Name: Recombinação Dynamics em Thin-film materiais fotovoltaicos via Condutividade Microondas resolvida no tempo (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2017-03-06T13:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 30 s
Description: Aprenda a medir dinâmica de recombinação de portadores de carga em materiais fotovoltaicos de película fina usando TRMC sem contato elétrico. Este método permite determinar tempos de vida, mobilidades e densidades de armadilhas em perovskitas.

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O agradecimento é feito ao Conselho Australiano de Pesquisa (LE130100146, DP160103008). O JAG é apoiado por um Prêmio Australiano de Pós-Graduação e o DRM por uma ARC Future Fellowship (FT130100214). Agradecemos a Nikos Kopidakis pelas discussões úteis.

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</ol>

Os autores não têm nada a divulgar.

Embora a técnica TRMC pode oferecer uma riqueza de informações sobre a dinâmica dos transportadores de carga fotoinduzidos, esta é uma medida indireta da condutividade, e, portanto, cuidado deve ser tomado na interpretação dos resultados. A técnica mede TRMC total mobilidade, e não pode ser usado para distinguir entre electrões e mobilidades furo. O pressuposto subjacente que a condutividade é proporcional à mudança na potência refletida detém apenas quando essa mudança é pequena (&lt;5%) 16. Alé...

Flash-fotólise condutividade microondas resolvida no tempo (FP-TRMC) monitora a dinâmica de portadores de carga foto-animado na escala de tempo ns-microsiemens, tornando-o uma ferramenta ideal para a investigação de processos de recombinação transportadora de carga. Compreender os mecanismos de degradação de portadores de carga foto-induzidas em semicondutores de película fina é de uma importância fundamental em uma variedade de aplicações, incluindo a optimização do dispositivo fotovoltaico. As vidas transportadora induzidas são muitas vezes funções de densidade induzida transportadora, comprimento de onda de excitação, a mobilidade, a densidade armadilha e taxa de aprisionamento. Este trabalho demonstra a versatilidade da técnica de tempo resolvido Microondas Condutividade (TRMC) para investigar uma ampla gama de dependências transportadora dinâmicas (intensidade, comprimento de onda, freqüência de microondas) e suas interpretações. cargas fotogeradas pode modificar tanto o real e as partes imaginária da constante dieléctrica de um material, de acordo com a sua mobilidade e Degre<html> e de confinamento / localização 1. A condutividade de um material <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq1.jpg" /> é proporcional à sua constante dieléctrica complexa <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq2.jpg" /> Onde <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq3.jpg" /> é a frequência de um campo elétrico microondas, <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq4.jpg" /> e <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq5.jpg" /> são as partes real e imaginária da constante dieléctrica. Assim, a parte real da condutividade está relacionada com a parte imaginária da constante dieléctrica, e podem ser mapeados para a absorção de micro-ondas, ao passo que a parte imaginária da condutividade (posteriormente referida como a polarização) está relacionada com uma mudança na frequência de ressonância do campo de microondas 1. t &quot;&gt; TRMC oferece várias vantagens em relação a outras técnicas. Por exemplo, as medições de fotocondutividade DC sofrem de uma variedade de complicações decorrentes de contacto do material com os eléctrodos. recombinação reforçada na interface eléctrodo / material, volta de injecção de cargas através dessa interface, bem como uma melhor dissociação de excitons e pares geminados devido à tensão aplicada 2 todos levam a distorções nas mobilidades transportadora medidos e vidas. em contraste, TRMC é uma técnica de eletrodo que mede a mobilidade intrínseca dos portadores sem distorções devido à transferência de carga em toda a contatos . Uma vantagem significativa da utilização de energia de microondas como uma sonda para a dinâmica transportadora é que, assim como monitorar o tempo de vida de decaimento de portadores de carga, mecanismos de degradação / vias também pode ser investigada. TRMC pode ser utilizado para determinar a vida total de mobilidade e 3Time 4 de portadores de carga induzidas. Estes parâmetros podem ser subsequentemente utilizada para distinguir entre os mecanismos de recombinação directas e mediadas por armadilha 3, 5. A dependência destas duas vias separadas de decaimento pode ser quantitativamente analisada como uma função de densidade de portadores 3, 5 e energia de excitação / 5 comprimento de onda. A localização / confinamento de portadores induzidas pode ser investigado, comparando o decaimento da condutividade vs polarizability 5 (imaginário vs parte real da constante dielétrica). Além disso, e talvez mais importante, TRMC pode ser utilizado para caracterizar estados de armadilhas que actuam como vias de decaimento dos transportadores de carga. Armadilhas de superfície, por exemplo, pode ser distinguido de armadilhas em massa, comparando amostras vs passivado unpassivated 6. estados Sub-bandgap podeser directamente investigada utilizando sub-bandgap excitação energias 5. Densidades armadilha pode ser deduzido pelo ajuste dos dados TRMC 7. Devido à versatilidade desta técnica, TRMC foi aplicada ao estudo de uma ampla gama de materiais, incluindo: semicondutores de película fina tradicionais, tais como silício 6, 8 e TiO 2 9, 10, as nanopartículas 11, nanotubos de 1, semicondutores orgânicos 12, misturas de materiais 13, 14 e fotovoltaicos híbrido materiais 3, 4, 5. A fim de obter informação quantitativa usando TRMC, é essencial ser capaz de determinar com precisão o númerode absorção de fótons para um determinado excitação óptica. Desde métodos para quantificar a absorção de filmes finos, nanopartículas, soluções e amostras opacas diferem, a preparação e calibração técnicas de exemplo apresentados aqui são projetados especificamente para as amostras de película fina. No entanto, o protocolo de medição TRMC apresentado é muito geral.

