Aqui, apresentamos um protocolo para detecção ultra-baixa de peróxido de hidrogênio baseado no efeito sinérgico de Nernst. Este protocolo abrange a fabricação de poli(3,4-etilenodioxioteno): azul de bromotimol (PEDOT: BTB)/sulfonato de poliestireno (PEDOT: PSS) e microeletrodo de platina (Pt), bem como a determinação do ponto operacional ideal para o sensor H2O2 conforme construído.
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Artigo de método
Detecção de Peróxido de Hidrogênio Ultra-Baixo via Efeito Potencial Nernst Sinérgico em Transistores Eletroquímicos Orgânicos
Neste artigo
Resumo
Resumo
O potencial sinérgico de Nernst baseado em transistores eletroquímicos orgânicos (OECT)—gerado via eletrodo da porta Pt que catalisa o peróxido de hidrogênio (H2O2) e a interação entre moléculas de azul de bromotimol (BTB) e íons de hidrogênio (o subproduto da catálise H2O2)—é aproveitado para a detecção ultra-baixa de H2O2 até 1,8 × 10-12 M, com uma ampla faixa de detecção linear de 10-11 M a 10-3 M. A formação desse potencial é determinada selecionando uma tensão fonte-dreno (VDS) e uma tensão de porta (VG) de −0,6 V como pontos ótimos de operação, e adotando o material de canal semicondutor de camada poli(3,4-etilenooxiquitiofeno):bromotimol azul/poli(3,4-etilenooxitiofeno):p olistireno sulfonato (PEDOT:BTB/PEDOT:PSS) como material semicondutor do canal. Além disso, a verificação relevante é fornecida caracterizando a capacidade de (de)doping das camadas empilhadas usando espectroscopia UV-vis, identificando o ponto operacional ideal por meio de medições eletroquímicas e avaliando o desempenho de detecçãodo sensor H 2O2 baseado em OECT conforme construído usando varredura de tensão constante de estágio único. Por fim, o sensor H2O2 baseado em OECT é fabricado por meio de um processo de fabricação micro-nano, incluindo a preparação de camadas semicondutoras empilhadas por spin-coating e a fabricação de microeletrodos por meio do processo de levantamento e sputtering de magnetron. Essa metodologia pode abrir uma ampla via para a detecção ultra-baixa de analitos por meio de reações catalisadas por enzimas.
Introdução
O peróxido de hidrogênio (H2O2) é um subproduto onipresente de inúmeras reações bioquímicas catalisadas por enzimas, incluindo aquelas mediadas por lactato oxidase, glutamato oxidase e glicoseoxidase 1. Sua presença generalizada em uma ampla gama de processos fisiológicos e patológicos 2,3,4 a torna uma biomolécula crítica para a compreensão dos estados de saúde e doenças humanas. Portanto, a detecção precisa deH2O2 em concentrações ultra-baixas é essencial para obter insights precisos sobre as condições corporais, gerando grande interesse entre os pesquisadores em desenvolver metodologias sensíveis de detecção com baixo limite de detecção (LOD).
Os métodos tradicionais de detecção de H2O2 5,6, como espectroscopia, cromatografia e quimioluminescência, lançaram as bases para a análise quantitativa, mas sofrem de limitações inerentes que dificultam sua ampla aplicabilidade. Essas técnicas normalmente dependem de instrumentação volumosa e cara e exigem expertise profissional especializada, tornando-as impraticáveis para cenários de detecção no local, portáteis ou no ponto de atendimento. Assim, há uma necessidade urgente de tecnologias alternativas de detecção que combinem alta sensibilidade com miniaturização, baixo custo e facilidade de uso.
