Introduction
Semi-conducteurs polymères sont les principaux photovoltaïques organiques (OPV) matériaux raison de la forte capacité d'absorption, de bonnes propriétés de transport, la flexibilité, et la compatibilité avec des substrats sensibles à la température. Dispositif VPO efficacité de conversion de puissance, η, ont augmenté considérablement au cours des dernières années, avec l'efficacité des cellules simples aussi élevées que 9,1% 1, les une technologie d'énergie de plus en plus viable faire.
Malgré les améliorations dans η, les minces optimales des épaisseurs de couches actives des dispositifs limitent l'absorption de lumière et empêchent la fabrication fiable. En outre, la largeur spectrale de l'absorption de lumière de chaque polymère est limitée par rapport aux matériaux inorganiques. Polymères appariement des différentes sensibilité spectrale contourne ces difficultés, ce qui rend les architectures en tandem 2 Une innovation nécessaire.
Dispositifs série en tandem sont l'architecture en tandem le plus commun. Dans cette conception, un materi de transport d'électronsAl, une couche métallique de recombinaison facultatifs, et une couche de transport de trous relient deux couches photoactives indépendantes appelées sous-cellules. Liaison sous-cellules dans une configuration en série augmente la tension du dispositif de combinaison de circuit ouvert. Certains groupes ont eu du succès avec les couches de transport dégénéré dopées 3 - 5, mais plusieurs groupes ont utilisé des particules d'or ou d'argent pour aider la recombinaison de trous et d'électrons dans la couche intermédiaire 6,7.
En revanche, les tandems parallèles nécessitent une électrode à haute conductivité, soit anode ou de cathode, l'assemblage des deux couches actives. La couche intermédiaire doit être très transparent, ce qui limite les intercalaires en tandem de la série contenant des particules métalliques, et plus encore pour les intercalaires en tandem parallèles composées de fines électrodes métalliques continues. nanotubes de carbone (CNT) feuilles montrent une plus grande transparence de couches métalliques. Ainsi, le Nanotech Institute, en collaboration avec l'Université de Shimane, a introduit l'idée d'utiliser comme électrode de couche intermédiaire dans des dispositifs monolithiques, 8 parallèles en tandem.
Les efforts précédents sélectionnée monolithiques, parallèles, appareils tandem de VPO avec des feuilles CNT fonctionnant comme anodes entre les couches 8,9. Ces méthodes nécessitent des soins spéciaux pour éviter un court-circuit d'un ou de deux cellules ou des couches précédentes dommageables au moment du dépôt des couches ultérieures. Le nouveau procédé décrit dans ce document facilite la fabrication en plaçant l'électrode CNT au-dessus des couches actives polymères de deux cellules individuelles, puis la stratification des deux dispositifs séparés ensemble comme représenté sur la figure 1. Ce procédé est remarquable que le dispositif, y compris l'air -stable cathode CNT, peut être fabriqué entièrement dans les conditions ambiantes en utilisant seulement le traitement à sec et solution.
Feuilles CNT ne sont pas intrinsèquement bonnes cathodes, car ils nécessitent dopage de type n de diminuer la fonction de travail afin de recueillir des électrons de la zone photosensibled'une cellule solaire 10. À double couche électrique de charge dans un électrolyte, comme un liquide ionique, peut être utilisé pour déplacer la fonction de travail de CNT électrodes 11-14.
Comme décrit dans un papier précédent et 15 représentée sur la figure 2, lorsque la tension de grille (V Gate) est augmente, la fonction de travail de l'électrode commune CNT est diminuée, ce qui crée une asymétrie électrode. Cela empêche la collecte de trou de bailleur de fonds du VPO en faveur de la collecte des électrons de l'accepteur de l'OPV, et les appareils sous tension, changement de photorésistance inefficace dans photodiode 15 comportement. Il convient également de noter que l'énergie utilisée pour charger l'appareil et la puissance perdue en raison des courants de fuite de grille est insignifiant comparé à l'énergie produite par la cellule solaire 15. Déclenchement ionique d'électrodes CNT a un grand effet sur la fonction de travail en raison de la faible densité d'états et la hauteaire de surface par rapport au volume dans les électrodes de CNT. Des procédés similaires ont été utilisées pour améliorer une barrière de Schottky à l'interface de CNT avec du n-Si 16.
