Name: Prova de conceito para membranas de enprisionamento de gás derivadas do SiO amante da água2/Si/SiO2 Wafers para dessalinização verde (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2020-03-01T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 39 s
Description: Aprenda a fabricar membranas de enprisionamento de gás (GEMs) de sílica usando técnicas de microfabricação de circuitos integrados. Este método demonstra como criar estruturas complexas em wafers de silício para aplicações em dessalinização.

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A H.M. reconhece o financiamento da Universidade King Abdullah de Ciência e Tecnologia bas/1/1070-01-01 e acesso kaust a instalações de laboratório núcleo de nanofabricação.

1. Design
<ol><li>Design 16 matrizes, cada uma composta por 625 círculos (diâmetro, D = 100 μm; pitch, L = 400 μm), juntamente com marcas de alinhamento a serem traduzidas em 4" SiO2(2 μm)/Si(300 μm)/SiO2(2 μm) wafers usando software de design adequado (ver Tabela de Materiais; Figura 3) 38.</li>
</ol><img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig3.jpg">
Figura 3: Desenhos de matrizes circulares. Este padrão de design foi transferido para siO2(2 μm)/Si(300 μm)/SiO2(2 μm) wafers através da fotolitografia. São mostrados (A) toda a bolacha,(B,C) visualizações ampliadas, e (D,E) marcas de alinhamento usadas para o alinhamento manual de costas. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig3alarge.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>
<ol start="2"><li>A transferência apresenta para uma máscara de copo de limão de refrigerante de 5" (CaxHyNazOn) com um revestimento de 50 nm de cromo e película fina de fotoresist (uma fotoresist positiva; veja Tabela de Materiais) através da exposição UV em um sistema de escrita direta (tempo de exposição = 25 ms, defoco = +10).</li>
	<li>Desenvolvimento de máscaras<ol>
<li>Desenvolva a fotoresiste imersando a máscara em 200 mL do desenvolvedor (Tabela de Materiais) por 60 s para expor o cromo por baixo. Lave a máscara com água desionizada (DI).</li>
		<li>Remova o cromo exposto imersando a máscara em um banho de 200 mL de etchant cromado para 90 s. Lave a máscara com água DI.</li>
		<li>Realize uma exposição de inundação UV (ou seja, sem máscara) por 15 s.</li>
		<li>Remova completamente a fotoresista da máscara imersando em um banho de 200 mL de desenvolvedor até que a fotoresista completamente (60-120 s). Limpe a superfície da máscara com água DI e seque usando uma arma de nitrogênio (N2).</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. Limpeza de wafer
<ol><li>Mergulhe o wafer de silício em uma solução de piranha recém-preparada (H2SO4:H2O2 = 3:1 por volume) mantido a uma temperatura de 388 K por 10 min. NOTA: Use equipamentos de proteção personalizados adequados (EPI) enquanto trabalha com solução de piranha no banco molhado.</li>
	<li>Enxágüe o wafer com água DI, dois ciclos em um banco molhado, e seque-o um ambiente N2 em spin mais seco.</li>
</ol>3. Depoimento do HMDS
<ol><li>Exponha o wafer ao vapor de hexametildisilane (HMDS) para melhorar a adesão da fotoresistcom a superfície da sílica (detalhes na Tabela 1).</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td colspan="3">Estágio 1: Desidratação e purga de oxigênio da câmara</td>
		</tr>
<tr>
<td>Passo</td>
			<td>Função</td>
			<td>Tempo (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vácuo (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>Nitrogênio (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>Vácuo (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>4</td>
			<td>Nitrogênio (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>5</td>
			<td>Vácuo (10 Torr)</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>6</td>
			<td>Nitrogênio (760 Torr)</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td colspan="3">Fase 2: Priming</td>
		</tr>
<tr>
<td>Passo</td>
			<td>Função</td>
			<td>Tempo (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vácuo (1 Torr)</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>HMDS (6 Torr)</td>
			<td>5</td>
		</tr>
<tr>
<td colspan="3">Estágio 3: Purgando exaustão prime e retorno à atmosfera (backfill)</td>
		</tr>
<tr>
<td>Passo</td>
			<td>Função</td>
			<td>Tempo (min)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>Vácuo</td>
			<td>1</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>Nitrogênio</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>Vácuo</td>
			<td>2</td>
		</tr>
<tr>
<td>4</td>
			<td>Nitrogênio</td>
			<td>3</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabela 1: detalhes do processo de priming HMDS.
