W pierwszej kolejności opisujemy ogólny protokół, który może być wykorzystany do wytwarzania wzorowanych, zamkniętych cząsteczek oraz rekonfigurowalnych urządzeń chwytających. Obok ogólnego protokołu przedstawiamy jeden konkretny, zilustrowany przykład dotyczący zarówno wytwarzania zamkniętych cząsteczek dodekaedrycznych, jak i rekonfigurowalnych mikrochwytaków.
1. Przygotowanie maski i zasady projektowania
- Zazwyczaj potrzebne są co najmniej dwa zestawy masek: jedna dla obszarów, które się nie zginają ani nie wyginają (panele sztywne) i druga dla obszarów, które zginają się, wyginają lub uszczelniają (zawiasy). Dodatkowe maski mogą być wykorzystane do zdefiniowania wzorów powierzchniowych porów, łatek molekularnych, elementów optycznych lub elektronicznych. Maski można projektować za pomocą różnych programów do dwuwymiarowej grafiki wektorowej, takich jak AutoCAD, Adobe Illustrator, FreeHand MX lub Layout Editor.
- Badania empiryczne sugerują następujące optymalne zasady projektowania masek, które mogą być stosowane do składania wielościanu o długości boku L napędzanego napięciem powierzchniowym.
- W przypadku konkretnej geometrii wielościanu należy najpierw określić liczbę paneli. Na przykład sześcian ma sześć kwadratowych paneli, podczas gdy dwunastościan ma dwanaście paneli pięciokątnych.
- Należy opracować wysokowydajny dwuwymiarowy układ paneli, nazywany również siatką. Siatki o najmniejszym promieniu bezwładności i największej liczbie wtórnych połączeń wierzchołków zazwyczaj składają się z najwyższą wydajnością. Optymalne siatki dla różnych wielościanów, takich jak sześciany, ośmiościany, dwunastościany, ośmiościany ścięte i dwudziestościany, zostały opublikowane 23, 28.
- Na masce paneli panele wielościanów powinny być narysowane jako siatki, a sąsiednie panele powinny być oddzielone przerwą o szerokości około 0.1L. Konieczne są znaczniki pasowania do późniejszego wyrównania z maską zawiasów.
- Na masce zawiasów należy zdefiniować zarówno zawiasy składające (pomiędzy panelami), jak i zawiasy blokujące lub uszczelniające (na krawędziach paneli). Zawiasy składające powinny mieć długość 0.8L i szerokość 0.2L, natomiast zawiasy uszczelniające na obwodzie paneli powinny mieć długość 0.8L i szerokość 0.1L z nawisem 0.05L (Ryc. 1 a-c). Należy zachować szczególną staranność, aby maski paneli i zawiasów nakładały się zgodnie ze znacznikami. Dzięki tej zasadzie projektowania udało nam się zsyntetyzować cząsteczki o rozmiarach od 15 μm do 2.5 cm.
- Objętość zawiasu kontroluje kąty składania; dla danej szerokości zawiasu wymagane jest modelowanie metodą elementów skończonych, aby określić niezbędną grubość zawiasu. Czytelnikowi poleca się zapoznanie z opublikowanymi modelami29-32 w celu oszacowania tej grubości. Atutem naszego podejścia jest jednak zastosowanie zawiasów blokujących lub uszczelniających, które zapewniają znaczną tolerancję błędów podczas samoskładania. Zatem przy użyciu zawiasów uszczelniających proces montażu jest odporny na odchylenia w objętościach zawiasów, co pozwala na ich jedynie przybliżone targetowanie. Dzięki znacznemu efektowi kooperatywności podczas montażu, masowo produkowano nawet dwunastościany z kątami składania 116.57°. Co więcej, ośmiościany ścięte mają dwa różne kąty dwuścienne: 125.27° i 109.47°, ale mogły zostać zmontowane przy użyciu tych samych objętości zawiasów. Inną zaletą zawiasów uszczelniających jest to, że zawiasy sąsiadujące ze sobą zlewają się podczas podgrzewania w procesie składania, tworząc po ochłodzeniu szczelne, bezszwowe i sztywne cząsteczki.