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Protocol
1. Indium Tin Oxide (ITO) Modélisation et nettoyage
REMARQUE: Utilisez 15Ω / □ ITO verre, et l'achat ou de couper le verre de l'ITO en tailles appropriées pour le revêtement par centrifugation et la photolithographie. Il est plus efficace d'effectuer les étapes 1.1 à 1.7 sur un morceau de verre aussi vaste que possible, puis couper en petits appareils. Notez également que les étapes 1.1-1.7 exigent le verre ITO être orienté avec l'OIC vers le haut. Ceci peut être vérifié facilement avec le réglage de la résistance d'un multimètre.
- manteau de spin 1 ml de résine positive S1813 sur le ITO côté du verre ITO à un taux de 3,000 rpm pendant 1 min. Utilisez plus résister à de gros morceaux de verre, assurez-vous que tout le verre est revêtu, et éliminer toutes les bulles avant de commencer la tournette.
- Recuire la résine verre revêtu, sur une plaque chaude à 115 ° C pendant 1 min.
- Charger l'échantillon et le photomasque sur le dispositif d'alignement de contact.
- Exposer la résine photosensible revêtue d'ITO verre pour une approtemps échéant. Le temps d'exposition est de l'ordre de 10 s, mais cette fois-ci varie en fonction de l'intensité de la lampe UV, du type de résine photosensible, et l'épaisseur.
- Développer les substrats exposées aux UV dans MF311 développeur. Le processus automatisé de Spin processeur produit les meilleurs et les plus reproductibles résultats, mais le développement peut se faire manuellement comme suit.
- Immerger le substrat exposées aux UV pendant 1 minute dans le révélateur, suivi d'un rinçage à l'eau désionisée (DI) de l'eau et séchage avec un pistolet à azote. Parce que le développeur perd de sa résistance rapidement, remplacer le développeur entre les échantillons, ou bien augmenter le temps de développement en réutilisant développeur.
- Graver les substrats d'ITO dans l'acide chlorhydrique concentré (HCl). Cela prend entre 5 à 10 min en fonction de la concentration du HCl. Rincer à l'eau DI, sec, et tester la résistivité des parties attaquées avec un multimètre. Si une conductivité reste, graver pour un temps plus long.
- Une fois la gravure terminée, retirez le photoresist avec de l'acétone. Notez que le retrait rapide de la résine empêche HCl résiduelle de sur-gravure de la ITO à motifs.
- Si nécessaire, couper les substrats de verre ITO gravées dans la taille de l'appareil.
- Nettoyer les substrats ITO dans un appareil à ultrasons à bain à une séquence de solvants - de l'eau déminéralisée, de l'acétone, le toluène, le méthanol, l'alcool isopropylique et enfin.
2. VPO sous-cellule de fabrication
- Préparer P3HT: PC 61 BM solution.
REMARQUE: Pour obtenir des résultats plus cohérents, préparer les solutions dans un environnement d'azote. Il est possible de suivre la procédure suivante dans les conditions ambiantes.- Trouvez et notez la masse de deux propres, ~ 4 ml flacon en verre et leurs chapeaux, et les marquer avec un marqueur permanent pour les distinguer des autres.
- Dans une boîte à gants de l'azote ou de l'argon, transférer environ 10 mg de poly (3-hexylthiophène-2,5-diyle) (P3HT) et à un flacon à environ 10 mg de phényl-C 61 ester méthylique de l'acide butyrique (PC 61 BM) à l'autre.
- Peser à nouveau les fioles de trouver la masse du P3HT et PC 61 BM.
- Transférer les flacons de P3HT et PC 61 BM dans une boîte à gants pour le reste du processus de prise de solution.
- Ajouter une barre d'agitation magnétique dans chaque flacon, puis ajouter assez chlorobenzène à chaque à la création de 45 mg / ml solutions.
- Placer les solutions sur une plaque d'agitation magnétique chaude à 55 ° C pendant environ 2 heures ou jusqu'à ce que les solutés sont complètement dissous.
- Mélanger des volumes égaux de la P3HT et PC 61 BM ensemble des solutions, et de laisser l'agitation de la solution mixte pendant une heure avant de l'utiliser.
- Préparer PTB7: PC 71 BM solution.
