande methoden schoten tekort in het adequaat onderzoeken van de impact van de mangaan-dotering op de bismuttelluride-dunne film. Daarom vult dit protocol dit gat op door middel van een systematisch onderzoek.Nadat de voorbereide en gereinigde soda-lime glas-substraten op de roterende substraathouder zijn geplaatst, sluit u de kamerdeur en start u het vacuüm trekken. Oefen aan het begin een lichte druk uit rond de kamerdeur om een goede afdichting te waarborgen en bevestig de drukval op de meter. Pomp door totdat de kamerdruk een waarde van minder dan of gelijk aan 5 × 10⁻³ torr bereikt.Schakel het koelsysteem in en stel de temperatuur in op 288 Kelvin om een continue circulatie van gerecirculeerd gedeïoniseerd water door beide sputterkanonnen te waarborgen voorafgaand aan de plasma-ontsteking. Voeg hoogzuiver argongas toe en laat dit ongeveer twee tot vijf minuten stabiliseren, of totdat de flow constant blijft op een waarde groter dan of gelijk aan 3,9 standard cubic centimeters per minute. Stel de substraatrotatie in op 10 RPM in één vaste richting en handhaaf een continue rotatie gedurende het pre-sputteren en de depositie.Zet de radiofrequentie-voeding en de controller van het aanpassingsnetwerk aan. Pas de instellingen van het aanpassingsnetwerk voor beide radiofrequentiekanonnen aan met de minimum- of maximumfunctie totdat de belastingswaarde en de afstemwaarde 50 watt bereiken. Schakel de modus van de controller om van handmatig naar automatische aanpassing.Stel vóór de plasma-ontsteking het radiofrequentievermogen in op 50 watt voor het bismuttelluridekanon en 10 watt voor het mangaankanon. Minimaliseer het gereflecteerde vermogen vóór de plasma-ontsteking en houd dit op of onder de vijf watt. Ontsteek het plasma voor beide kanonnen en bevestig een stabiel plasma door te controleren of er gedurende ongeveer één tot twee minuten een constante gloei wordt gehandhaafd zonder zichtere flikkeringen of plotselinge drukpieken.Zodra er bij beide guns een stabiel plasma is bereikt, worden beide targets 15 minuten lang voor-gesputterd om oppervlakteverontreinigingen en natuurlijke oxiden te verwijderen nadat het stabiele plasma is bereikt. Verwijder de testsubstraten na het voor-sputteren. Verwijder vóór het laden van de substraten voor de depositierun stof uit het kamerinterieur en het gebied van de monsterhouder met een schone rubberen blaasballon.Houd het kijkvenster beschermd met een schoon Petri-schaaldeksel voor de observatie van het plasma. Controleer de targets om er zeker van te zijn dat ze correct geplaatst, gecentreerd en in goede staat zijn. Verifieer dat elk target stevig is vastgeklemd en correct is gecentreerd in het sputterkanon.Plaats de gereinigde substraten symmetrisch nabij de buitenregion van de roterende houder, op ongeveer 5 tot 10 millimeter van het centrum van de houder. Lijn de langere zijde van elk substraat parallel aan de rand van de houder uit. Stel de afstand tussen target en substraat in op 55 millimeter voor beide sputterguns.Pomp de kamer leeg en zet de evacuatie voort gedurende ten minste vijf uur of totdat de basisdruk stabiliseert op de doelwaarde. Bevestig de stabiliteit van de basisdruk wanneer de drukdrift minder dan of gelijk blijft aan 5% over ongeveer 10 minuten en de basisdruk 5 × 10⁻⁵ torr of lager bereikt. Stabiliseer het koelsysteem op 288 Kelvins nadat de basisdruk is bereikt.Stel de argonstroom in op vier standaard kubieke centimeter per minuut en laat deze stabiliseren. Handhaaf de rotatie van het substraat op 10 RPM. Bevestig de instellingen van het matching-netwerk voor beide guns en activeer de auto-matching op de controller.Start het bismuttelluride-kanon bij 70 watt voor een eenvoudigere plasma-ontsteking. Verhoog het vermogen elke 10 seconden met vijf watt tot een waarde van 100 watt is bereikt. Start de depositietimer pas nadat de uitgelezen waarde van het vermogen van het bismuttelluride gedurende ongeveer 30 seconden op 100 watt blijft en de stabiliteit van het plasma is bevestigd.Setaer de films gedurende 30 minuten af, terwijl stabiele plasmcondities