- Badania empiryczne sugerują następujące optymalne zasady projektowania masek dla mikrochwytaków, które składają się dzięki zawiasom zasilanym naprężeniem resztkowym. Dla mikrochwytaka o długości od końcówki do końcówki (D) wynoszącej 600-900 μm, przerwa zawiasu (g) wynosi zazwyczaj około 50 μm (Ryc. 1 d-f), natomiast dla mniejszych mikrochwytaków o D wynoszącym 300 μm należy zastosować mniejszą przerwę g o wielkości około 25 μm. Wymiary przerwy zawiasu zależą od naprężeń, grubości i zawartości elastycznej folii bazowych, a do przybliżonego oszacowania stopnia składania można wykorzystać wielowarstwowe rozwiązania analityczne25,33. Do precyzyjnej symulacji składania wymagany jest dokładny pomiar naprężeń i modelowanie metodą elementów skończonych. Badania empiryczne sugerują, że około 100 μm jest dolną granicą dla cząsteczek z naprężonymi zawiasami chromowymi.
- Po zaprojektowaniu układu maski powinny zostać wydrukowane na foliach przezroczystych przy użyciu drukarek o wysokiej rozdzielczości, we własnym zakresie lub poprzez różne firmy zewnętrzne (Ryc. 2a). Zazwyczaj folie przezroczyste powinny być stosowane tylko przy minimalnych rozmiarach elementów wynoszących 6 μm, natomiast maski chromowe są niezbędne dla struktur z mniejszymi przerwami zawiasów lub mniejszymi elementami. Typowym formatem plików wymaganym do zamawiania komercyjnych masek jest ".dxf".
2. Przygotowanie podłoża
- Należy zastosować podłoża płaskie, takie jak szkiełka przedmiotowe lub wafle krzemowe.
- W celu zapewnienia dobrej adhezji ważne jest oczyszczenie i osuszenie podłoży. Zazwyczaj wystarczające jest przemycie podłoży metanolem, acetonem i alkoholem izopropylowym (IPA), osuszenie ich azotem (N2), a następnie podgrzanie na płycie grzejnej lub w piekarniku w temperaturze 150 °C przez 5-10 min.
3. Nakładanie warstwy poświęcalnej
Aby oddzielić matryce od podłoża po wykonaniu wzornictwa, wymagana jest warstwa poświęcalna. Można wykorzystać różnorodne filmy składające się z metali (np. miedzi), dielektryków (np. tlenku glinu) lub polimerów (np. PMMA, PVA, CYTOP itp.). Przy wyborze filmu poświęcalnego istotnymi kwestiami są łatwość nanoszenia i rozpuszczania materiału oraz selektywność trawienia.
4. Wzorowanie paneli
- Panele cząsteczek można nanosić na różne sposoby. W przypadku cząsteczek polimerowych filmy nanosi się metodą spin coatingu lub drop castingu. W przypadku cząsteczek metalicznych można wykorzystać elektrodepozycję lub odparowanie termiczne.
- Do wytwarzania cząsteczek metalicznych konieczne jest nałożenie warstwy przewodzącej na podłoże pokryte warstwą poświęcalną, aby umożliwić elektrodepozycję paneli i zawiasów.
- Panele można formować za pomocą dowolnego procesu litograficznego, takiego jak fotolitografia, odlewanie, litografia nanoodcisku lub litografia wiązką elektronów. Typowy proces fotolitografii obejmuje nałożenie warstwy fotorezystu na podłoże, a następnie wypalanie, naświetlanie i wywoływanie zgodnie z zaleceniami producenta. Można stosować fotorezysty z serii SPR, AZ lub SC; alternatywnie panele można zdefiniować za pomocą polimerów fotousieciowalnych, takich jak SU8, PEGDA lub fotousieciowalny PDMS. W zależności od wybranego fotorezystu należy odpowiednio dostosować grubość, a tym samym prędkość wirowania, czas naświetlania oraz czas wywoływania.
- Po fotolitografii, w zależności od rozmiaru cząsteczek metalicznych, grube panele można formować metodą elektrodepozycji, natomiast cienkie panele można zdefiniować poprzez odparowanie lub rozpylanie.
- W celu elektrodepozycji paneli należy wykorzystać prawa Faradaya dotyczące elektrodepozycji oraz wydajność kąpieli, aby obliczyć prąd galwaniczny na podstawie całkowitej powierzchni wystawionej paneli. Typowe gęstości prądu dla niklowania (Ni) i lutowania (Pb-Sn) wynoszą odpowiednio od 1-10 mA/cm2 i od 20-50 mA/cm2.
5. Wzorowanie zawiasów
Podobnie jak w przypadku wzorowania paneli, aby wykonać wzorowanie zawiasów, należy przeprowadzić drugą rundę fotolitografii przy użyciu maski zawiasów (Ryc. 2b-c). Znaki pasowania na maskach paneli i zawiasów muszą zostać nałożone na siebie, aby zapewnić prawidłowe wyrównanie.
