Name: Transferência para a frente induzida por laser para Flip-chip Embalagem de matrizes de solteiro (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-03-20T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 21 s
Description: Aprenda a técnica LIFT para embalagem flip-chip de componentes optoeletrônicos usando transferência induzida por laser. Este método de baixa temperatura oferece solução simples e econômica para interconexões de alta densidade.

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Este trabalho foi realizado no âmbito do projeto "MIRAGE", financiado pela Comissão Europeia no âmbito do programa FP7.

1. assistida-LIFT flip-chip Bonding NOTA: Existem três etapas envolvidas na realização dos conjuntos de chips flip-assistida-lift, a saber-micro-colisão dos substratos, utilizando a técnica LIFT, anexando os chips optoeletrônicos aos substratos colidido com thermo-compressão método de colagem flip-chip e finalmente encapsulamento dos conjuntos ligados. Cada uma dessas etapas é discutido nas seções a seguir: <ol><li> Micro-batendo usando LIFT: <ol><li> Para a preparação dos doadores, depositar uma película fina de material dador para um substrato de suporte transparente ao laser. Para esta experiência, evaporar um filme de espessura 200 nm em metal índio em cima do veículo de substrato de vidro com dimensões: 2 polegadas de diâmetro x 0,05 centímetros de espessura. NOTA: método de preparação Dador depende da fase do material dador de, por exemplo, utilizar pulverização catódica e evaporação para materiais dadores de fase sólida e spin-coating e médico-patins em linha para o dador de fase líquidas. </li><li> Para a preparação do receptor, utilizar substratos de vidro com dimensões de 5 x 5 x 0,07 centímetros 3 como os receptores. Pattern estes substratos com as almofadas de contacto metálicos para ligação do chip de OE e fan-out estruturas usando fotolitografia sondagem. Para esta experiência, padrão de 4 mm de espessura almofadas títulos Ni-Au e fan-out sondagem faixas sobre substratos recipiente de vidro. </li><li> Em seguida, coloque o doador em contato com o receptor e montar o conjunto de doador-receptor em um computador controlado fase de tradução XY. NOTA: Dependendo da fase do material dador (por exemplo, sólido (índio) ou líquido (tinta / pasta)) e a sua espessura, o dador e o receptor são os substratos colocados em uma separação óptima, que pode ser facilmente controlado (por exemplo, pela usando espaçadores metálicos). </li><li> Concentre-se o feixe de laser incidente na interface carrier-doador empregando uma lente objetiva de 160 milímetros de comprimento focal e digitalizar o feixe (20 um tamanho spot) em todo o substrat doadore para a transferência de micro-solavancos doadores no receptor bond-pads. Use uma fonte de laser de picossegundos de 355 nm de comprimento de onda e 12 de duração do pulso psec para levantar solavancos índio no receptor obrigacionistas-pads em uma fluência de 270 mJ / cm 2. Nota: As propriedades do laser, como a energia, não. de impulsos, a altura da lente da objectiva, as coordenadas da localização precisa sobre o substrato receptor para os micro-saliências impressão doadores e o padrão desejado para ser transferido com precisão são controlados por um programa de computador. Parâmetros experimentais-chave (por exemplo, a transferência de fluência) precisam ser otimizado em caso de utilização de