- Répétez les étapes 2.1.1 à 2.1.4 avec poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl}) (PTB7) et phényl-7,1-butyrique ester méthylique d'acide (PC 71 BM) au lieu de P3HT et PC61 BM.
- Faire un mélange de 3% en volume 1,8-diiodooctane (DIO) dans le chlorobenzène. Ce mélange est appelé DIO-CB.
- Ajouter une barre d'agitation magnétique dans chaque flacon, puis ajouter assez DIO-CB pour le flacon de PTB7 d'avoir une solution à 12 mg / ml et assez DIO-CB pour le PC 71 BM flacon d'avoir un / ml, solution à 40 mg.
- Que ces solutions remuer sur une plaque chauffante à 70 ° C pendant deux jours.
- Mélanger les solutions dans un rapport en poids de PC à PTB7 BM 71 de 1 à 1,5.
- Laissez le bruit de solution mixte pendant une heure à 70 ° C avant de l'utiliser.
- Filtre poly (3,4-éthylènedioxythiophène): poly (styrène sulfonate) (PEDOT: PSS) à travers un filtre en nylon taille de 0,45 um de pores. Notez que cette procédure utilise P VP AI4083.
- Spin Coat couches actives.
- Placez substrats ITO nettoyés, ITO vers le haut, dans un nettoyeur UV-ozone pendant 5 min.
- Spin-coat 120 pi du PEDOT filtré PSS sur UV-traitée à l'ozone, à motifs ITO- substrat de verres à 3000 rpm pendant 1 min. Ceci devrait vous donner une épaisse couche de 30 nm.
- Recuire le PEDOT: PSS substrats ITO revêtus pendant 5 min à 180 ° C.
- Spin-manteau 70 pi du P3HT mixte: PC 61 BM solution sur PEDOT: PSS enduit ITO substrats à environ 1000 rpm pendant 1 min. Varier la vitesse que nécessaire pour déposer une couche active d'épaisseur 200 nm.
- Recuire le P3HT: PC substrats enduits BM 61 à 170 ° C pendant 5 min. Les résultats peuvent varier de la température de recuit optimal.
- Spin-manteau 70 pi de la PTB7 mixte: PC 71 BM solution sur PEDOT: PSS enduit ITO substrats à environ 700 rpm pendant 1 min. Varier la vitesse que nécessaire pour déposer une couche active d'épaisseur de 100 nm.
- Chargez le PTB7: PC 71 substrats revêtus BM dans un vide poussé (<2 x 10 -6 Torr) chambre à supprimer l'OID résiduelle. En règle générale, les échantillons à partir de la chambre O / N.
3. fabriquer le dispositif Tandem
<ol>- Couper les substrats PTB7 et P3HT en deux pour faire un dispositif de tandem. Un modèle de ITO spécialisé ne nécessiterait pas cette étape. Le motif ITO doit avoir au moins deux électrodes en ITO parallèle étendant d'un bord à un mm de l'autre.
- Préparer d'abord la PTB7 et P3HT substrats recouverts par essuyant polymère et PEDOT des bords de la vitre, et exposer la bande d'ITO qui sera utilisé comme électrode commune comme on le voit dans le premier panneau de la figure 1.
- Laminer l'électrode commune CNT au-dessus des électrodes PTB7 et P3HT. Appliquer un film de SWCNT en plaçant le côté CNT du papier filtre sur l'appareil, en appuyant doucement, puis peler le papier filtre loin. Ceci est illustré dans le deuxième panneau de la figure 1.
- Densifier le CNT électrode sur la surface en appliquant méthoxy-nonafluorobutane (C 4 F 9 OCH 3) (HFE) et en revêtant la CNT avec une petite amount du liquide, puis laisser sécher.
- Essuyer le polymère CNT et au-dessus de l'ITO et le verre qui aura l'électrode de grille, comme indiqué dans le troisième panneau de la figure 1. Retirer tout le polymère à partir de la vitre pour éviter toute fuite de grille avec une lame de rasoir.
- Laminer la porte électrode CNT sur la zone nettoyée des substrats PTB7 et P3HT enrobés. Laminer la MWCNT en tirant à partir du bord de la forêt MWCNT avec une lame de rasoir et laissez reposer la feuille librement entre des tubes capillaires. Passez le dispositif à travers la feuille autonome pour laminer la CNT sur l'appareil. L'électrode de grille doit avoir 3.2 fois le nombre de couches comme indiqué sur l'électrode commune.