Com o avanço das micro-nanotecnologias, os transistores eletroquímicos orgânicos (OECTs) emergiram como uma plataforma promissora para aplicações de biossensação, devido às suas vantagens inerentes, incluindo miniaturização, baixa tensão operacional, excelente capacidade de amplificação de sinal e biocompatibilidade 7,8,9. Sensores baseados em OECT têm sido cada vez mais explorados para a detecção de H2O2, com foco principal na modificação de materiais sensíveis a H2O2 em microeletrodos para aumentar a sensibilidade à detecção. Por exemplo, Cicoira et al.10 construíram um sensor H2O2 baseado em OECT, com uma faixa linear de detecção de 5 μM a 103 μM e um baixo LOD de 5 μM quando Pt era usado como material fonte, dreno e comporta. Guo et al.11 fabricaram um OECT sobre um substrato flexível de poliuretano (tereftalato de etileno)(PET) e um suporte transpoço. O dispositivo utilizava um eletrodo de pasta de carbono serigrafiado modificado com nanotubos de carbono e nanopartículas Pt como eletrodo de porta, e PEDOT: PSS como material do canal, exibindo uma faixa linear de detecção de 0,5-100 μM e um LOD de 0,2 μM para H2O 2. Qi et al.12 relataram um OECT polimérico do tipo doador-aceitador (D-A) do tipo monopolar unipolar orgânico misto condutor iônico-eletrônico (OMIEC), que exibiu um alcance linear de detecção de 0,001-100 μM e um LOD de 1 nM paraH2O 2. O sensor H2O2 mencionado alcançou baixo LOD principalmente dependente do potencial de Nernst gerado pelo eletrodo de porta baseado em Pt que catalisa H2O2, que poderia regular o estado eletroquímico (de) de doping da camada do canal para utilizar a excelente capacidade de amplificação do sinal. Assim, estudos anteriores nessa área estabeleceram uma base teórica e experimental sólida para otimizações futuras.
O objetivo central deste estudo é desenvolverum sensor H 2O2 baseado em OECT, altamente controlável e sensível, aproveitando ainda mais o potencial de Nernst, um mecanismo fundamental subjacente ao desempenho dos sensores eletroquímicos. Para alcançar isso, propomos um mecanismo sinérgico de potencialde Nernst 13, que se baseia em uma reação em cascata envolvendo dois componentes principais: eletrodos de porta baseados em PT que eletrocatalisamH2O2, e uma camada de canal semicondutor empilhado (PEDOT: BTB/PEDOT: PSS) que interage com íons de hidrogênio gerados como subproduto deH2O2 catálise. Esse desenho é fundamentado em pesquisas estabelecidas: o azul de bromotimol (BTB), um conhecido indicador químico para ácidos fracos ebases 14, foi integrado com sucesso ao PEDOT (como PEDOT: BTB) na porta OECT ou camada de canal para detecção de pH em estudos anteriores, validando a viabilidade da reação em cascata central em nossa abordagem.
Comparado a métodos alternativos de detecção de H₂O₂ baseados em OECT, nossa estratégia sinérgica de Potencial Nernst oferece vantagens distintas. Diferentemente dos projetos convencionais que dependem exclusivamente da atividade catalítica dos eletrodos de porta baseados em PT para gerar potencial de Nernst, nossa abordagem aprimora a controlabilidade ao acoplar esse processo catalítico com o comportamento responsivo ao pH da camada de canal empilhado. Essa sinergia não só melhora a sensibilidade do sensor, mas também aprimora sua estabilidade e afinabilidade, abordando limitações importantes dos sensores baseados em OECT já existentes. Além disso, essa técnica está alinhada com a tendência mais ampla da biosensação baseada em OECT, que enfatiza a integração de materiais funcionais e mecanismos inovadores de reação para ultrapassar os limites do desempenho da detecção.
No contexto da literatura mais ampla sobre detecção eletroquímica 15,16,17,18,19,20,21, os OECTs tornaram-se uma pedra angular da biosensação portátil devido à sua capacidade de amplificar sinais eletroquímicos fracos, tornando-os ideais para a detecção de analitos de baixa concentração. Nosso trabalho se baseia nessa base ao refinar o mecanismo orientado pelo potencial de Nernst, oferecendo uma nova perspectiva sobre como otimizar o desempenho do OECT para a detecção de H2O2. Para leitores que consideram a aplicabilidade desse método, nosso design é particularmente adequado para cenários que exigem alta sensibilidade, portabilidade e controlabilidade, como diagnósticos no ponto de atendimento, monitoramento in vitro e análise ambiental ou biológica de amostras no local, onde métodos tradicionais são impraticáveis. Ao esclarecer o arcabouço conceitual e as vantagens da nossa abordagem, esta introdução fornece aos leitores o contexto necessário para avaliar se esse método está alinhado com suas necessidades específicas de aplicação.
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Protocolo
1. Fabricação e caracterização de PEDOTE empilhado: BTB/PEDOT: filme semicondutor PSS
- Preparação de amostras
NOTA: Ao preparar o PEDOT: PSS de camada única, faça o Passo 1.1.1. Ao preparar a camada empilhada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS, execute o Passo 1.1.2.- Prepare o PEDOT: PSS de camada única usando revestimento por centrifugação.