4. Litografia
<ol><li>Transfira o wafer para um aspirador de um coater de giro para girar o casaco da fotoresist. Use a foto resista aZ 5214 como um tom negativo para alcançar uma película uniforme de 1,6 μm de espessura da fotoresist (os parâmetros de revestimento de giro estão listados na Tabela 2). NOTA: O AZ 5214 pode ser usado como um tom positivo ou negativo fotoresista com base no tratamento térmico (ou seja, pré-cozimento e pós-cozimento). Se pré-assado a 110 °C por 2 min, a fotoresist se comporta como um tom positivo, de tal forma que as áreas expostas se dissolvem durante o desenvolvimento. Para o tom negativo, a fotoresist é pré-assada a 105 ° C por 2 min seguido de exposição UV e pós-cozimento a 120 °C por 2 min.<ol>
<li>Asse o wafer revestido de fotoresista a 105 °C em uma placa quente por 2 min. Isso seca e endurece o filme fotoresist, que de outra forma gruda na máscara de vidro e causa problemas de contaminação durante a exposição uv, e também melhora a aderência da fotoresist à superfície da sílica. NOTA: A temperatura pré-assar não deve ser muito alta, pois isso pode causar a destruição parcial de componentes sensíveis à luz da fotoresist, reduzindo sua sensibilidade.</li>
	</ol>
</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td>Passo</td>
			<td>Velocidade (rpm)</td>
			<td>Rampa (rpm/s)</td>
			<td>Tempo (s)</td>
		</tr>
<tr>
<td>1</td>
			<td>800</td>
			<td>1000</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>2</td>
			<td>1500</td>
			<td>1500</td>
			<td>3</td>
		</tr>
<tr>
<td>3</td>
			<td>3000</td>
			<td>3000</td>
			<td>30</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabela 2: Parâmetros para receita de revestimento de giro para obter uma camada de 1,6 μm de fotoresist.
<ol start="2"><li>Exponha o wafer exposição UV (80 mJ/cm2) por 15 s através da máscara cromada usando um sistema de alinhamento de máscaras (EVG 6200) para alcançar o design desejado na fotoresist.</li>
	<li>Asse o wafer realizado a 120 °C em uma placa quente por 2 min. Durante esta etapa, o filme de fotoresist negativa exposto ainda cruza. Como resultado, as partes expostas a UV da fotoresist não são mais solúveis na solução do desenvolvedor, enquanto as áreas não expostas são solúveis.</li>
	<li>Expor ainda mais o wafer luz UV (200 mJ/ cm2) por 15 s em um sistema de cura UV (PRX-2000-20). NOTA: Durante esta etapa, as áreas fotoresiste que não foram previamente expostas (etapa 4.3) são expostas e podem ser posteriormente dissolvidas no desenvolvedor, deixando para trás as estruturas desejadas no wafer. Este passo é tolerante à superexposição porque as características desejadas (no tom negativo) não são mais fotosensíveis após a etapa pós-cozimento.</li>
	<li>Mergulhe o wafer em um banho de 50 mL do az-726 photoresist-developer (em vidro) para 60 s para alcançar o padrão de fotoresist desejado no wafer de silício.</li>
	<li>Posteriormente limpe o wafer usando água DI e seque-o ainda mais com N2.</li>
</ol>5. Sputter
<ol><li>Cromo de sputter no wafer para 200 s para obter uma camada de cromo de 50 nm de espessura. O depoimento é realizado usando um sputter dc tipo magnetron com uma fonte alvo redonda padrão de 2" em um ambiente argônio com os seguintes parâmetros: 400 V, corrente = 1 A, e pressão = 5 mTorr. NOTA: A camada cromada protege a sílica da gravura seca octafluorociclobutano (C4F8).</li>
</ol>6. Photoresist decolagem
<ol><li>Sone o wafer sputtered em um banho de acetona por 5 minutos para levantar a fotoresist (e cromo depositado na fotoresist) do wafer, deixando para trás as características desejadas com uma máscara dura de cromo.</li>
</ol>7. Processamento do outro lado do wafer
<ol><li>Depois de enxaguar o traseiro do wafer com uma quantidade abundante de acetona e etanol, seca com uma arma N2, em seguida, repita os passos 4.1 e 4.2.</li>
</ol>8. Alinhamento manual das costas
