12.17
Dwa tryby tranzystorów MOSFET z kanałami p i n to wzmacnianie i zubożanie.
Tranzystory MOSFET w trybie wzmocnienia są zwykle wyłączone przy zerowym napięciu bramka-źródło, co oznacza, że prąd nie przepływa między drenem a źródłem.
Prąd drenu płynie tylko wtedy, gdy do bramki zostanie przyłożone dodatnie napięcie. W ten sposób powstaje pole elektryczne, które przyciąga elektrony z podłoża do warstwy tlenku, tworząc warstwę inwersyjną. Tworzy to kanał przewodzący między źródłem a odpływem, umożliwiając przepływ prądu.
Zwiększenie dodatniego napięcia bramki zwiększa prąd drenu przepływającego przez kanał.
Tranzystory MOSFET w trybie wzmocnienia są doskonałymi przełącznikami elektronicznymi ze względu na niską rezystancję włączenia, wysoką rezystancję wyłączenia i wysoką rezystancję wejściową.
Przełącznik ściemniacza do świateł LED wykorzystuje MOSFET w trybie wzmocnienia do sterowania jasnością.
Napięcie bramki reguluje się poprzez obrócenie pokrętła na ściemniaczu. Gdy napięcie wynosi zero, światło jest wyłączone. Wraz ze wzrostem napięcia bramki przez diody LED przepływa więcej prądu, dzięki czemu są jaśniejsze.
Tranzystory MOSFET w trybie wzmocnienia są stosowane w układach scalony
Tranzystory MOSFET w trybie ulepszonym to kluczowe komponenty elektroniki, wyróżniające się możliwością działania jako wysoce wydajne przełączniki. Na…
Prawa autorskie © 2026 MyJoVE Corporation. Wszelkie prawa zastrzeżone.