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Artigo de método

Fabricação de um transistor de peça única à base de óxido de índio-estanho dependente de solução que permite biossensoriamento sensível

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DOI:

10.3791/68755

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29 de agosto de 2025

 , 

Autores correspondentes: Toshiya Sakata <sakata@biofet.t.u-tokyo.ac.jp>

Neste artigo

Resumo

Este protocolo descreve a fabricação de um transistor de efeito de campo sensível a íons (ISFET) baseado em óxido de índio-estanho (ITO) de peça única, que pode ser construído como um sensor FET dependente de solução (por exemplo, sensor de pH) usando um processo curto e simples (aproximadamente meio dia). Este ITO-ISFET de peça única também pode ser aplicado a biossensores.

Resumo

Um método simples e rápido para fabricar um transistor de efeito de campo sensível a íons (ISFET) (ITO) baseado em óxido de índio (ITO) de uma peça dependente de solução para biossensoriamento é apresentado neste relatório. Embora o ITO seja um óxido condutor, ele exibe propriedades semicondutoras em uma espessura de camada de depleção de aproximadamente 20 nm ou menos, tornando-o adequado como canal de um ISFET dependente de solução sensível ao pH. Especificamente, gravando a parte central de um único filme fino ITO condutor com uma solução ácida para torná-lo ultrafino, um ITO-ISFET de peça única com um canal semicondutor pode ser fabricado. A fonte, os eletrodos de drenagem e o canal são totalmente integrados sem interfaces. A superfície do canal ITO é então embebida em soluções de amostra com um eletrodo de referência, permitindo que funcione como um ISFET dependente de solução. Assim, o ITO-ISFET de peça única pode ser fabricado de forma simples e rápida usando apenas pulverização catódica seguida de gravação por meio de uma técnica de fotolitografia, com a solução da amostra servindo convenientemente como portão.

Introdução

Um transistor de efeito de campo sensível a íons (ISFET) controlado por solução foi proposto para detectar íons em ambientes biológicos1. Neste dispositivo, uma solução eletrolítica induz o potencial interfacial entre a solução e o isolador da porta em vez de uma porta metálica em um transistor semicondutor de óxido metálico (MOS), embora seja essencial usar um eletrodo de referência na solução. Um isolador de porta é composto principalmente de membranas de óxido ou nitreto, como Ta2O5, Al2O3, SiO2 e Si3N4; portanto, os grupos hidroxila na superfície de óxido ou nitret....

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Protocolo

Os reagentes e os equipamentos utilizados neste estudo estão listados na Tabela de Materiais.

1. Fabricação de ITO-ISFET de peça única (Figura 1A)

  1. Padronização do OFPR-800
    1. Lave o substrato de vidro (12 mm × 24 mm) por sonicação em acetona, metanol e água por 5 min cada. Em seguida, seque o substrato com um soprador de gás N2 e, em seguida, coze-o a 110 °C numa placa quente durante mais de 5 minutos para secar completamente o substrato.
    2. Gire o substrato de vidro com uma camada OFPR-800 a 500 rpm ....

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Resultados

A Figura 2A mostra a mudança na corrente (IDS0) medida durante a gravação. IDS0 permaneceu quase constante em torno de 800 s após o início da gravação. Com mais gravuras, IDS0 começou a diminuir rapidamente. Isso indica que a espessura do filme ITO diminuiu, o que estava se aproximando da espessura da camada de depleção no filme ITO19; Assim, os elétrons como portadores começaram a ser afetados no canal pelo .......

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Discussão

De acordo com o protocolo acima, o ITO-ISFET de peça única pode ser fabricado como um sensor FET dependente de solução (por exemplo, sensor de pH) por meio de um processo curto e simples (aproximadamente meio dia). O ITO exibe propriedades semicondutoras em uma espessura de camada de depleção de aproximadamente 20 nm ou menos, tornando-o adequado como o canal de um ISFET dependente de solução sensível ao pH.

Ao gravar a parte central de um único filme fino ITO.......

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Divulgações

Os autores não têm conflitos de interesse a declarar.

Agradecimentos

Esta pesquisa foi apoiada pelo MERIT, Programa WINGS e pela Universidade de Tóquio.

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Materiais

Lista de materiais utilizados neste artigo
NomeEmpresaNúmero de catálogoComentários
1M HClFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.083-01095
2-propanolFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.166-04831
AcetonaFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.019-00353
Fio AgA Nilaco Corp.AG-401385
ÁgarFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.010-15815
Padrão de solução tampão (solução equimolal padrão de pH de fosfato) pH6,86 (25 graus C)FUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.025-03195
Padrão de solução tampão (solução padrão de pH de ftalato) pH4,01 (25 graus C)FUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.028-03185
Padrão de solução tampão (solução padrão de pH tetraborato) pH9,18 (25 graus C)FUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.028-03205
Fita de carbonoNisshin-EM7321
Analisador eletroquímicoInstrumento BAS618 E
Máscara de filmeFornecedor:UnnoGiken Co., Ltd.sob medida
Placa quenteComo uma corporação.ND-1
MetanolFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.137-01823
Micro vidro de coberturaMatsunami Vidro Ind., Ltd12 vezes; 24 No.5para substrato de vidro
MicropipetaEppendorf SE3123000055
NMD-3Fornecedor:Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.NMD-3
OFPR-800Fornecedor:Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.OFPR-800
Solução-padrão de pH fosfatoFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.166-17445
Máquina de fotolitografiaNeutronix QuintelPhL Q-2001CT
Pottasium ChrolideFUJIFILM Wako Pure Chemicals Corp.163-03545
Analisador de parâmetros de dispositivos semicondutoresVisão de chaveB1500AVersão softwere: rev 5 e 6
Analisador de parâmetros de dispositivos semicondutores Unidades de medida de origemVisão de chaveB1517Apara fonte, dreno e portão   
Dispositivo semicondutor Dispositivo Analisador de Parâmetros Dispositivo Acessório de TesteVisão de chaveB1500A Opt A5F
Siliconce O-ringMasuokaTokyo Co., Ltd.Pág. 5
Revestidor giratórioMIKASA Co., LtdMS-A100
Máquina de pulverização catódicaULVAC Inc.sob medida
SU-8 3005Fornecedor:Nippon Kayaku Co., Ltd.SU8-3005
Desenvolvedor SU-8Fornecedor:Nippon Kayaku Co., Ltd.Desenvolvedor SU-8
Banho ultrassônicoFornecedor:SND Co., Ltd.US-102
Interferômetro de luz brancaCorporação KEYENCE.VK-X3000

Referências

  1. Sakata, T. Biologically coupled gate field-effect transistors meet in vitro diagnostics. ACS Omega. 4 (7), 11852-11862 (2019).
  2. Matsuo, T., Wise, K. D. An integrated field-effect electrode for biopotential recording. IEEE Trans Biomed Eng. BME-21

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Reimpressões e permissões

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