<ol><li>Alinham as características desejadas na parte traseira com a parte frontal do wafer usando as marcas de alinhamento no design e o módulo "Alinhamento manual de costas com mira" no alinhador de contato (EVG 6200). NOTA: O alinhamento manual de costas é um passo crucial no protocolo de microfabricação. Assim, os recursos de alinhamento projetados na fotomáscara devem ser usados efetivamente para evitar deslocamento no alinhamento dos poros.</li>
</ol>9. Litografia na parte de trás do wafer
<ol><li>Para o traseiro do wafer, repita as etapas 4.3-4.7, seção 5 e seção 6 para gerar o design necessário com cromo em ambos os lados do wafer. Observe que a parte da superfície coberta com cromo não passa por gravura; assim, pontos em que o cromo está ausente no wafer definem as dentros e saídas do poro.</li>
</ol>10. Gravura
<ol><li>Submeter-se à gravação da camada SiO2 exposta em ambos os lados do wafer por um íon reativo de plasma indutivamente acoplado (ICP) que emprega químicas de fluorina (C4F8) e oxigênio (O2). A duração é de 16 min (parâmetros ICP-RIE listados na Tabela 3) para cada lado.</li>
	<li>Processe o wafer com cinco ciclos de gravura anisotrópica usando o processo Bosch para criar um entalhe na camada de silício. Este processo é caracterizado por um perfil de parede lateral plana usando depoimentos alternados de C4F8 e hexafluoreto de enxofre (SF6). Ao alternar a gravura anisotrópica e a deposição do polímero, o silício se resume diretamente (parâmetros de gravação listados na Tabela 3).</li>
	<li>Mergulhe o wafer em um banho de solução de piranha (H2SO4:H2O2 = 3:1 por volume) mantido a uma temperatura de 388 K por 10 min. Isso remove os polímeros depositados na etapa anisotrópica.</li>
	<li>Para criar o undercut, que rende o perfil de reentrant, submeta-se a uma gravação isotrópica usando uma receita baseada em SF6por uma duração de 165 s (parâmetros de gravação listados na Tabela 3). NOTA: Este passo é realizado em cada lado do wafer.</li>
	<li>Gravura de silício anisotrópico<ol>
<li>Transfira o wafer para deep-ICP-RIE (instrumentos de Oxford) para gravar 150 μm de silício usando 200 ciclos de gravação profunda usando o processo Bosch (parâmetros de gravação estão listados na Tabela 3).</li>
		<li>Repita o passo 10.4.1 com o traseiro do wafer.</li>
		<li>Submeter-se à limpeza de piranha do wafer no banco molhado por 10 min para remover contaminantes poliméricos depositados do processo de gravação, o que garante taxas uniformes de gravação.</li>
		<li>Repita os passos 10.4.1-10.4.3 para perceber através de poros (que podem ser visualizados a olhos nus uma fonte de luz) no wafer tendo entradas e saídas reparticipantes.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Mergulhe o wafer em um banho de 100 ml de etchant cromado por 60 s para remover cromo de ambos os lados do wafer.</li>
</ol><table border="1" fo:keep-together.within-page="1"><tbody>
<tr>
<td rowspan="2">Parâmetro</td>
			<td rowspan="2">Sílica Gravura</td>
			<td colspan="2">Gravura /ciclo de gravação de silício anisotrópico</td>
			<td rowspan="2">Gravura de silício isotrópico</td>
		</tr>
<tr>
<td>Depoimento</td>
			<td>Gravura</td>
		</tr>
<tr>
<td>Energia RF (W)</td>
			<td>100</td>
			<td>5</td>
			<td>30</td>
			<td>20</td>
		</tr>
<tr>
<td>ICP power (W)</td>
			<td>1500</td>
			<td>1300</td>
			<td>1300</td>
			<td>1800</td>
		</tr>
<tr>
<td>Pressão de gravação (mTorr)</td>
			<td>10</td>
			<td>30</td>
			<td>30</td>
			<td>35</td>
		</tr>
<tr>
<td>Temperatura (°C)</td>
			<td>10</td>
			<td>15</td>
			<td>15</td>
			<td>15</td>
		</tr>
<tr>
<td>C4F8 flow (sccm)</td>
			<td>40</td>
			<td>100</td>
			<td>5</td>
			<td>-</td>
		</tr>
<tr>
<td>O2 fluxo (ccm)</td>
			<td>5</td>
			<td>-</td>
			<td>-</td>
			<td>-</td>
		</tr>
<tr>
<td>Fluxo SF6 (ccm)</td>
			<td>-</td>
			<td>5</td>
			<td>100</td>
			<td>110</td>
		</tr>
<tr>
<td>Tempo de gravação (s)</td>
			<td>960</td>
			<td>5</td>
			<td>7</td>
			<td>165</td>
		</tr>
</tbody></table>Tabela 3: Parâmetros para siO2/Si gravura seca.