- Densifier l'électrode de grille avec HFE.
4. Mesurer l'appareil
- Transférer le dispositif dans la boîte à gants de mesure.
- Effectuer les raccordements électriques.
- Branchez l'alimentation de porte approvisionnement entre l'électrode commune et l'électrode de grille avec la commune sol.
- Raccorder les deux anodes d'ITO à des fils qui sont connectés à un commutateur qui permet de sélectionner une ou l'autre anode ou les anodes.
- Connectez la sortie de l'interrupteur à l'entrée de l'unité de mesure de la source.
- Connectez le sol des AME sourceure unité à l'électrode commune.
- Mesurez les caractéristiques IV de l'appareil en répétant les étapes suivantes pour monter V Gate.
- Porte ensemble V à la valeur suivante, à partir de V = 0 V Porte de V 2 = V porte en incréments de 0,25 V.
- Attendre 5 minutes, ou jusqu'à ce que le courant de grille est stabilisé. Idéalement, le courant de gâchette doit se stabiliser autour de 10 s de nanoampères.
- Réglez le commutateur à deux sous-cellules.
- Ouvrez le volet de la lampe.
- Exécuter une détection de tension sur l'unité de mesure de la source de volt à -1 volt à environ 1 100 incréments ou plus.
- Exécution d'une détection de tension de 1 volt à 1 volt.
- Fermez le volet de la lampe.
- Exécutez de nouveau les balayages de tension.
- Réglez le commutateur de la sous-cellule avant.
- Répétez les étapes 4.3.4 à 4.3.8.
- Réglez le commutateur de la sous-cellule arrière.
- Répétez les étapes 4.3.4 à 4.3.8.
- Calculer les paramètres de l'appareil. <ol>
- Trouver le courant de court-circuit (SC J) de chaque sous-cellule au niveau de chaque porte de V en trouvant le courant produit par le dispositif lorsque la tension aux bornes de la sous-cellule est égal à 0 V.
- Trouver la tension en circuit ouvert (V OC) de chaque sous-cellule au niveau de chaque porte de V en trouvant la tension produite par le dispositif lorsque le courant à travers la sous-cellule est de 0 A.
- Trouver la puissance maximale de la cellule solaire en multipliant chaque valeur de tension à chacune des valeurs de courant et la sélection de la valeur maximale (la plus négative). Cela suppose que l'on mesure photo-courant généré courant négatif.
- Trouver le rendement de conversion de puissance (η) en divisant la puissance maximale de la puissance de lumière d'entrée.
- Trouver le facteur de remplissage (FF) en divisant la puissance maximale par le produit de V et J SC CO.
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Representative Results
Un dispositif de tandem formé de polymères, en particulier les polymères de sensiblement différents largeurs de bande différentes, est d'un intérêt pratique, car ces appareils peuvent absorber la plus large gamme spectrale de la lumière. Dans cette structure de l'appareil, la sous-cellule est la cellule PTB7 arrière et P3HT est la sous-cellule d'entrée. Ceci est destiné à absorber la plus grande quantité de lumière que la sous-cellule P3HT est en grande partie transparente à la lumière de longueur d'onde absorbée par le sous-cellule PTB7. Par souci de clarté, les paramètres de cellules solaires, V OC, J SC, FF, et η sera décoré avec un exposant T, F, ou B en se référant au tandem, avant ou arrière cellule respectivement. Le tableau 1 montre ces abréviations .
Une sélection de courbes courant-tension de l'appareil sont représentés sur la figure 3, et on extrait des paramètres de la cellule solaire à la figure 4. On observe que la sous-cellule de PTB7(Retour) activée à un V porte beaucoup plus faible que la sous-cellule P3HT (avant). La figure 4 montre que la cellule de PTB7 commence à allumer à V Porte = 0,5 V et des pics autour de V Porte = 1,5 V. Le sous avant -cell montre des signes de redressement autour de V Porte = 1,0 V, mais ne tourne pas complètement SUR ci-dessous V Porte = 2,0 V. V T OC et FF T imiter le comportement de la sous-cellule pire, étant légèrement plus élevé que la sous face -Cell V Porte <2,0 V et légèrement plus élevé que la cellule arrière pour V Porte> 2,0 V. J T SC est beaucoup moins que la somme de J F SC et J B SC V Porte <1,5 V, au terme de laquelle le plus courant est assez bonne. η T est inférieur au plus élevé de B F ou η η pour tout V Porte sauf à 1,5 V.