tijdens het depositieproces worden gehandhaafd. Herhaal de depositiestappen voor mangaan bij radiofrequentievermogens van 10 watt en 15 watt met verse substraten, gebruikmakend van dezelfde parameters. Start de uitschakeling via de systeemcontroller door eerst de radiofrequentie-output uit te schakelen.Verminder de argonstroom naar 10 tot 11 standaardkubieke centimeter per minuut terwijl het koelsysteem actief blijft, totdat de kamer is ontlucht en de sputterguns terug zijn gekeerd naar een temperatuur nabij de omgevingstemperatuur. Bevestig dat de turbomoleculaire pomp volledig is gestopt en de snelheidsmeting nul is voordat de kamer wordt ontlucht. Ontlucht de kamer langzaam met droge stikstof via het ontluchtingsventiel om een geleidelijke drukvereffening mogelijk te maken en verstoring door deeltjes te minimaliseren.Open de kamer pas nadat de druk is teruggekeerd naar ongeveer atmosferische druk van ongeveer 760 torr en de deur van de kamer zonder weerstand kan worden geopend. Draag een masker en handschoenen tijdens het verwijderen van de monsters om contaminatie en blootstelling aan fijne partikels te verminderen. Verwijder de afgezette monsters uit de kamer.Breng de monsters over naar een schone Petrischaal. Bewaar de monsters in een vacuumbewaarcontainer en voer de karakterisering uit binnen 24 tot 72 uur na depositie. Pomp na het verwijderen van de monsters de kamer 10 tot 15 minuten met een voorpomp om de vereiste pre-TMP druk te bereiken, zodat blootstelling aan omgevingslucht en vocht wordt geminimaliseerd.Röntgendiffractiepatronen bevestigen dat alle monsters de rhombohedrische bismuttelluride-fase behouden over de gehele mangaanvermogensreeks. De dominante diffractiepiek verschoof naar hogere twee-theta-waarden naarmate de mangaaninput toenam. De kristallietgrootte nam over het algemeen af van 14,23 nanometers bij nul watt naar 8,35 nanometers bij 15 watt, wat consistent is met een verminderde coherente domeingrootte en toegenomen microspanning bij een hoger mangaanvermogen.Beelden verkregen via surface field emission scanning electron microscopy toonden duidelijke veranderingen in de microstructuur van de film bij een toenemende manganese-input. De controlefilm van 0 watt vertoonde grotere polygonale korrels met duidelijke korrelgrenzen, terwijl de manganese-gedoteerde film van 5 watt een compacter oppervlak met fijnere korrels vertoonde. Films gedeponeerd bij een manganese-vermogen van 10 watt en 15 watt leken dichter, met minder intergranulaire openingen dan de monsters van 0 watt en 5 watt.Analyse van de elementaire samenstelling bevestigde dat de mangaanincorporatie toenam bij een toenemend vermogen van het mangaan-target. Alle films vertoonden een negatieve Seebeck-coëfficiënt, wat wijst op n-type conductiegedrag, en de grootte van de Seebeck-coëfficiënt nam over het algemeen toe met de temperatuur voor alle monsters. De hoogste absolute waarde van de Seebeck-coëfficiënt werd waargenomen voor de 15 watt film, die minus 162,08 µV/K bereikte bij 523 K.Alle films vertoonden halfgeleidend transportgedrag, waarbij de resistiviteit afnam naarmate de temperatuur steeg. De maximale vermogensfactor werd bereikt voor de film van vijf watt, welke ongeveer 529,33 microwatts per meter per Kelvin squared bereikte bij 523 Kelvins. Hoewel de film van 15 watt de hoogste absolute waarde van de Seebeck-coëfficiënt vertoonde, zorgde de verhoogde resistiviteit voor een verlaging van de vermogensfactor tot 300,59 microwatts per meter per Kelvin squared.Dit protocol stelde de onderzoeker in staat om mangaan te co-sputteren op de bismuttelluride-film en te evalueren hoe het dopingsniveau de thermo-elektrische prestaties beïnvloedt. De belangrijkste uitdaging van dit protocol is het handhaven van een stabiel plasma en de sputtercondities om mechanismen betrouwbaar en consistent te integreren. Toekomstig onderzoek kan worden gebaseerd op het optimaliseren van thermo-elektrische eigenschappen, postsynthese en het ontwikkelen van een dunne-film thermo-elektrische generator voor testen op apparaatniveau.