11. Limpeza final
<ol><li>Após o processo de microfabricação, limpe o wafer com 100 mL de solução de piranha recém-preparada (H2SO4:H2O2 = 3:1 por volume; T = 388 K) em um recipiente de vidro por 10 min, depois mais seca com uma pistola de pressão N2 99% pura.</li>
	<li>Coloque as amostras em uma placa de petri de vidro dentro de um forno a vácuo limpo em T = 323 K até que o ângulo de contato intrínseco da água no SiO2 liso seja estabilizado em φo ◗ 40° (depois de 48 h).</li>
	<li>Armazene as amostras secas obtidas (GEMs de sílica) em um armário N2. NOTA: Todo o fluxo de trabalho de fabricação é retratado na Figura 4.</li>
</ol><img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig4.jpg">
Figura 4: Ilustração esquemática do processo de microfabricação GEM. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig4large.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>

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</ol>

R.D., S.A., e H.M. registraram uma patente internacional, Requerimento Nº. PCT/IB2019/054548.

Este trabalho apresenta o design e a fabricação de sílica-GEMs, as primeiras membranas DCMD derivadas de materiais hidrofílicos. A microfabricação com osistema SiO 2/Si proporciona imensa flexibilidade para criar microtexturas para testar ideias criativas. É claro que o escopo deste trabalho limita-se à prova de conceito para GEMs, pois os wafers SiO 2/Si/SiO2 e os protocolos de microfabricação de salas de limpeza são impraticáveis para membranas de dessalinização.
Deve-se notar que, embora a arquitetura GEMs possa impedir a intrusão da água após a imersão quando o ângulo de contato intrínseco é φo ≥ 40°, essa estratégia falha se a superfície for tornada superhidrofílica. Por exemplo, após a exposição ao plasma de oxigênio, as superfícies de sílica exibem φo ◗ 5°, e esses sílica-GEMs perdem ar que está preso dentro dos poros espontaneamente como bolhas, porque o menisco líquido não está mais preso nas bordas reparticipantes. No entanto, plásticos comuns, como o álcool polivinil (φo ◗ 51°) e poli (tereftalato de etileno)(φo ¥ 72°), devem ser favoráveis a essa abordagem. Assim, os princípios de design aprendidos com sílica-GEMs podem ser dimensionados usando impressão 3D44, fabricação aditiva45, micromachinagem a laser46, e fresagem CNC37, etc.
Em seguida, são discutidos alguns aspectos cruciais da microfabricação de sílica-GEMs, que requerem atenção especial. O alinhamento manual de volta (seção 8) dos recursos deve ser realizado com o máximo de cuidado possível para alcançar poros verticalmente alinhados. As compensações podem resultar em gargantas de poros, e na pior das hipóteses, o desalinhamento pode levar apenas a cavidades de ambos os lados (sem poros). Assim, sugere-se usar marcas de alinhamento em várias escalas, com a menor marca de alinhamento sendo pelo menos quatro vezes menor que o diâmetro dos poros.
