12.15
O Transistor de Efeito de Campo de Óxido de Metal-Semicondutor, ou MOSFET, é um dispositivo semicondutor com três terminais: a Fonte, o Dreno e o Portão e também é conhecido como IGFET, MISFET e MOST.
Pode ser canal n ou canal p, dependendo da dopagem do substrato e das regiões de origem ou drenagem.
Em um MOSFET de canal n, o substrato tem duas regiões de fonte e drenagem do tipo n fortemente dopadas. Uma fina camada de dióxido de silício é cultivada na superfície e o metal é depositado no topo para formar o eletrodo da porta.
Com tensão de porta zero, nenhuma corrente flui da fonte para o dreno, exceto por uma pequena corrente de fuga.
Quando uma polarização positiva é aplicada na porta, os elétrons do substrato se movem em direção à porta, formando uma camada de inversão e permitindo um grande fluxo de elétrons da fonte para o dreno. A condutância deste canal pode ser modulada variando a tensão da porta.
A corrente convencional flui do dreno para a fonte e é chamada de corrente de drenagem.
Os MOSFETs são essenciais em várias aplicações, incluindo smartphones, laptops e carros elétricos.
O transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET, em inglês) desempenha um pa…
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