<table><tbody><tr><td>Detergente Hellmanex III</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/sial/z805939?lang=en&region=AU</td><td>Z805939</td><td>Corrosivo e tóxico. Veja SDS.</td></tr><tr><td>Iodeto de chumbo (II) (99%)</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/aldrich/211168?lang=en&region=AU</td><td>211168</td><td>Tóxico. Veja SDS.</td></tr><tr><td>Dimetilformamida anidra (99,8%)</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/sial/227056?lang=en&region=AU</td><td>227056</td><td>Tóxico. Veja SDS.</td></tr><tr><td>Dimetilsulfóxido anidro (99,9%)</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/sial/276855?lang=en&region=AU</td><td>276855</td><td>Tóxico. Veja SDS.</td></tr><tr><td>2-propanol anidro (99,5%)</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/sial/278475?lang=en&region=AU&gclid= COnlgPaw780CFQZvvAod17EA4Q</td><td>278475</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Dyesol www.dyesol.com/products/dsc-materials/perovskite-precursors/methylammonium-iodide.html</td><td>MS101000</td><td>Também vendido pela Sigma Aldrich</td></tr><tr><td>Poli(metacrilato de metila)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>445746</td><td></td></tr><tr><td>Clorobenzeno anidro (99,8%)</td><td>Sigma Aldrich www.sigmaaldrich.com/catalog/product/aldrich/445746?lang=en&region=AU</td><td>284513</td><td>Tóxico. Veja SDS.</td></tr><tr><td>Equipment</td><td>Company</td><td>Model</td><td>Comentários/Descrição</td></tr><tr><td>Espectrofotômetro UV-VIS-NIR</td><td>Perkin-Elmer&nbsp;</td><td>Perfilômetro Lambda 900</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Veeco</td><td>Dektak 150</td><td></td></tr><tr><td>Analisador de Rede Vetorial</td><td>Keysight www.keysight.com/en/pdx-x201927-pn-N9918A/fieldfox-handheld-microwave-analyzer-265-ghz?cc=US&lc=eng</td><td>Fieldfox N9918A</td><td></td></tr><tr><td>Laser de comprimento de onda ajustável</td><td>Opotek www.opotek.com/product/opolette-355</td><td>Opolette 355</td><td></td></tr><tr><td>Filtros de densidade neutra</td><td>Thorlabs www.thorlabs.hk/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=3193</td><td>NUK01</td><td></td></tr><tr><td>Medidor de potência</td><td>Thorlabs www.thorlabs.com/thorproduct.cfm?partnumber=PM100D</td><td>PM100D</td><td></td></tr><tr><td>Sensor de potência</td><td>Thorlabs www.thorlabs.com/thorproduct.cfm?partnumber=S401C</td><td>S401C</td><td></td></tr><tr><td>Cavidade</td><td>Construído sob medida</td><td></td><td>A cavidade usada para este experimento foi projetada e construída internamente.</td></tr></tbody></table>

recombinação dynamics em thin-film materiais fotovoltaicos via condutividade microondas resolvida no tempo