improving-thermoelectric-properties-bi2te3-thin-films-manganese-co

Research

JoVE Journal

Engineering

Techniek

Via de sulfurization van eerder afgegeven overgangsmetalen, kunnen groot-gebied en verticale 2D hetero-kristalstructuren worden vervaardigd. De film overbrengen en apparaat fabricage procedures zijn ook aangetoond in dit verslag.

Voorbereiding van groot-gebied verticale 2D Crystal Hetero-structuren door de Sulfurization van overgangsmetalen Films voor de fabricatie van apparaat

Hier presenteren we een protocol om te groeien van LSMO nanodeeltjes en (Gd) BCO films op (001) SrTiO3 (STO) single-crystal substraten door radiofrequentie (RF)-sputteren.

Radiofrequentie Magnetron sputteren van GdBa2Cu3O7−δ/ La0.67Sr0,33MnO3 quasi-dubbelgelaagde Films op SrTiO3 (STO) Single-crystal substraten

Hierin presenteren wij gedetailleerde protocollen voor oplossing-verwerkte zilver-bismut-jodium (Ag-Bi-I) ternaire halfgeleider dunne lagen vervaardigd op TiO2-gecoat transparante elektroden en hun potentiële toepassing als lucht-stable en loodvrij opto-elektronische apparaten.

Oplossing-verwerkte "Zilver-bismut-Iodine" ternaire dunne lagen voor fotovoltaïsche loodvrij absorptieflessen

Dit werk beschrijft het volledige fabricageproces van dunne absorberende cadmium selenium telluride / cadmium telluride fotovoltaïsche apparaten voor verbeterde efficiëntie. Het proces maakt gebruik van een geautomatiseerd in-line vacuümsysteem voor close-space sublimatie depositie die schaalbaar is, van de fabricage van kleine gebied onderzoeksapparaten en grootschalige modules.

Close-Space Sublimatie-Gedeponeerd Ultra-Thin CdSeTe/CdTe Zonnecellen voor verbeterde kortsluiting stroomdichtheid en fotoluminescentie

Het manuscript beschrijft een protocol voor radiofrequente magnetronsputteren van Bi2Te3 en Sb2Te3 thermo-elektrische dunne films op glassubstraten, wat een betrouwbare afzettingsmethode vertegenwoordigt die een breed scala aan toepassingen biedt met het potentieel voor verdere ontwikkeling.

Fabricage van Bi2Te3 en Sb2Te3 thermo-elektrische dunne films met behulp van radiofrequentie magnetronsputtertechniek

Hier presenteren we een protocol voor het synthetiseren van twee metalen chalcogeniden (Cu1.8S en SnSe) die geschikt zijn voor thermo-elektriciteit via een ultrasnelle (tweede reeks), oplosmiddelvrije en eenstaps mechanochemische synthese met behulp van elementaire voorlopers. Tegelijkertijd demonstreren we de monitoring van de temperatuur in de pot tijdens het planetaire kogelfrezen in situ door het nieuw ontwikkelde apparaat.

Demonstratie van de eenvoud en in situ temperatuurbewaking van de mechanochemische synthese van metalen chalcogeniden die geschikt zijn voor thermo-elektriciteit

We beschrijven een nanomoulding techniek die goedkope nanoschaal patronen van functionele materialen, materialen stapels en volledige apparaten mogelijk maakt. Nanomoulding kan worden uitgevoerd op elke nanoimprinting installatie en kan worden toegepast op een groot aantal materialen en depositieprocessen.

Nanomoulding van Functional Materials, een veelzijdige aanvulling patroon replicatie methode om nanoimprinting

Dit rapport beschrijft het gebruik van een custom-built systeem om aerosol depositie van dikke lagen van yttrium ijzer granaat uit te voeren op saffier substraten bij RT. De afgezette films worden gekarakteriseerd met behulp van scanning elektronenmicroscopie profilometrie en ferromagnetische resonantie een representatief overzicht van de mogelijkheden van de techniek geven.

Vorming van Dik Dense Yttrium Iron Granaat Films Met behulp van Aerosol Deposition

We boden een methode aan om direct een hoge c-as (0002) ZnO dunne film te synthetiseren door middel van plasma-verbeterde chemische dampafzetting. De zo gesynthetiseerde ZnO dunne film gecombineerd met een Pt interdigitaal elektrode werd gebruikt als detectielaag voor een ultraviolette fotodetector, waarbij een hoge prestatie werd gezien door een combinatie van zijn goede responsiviteit en betrouwbaarheid.

Synthese en karakterisering van High c-as ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System en de UV Fotodetector Application

De techniek van diffusieve gradiënten in dunne films (DGT) voorgesteld voor speciatie plutonium. Dit protocol beschrijft diffusie experimenten sonderen het gedrag van Pu (IV) en Pu (V) in aanwezigheid van organisch materiaal. DGTs ingezet in een karstic voorjaar laat de beoordeling van de biologische beschikbaarheid van Pu.

Speciatie en biologische beschikbaarheid Metingen van Milieu Plutonium gebruik van Diffusion in Thin Films

Universiti Kebangsaan Malaysia.  Er werd een radiofrequentie co-sputterprotocol ontwikkeld om mangaan-gedopeerde Bi2Te3 dunne films te vervaardigen en te evalueren hoe mangaaninput de structurele en thermo-elektrische transporteigenschappen beïnvloedt. Matige mangaanopname verbeterde de filmuniformiteit en het vermogensfactor-gerelateerde transportgedrag, terwijl een hogere mangaaninvoer structurele wanorde en weerstand vergrootte.

Verbetering van thermo-elektrische eigenschappen van Bi₂Te₃ dunne films door mangaan co-sputtering

Meer video's verkennen