Crescimento epitaxial de Perovskita titanato de estrôncio em Germânio via deposição de camadas Atomic

O objetivo geral deste procedimento é cultivar óxidos de perovskita cristalinos de alta constante dielétrica em um processo escalável para funcionar como gáxóxidos diretamente no gerânio, uma futura plataforma de microeletrônica. Este método pode responder a perguntas-chave no campo da microeletrônica, ou seja, os óxidos cristalinos que se ligam à interface podem produzir filmes com densidades de armadilha e estados de interface extremamente baixos? A principal vantagem dessa técnica é que ela é fácil de implementar em um ambiente de fabricação e deve ser prontamente extensível a arquiteturas de dispositivos tridimensionais.

Geralmente, os indivíduos novos neste método terão dificuldades devido à falta de minorias no manuseio dos precursores e por terem cronometrado a sequência para produzir etapas para seu hardware específico no reator. Tivemos a ideia para este método pela primeira vez quando os colaboradores agruparam perovskitas diretamente no gerânio usando epitaxia de feixe molecular e pensamos em adaptar seu processo à deposição de camada atômica. A demonstração visual desse método é crítica porque a limpeza da amostra, a etapa de transferência e o tempo precisam ser modificados para outros sistemas, garantindo uma superfície de crescimento limpa e reconstruída.