outra fonte laser. </li><li> Para solavancos mais espessas mover o dador para um local fresco e repita o passo 1.1.4 várias vezes. Por exemplo, repita o passo 1.1.4 seis vezes para obter uma pilha de 6 solavancos índio impressos em cima uns dos outros para esta experiência. A final levantada solavancos têm uma altura média de ~ 1,5 mm e um diâmetro de 20 mm (Figura 2). NOTA: Para estas experimentos o perfil da superfície e da espessura dos solavancos foram medidos utilizando um perfilómetro óptico. Examinou-se que as colisões tinha uma morfologia convexa / cúpula com uma espessura média de 1,5 mm, em média diâmetro colisão (conforme marcado amarelo na Figura 3). A razão para isto é atribuída ao facto de o dador derretido na zona do laser irradiada e, em seguida, transferido o sedimento re-solidificado até alcançar a superfície do receptor (índio tem um baixo ponto de fusão). A vantagem disto é que ela resulta numa boa aderência da colisão impresso para as almofadas de contacto VCSEL. </li></ol></li><li> Chip para substrato de ligação thermo-compressão (Figuras 4-6): <ol><li> Use um bonder flip-chip de semi-automático para a colagem dos chips optoeletrônicos aos substratos batido. </li><li> Coloque o receptor colidido eo chip a ser colada em suas respectivas placas de vácuo do bonder. Coloque o chip em uma posição invertida, ou seja, com a sua área ativa facing para baixo. </li><li> Use uma ferramenta de captação adequados e alinhá-lo no centro do chip. Use uma ferramenta em forma de agulha, como mostrado na Figura 5. Em seguida, escolha o chip utilizando esta ferramenta pick-up. </li><li> Alinhe o chip Bond almofadas com as almofadas de contacto correspondentes no substrato receptor usando um sistema de câmera-alinhamento. </li><li> Uma vez alinhados lugar do chip no substrato. </li><li> Aplicar calor (~ 200 ° C) e pressão (12,5 gf / colisão) simultaneamente para realizar chip para substrato interligações eléctricas e mecânicas. </li></ol></li><li> Encapsulation das assembleias aduaneiros (Figuras 4-6): <ol><li> Dispensar um adesivo opticamente transparente em torno das bordas do conjunto de ligado utilizando uma agulha de seringa. O encapsulamento aumenta a confiabilidade mecânica dos conjuntos ligados. Use um único componente UV adesivo curável como NOA 86 para encapsular os chips ligados. </li><li> Curar o adesivo utilizando uma lâmpada de UV para ~ 30 seg. </li></ol></li></ol> 2. Caracterização dos Bonded Vertical-cavidade Lasers emissores de superfície (VCSELs) NOTA: Após fabrico o próximo passo é avaliar o desempenho electro-óptico dos conjuntos ligados. A luz-corrente-tensão (LIV) curvas dos dispositivos são registrados pós-ligação usando uma estação de sonda. As seguintes etapas estão envolvidas para o ensaio: <ol><li> Coloque o flip-chip dispositivo ligado para um palco transparente feito por encomenda. A fase tem um buraco perfurado no meio para fácil acesso para a luz emitida pelos VCSEL. </li><li> Coloque um fotodetector (PD) sob o palco transparente e alinhar a sua área ativa com o chip ligado usando um microscópio. </li><li> Precisamente posicionar as agulhas de sondagem sobre o Ni-Au almofadas sondagem utilizando um microscópio. </li><li> Injectar-se a 10 mA de corrente e medir a queda de tensão através do VCSEL e a luz emitida por ele utilizar uma unidade de fonte-medidor de corrente / tensão e um medidor de potência respectivamente. </li></ol>