- W przypadku montażu napędzanego napięciem powierzchniowym materiały paneli i zawiasów powinny być dobrane tak, aby materiał zawiasu miał niższą temperaturę topnienia niż panele, dzięki czemu panele pozostają sztywne, podczas gdy zawiasy ulegają stopieniu. Montaż następuje po podgrzaniu szablonów powyżej temperatury topnienia materiału zawiasu. Na przykład w przypadku cząstek metalicznych z panelami z Ni, elektroosadzamy lut Pb-Sn na zawiasach, który topi się w temperaturze ~200 °C i inicjuje składanie. Podobnie w przypadku cząstek polimerowych z panelami z SU8, nanosimy zawiasy z polikaprolaktonu, które montują się w temperaturze ~58 °C.27 Proces przebiega najskuteczniej, gdy materiał zawiasu pozostaje zakotwiczony w obszarze zawiasu podczas reflow; i.e. nie rozprzestrzenia się po całych panelach i nie odwarstwia się całkowicie od panelu. Zakotwiczenie to można osiągnąć poprzez dobór materiałów o odpowiednich charakterystykach zwilżania i lepkości.
- W przypadku samoskładania napędzanego naprężeniami cienkich warstw, zawiasy powinny zostać uformowane przed uformowaniem paneli. Zazwyczaj zawias musi składać się z dwuwarstwy o zróżnicowanych naprężeniach, zbudowanej z metalu naprężonego, takiego jak chrom (Cr) lub cyrkon (Zr), oraz metalu stosunkowo nienaprężonego, takiego jak złoto (Au) lub miedź (Cu). Na przykład dla mikrochwytaków z przerwą w zawiasie o szerokości 50 μm stosujemy dwuwarstwę składającą się z 50 nm Cr i 100 nm Au. Oprócz metalicznych dwuwarstw o zróżnicowanych naprężeniach można wykorzystać również polimery o zróżnicowanych naprężeniach34-37, warstwy SiOx38 lub epitaksjalne warstwy półprzewodnikowe5.
- W przypadku samoskładania napędzanego naprężeniami cienkich warstw należy zastosować termoczułą polimerową warstwę wyzwalającą w celu ograniczenia ruchów urządzeń, aby struktury nie składały się samoistnie po oddzieleniu od podłoża. Odpowiedni dobór materiału wyzwalającego i jego grubości może nadać urządzeniom różne właściwości responsywne na bodźce. Na przykład uformowanie w obszarze zawiasu warstwy fotorezystu (seria S1800) o grubości 1.5 μm jest wystarczające, aby utrzymać urządzenia w pozycji płaskiej do momentu ich podgrzania do temperatury ~37 °C w celu zainicjowania składania.
6. Uwalnianie matryc z podłoża i fałdowanie
- Aby uwolnić uformowane matryce 2D, warstwa poświęcalna musi zostać rozpuszczona za pomocą odpowiednich trawien (Rysunek 2d).
- W przypadku montażu napędzanego napięciem powierzchniowym, uwolnione prekursory planarne muszą zostać podgrzane powyżej temperatury topnienia materiału zawiasu. Podczas podgrzewania zawiasy ulegają upłynnieniu, a prekursory formują się w odpowiednio ukształtowane puste cząsteczki (Rysunek 2e-i).
- W przypadku składania napędzanego naprężeniami cienkiej warstwy, proces składania może zostać wywołany po uwolnieniu struktur z podłoża i pod wpływem odpowiedniego bodźca, np. podgrzania, tak aby wyzwalacz zmiękł i przestał ograniczać relaksację naprężonych zawiasów dwuwarstwowych. Ponieważ urządzenia chwytające są ferromagnetyczne, można nimi sterować i pozycjonować je w pobliżu odpowiedniego ładunku, a następnie wywołać ich składanie wokół niego (Rysunek 2j-n). Warto zaznaczyć, że za pomocą takiego wyzwalanego składania można przeprowadzić wycięcie tkanki25.
Przykład 1. Protokół wytwarzania pustych dwunastościennych struktur o rozmiarze 300 μm, samorzutnie organizujących się pod wpływem napięcia powierzchniowego i trwale połączonych (schematyczny opis na Rysunku 3):
- Przygotować maski zgodnie z opisem w Kroku 1. W przypadku wytwarzania dwunastościanów o długości krawędzi panelu 300 μm, należy narysować maskę paneli w taki sposób, aby pięciokątne panele dwunastościanu były oddalone od siebie o 30 μm. Narysować maskę zawiasów, w której zawiasy do składania i uszczelniania mają odpowiednio wymiary 240 μm x 60 μm oraz 240 μm x 30 μm.