Les pauvres plus de courant et efficiency Pour un faible V porte semble être due à la sous-cellule d'agir avant comme un shunt dans son état OFF. On le voit d'après les courbes hautement linéaires de la cellule avant et le tandem à V Porte = 1,5 V sur la figure 3. À l'inverse, après la PTB7 cellule arrière est dégradé, (à V Porte = 2,25 V), il conserve une caractéristique de diode , comme illustré par la courbe de la figure 3, et donc ne jouent pas un shunt. Il en résulte en outre de J SC, mais OC V T, T FF, et η T sont réduits en raison de la faible OC V B. Bien que le processus tire robustesse de sa simplicité, il ya des variations dues au traitement manuel et les variations de lot à lot de matériel. Cela peut entraîner des changements dans la tour de la tension de ± 0,25 V et une efficacité maximale de ± 0,5%. Cette variation peut être réduite à un processus plus automatisé.
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Figure 1. Processus de conception du dispositif Tandem. Le processus de fabrication et la stratification utilisée dans la construction de l'OPV tandem ionique-dépendants, avec des flèches montrant la séquence. Un schéma de la structure du dispositif final est affiché dans le coin en bas à gauche. Se il vous plaît cliquer ici pour voir une version plus grande de cette figure.
Figure 2. Tandem de bande de l'appareil et le schéma électrique. Le diagramme de bande approximatif du dispositif de tandem est représentée le long de côté le schéma électrique de l'appareil. Les régions ombragées avec des flèches sur les électrodes de la CNT montrent l'évolution de la fonction de travail. Les lignes en trait plein et les éléments de circuit ci-dessous montrent les connexions électriques.jove.com/files/ftp_upload/52380/52380fig1large.jpg "target =" _ blank "> Se il vous plaît cliquer ici pour voir une version plus grande de cette figure.
Figure 3. choisies courbes IV. IV courbes pour une porte de V (1,5 V) dans laquelle le dossier (PTB7) cellule indique son meilleur rendement et une meilleure V Gate (2,25 V), dans laquelle la face avant (P3HT) cellule indique la meilleure performance . «T» et les cercles représentent la courbe de tandem, «F» et les places à l'avant, et «B» et les triangles à l'arrière.
Figure 4. Paramètres de l'appareil. Paramètres solaires cellule extraite de mesures IV de V Porte = 0,5 V à V Porte = 2,25 V. «T» et noirs carrésdésigner la courbe en tandem, «F» et triangles bleus à l'avant, et «B» et les cercles rouges à l'arrière. Les lignes pointillées indiquent les résultats pour descendre tensions balayages du dispositif VPO tandis que les lignes pleines montrent les résultats ascendants.
| VPO Paramètre | Sous-cellule mesurée | |||
| Tandem | Avant | Arrière | ||
| V OC | V T OC | V F OC | V B OC | |
| J SC | J T SC | J F SC | J B SC | |
| FF | FF T | FF F | FF B | |
| η | η T | η F | η B | |
Tableau 1. Abréviations des paramètres. Condensés solaires abréviations des paramètres de cellule. Exposants, T, F, B et indiquent tandem, avant et arrière respectivement.
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Discussion
Les résultats mettent en évidence quelques considérations lors de la conception des cellules solaires tandem parallèle. Notamment, si l'un des sous-cellules est peu performant, les performances du tandem dans négativement affectée. Les résultats montrent qu'il existe deux principaux effets. Si une sous-cellule est court-circuitée, par exemple, montre un comportement ohmique, la FF T ne sera pas plus élevé que la FF de la sous-cellule mauvais. J T SC et V T OC seront également touchés. Tel est le cas lorsque V Gate est faible et la sous-cellule P3HT n'a pas activé.
Inversement, si un sous-cellule possède de bonnes propriétés de diodes, mais faible OC V ou J SC, alors J T SC est à peu près la somme de J F SC et J B SC. Cependant, si il existe une grande différence entre V OC chaque sous-cellule, alors V T OC est à peu près équivalente à la moindre OC V. Cette performance est démontrée when V Gate est élevé et la cellule de PTB7 a désactivé. Le η T peut être un peu plus élevée dans le cas, mais est encore susceptible d'être inférieure à celle de la sous-cellule mieux seul.
