12.14
Os capacitores MOS têm três camadas: a camada inferior é um substrato semicondutor, a intermediária é uma camada isolante e a camada superior de metal é o eletrodo de porta, que controla a tensão do capacitor.
Com tensão de porta zero, nenhuma corrente flui e o capacitor não é carregado.
A aplicação de uma tensão negativa na porta atrai furos para a superfície do semicondutor, formando uma região de acumulação. O dispositivo se comporta como um capacitor convencional.
Aplicando uma tensão positiva, os orifícios são repelidos de volta ao substrato, estabelecendo uma região de carga espacial chamada região de depleção, que atua como outra capacitância em série.
Com uma voltagem alta o suficiente, a concentração de elétrons na superfície aumenta, formando uma camada de inversão e diminuindo ainda mais a capacitância. Isso resulta em um aumento acentuado na corrente.
A remoção da tensão dissipa a carga acumulada, fazendo com que o canal desapareça e desligando o dispositivo.
Os capacitores MOS são usados em dispositivos de memória como DRAM, onde a gravação de dados envolve a aplicação de tensão de porta para criar uma camada de inversão, que armazena carga temporariamente. A presença ou ausência dessa carga representa dados binários, que precisam de atualização periódica devido à sua natureza transitória.
Um capacitor de semicondutor de óxido metálico (MOS) é uma estrutura fundamental usada extensivamente na tecnologia de dispositivos semicondutores, pa…
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