- Przygotować podłoże z wafla krzemowego zgodnie z opisem w Kroku 2.
- Nanieść metodą spin coatingu warstwę 950 PMMA A11 o grubości ~5,5 μm przy 1 000 rpm na wafle krzemowe. Odczekać 3 min, a następnie wyprać w temperaturze 180 °C przez 60 s.
- Za pomocą odparowacza termicznego nanieść 30 nm chromu (Cr) jako promotora adhezji oraz 150 nm miedzi (Cu) jako warstwę przewodzącą.
- Nanieść metodą spin coatingu SPR220 o grubości ~10 μm przy 1 700 rpm na wafle. Odczekać 3 min.
- Przeprowadzić stopniowe wstępne wypalanie (softbake), umieszczając wafel na płycie grzejnej w temperaturze 60 °C przez 30 s. Następnie przenieść wafel na inną płytę grzejną w temperaturze 115 °C na 90 s, a potem z powrotem na płytę o temperaturze 60 °C na 30 s.
- Ostudzić wafle w temperaturze pokojowej i odczekać 3 h.
- Naświetlić wafle przez maskę paneli, używając dawki ~460 mJ/cm2 światła UV (365 nm) i maskownicy opartej na lampie rtęciowej.
- Wywołać w wywoływaczu MF-26A przez 2 min, wymienić roztwór wywoływacza i wywoływać przez kolejne 2 min.
- Obliczyć całkowitą powierzchnię paneli i na tej podstawie wyznaczyć natężenie prądu wymagane do elektroosadzania Ni z komercyjnego roztworu sulfamanianu niklu przy gęstości prądu około 1-10 mA/cm2 do uzyskania grubości 8 μm.
- Rozpuścić fotorezyst w acetonie. Przepłukać wafel izopropanolem (IPA) i osuszyć gazem N2.
- Nanieść metodą spin coatingu SPR 220 o grubości ~10 μm przy 1 700 rpm na wafle. Odczekać 3 min.
- Przeprowadzić stopniowe wstępne wypalanie, umieszczając wafel na płycie grzejnej w temperaturze 60 °C przez 30 s. Następnie przenieść wafel na inną płytę grzejną w temperaturze 115 °C na 90 s, a potem z powrotem na płytę o temperaturze 60 °C na 30 s.
- Ostudzić wafle w temperaturze pokojowej i odczekać 3 h.
- Naświetlić wafle przez maskę zawiasów, używając dawki ~460 mJ/cm2 światła UV (365 nm) i maskownicy opartej na lampie rtęciowej. Upewnić się, że znaki pasowania są wyrównane tak, aby zawiasy pokrywały się z panelami.
- Wywołać w wywoływaczu MF-26A przez 2 min, wymienić roztwór wywoływacza i wywoływać przez kolejne 2 min.
- Za pomocą przecinarki diamentowej pociąć wafel na małe kawałki w taki sposób, aby jeden kawałek zawierał ~50-60 sieci. Pokryć krawędzie kawałków lakierem do paznokci.
- Obliczyć całkowitą odsłoniętą powierzchnię zawiasów i na tej podstawie wyznaczyć natężenie prądu wymagane do elektroosadzania lutu Pb-Sn z komercyjnego roztworu do galwanizacji lutem przy gęstości prądu około 20-50 mA/cm2 do uzyskania grubości 15 μm.
- Rozpuścić fotorezyst w acetonie. Przepłukać kawałki wafli izopropanolem (IPA) i osuszyć gazem N2.
- Zanurzyć kawałek wafla w trawieniu APS 100 na 25-40 s, aby rozpuścić otaczającą warstwę Cu. Przepłukać wodą dejonizowaną (DI) i osuszyć gazem N2.
- Zanurzyć kawałek wafla w trawieniu CRE-473 na 30-50 s, aby rozpuścić otaczającą warstwę Cr. Przepłukać wodą dejonizowaną (DI) i osuszyć gazem N2.
- Zanurzyć kawałek wafla w ~2-3 ml 1-metylo-2-pirolidynonu (NMP) i podgrzewać w temperaturze 100 °C przez 3-5 min, aż szablony oddzielą się od podłoża.
- Przenieść ~20-30 szablonów do małej szalki Petriego i rozłożyć je równomiernie.