<ol><li>Davis, E., Harding, W., Schwartz, R., Coring, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solid+logic+technology%3A+versatile%2C+high+performance+microelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22IBM+J.+Res.+Develop%22%5BJournal%5D)">Solid logic technology: versatile, high performance microelectronics.</a> IBM J. Res. Develop. 8, 102-114 (1964).</li>
<li>Bigas, M., Cabruja, E., Lozano, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bonding+techniques+for+hybrid+active+pixel+sensors+%28HAPS%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nucl.+Instrum.+Methods+Phys.+Res.+A%22%5BJournal%5D)">Bonding techniques for hybrid active pixel sensors (HAPS).</a> Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 574 (2), 392-400 (2007).</li>
<li>Bohandy, J., Kim, B. F., Adrian, F. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal+deposition+from+a+supported+metal+film+using+an+excimer+laser%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Metal deposition from a supported metal film using an excimer laser.</a> J. Appl. Phys. 60 (4), 1538-1539 (1986).</li>
<li>Kaur, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Shadowgraphic+studies+of+triazene+assisted+laser-induced+forward+transfer+of+ceramic+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Shadowgraphic studies of triazene assisted laser-induced forward transfer of ceramic thin films.</a> J. Appl. Phys. 105 (11), 113119(2009).</li>
<li>Boutopoulos, C., Pandis, C., Giannakopoulos, K., Pissis, P., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer%2Fcarbon+nanotube+composite+patterns+via+laser+induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Physc.+Lett%22%5BJournal%5D)">Polymer/carbon nanotube composite patterns via laser induced forward transfer.</a> Appl. Physc. Lett. 96, 041104(2010).</li>
<li>Xu, J., Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-assisted+forward+transfer+of+multi-spectral+nanocrystal+quantum+dot+emitters%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Laser-assisted forward transfer of multi-spectral nanocrystal quantum dot emitters.</a> Nanotechnology. 18 (2), 025403(2007).</li>
<li>Doraiswamy, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excimer+laser+forward+transfer+of+mammalian+cells+using+a+novel+triazene+absorbing+layer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Excimer laser forward transfer of mammalian cells using a novel triazene absorbing layer.</a> Appl. Surf. Sci. 252 (13), 4743-4747 (2006).</li>
<li>Papazoglou, S., Raptis, Y. S., Chatzandroulis, S., Zergioti, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((I.A+study+on+the+pulsed+laser+printing+of+liquid+phase+exfoliated+graphene+for+organic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+A%22%5BJournal%5D)">I.A study on the pulsed laser printing of liquid phase exfoliated graphene for organic electronics.</a> Appl. Phys. A. , (2014).</li>
<li>Chatzipetrou, M., Tsekenis, G., Tsouti, V., Chatzandroulis, S., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Biosensors+by+means+of+the+laser+induced+forward+transfer+technique%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Biosensors by means of the laser induced forward transfer technique.</a> Appl. Surf. Sci. 278, 250-254 (2013).</li>
<li>Stewart, J. S., Lippert, T., Nagel, M., Nuesch, F., Wokaun, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Red-green-blue+polymer+light-emitting+diode+pixels+printed+by+optimized+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Red-green-blue polymer light-emitting diode pixels printed by optimized laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 100 (20), 203303(2012).</li>
<li>Kaur, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Waveguide+mode+filters+fabricated+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Waveguide mode filters fabricated using laser-induced forward transfer.</a> Opt. Express. 19 (10), 9814-9819 (2011).</li>
<li>Kuznetsov, A. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser+fabrication+of+large-scale+nanoparticle+arrays+for+sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Laser fabrication of large-scale nanoparticle arrays for sensing applications.</a> ACS Nano. 5 (6), 4843-4849 (2011).</li>
<li>Rapp, L., Diallo, A. K., Alloncle, A. P., Videlot-Ackermann, C., Fages, F., Delaporte, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed-laser+printing+of+organic+thin-film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Pulsed-laser printing of organic thin-film transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (17), 171109(2009).</li>
<li>Assembly of optoelectronics for efficient chip-to-waveguide coupling. Bosman, E., Kaur, K. S., Missinne, J., Van Hoe, B., Van Steenberge, G. 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Dec 11-13, , 630-634 (2013).</li>
<li>Kaur, K. S., Missinne, J., Van Steenberge, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flip-chip+bonding+of+vertical-cavity+surface-emitting+lasers+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Flip-chip bonding of vertical-cavity surface-emitting lasers using laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (6), 061102(2014).</li>
<li>Kaur, K. S., al, et <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-induced+forward+transfer+of+focussed+ion+beam+pre-machined+donors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Laser-induced forward transfer of focussed ion beam pre-machined donors.</a> Appl. Surf. Sci. 257 (15), 6650-6653 (2011).</li>
</ol>

