12.15
Tranzystor polowy metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy (MOSFET) to urządzenie półprzewodnikowe z trzema zaciskami: źródłem, drenem i bramką, znane również jako IGFET, MISFET i MOST.
Może to być kanał n lub p, w zależności od domieszkowania substratu i regionów źródłowych lub drenażowych.
W n-kanałowym tranzystorze MOSFET podłoże ma dwa silnie domieszkowane obszary źródła i drenu typu n. Na powierzchni wyrasta cienka warstwa dwutlenku krzemu, a na wierzchu osadza się metal, tworząc elektrodę bramkową.
Przy zerowym napięciu bramki żaden prąd nie przepływa ze źródła do drenu, z wyjątkiem niewielkiego prądu upływu.
Kiedy na bramce zostanie zastosowana dodatnia polaryzacja, elektrony z podłoża przemieszczają się w kierunku bramki, tworząc warstwę inwersyjną i umożliwiając duży przepływ elektronów ze źródła do drenu. Przewodność tego kanału można modulować poprzez zmianę napięcia bramki.
Prąd konwencjonalny przepływa z odpływu do źródła i nazywa się prądem odpływowym.
Tranzystory MOSFET są integralną częścią różnych aplikacji, w tym smartfonów, laptopów i samochodów elektrycznych.
Tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) odgrywa kluczową rolę w nowoczesnej elektronice dzięki swojej wszechstronności oraz wydajno…
Prawa autorskie © 2026 MyJoVE Corporation. Wszelkie prawa zastrzeżone.