- Dodać ~3-5 ml NMP oraz ~5-7 kropli płynnego topnika Indalloy 5RMA.
- Podgrzewać w temperaturze 100 °C przez 5 min. Na tym etapie płynny topnik Indalloy 5RMA oczyszcza i rozpuszcza wszelkie warstwy tlenków powstałe na lutcie, co zapewnia prawidłowy przepływ lutu po podgrzaniu powyżej punktu topnienia.
- Zwiększyć temperaturę płyty grzejnej do 150 °C na 5 min, a następnie powoli zwiększać ją do 200 °C, aż dojdzie do złożenia. Przy temperaturze 200 °C składanie rozpoczyna się po 5-8 min. Mieszanina może stać się brązowawa w miarę przypalania.
- Po złożeniu się dwunastościanów pozwolić szalce ostygnąć. Dolać do szalki acetonu, odessać ciecz pipetą, a następnie przepłukać dwunastościany w acetonie, a potem w etanolu.
- Przechowywać cząstki dwunastościenne w etanolu.
Przykład 2. Protokół wytwarzania rekonfigurowalnych, cienkowarstwowych, termoczułych mikrochwytaków samoskładających się pod wpływem naprężeń (schemat przedstawiony na Rysunku 4):
- Przygotować maski zgodnie z opisem w Kroku 1. Zaprojektować maski tak, aby długość chwytaków od końcówki do końcówki wynosiła 980 μm, przy długości boku panelu centralnego 111 μm i szczelinie zawiasu 50 μm. Typowe maski zawiasów i paneli można zaprojektować analogicznie do Rysunku 1 d-e.
- Przygotować wafle krzemowe zgodnie z opisem w Kroku 2.
- Nanieść 15 nm warstwę adhezyjną z Cr i 50-100 nm warstwę poświęcalną z Cu za pomocą odparowywacza termicznego.
- Nanieść metodą spin-coatingu warstwę S1827 o grubości ~3 μm, używając powlekarki wirówkowej przy 3 000 rpm. Odczekać 3 min, a następnie wypiec wafel na płycie grzejnej w temperaturze 115 °C przez 1 min.
- Naświetlić światłem UV (365 nm) dawką ~180 mJ/cm2 przy użyciu maski zawiasu i ekspozytora masek.
- Wywoływać przez 40-60 s w rozcieńczonym 5:1 wywoływaczu 351. Płukać wodą DI i osuszyć strumieniem gazu N2.
- Nanieść 50 nm Cr i 100 nm Au za pomocą odparowywacza termicznego. Warstwa Cr-Au pełni funkcję dwuwarstwowego zawiasu z naprężeniem szczątkowym w filmie Cr, podczas gdy warstwa Au jest bioobojętną warstwą wspierającą.
- Usunąć fotorezyst metodą lift-off w acetonie. Użyć sonikatora przez 3-5 min, aby całkowicie usunąć nadmiar metalu. Przemyć wafel acetonem i IPA, a następnie osuszyć gazem N2.
- Nanieść metodą spin-coatingu warstwę SPR220 o grubości ~10 μm przy 1 700 rpm na wafle. Odczekać 3 min.
- Przeprowadzić stopniowe wstępne wypiekanie (softbake), umieszczając wafel na płycie grzejnej w 60 °C przez 30 s. Następnie przenieść wafel na inną płytę grzejną w 115 °C na 90 s, a potem z powrotem do 60 °C na 30 s. Odczekać 3 h.
- Naświetlić fotorezyst światłem UV (365 nm) dawką ~460 mJ/cm2 za pomocą ekspozytora masek przez maskę panelu.
- Wywoływać w wywoływaczu MF-26A przez 2 min, następnie wymienić roztwór wywoływacza i wywoływać przez kolejne 2 min.
- Obliczyć całkowitą powierzchnię panelu i na tej podstawie wyznaczyć natężenie prądu wymagane do elektrodepozycji Ni z komercyjnego roztworu sulfamanianu niklu przy szybkości około 1-10 mA/cm2 do uzyskania grubości 5 μm. Dokładnie przepłukać wodą DI.
- Wykonać elektrodepozycję lub odparowanie 100 nm Au. Warstwa ta pomaga chronić Ni przed trawieniami używanymi do usunięcia warstwy poświęcalnej.
- Usunąć fotorezyst acetonem. Przepłukać wafel IPA i osuszyć gazem N2.