Os autores não têm nada a divulgar.

Neste artigo, demonstramos thermo-compressão flip-chip de ligação de chips VCSEL únicos usando uma técnica de gravação direta a laser chamado LIFT. As etapas de fabrico envolvidas montagem impressão das micro-saliências de índio para as almofadas de contacto do substrato, utilizando a técnica de elevador. Isto foi seguido por termo-compressão flip-chip de ligação de fichas VCSEL aos substratos batido e, finalmente, a sua encapsulação. Confiabilidade elétrica, óptica e mecânica dos chips liga...

Induzida por laser Transferência Forward (LIFT) é um direct-escrever método de fabricação aditiva versátil para definição do padrão de etapa única e transferência de material com micron e sub-micron-resolução. Neste artigo, apresentamos o uso de LIFT como uma técnica de bater para embalagem flip-chip vertical-cavidade emissores de superfície lasers (VCSELs) em uma escala de chip. Flip-chip é uma tecnologia-chave na embalagem e integração de componentes eletrônicos e optoeletrônicos (OE) do sistema. A fim de alcançar a integração densa de componentes de ligação passo fino é essencial. Embora passo fino de ligação foi demonstrada por algumas das técnicas padrão, mas há um vazio em termos de combinação, em conjunto as outras características importantes, tais como a flexibilidade, a relação custo-eficácia, rapidez, precisão e baixo da temperatura de processamento. A fim de atender a esses requisitos demonstramos método de ligação assistida-LIFT thermo-compressão para colagem passo fino de componentes OE. Em LIFT, uma película fina de material a ser impresso (referido como o dador) é depositado sobre uma face de um substrato de suporte transparente ao laser (referido como transportador). A figura 1 ilustra o princípio básico desta técnica. Um pulso de laser incidente de intensidade suficiente é então focada na interface transportador-doador que proporciona a força de propulsão necessária para transmitir a transferir o pixel doador da zona irradiada para outro substrato (referido como o receptor) colocado em estreita proximidade. LIFT foi relatada pela primeira vez em 1986 por Bohandy como uma técnica para imprimir linhas de cobre micronizadas para a reparação de danos foto-máscaras 3. Desde a sua primeira demonstração desta técnica tem ganho grande interesse como uma tecnologia de fabricação de micro-nano para padronização de impressão e controlada de uma vasta gama de materiais, tais como cerâmica, nanotubos de carbono 4, 5 QDs 6, as células vivas 7, gráficoene 8, para diversas aplicações, tais como bio-sensores 9, OLEDs 10, componentes optoeletrônicos 11, sensores plasmonic 12, orgânico-electronics 13 e colagem 14,15 virar-chip. LIFT oferece diversas vantagens sobre os Batendo e técnicas de colagem flip-de chips existentes, tais como simplicidade, rapidez, flexibilidade, custo-eficácia, de alta resolução e precisão para embalagem flip-chip componentes OE.

<table><tbody><tr><td>Fonte de laser</td><td>3D MicroMac (3DMM)</td><td>2912-295</td><td></td></tr><tr><td>Fotodetector</td><td>Newport&nbsp;</td><td>818 série</td><td></td></tr><tr><td>Unidade de medição de fonte</td><td>Keithley&nbsp;</td><td>2401</td><td></td></tr><tr><td>Medidor de energia</td><td>Newport&nbsp;</td><td>1930</td><td></td></tr><tr><td>Underfill</td><td>Norlands</td><td>NOA 86</td><td></td></tr><tr><td>Lâmpada UV</td><td>Omnicure</td><td>Series 1000</td> Estação de sonda UV <td></td></tr><tr><td></td><td>Cascade Microtech</td><td>modelo 42</td><td></td></tr><tr><td>Flip-chip bonder</td><td>Dr. Tresky</td><td>T-320 X</td><td></td></tr></tbody></table>

transferência para a frente induzida por laser para flip-chip embalagem de matrizes de solteiro

Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies

Flip-chip embalagem (FC) é uma tecnologia fundamental para a realização de alto desempenho, os circuitos de ultra-miniaturizado e de alta densidade na indústria de micro-eletrônica. Nesta técnica, o chip e / ou o substrato é batido e as duas são ligadas através destas saliências condutoras. Muitas técnicas batendo têm sido desenvolvidos e intensamente investigado desde a introdução da tecnologia de FC, em 1960, 1, como a impressão stencil, parafuso prisioneiro bumping, evaporação e electroless / galvanoplastia 2. Apesar do progresso que estes métodos que efectuou todos eles sofrem de uma ou mais do que um inconvenientes que precisam de ser tratadas, tais como custo, as etapas de processamento complexas, altas temperaturas de processamento, tempo de fabrico e mais importante, a falta de flexibilidade. Neste artigo, demonstramos uma colisão técnica simples e de baixo custo à base de laser formando conhecido como transferência para a frente induzida por laser (LIFT) 3. Usando a técnica ELEVADOR uma vasta gama de materiais de colisão pode be impresso em uma única etapa com grande flexibilidade, alta velocidade e precisão na RT. Além disso, permite que o LIFT bumping e colagem para baixo para chip de escala, o que é fundamental para a fabricação de circuitos ultra-miniatura.

A Figura 7 mostra uma curva típica LIV que foi registada a partir de um dos muitos flip-chip de aparas aglomeradas VCSEL. Um bom jogo entre a potência óptica de medição para o fornecedor citado valores indicados bom funcionamento do dispositivos vinculados pós-ligação. As curvas também foram registados ridade e pós-encapsulação e na comparação, verificou-se que o encapsulante não teve nenhum efeito sobre a funcionalidade do chip (como mostrado na Figura 7). Além disso, uma comparação en...

