12.11
Um transistor de efeito de campo é um dispositivo unipolar de três terminais que compreende um terminal de porta, dreno e fonte.
Os portadores de carga fluem da fonte para o dreno através de um canal, cuja condutividade é controlada pela diferença de potencial aplicada entre a porta e o terminal da fonte.
Com base na estrutura do diodo de porta, os FETs são categorizados em FETs de junção, FETs de semicondutores de metal e FETs de semicondutores de óxido de metal.
Os JFETs controlam a condutividade do canal através da extensão da junção pn do canal de porta. Com sua impedância de entrada mais baixa, eles são comumente usados em circuitos analógicos.
Os MESFETs usam diodos semicondutores de metal para retificar o contato, proporcionando vantagens como fabricação em temperatura mais baixa e menor resistência. Eles são usados em aplicações de micro-ondas devido à sua resposta de alta frequência.
Os MOSFETs, conhecidos por sua alta impedância de entrada, são o tipo mais comum e são frequentemente usados em circuitos digitais.
Os FETs podem ser classificados com base no material semicondutor do canal.
Eles são usados em amplificadores, interruptores e reguladores de tensão. Sua alta impedância de entrada, tamanho compacto, baixo ruído e menor consumo de energia os tornam vantajosos em relação aos transistores de junção bipolar.
Os transistores de efeito de campo (Field Effect Transistor, FET, em inglês), são parte integrante dos circuitos eletrônicos e se distinguem por sua c…
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