- Filtre a solução comercial PEDOT: PSS usando um filtro de 0,45 μm (polietersulfona PES).
- Retire 884 μL de PEDOT filtrado: PSS, 1 μL de ácido dodecilbenzeno sulfônico (DBSA) com 0,1% de peso, 50 μL de 5% de etilenoglicol (EG) e 5 μL de 0,5% de 3-glicoxipropiltrimetoxisilano (GOPS) e misture cuidadosamente para formar uma solução mista (ou seja, PEDOT: precursor PSS).
- Mexa o precursor PEDOT: PSS durante a noite usando um agitador magnético, depois sonice por 5 minutos
- Recubra o PEDOT: filme semicondutor PSS para conectar os eletrodos fonte e dreno usando um Spin Coater a uma velocidade de rotação de 4200 rpm, velocidade acelerada de 200 rpm s-1 e tempo de manutenção de 60 s.
- Asse o filme a 130 °C por 15 minutos em um forno, depois pipete 10 μL de ácido sulfúrico concentrado (H2SO₄) sobre o filme para remover o excesso de PSS.
- Enxágue o filme depois com água desionizada, depois asse a 130 °C por 10 minutos.
- Prepare a camada empilhada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS via eletrodeposição.
- Prepare uma solução contendo 42 μL de 10 mM de 3,4-etilenooxitiofeno (EDOT), 0,02496 g de BTB, 40 mL de solução tampão de fosfato (PBS) de 1 mM, e 0,4044 g de nitrato de potássio (KNO3). Misture e agite por 10 minutos até obter uma solução vermelha.
- PEDOT eletrodepositado: BTB sobre a camada PSS do PEDOT revestido por rotação, utilizando o método de voltametria cíclica (CV) de uma estação de trabalho eletroquímica potenciostática dupla. Faça curto-circuito na fonte (S) e nos eletrodos de drenagem (D) para usá-los como eletrodos de trabalho, use um eletrodo de calomel saturado como eletrodo de referência, um fio Pt como eletrodo contra-elétrico e a solução aquosa mista como eletrólito.
- Aplique um potencial elétrico variando de 0 a 1 V no eletrodo de trabalho a uma taxa de varredura de 0,1 V⋅s-1 por 15 ciclos.
- Limpe o canal eletrodepositado com água desionizada e depois seque em temperatura ambiente.
- Prepare o PEDOT: PSS de camada única usando revestimento por centrifugação.
- Microscópio eletrônico de varredura (SEM), microscópio de força atômica (AFM), espectroscopia ultravioleta-visível (UV-vis) e caracterização eletroquímica.
- Realizar caracterização morfológica dos filmes usando SEM e AFM.
- Deposite os filmes de camada única e empilhada na folha Au, respectivamente, usando o Spin Coater a uma velocidade de rotação de 4200 rpm, velocidade acelerada de 200 rpm s-1 e tempo de manutenção de 60 s.
- Operar o SEM em tensões de aceleração de 1 kV e 3 kV em modo elétron secundário para observar as morfologias de superfície e seção transversal do filme de camada empilhada conforme preparado, respectivamente.
- Meça o filme de camada única (espessura abaixo de 115 nm) usando uma alta ampliação de 40.000 ×. Meça o filme de camada empilhada (espessura total 361 nm) usando altas ampliações de 10.000 × e 40.000 × para elucidar a eletrodeposição do filme de camada empilhada na folha de Au.
- Adote o modo de batimento de um AFM para observar as variações de rugosidade superficial dos filmes de camada única e empilhados.
- Ajuste o alcance de varredura AFM para 5 μm × 5 μm. Registre a morfologia 3D e calcule a rugosidade quadrática média da raiz.
- Caracterize as propriedades fotoeletroquímicas das camadas empilhadas usando espectroscopia UV-vis. Ajuste a faixa de comprimentos de onda de 200 nm a 800 nm, resolução óptica a 0,73 nm, tamanho da fenda a 10 μm, tempo de integração a 11 ms e controle de temperatura a 20–30 °C.
- Faça spin-coat do filme de camada empilhada sobre o óxido de índio-estanho (ITO) a uma velocidade de rotação de 4200 rpm durante 60 s com uma velocidade acelerada de 200 rpm s-1.
- Selecione soluções tampão de pH variando de pH 3 a pH 9 em intervalos de duas ordens de grandeza como eletrólito para a célula espectrofotômetro, e coloque o eletrodo ITO modificado na célula espectrofotômica alinhada com o caminho da luz.