Durante a gravação da camada de sílica com C4F8 e O2 (passo 10.1), o uso prévio (ou seja, limpeza) da câmara de reação pode influenciar as taxas de gravação. Isso se deve à presença de contaminantes na câmara de reação, uma ocorrência comum em instalações de usuários compartilhados, como universidades. Assim, recomenda-se que este passo seja realizado primeiro em um wafer falso para garantir que o sistema esteja limpo e estável. Além disso, é aconselhável usar períodos curtos para gravação (por exemplo, não mais do que 5 min enquanto monitora a espessura da camada de sílica usando reflectometria). Por exemplo, se for preciso 16 minutos para remover completamente uma camada SiO2 de 2 μm de um wafer SiO2/Si/SiO2, então o processo de gravação deve ser dividido em quatro etapas que compreendem três ciclos de 5 minutos seguidos de reflectometria, e um passo de gravação de 1 min (opcional), com base nos resultados da refletometria.
Para preservar as características do reentrante da sílica durante o processo Bosch que é usado para gravar a camada de silício (passo 10.4), é crucial que uma máscara dura de cromo seja usada. O processo Bosch implica a deposição de C4F8 para garantir o perfil anilotrópico. No entanto, em longos ciclos de gravação, esta camada pode se tornar muito grossa e difícil de remover. Assim, recomenda-se que o processo Bosch não seja executado por mais de ~200 ciclos, e deve ser seguido pela limpeza de piranha. Também tem sido observado que longos ciclos de gravura profunda também reduzem a espessura da camada de sílica, apesar da presença de uma máscara dura de cromo.
A maioria das ferramentas de gravura seca não consegue alcançar a uniformidade espacial em termos de taxas de gravura. Assim, as características obtidas no centro de um wafer SiO2/Si/SiO2 podem não ser os mesmos que os que estão na fronteira do wafer. Aqui, características de alta qualidade foram realizadas no centro de 4 wafers, e as amostras foram periodicamente observadas um microscópio. No caso de algumas regiões serem gravadas mais do que outras, o wafer deve ser quebrado em pedaços que devem ser gravados separadamente.
Este protocolo de fabricação pode ser aplicado aos wafers SiO2/Si/SiO2 de qualquer espessura; no entanto, uma camada mais grossa significa que um número maior de ciclos de gravura é necessário. Sugere-se usar wafers de silício de espessura <300 μm, desde que isso não comprometa a integridade mecânica do wafer durante o manuseio e caracterização.

À medida que o estresse sobre água/alimentação/energia/recursos ambientais aumenta, são necessárias tecnologias e materiais mais verdes para dessalinização1,2. Nesse contexto, o processo de destilação direta da membrana de contato (DCMD) pode utilizar energia solar-térmica ou resíduo suspiração industrial para dessalinização de água3,4. O DCMD explora membranas repelentes à água para separar fluxos de água do mar quente e água desionizada fria, permitindo apenas vapor de água puro para transportar através do lado quente para frio5,6,7,8,9. As membranas dcmd comerciais exploram quase exclusivamente perfluorocarbonos por causa de sua repellency água, caracterizada pelo ângulo de contato intrínseco da água, φo ◗ 110°10. No entanto, os perfluorocarbonetos são caros, e são danificados a temperaturas elevadas11 e após a limpeza química dura12,13. Sua não biodegradabilidade também levanta preocupações ambientais14. Assim, novos materiais para DCMD foram explorados, por exemplo, polipropileno15, nanotubos de carbono16, e organosilica17, juntamente com variações do processo, por exemplo, aquecimento interfacial18 e fotovoltaico-MD19. No entanto, todos os materiais investigados pelas membranas DCMD até agora foram intrinsecamente repelentes à água, caracterizados por φo ≥ 90° para água).
Aqui, um protocolo é descrito para explorar materiais amantes da água (hidrofílicos) para alcançar a função de membranas DCMD repelentes à água, ou seja, separando a água de ambos os lados, prendendo ar robustamente dentro dos poros da membrana. Para a demonstração de prova de conceito, wafers de silício polidos de dupla lateral com camadas de sílica (2 μm de espessura) em ambos os lados (SiO2/Si/SiO2; 2 μm/300 μm/2 μm, respectivamente) são usados. Processos de microfabricação são aplicados para alcançar membranas de aprisionação de gás (GEMs), que exploram uma arquitetura específica para evitar que líquidos entrem nos poros, independentemente da química superficial.