Nós demonstramos o uso da Transferência (LIFT) técnica Atacante induzida por laser para montagem flip-chip componentes optoeletrônicos. Esta abordagem fornece um, de baixo custo, baixa temperatura simples, solução rápida e flexível para o bem-pitch colidindo e colagem no chip de escala para a realização de circuitos de alta densidade para aplicações optoeletrônicos.

Transferência para a frente induzida por laser para Flip-chip Embalagem de matrizes de solteiro

Flip-chip (FC) packaging is a key technology for realizing high performance, ultra-miniaturized and high-density circuits in the micro-electronics ...

O objetivo geral deste procedimento é demonstrar o uso da técnica de transferência induzida por laser na montagem flip chip de componentes optoeletrônicos. Isso é realizado depositando-se uma fina camada de metal, o doador, sobre um substrato de vidro transparente, o transportador. O segundo passo consiste em padronizar outro substrato de vidro, o receptor, utilizando litografia fotônica com contatos metálicos e estruturas de sondagem sobre as quais os microbumps do doador são transferidos.Em seguida, o doador e o receptor são colocados em contato e um pulso de laser é focalizado na interface do portador do doador. O pulso transfere para a frente o microônibus doador da zona irradiada para os pontos de contato do receptor. O passo final consiste em alinhar um chip optoeletrônico ao substrato do receptor levantado e realizar a soldagem térmica por compressão em configuração flip chip, seguida pela encapsulação do conjunto soldado.No final, os chips optoeletrônicos ligados são caracterizados eletricamente, opticamente e mecanicamente para demonstrar o funcionamento bem-sucedido dos chips ligados com auxílio de elevação. As principais vantagens da técnica de elevação em comparação com os métodos existentes, como impressão por estêncil, evaporação, eletrodeposição e galvanoplastia, são sua simplicidade, velocidade, baixo custo, processo em baixa temperatura e, acima de tudo, a flexibilidade que a maioria dessas técnicas convencionais não oferece.As implicações dessa técnica estendem-se a aplicações que exigem bumping e bonding em nível de chip com alta precisão e passo fino para interconexões de alta densidade. O primeiro passo é preparar os substratos para o experimento. Este vídeo começa com a preparação de substratos de vidro de duas polegadas e de cinco centímetros por cinco centímetros para o doador e o receptor, respectivamente.O substrato doador possui uma camada metálica fina de 200 nanômetros evaporada em sua superfície. O substrato receptor foi padronizado por fotolitografia. O padrão inclui camadas de níquel com quatro micrômetros de espessura, pontos de solda de ouro e estruturas de fanout para sondagem.Uma vez que os substratos estejam prontos, transfira-os para a configuração de transferência para frente induzida por laser ou sistema lift. O sistema lift é composto por um laser de comprimento de onda de 355 nanômetros, com pulso de 12 picossegundos, e uma lente objetiva. Primeiro, o substrato receptor é colocado sobre a mesa de vácuo da plataforma de translação.Em seguida, a posição de impressão no substrato receptor é definida usando um sistema de visão por câmera; posicione o doador sobre o substrato receptor. O doador e o receptor devem estar em contato, com o doador primeiro no trajeto óptico do laser. Utilize o sistema de visão por câmera para ajustar o foco e focalizar o feixe de laser na interface do doador portador.No software de controle do laser, insira o padrão desejado para as protuberâncias de índio a serem transferidas para os pads de ligação do receptor e inicie a varredura. Este é um exemplo dos pads de ligação do receptor após a transferência das protuberâncias. Protuberâncias mais espessas podem ser criadas movendo o doador para uma área nova e repetindo a varredura.Os pontos impressos são inspecionados utilizando o sistema de câmera do software. Após remover o substrato doador da parte superior para prosseguir, recupere o receptor com pontos da plataforma de tradução. Leve um receptor com pontos a um bonder de chip flip semi-automático para que seja ligado a um chip optoeletrônico.Coloque o receptor na placa de vácuo apropriada. Em seguida, obtenha um chip optoeletrônico vixo para ligar ao substrato do receptor com bumps. Abaixo há uma imagem de um chip vixo, com aproximadamente 1000 micrômetros por 350 micrômetros.Carregue o vle em uma placa a vácuo do bonder com sua área ativa voltada para