Recombination Dynamics in Thin-film Photovoltaic Materials via Time-resolved Microwave Conductivity

Um método para a investigação dinâmica de recombinação de portadores de carga foto-induzidas em semicondutores de película fina, especificamente em materiais fotovoltaicos perovskitas como halogeneto de organo-chumbo é apresentada. A espessura da película perovskita e coeficiente de absorção são inicialmente caracterizada por perfilometria e espectroscopia de absorção UV-VIS. A calibração de sensibilidade, tanto a potência do laser e da cavidade está descrito em detalhe. Um protocolo para a realização de experiências de flash-fotólise resolvida no tempo Condutividade Microondas (TRMC), um método não-contacto de determinar a condutividade de um material, é apresentada. Um processo para identificar os componentes reais e imaginários do complexo através da realização de condutividade TRMC como uma função da frequência de microondas é dada. dinâmica de portadores de carga são determinadas sob diferentes regimes de excitação (incluindo alimentação e comprimento de onda). Técnicas para distinguir entre processos de deterioração diretos e mediada por armadilha são apresentados e discutidos.Os resultados são modeladas e interpretados com referência a um modelo de cinética geral de portadores de carga fotoinduzida em um semicondutor. As técnicas descritas são aplicáveis ​​a uma ampla gama de materiais, incluindo materiais optoelectrónicos fotovoltaicas orgânicas e inorgânicas, nanopartículas, e realizando / semicondutor filmes finos.

Os resultados representativos aqui apresentados foram obtidos a partir de um CH 250 nm 3 NH 3 PBI 3 amostra de película fina. A dinâmica da condutividade <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq54.jpg" /> pode estar relacionada com a dinâmica dos portadores de carga <img alt="Equação" src="/files/ftp_upload/55232/55232eq55.jpg" /> através da <p class="jove_content" fo:keep-to...

Uma técnica de condutividade de microondas resolvida no tempo para investigar a dinâmica de recombinação direta e mediada por armadilha e determinar as mobilidades de portadoras de semicondutores de filme fino é apresentada aqui.

Recombinação Dynamics em Thin-film materiais fotovoltaicos via Condutividade Microondas resolvida no tempo

A method for investigating recombination dynamics of photo-induced charge carriers in thin film semiconductors, specifically in photovoltaic materials ...