- Use uma bomba de microinjeção para adicionar e remover sucessivamente 2 mL de soluções eletrolíticas com diferentes valores de pH na célula do espectrofotômetro.
- Meça e adquira os espectros de absorção da camada empilhada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS em cada solução de pH.
- Coloque um fio Pt na célula espectrofotômica e conecte o eletrodo de trabalho (WE) da estação eletroquímica potenciostática dupla ao fio Pt. Aplique tensões de +0,6 V e -0,6 V. Conecte o eletrodo de controle (CE) da estação eletroquímica potenciostática dupla ao eletrodo ITO modificado.
- Prepare soluções H2O2 (10-11–10-3 M) em 0,1× PBS com condutividade de 34,39 ± 0,73 mS·cm-1. Coloque o eletrodo ITO modificado na célula do espectrofotômetro.
- Use uma bomba de microinjeção para adicionar e remover sucessivamente 2 mL de soluções eletrolíticas com diferentes concentrações deH2O2 na célula do espectrofotômetro.
- Meça e adquira os espectros de absorção da camada empilhada PEDOT: BTB/PEDOT: PSS em diferentes soluções H2O 2.
- Determine os pontos de operação do portão usando medição eletroquímica.
- Realizar medições CV em 20 mL de soluçõesH2O2 com diferentes concentrações (configuradas em PBS de 0,1×, variando de 10-3 M a 10-11 M em intervalos de duas ordens de grandeza) com a mesma condutividade de 34,39 ± 0,73 mS cm-1.
- Use um fio Pt como eletrodo de trabalho, o filme de camada única modificado na folha de Au como eletrodo contra-elétrico, um eletrodo Ag/AgCl como eletrodo de referência, e soluções H2O2 de diferentes concentrações como eletrólitos, respectivamente.
- Aplique um potencial elétrico variando de -1 a 1 V no eletrodo de trabalho a uma taxa de varredura de 0,1 V⋅s-1.
- Meça a tensão do eletrólito (VE) em 0,1 × PBS (equivalente a 1 mM PBS) sem misturarH2O2.
- Introduzir outro eletrodo Ag/AgCl no sistema OECT original (incluindo fonte, dreno, eletrodo de porta Ag/AgCl e filme semicondutor PEDOT: BTB/ PEDOT: PSS em camada empilhada), e curto-circuitar eletricamente o eletrodo adicional de Ag/AgCl e o eletrodo fonte no sistema OECT original.
- Conecte um oscilógrafo ao eletrodo adicional de Ag/AgCl, aplique uma duração de medição de 2 s e uma frequência de 10 kHz, e meça o VE.
- Meça os espectros de varredura de VE em 0,1 × PBS com diferentes concentrações deH2O2 (variando de 10-11 M a 10-3 M em intervalos de duas ordens de grandeza) com a mesma condutividade de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 sob VG de ±0,6 V e VDS de -0,6 V, respectivamente.
- Adquira o valor médio dos espectros de varredura e use-o como o valor quase equivalente de VE.
- Realizar caracterização morfológica dos filmes usando SEM e AFM.
2. Preparação do sensor H2O2 baseado no processo tradicional de microfabricação de decolagem
- Cultive uma camada isolante deSiO 2 com 500 nm de espessura sobre um substrato tridimensional (3D) de Si (ou seja, camada 3D de óxido de silício), depois realize um tratamento ultrassônico com acetona, álcool e água desionizada por 5 minutos cada, em sequência. Secar sob nitrogênio por 1 minuto.
- Aplicar spin-coat em uma camada de fotorresiste negativo ROL-7133 sobre a camada de óxido de silício usando um Spin Coater (Passo 1: velocidade de rotação 500 rpm, tempo 25 s, aceleração 100 rpm/s; Passo 2: velocidade de rotação 3.000 rpm, tempo 54 s, aceleração 200 rpm/s; Passo 3: velocidade de rotação 4.000 rpm, tempo 6 s, aceleração 1.000 rpm/s).
- Fixe o substrato de óxido de silício revestido com fotorresist na máscara usando fita PET, depois coloque-a sobre uma plataforma de aquecimento a temperatura constante de 110 °C por 90 segundos.
- Coloque a fotomáscara plana na área de litografia da máquina de litografia e realize o padronização fotolitografia sob as seguintes condições litográficas: voltagem da luz 0,65 V, tempo 6,5 s.