baixo. Agora, inicie o processo de ligação. Primeiro, selecione a ferramenta de coleta em forma de agulha e alinhe-a no centro do chip vle.Retire o chip e utilize o sistema de alinhamento da câmera para alinhar os pads de ligação do chip com os pads de contato correspondentes no substrato receptor. Uma vez que os pads estejam alinhados, posicione o chip sobre o substrato e una os dois aplicando uma força de 12,5 gramas por bump a uma temperatura de cerca de 200 graus Celsius por aproximadamente cinco minutos. Após a conclusão da ligação, utilize uma agulha de seringa para dispensar um adesivo transparente à luz UV ao redor das bordas da montagem.Cure a cola com uma lâmpada UV por cerca de 30 segundos. Em seguida, remova o conjunto para caracterizá-lo. Após a fabricação, o conjunto colado está pronto para avaliação de seu desempenho eletro-óptico. Utilize uma estação de prova para registrar as curvas de corrente-luz-tensão.Equipe a estação com uma platina que tenha um orifício em seu centro para a passagem da luz emitida pelo vle ligado e monte o substrato flip chip sobre ela. Certifique-se de que o vle ligado esteja alinhado ao orifício. Em seguida, posicione um detector de luz sob a platina.Use um microscópio para alinhar sua área ativa com o chip ligado e, em seguida, continue posicionando com precisão as agulhas de prova sobre os contatos de níquel-ouro. Esta é uma imagem de um chip corretamente alinhado com as ponteiras posicionadas para uma medição. Durante as medições, injete até 10 miliampères de corrente e meça a queda de tensão através do vle e a potência da luz emitida.As linhas azul sólida e vermelha tracejada representam dados de medições de corrente-tensão para o chip optoeletrônico antes e após a encapsulação. A curva preta sólida e a curva preta tracejada representam dados da potência óptica emitida pelo chip optoeletrônico antes e após a encapsulação. Esses dados confirmam o funcionamento bem-sucedido do VIX Excels após a ligação e que o ENCAPSULANTE não teve efeito sobre a funcionalidade do chip.Neste gráfico, curvas de corrente-tensão registradas para montagens flip chip unidas usando diferentes pressões são comparadas com aquelas registradas a partir de um die exposto. Isso apoia a conclusão de que há resistência adicional desprezível devido às microbolhas impressas por transferência direta induzida por laser. Os chips de laser de emissão por cavidade vertical em superfície ligados foram submetidos a testes de envelhecimento em uma câmara climática a 85 graus Celsius e 85% de umidade relativa por 400 horas.A resistência média de corrente contínua em vermelho não mostra alteração ao longo do tempo para a potência óptica média, sendo registrada uma variação de menos de 0,3 decibel em azul. Uma vez que você tenha otimizado os parâmetros para impressão por levantamento e ligação térmica por compressão, é possível realizar a embalagem em menos de 10 minutos. Após assistir a este vídeo, você deverá ter uma boa compreensão do uso da técnica de levantamento para embalagem de chips invertidos de componentes crônicos ópticos individuais, que pode ser posteriormente ampliada para nível de pastilha.

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Um protocolo é apresentado para irradiação automatizada de folhas de ouro finas com pulsos laser de alta intensidade. O protocolo inclui uma descrição passo a passo do processo de fabricação de alvos de micromaquinamento e um guia detalhado de como os alvos são trazidos para o foco do laser a uma taxa de 0,2 Hz.

Entrega automatizada de alvos microfabricados para experimentos intensos de irradiação a laser

Este protocolo descreve a fabricação de uma janela de imagem integrada implantável usando impressão a laser 3D. A janela consiste em um sistema de microlentes acopladas a micro-andaimes. O método envolve a polimerização de dois fótons (2PP) do fotorresistente biocompatível SZ2080 em uma sequência contínua, otimizando a eficiência de fabricação e o alinhamento entre os diferentes componentes.

Microfabricação de Óptica Implantável Integrada em uma Janela de Imagem Microestruturada para Imagem In Vivo Avançada

Aprenda a técnica LIFT para embalagem flip-chip de componentes optoeletrônicos usando transferência induzida por laser. Este método de baixa temperatura oferece solução simples e econômica para interconexões de alta densidade.

Transferência para a frente induzida por laser para Flip-chip Embalagem de matrizes de solteiro

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