O objetivo geral deste experimento é utilizar a potência de micro-ondas refletida para medir a dinâmica de recombinação de portadores de carga fotoinduzidos em materiais fotovoltaicos de filme fino. Este método é útil no campo da fotovoltaica porque mede o decaimento de portadores de carga fotoinduzidos por meio de estados de armadilha e processos de recombinação banda-a-banda. A principal vantagem desta técnica é que ela não requer contatos elétricos com a amostra.Isso significa que os tempos de vida medidos e as condutividades não são distorcidos pela presença de cátodos. Primeiro, reúna alguns dos elementos necessários para realizar as medições, incluindo uma amostra preparada para medição. Esta amostra de perovskita em filme fino foi caracterizada e seus comprimentos de onda de interesse foram selecionados.Além da amostra, tenha prontos uma cavidade de micro-ondas, um analisador de rede e um laser. A amostra será montada nesta cavidade de micro-ondas personalizada, composta por quatro placas de um quarto de onda parafusadas entre si. Uma abertura acopla micro-ondas à cavidade, e uma porta de fibra no curto-circuito de micro-ondas permite o acesso óptico.Um suporte de amostra de teflon se encaixa na cavidade. Um difusor garante que a luz incidente seja espacialmente uniforme, enquanto um parafuso de ajuste modifica o fator de qualidade da cavidade. O laser é sintonizável ao longo de comprimentos de onda do visível ao infravermelho.Os elementos ópticos menores necessários incluem um acoplador de espelho parabólico desalinhado e filtros de densidade neutra. Com o comprimento de onda do laser no valor desejado, direcione seu feixe a um acoplador desalinhado. Utilize um cartão de feixe para verificar o alinhamento com o eixo óptico do espelho.O ponto deve entrar no acoplador aproximadamente em seu centro. Em seguida, obtenha uma fibra óptica que eventualmente será acoplada à cavidade. Conecte uma extremidade da fibra ao acoplador de fibra.Conecte a outra extremidade a um sensor e medidor de potência. Use baixa potência de laser e comece a monitorar a saída da fibra enquanto ajusta o acoplador de fibra. Ajuste o ângulo inclinado do acoplador na tentativa de maximizar o acoplamento na fibra.Continue monitorando o medidor de potência e pare quando ele registrar a potência máxima. Os ajustes do ângulo de inclinação no acoplador devem ser feitos lentamente, certificando-se de não tocar em nada. Refine o acoplamento aumentando gradualmente a potência do laser e ajustando ainda mais a orientação do acoplador.Para determinar o fator de perda da cavidade, compare a potência do laser que sai da fibra com a potência incidente sobre a amostra. Primeiro, ligue o laser e meça a potência de saída através da fibra. Em seguida, utilize a cavidade para medir a potência na posição da amostra.Como a cavidade é composta por placas de quarto de onda, desmonte-a para acessar a posição da amostra. Quando desmontada, coloque uma máscara do tamanho do suporte na posição da amostra, onde o campo elétrico é máximo. Posicione um sensor de potência atrás da máscara para medir a potência na amostra.Agora conecte a fibra acoplada à cavidade. Meça a potência na posição da amostra para o comprimento de onda escolhido. Em seguida, desconecte a fibra, remova o sensor de potência e a máscara da posição da amostra e remonte a cavidade para prepará-la para os próximos passos.O suporte para amostra é projetado para centralizar a amostra na cavidade. Coloque a amostra sobre o suporte para amostra. Certifique-se de orientar o suporte para amostra de modo que fique voltado para a porta de entrada do laser.Insira o suporte da amostra na cavidade. A calibração da sensibilidade da cavidade requer um analisador de rede e um circulador. Conecte a porta um do analisador de rede à porta de entrada um do circulador.Conecte a porta dois do circulador ao acoplador de micro-ondas da cavidade. Qualquer radiação refletida pela amostra sairá do circulador pela porta três. Conecte também esta porta à porta do analisador de rede.Em seguida, utilize o analisador de rede para realizar uma medida de dois portos S21 da potência refletida. Recentralize a exibição na frequência de ressonância da cavidade vazia, que é de aproximadamente 6,5 gigahertz para esta cavidade. Em seguida, ajuste a largura de faixa de frequência da exibição para um gigahertz.Localize e marque a frequência de ressonância da cavidade carregada e centralize-a. Finalmente, aumente o zoom antes de registrar a curva de ressonância. Agora, inicie o ajuste do fator de qualidade da cavidade.Para fazer isso, ajuste o parafuso de sintonia na cavidade. Observe a curva de ressonância para otimizar o fator de qualidade. Um fator de qualidade ótimo é frequentemente um compromisso entre resolução temporal e precisão da medição.O fator de sensibilidade da cavidade pode ser calculado a partir da curva de ressonância da cavidade carregada. O próximo passo é montar a medida de condutividade micro-ondas resolvida no tempo ou TRMC. Ajuste o laser a um dos comprimentos de onda de interesse e defina a potência de saída no máximo.Em seguida, utilize um sensor de potência para medir a potência do laser transmitida através da fibra. Remova a fibra do sensor de potência e, em seguida, conecte a fibra à entrada óptica da