La sous-cellule de retour d'allumer plus tôt que la sous-cellule d'entrée était inattendu que les sous-cellules de grille et de part électrodes communes. La fonction de travail de la cathode, et donc le degré d'asymétrie entre l'électrode ITO et la cathode, doivent être identiques. En outre, la sous-cellule arrière montre un OC V supérieure à la sous-cellule avant et doit exiger une plus grande asymétrie de la chaîne par rapport à la fonction de la sous-cellule avant, et donc un plus grand V Porte travailler avant d'allumer.
Compte tenu du niveau HOMO inférieur du polymère PTB7, il est possible que la suppression de l'injection de trous / extraction se produit plus rapidement dans PTB7, et donc le dispositif se met en marche à une limite inférieure V Gate. Autres effets à considérer sont le fait que PTB7 est uncopolymère, qui est un polymère constitué de motifs donneurs et accepteurs alternatif. Cela pourrait avoir un impact sur les dipôles d'interface générés entre le polymère et l'électrode commune CNT.
Le mode opératoire décrit dans ce texte est applicable à des applications qui adhèrent aux contraintes suivantes. Le matériau semi-conducteur actif ne doit pas être soluble ou affectées par les matériaux ioniques. Dans le cas d'émission de lumière ou de dispositifs photovoltaïques, les couches semi-conductrices d'anode et ne doivent pas être opaque dans les mêmes régions spectrales. Compte tenu de ces contraintes, il est possible d'appliquer ces techniques à diodes émettrices de lumière organiques, des transistors à effet de champ organiques, inorganiques et des dispositifs similaires.
En conclusion, un procédé de fabrication d'un dispositif en tandem parallèle qui possède des avantages par rapport aux méthodes de traitement classiques est décrite. Le procédé ne nécessite pas de traitement sous vide, est extensible, peut être effectuée dans les conditions ambiantes,et chaque couche active est fabriquée d'une manière optimale, ce qui réduit la fréquence des courts-circuits et la simplification de traitement. Les principales caractéristiques sont identifiés dans le fonctionnement des tandems VPO parallèles. Alors que les rendements globaux sont un peu bas, d'autres améliorations peuvent être apportées par l'optimisation de couches photosensibles et des électrodes de la CNT. En outre, si la sous-cellule sous tension en même temps, un η T de plus de 3% serait observée.
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Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly-(styrenesulfonate) | Heraeus | Clevios PVP AI 4083 | |
| poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) | Rieke Metals Inc. | P3HT: P200 | |
| phenyl-C61-butyric acid methyl ester | 1- Material | PC61BM | |
| Poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl}) | 1- Material | PTB7 | |
| phenyl-C61-butyric acid methyl ester | Solenne | PC71BM | |
| 1,8-Diiodooctane | Sigma Aldrich | 250295 | |
| Chlorobenzene | Sigma Aldrich | 284513 | |
| Indium Tin Oxide Coated Glass 15 Ohm/SQ | Lumtec | ||
| S1813 | UTD Cleanroom | ||
| MF311 | UTD Cleanroom | ||
| HCl | UTD Cleanroom | ||
| Acetone | Fisher Scientific | A18-20 | |
| Toluene | Fisher Scientific | T323-20 | |
| Methanol | BDH | BDH1135-19L | |
| Isopropanol | Fisher Scientific | A416-20 | |
| CEE Spincoater | Brewer Scientific | http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/tools/CEESpinCoater.htm | |
| Contact Printer | Quintel | Q4000-6 | http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/QuintelPrinter.htm |
| CPK Spin Processor | http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/tools/CPKsolvent.htm | ||
| Spin Coater | Laurell | WS-400-6NPP/LITE |
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Glove Box | M-Braun | Lab Master 130 | |
| Solar Simulator | Thermo Oriel/Newport | ||
| Keithley 2400 SMU | Keithley/Techtronix | 2400 | |
| Keithley 7002 Multiplexer | Keithley/Techtronix | 7002 | |
| Ultrasonic Cleaner | Kendal | HB-S-49HDT | |
| Micropipette | Eppendorf | 200 µl |
References
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