- Coloque o substrato de óxido de silício com padronização fotolitografia completa na solução reveladora AZ-400K (solução padrão: água = 1:4) para 60 s de revelação. Após a remoção, limpe bem com água desionizada e depois seque usando gás nitrogênio.
- Faça sputter uma camada de Ti de 20 nm e uma camada de Au de 100 nm sequencialmente na superfície do substrato de óxido de silício usando um instrumento de sputtering magnetron (potência 50 W, vezes 600 s).
- Deixe o substrato de molho em acetona por 10 minutos e depois lave o excesso de fotorresisto.
- Enxágue os chips de microeletrodos preparados com água desionizada por 1 minuto, depois seco com nitrogênio por 1 minuto.
- Projete a geometria do canal entre largura e comprimento 15:1 e um canal curto de 4μm na fotomáscara
- Fita PET padrão (1,2 mm de comprimento, 0,6 mm de largura) usando uma máquina de corte a laser ultravioleta como janela para alinhar a posição do eletrodo de porta.
- Faça sputtering uma camada Pt de 100 nm sequencialmente na superfície do eletrodo de gate usando um instrumento de sputtering magnetron (potência 50 W, tempo 500 s).
- Fita PET padrão (60 μm de comprimento, 15 μm de largura) usando uma máquina de corte a laser ultravioleta como janela para alinhar a posição do canal.
- Faça a camada de spin-coat do canal seguindo os Passos 1.1.1 e 1.1.2.
3. Desempenho de detecçãodo sensor H 2O 2 baseado em OECT com a camada PEDOT EMPILHADA: BTB/PEDOT: camada semicondutora PSS
NOTA: Ao mediro sensor H 2O 2 baseado em OECT sob uma tensão fixa de porta de +0,6 V, faça o Passo 3.1. Ao medir sob uma tensão fixa de porta de -0,6 V, siga o Passo 3.2.
- Meça as variações da corrente de saída (IDS) com diferentes concentrações de H2O2 sob uma tensão fixa de porta de +0,6 V.
- Mergulhe soluções de 20 μL H2O 2 com diferentes concentrações (configuradas em 0,1× PBS, variando de 10-3 M a 10-11 M em intervalos de duas ordens de grandeza) com a mesma condutividade de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 sequencialmente na superfície do canal.
- Conecte os eletrodos de fonte, drenagem e porta do sensorH2O2 a um medidor de fonte de duas portas, respectivamente.
- Aplique VDS de -0,6 V, VG de +0,6 V, um tempo de medição de 40-150 s para adquirir a saída de equilíbrio quase relativo IDS, e uma duração de medição de 10 s em modo de tensão constante de estágio único.
- Enxágue a superfície do canal com água desionizada antes de medir a próxima soluçãoH2O2.
- Adquira o valor do DS em estado estacionário I.
- Meça as variações do IDS com diferentes concentrações deH2O2 sob uma tensão fixa de porta de -0,6 V.
- Mergulho 20 μL de soluções H2O2 com diferentes concentrações (configuradas em 0,1× PBS, variando de 10-3 M a 10-11 M em intervalos de duas ordens de grandeza) com a mesma condutividade de 34,39 ± 0,73 mS cm-1 sequencialmente na superfície do canal.
- Conecte os eletrodos de fonte, drenagem e porta do sensorH2O2 ao medidor de fonte de duas portas, respectivamente.
- Aplique VDS de -0,6 V, VG de -0,6 V, um tempo de medição de 40-150 s para adquirir a saída de equilíbrio quase-relativo IDS, e uma duração de medição de 10 s em modo de tensão constante de estágio único.
- Enxágue a superfície do canal com água desionizada antes de medir a próxima soluçãoH2O2.
- Adquira o valor do DS em estado estacionário I.
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Resultados
Este artigo inicialmente caracteriza o material do canal PEDOT: BTB/PEDOT: PSS em camada empilhada usando espectroscopia SEM, AFM, UV-VIS e medição eletroquímica. Imagens SEM e AFM (Figura 1 e Figura 2) revelam que o filme PEDOT: BTB/PEDOT: PSS, com 241 nm de espessura, apresenta abundantes estruturas granulares, em contraste com a superfície relativamente lisa do filme PEDOT: PSS de camada única de 120 nm de es...