cavidade. Na outra extremidade da cavidade, o analisador de rede e o circulador permanecem conectados como no caso da calibração da sensibilidade da cavidade.O analisador está agora em modo transitório e este esquema deixa claras as novas funções das portas do analisador de rede. A porta um é a fonte de micro-ondas. A porta dois é o detector.A entrada do laser não está no diagrama, e o amplificador no diagrama está embutido no analisador de rede. Uma configuração alternativa popular utiliza um diodo de micro-ondas no osciloscópio como detector. Agora, trabalhe com o analisador de rede.Habilite a detecção transitória definindo a faixa de frequência do analisador de rede como zero. Ajuste a frequência de medição para a frequência de ressonância da cavidade carregada medida anteriormente. Em seguida, configure a fonte de micro-ondas.Defina a frequência da fonte de micro-ondas para a frequência de medição e a potência de saída para zero dBm. Em seguida, configure o laser para acionar o analisador de rede. Conecte a saída de disparo do laser ao analisador de rede.Habilite o disparo externo e encontre o deslocamento do disparo de modo a capturar o aumento do sinal com alguns microssegundos de sinal escuro antes do pulso a laser. Por fim, ajuste a base de tempo do analisador de forma que a cauda transitória seja muito mais longa do que a decaimento inicial. Registre o traçado de condutividade micro-ondas resolvido no tempo resultante.Uma vez conhecidos os parâmetros ideais, utilize-os para automatizar as medidas de condutividade micro-ondas resolvidas no tempo ou TRMC. Para coletar dados sobre a condutividade complexa, repita esta medida em várias frequências de micro-ondas. Selecione a varredura de frequência analisando a curva de ressonância da cavidade e escolhendo várias frequências que abranjam a curva.Use o analisador de rede para definir a frequência de medição na primeira frequência do varrimento. Ajuste a frequência da fonte para a frequência de medição. Utilize os parâmetros de medição ótimos previamente encontrados para obter um traçado TRMC.Esse transitório tem o fundo subtraído. Repita esta medição para cada frequência escolhida. Para obter dados TRMC dependentes da intensidade, comece ajustando o laser para um comprimento de onda de interesse na potência máxima.Remova a fibra da cavidade e meça a potência transmitida através da fibra. Reconecte a fibra à cavidade antes de continuar. Inicie a coleta automatizada de dados inserindo os parâmetros experimentais.Ligue o laser. Obtenha uma média transitória de pelo menos 100 rastreamentos para levar em conta as variações de potência de disparo a disparo do laser. Uma vez obtido isso, desligue o laser.Coloque um filtro de densidade neutra entre duas íris no trajeto do feixe antes de ligar o laser novamente. Repita os passos de medição para esta configuração com diferentes filtros de densidade neutra. Idealmente, as medições serão realizadas com potência abrangendo duas ordens de grandeza.Este gráfico log-log representa um ajuste dos dados de condutividade micro-ondas resolvida no tempo, utilizando um modelo cinético convoluído com uma função de resposta instrumental gaussiana. Por meio de um ajuste, é possível determinar os tempos de vida dos portadores e as densidades de armadilhas, bem como caracterizar os processos de recombinação direta e mediada por armadilhas. Cada traço neste gráfico corresponde a uma condutividade transitória em uma intensidade de excitação entre 10 à 12ª e 10 à 14ª prótons observados por centímetro quadrado.As intensidades foram variadas utilizando filtros de densidade neutra. Os dados de condutividade transitória permitem a extração da dependência da intensidade na mobilidade total dos portadores. O comprimento de onda de excitação para esses dados é de 530 nanômetros.Esses traços representam uma decomposição de um traço de CMRT e as contribuições das componentes real e imaginária da condutividade. Os traços vermelhos mostram dados obtidos na frequência de ressonância da cavidade carregada escura. O traço verde mostra a decadência da parte real da condutividade.O decaimento da polarização está em azul. A cauda do decaimento da polarização em azul é significativamente menor do que a da condutividade em verde. Isso é consistente com o decaimento por meio de estados localizados de armadilhamento.Uma vez dominada, cada medida de TRMC pode ser realizada em poucos minutos. Ao realizar esses experimentos, é importante registrar corretamente todos os ajustes de potência do laser, incluindo a potência na saída da fibra, o comprimento de onda e quaisquer filtros de densidade neutra utilizados. Medidas de fotoluminescência resolvidas no tempo podem ser usadas em conjunto com medições de TRMC para separar as vias diretas de recombinação dos processos combinados de recombinação medidos por meio de TRMC.Essa técnica abriu caminho para explorar processos de recombinação de portadores de carga em uma ampla gama de materiais semicondutores, incluindo sensibilizadores fotovoltaicos em filme fino, nanotubos de carbono e nanopartículas de dióxido de titânio. Não se esqueça de que trabalhar com lasers de alta potência pode ser extremamente perigoso e precauções, como confinar o feixe do laser e usar óculos apropriados, devem sempre ser tomadas.