- Zmieszać fotorezysty S1813 i S1805 w stosunku objętościowym 1:5. Nanieść mieszaninę metodą spin-coatingu przy 1 800 rpm. Odczekać 3 min, a następnie wypiec na płycie grzejnej w 115 °C przez 1 min. Ta warstwa fotorezystu pełni funkcję warstwy wyzwalającej.
- Naświetlić światłem UV (365 nm) dawką ~120 mJ/cm2 w ekspozytorze masek, używając maski zawiasu.
- Wywoływać przez 30-50 s w rozcieńczonym 5:1 wywoływaczu 351. Płukać wodą DI i osuszyć gazem N2.
- Wyciąć fragment wafla za pomocą przecinarki diamentowej.
- Zanurzyć fragment wafla w APS 100, aby wytrawić znajdującą się pod spodem poświęcalną warstwę Cu. Czekać, aż mikrochwytaki zostaną całkowicie oddzielone od podłoża.
- Przepłukać mikrochwytaki wodą DI i przechowywać w zimnej wodzie.
- Wyzwolić składanie, umieszczając mikrochwytaki w wodzie o temperaturze 37 °C.
7. Reprezentatywne wyniki
Reprezentatywne wyniki przedstawione na Rysunku 5 ukazują samoorganizujące się cząstki wielościenne o różnych kształtach, a także składające się mikrochwytaki. Proces wytwarzania i aktywacji jest wysoce równoległy, a struktury 3D mogą być wytwarzane i uruchamiane jednocześnie. Ponadto w trzech wymiarach, a w razie potrzeby również na wybranych ściankach, można zdefiniować precyzyjne wzory, czego przykładem są pory kwadratowe lub trójkątne. Mikrochwytaki mogą być zamykane w warunkach biologicznie łagodnych, co umożliwia ich wykorzystanie do wycinania tkanek lub załadunku ładunku biologicznego. Dodatkowo, ponieważ mikrochwytaki mogą być wykonane z materiału ferromagnetycznego, mogą być one przemieszczane na odległość przy użyciu pól magnetycznych.

Rysunek 1. Zasady projektowania dla syntezy cząstek wzorowanych. (a-c) Zasady projektowania masek dla montażu wzorowanych cząstek wielościanowych; (a) schemat maski paneli dla wielościanu o długości krawędzi L, (b) schemat maski zawiasów zawierającej zawiasy składające (0.2 L x 0.8 L) oraz blokujące lub uszczelniające (0.1 L x 0.8 L), oraz (c) schemat nałożonego 2D prekursora lub siatki. (d-f) Zasady projektowania masek dla samoskładającego się mikrochwytaka; (d) schemat maski zawiasów dla mikrochwytaka o długości od końca do końca D, (e) schemat maski paneli z przerwą zawiasową g, oraz (f) schemat nałożonego 2D prekursora. Kliknij tutaj, aby wyświetlić większy rysunek.

Rysunek 2. Obrazy eksperymentalne i animacje koncepcyjne kluczowych etapów procesu wytwarzania i montażu. (a) Zrzut ekranu maski w programie AutoCAD dla prekursorów dodekaedrów. (b-c) Obrazy optyczne prekursorów 2D dla (b) dodekaedrów oraz (c) mikrochwytaków na podłożu krzemowym. (d) Uwolnione siatki dodekaedrów. Paski skali: 200 μm. (e-n) Animacja koncepcyjna (e-i) montażu dodekaedru napędzanego napięciem powierzchniowym oraz (j-n) składania mikrochwytaka wokół kuleczki napędzanego naprężeniami cienkiej warstwy (Animacja: David Filipiak).

Rycina 3. Schematyczne przedstawienie kluczowych etapów fabrykacji dla procesu montażu cząstki sześciennej napędzanego napięciem powierzchniowym.

Rysunek 4. Schematyczny rysunek kluczowych etapów wykonania urządzenia chwytającego z sześcioma palcami, składanego pod wpływem naprężeń szczątkowych.

Rysunek 5. Obrazy inspirowanych origami samoorganizujących się cząstek wzorowanych i rekonfigurowalnych. (a) Obraz optyczny samoorganizujących się cząstek o różnych kształtach. (b-e) Obrazy SEM (b) samoorganizującego się porowatego sześcianu, (c) piramidy, (d) ośmiościanu ściętego oraz (e) dwunastościanu. Paski skali: 100 μm. (f-h) Optyczne ujęcia samoskładających się mikrochwytaków oraz (i) obraz SEM złożonego mikrochwytaka (obraz autorstwa Timothy Leong). Paski skali: 200 μm.