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Discussão
O sucesso do protocolo depende de três etapas críticas interdependentes, cada uma validada por caracterização experimental. Primeiramente, a fabricação do material do canal de camada empilhada (Protocolo 1.1) requer controle preciso sobre o PEDOT: revestimento de spin PSS (4200 rpm por 60 s, seguido de cozedura a 130 °C) e eletrodeposição PEDOT: BTB (onde o canal PEDOT: PSS curto-circuitado serve como eletrodo de trabalho, com potencial elétrico variando de 0 a 1 V a uma...
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Divulgações
Os autores não têm conflitos de interesse a revelar.
Agradecimentos
Essa pesquisa foi apoiada pela Fundação Nacional de Ciências Naturais da China (52175542 e 52203316), Projeto Especial de Cooperação e Intercâmbio em Ciência e Tecnologia da Província de Shanxi (Nº 202304041101032), Programa de Fundo para as Atividades Científicas de Profissionais Selecionados Retornados do Exterior na Província de Shanxi (20240007), Projeto de Pesquisa Apoiado pelo Conselho de Bolsas de Estudo de Shanxi da China (Nº 2024062), Programa Especial de Transformação de Patentes da Província de Shanxi (Nº 202304012). Fundação de Ciências Pós-Doutorais da China (nº 2024M762331), Fundação de Ciências Naturais da Província de Shanxi (nº 20210302123136 e 202103021223068) e a estação de inovação doutoral da Província de Shanxi (Xinzhou) para apoiar essa pesquisa.
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Materiais
| Nome | Empresa | Número de catálogo | Comentários |
|---|---|---|---|
| 10 vezes; Soro Tamponado com Fosfato (PBS) | Lanbolide Trading Co., LTD | P7209 | Pureza: ≥ 99% |
| 3,4-etilenoooxitiofeno (EDOT) | Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., China | E105649-25g | Pureza: ≥ 99% |
| 3-glicidaxipropiltrimetoxisilano (GOPS) | Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., China | G107576 | Pureza: ≥ 97% |
| Desenvolvedor | Suzhou Yancai Weina Technology Co., Ltd. | AZ 400K | |
| Azul de Bromotimol (BTB) | Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTD | B801811-25g | Pureza: ≥ 95% |
| Água desionizada | Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., China | W119424 | 18.2 M cm |
| Microscópio digital | Olympus Corporation do Japão | DSX1000 | Uma observação superficial do canal conforme preparado do OECT |
| Ácido dodecil benzeno sulfônico (DBSA) | Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., China | D106550 | Pureza: ≥ 90% |
| Estação de trabalho eletroquímica potenciostática dupla | Metrohm AG, Suíça | VIONIC | |
| Medidor de Fonte de Duas Portas | Tek Technology Co., LTD | Keithley 2636B | |
| Sputtering de magnetrons de alvo duplo | Shenyang Kejing Automation Equipment Co., LTD | VTC-600-2HD | |
| Etilenoglicol (EG) | Shanghai Aladdin Biochemical Technology Co., Ltd., China | E119700 | Pureza: ≥ 99.8% |
| Peróxido de hidrogênio (H2O2) | Empresa Bioquímica Huize | EL | Pureza: ≥ 35% |
| N-metil1-2-pirrolidona (NMP) | Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd. | 328634 | Pureza: ≥ 99.5% |
| Poli(3,4-etilenooxiquitiofeno): sulfonato de poliestireno (PEDOT: PSS) | Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd. | 739332 | Pureza: ≥ 99.7% |
| Tereftalato de polietileno (PET) | Sigma-Aldrich (Shanghai) Trading Co., Ltd. | GF09063581 | |
| Nitrato de potássio (KNO3) | Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTD | 10017218 | Pureza: ≥ 99.0% |
| Fotorresiste | Suzhou Yancai Micro-Nano Technology Co., LTD | ROL-7133 | |
| Microscópio Eletrônico de Varredura (SEM) | Companhia Carl Zeiss da Alemanha | Gemini Sigma 300 | |
| Revestimento de fiação | Jiangsu Leibo Scientific Instrument Co., LTD | EZ4 | |
| Ácido sulfúrico (H2SO4) | Sinopharm Group Chemical Reagent Co., LTD | 10021608 | 95.0-98.0% |
| Microscopia de Força Atômica (AFM) | Bruker Corporation dos Estados Unidos | Ícone da Dimensão Bruker | |
| Máquina de marcação a laser ultravioleta | Shanghai Cifang Electrical Technology Co., LTD | RD-JW355 | |
| Espectroscopia espectrofotométrica visível ao ultravioleta (UV-vis) | Companhia Ocean Insight dos Estados Unidos | OCEAN-HDX-UV-VIS |
Referências
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