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Condutividade quantitativa concorrente e Medidas mecânicas de materiais fotovoltaicos orgânicos utilizando AFM

Foram feitos progressos na utilização do spin echo resolveu a dispersão da incidência de pastagem (SERGIS) como uma técnica de dispersão de nêutrons para sondar as escalas de comprimento em amostras irregulares. Cristalitas de [6,6]-fenil-C61-butírico ácido metil ester foram sondados usando a técnica SERGIS e os resultados confirmados por microscopia óptica e de força atômica.

Usando neutron spin echo resolvi a dispersão da incidência de pastagem para investigar materiais orgânicos de células solares

Estruturas desordenadas oferecer novos mecanismos para a formação de bandgaps fotônicos e liberdade sem precedentes em projetos funcionais de defeitos. Para driblar os desafios computacionais de sistemas desordenados, construímos amostras macroscópicas modulares da nova classe de materiais PBG e utilizar microondas para caracterizar suas propriedades fotônicas escala invariante, de uma forma fácil e barata.

Usando microondas e amostras macroscópicas de dielétricos sólidos para estudar as propriedades fotônicas de desordenados fotônicos Bandgap Materiais

O sulfeto de estanho (SnS) é um material candidato a células solares não tóxicas e abundantes na Terra. Aqui, demonstramos o procedimento de fabricação das células solares SnS empregando deposição de camada atômica, que produz 4,36% de eficiência de conversão de energia certificada, e evaporação térmica que rende 3,88%.

Fazendo Record-eficiência SnS Células solares por evaporação térmica e Deposição Camada Atómica

Aqui, apresentamos um protocolo para fabricar células solares orgânicas fina película usando um aplicador die mini-slot e caracterizações estrutura relacionados em-line usando técnicas de síncrotron de dispersão.

Impressão Fabricação de massa Heterojunction células solares e In Situ Morfologia Caracterização

As propriedades ópticas, elétricas e estruturais dos deslocamentos e dos contornos de grão em materiais semicondutores podem ser determinadas por experimentos realizados em um microscópio eletrônico de varredura. A microscopia eletrônica tem sido usada para investigar a catodoluminescência, a corrente induzida por feixe de elétrons e a difração de elétrons retroespalhados.

Caracterização abrangente de Defeitos estendidos em Materiais Semicondutores por um Microscópio Eletrônico de Varredura

É apresentado um protocolo para medir a condutividade elétrica de biofilmes microbianos de vivos sob condições fisiologicamente relevantes.

Caracterizando o transporte de elétrons através de biofilmes vivos

Aqui, apresentamos os protocolos de análises de diferencial-deteção de tempo-resolvido infravermelho vibracional espectroscopia e elétron difração que permitem observações das deformações de estruturas locais ao redor de moléculas de photoexcited em um colunar cristal líquido, dando uma perspectiva atômica, sobre a relação entre a estrutura e a dinâmica deste material fotoativa.

Novas técnicas para observar a dinâmica estrutural de cristais líquidos de Photoresponsive

Dentre os parâmetros físicos importantes em semicondutores, tempo de vida do portador é medido aqui através de um protocolo que emprega o método de decaimento de Fotocondutividade de microondas.

Medições de tempo de vida transportadora em semicondutores através do método de decaimento de Fotocondutividade de microondas

Uma instalação para as medidas atuais induzidas feixe de raio X em linhas luz do síncrotron é descrita. Ele revela o desempenho de nanoescala de células solares e estende o conjunto de técnicas para microscopia de raios-X multimodal. Da fiação à optimização do sinal-à-ruído, mostra-se como executar medidas XBIC do estado---arte em um Microprobe duro do raio X.

Medições de corrente induzida por feixe de raios x para microscopia de raios X multi-modal de células solares

Aprenda a medir dinâmica de recombinação de portadores de carga em materiais fotovoltaicos de película fina usando TRMC sem contato elétrico. Este método permite determinar tempos de vida, mobilidades e densidades de armadilhas em perovskitas.

Recombinação Dynamics em Thin-film materiais fotovoltaicos via Condutividade Microondas resolvida no tempo

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