A inspiração para a arquitetura GEMs originou-se de rabos de primavera (Collembola), hexápodes que habitam o solo cujas cutículas contêm padrões em forma de cogumelo20,21, e patinadores marinhos(Halobates germanus),insetos que vivem no oceano aberto que têm cabelos em forma de cogumelo em seu corpo22,23. A arquitetura superficial, juntamente com ceras naturalmente secretadas, oferece a esses insetos repellência de água "super", caracterizada por ângulos de contato aparentes para a água(φr ≥ 150°)24. Como resultado, em seu estado de descanso, os patinadores marinhos estão essencialmente flutuando no ar na interface do ar-marinho22,25. Se submersos na água, eles instantaneamente prendem uma camada de ar ao redor de seu corpo (também conhecido como plastron), o que facilita a respiração e a flutuação20,23. Inspirados por rabos de mola, Kim e colegas de trabalho mostraram que superfícies de sílica com matrizes de pilares em forma de cogumelo podem repelir gotículas de líquidos com baixas tensões superficiais26. Esta foi uma descoberta notável; embora, verificou-se que a reescrita líquida dessas superfícies poderia ser perdida catastroficamente através de defeitos localizados ou limites27,28. Para resolver esse problema, os pesquisadores microfabricaram superfícies de sílica com cavidades cujos diâmetros nas entradas eram abruptamente menores (ou seja, com uma curva de 90°) do que o resto da cavidade27. Essas características também são conhecidas como bordas "reentrantes", e as cavidades são referidas como "cavidades reentrantes".
Cavidades reentrantes robustamente aprisionam ar no contato com gotas líquidas ou sobre submersão27. O desempenho das cavidades de diferentes formas (circular, quadrado e hexagonal), perfis (reentrante e duplamente reentrantes), e nitidez dos cantos em relação à estabilidade do ar preso ao longo do tempo foi comparado29. Verificou-se que as cavidades de reentrantes circulares são as mais ideais em termos de sua robustez para a armadilha do ar líquidos úmidos e a complexidade associada à fabricação. Além disso, foi demonstrado que materiais intrinsecamente úmidos com cavidades reentrantes podem prender ar após a imersão em líquidos molhados e, assim, alcançar a função de superfícies onifóbicas. Com base nesse corpo de trabalho27,28,29,30 e experiência anterior com DCMD31, decidimos criar membranas que tenham poros com entradas e saídas reparticipantes. Foi imaginado que tal membrana poderia prender ar após a imersão em líquidos úmidos devido à sua microtextura, dando origem à ideia de GEMs.
Considere uma membrana feita a partir de um material hidrofílico composto por simples poros cilíndricos: quando imersa na água, esta membrana absorverá água espontaneamente(Figura 1A,B) atingindo o pleno preenchimento, ou o estado de Wenzel32. Por outro lado, se as entradas e saídas dos poros tiverem perfis reentrantes (por exemplo, "T" em forma), podem impedir que o líquido úmido penetre no ar de poros e armadilhas no interior, levando a Cassie afirma33 (Figura 1C,D). Uma vez que o ar esteja preso dentro do poro, ele evitará ainda mais a intrusão líquida devido à sua compressibilidade e baixa solubilidade na água ao longo do tempo34,35.
Tal sistema passará lentamente de Cassie para o estado de Wenzel, e a cinética desse processo pode ser sintonizada pela forma, tamanho e perfil do poro, pressão de vapor do líquido e solubilidade do ar preso no líquido29,34,36. Pesquisadores foram capazes de perceber geMs usando wafers de silício e folhas de polimemetlatocrilato como os substratos de teste, e aplicações de prova de conceito para DCMD em uma configuração de fluxo cruzado foram demonstrados37. Aqui, é apresentado um protocolo detalhado de microfabricação para a geração de sílica-GEMs, começando com wafers de silício polidos de dois lados com camadas de sílica (2 μm de espessura) em ambos os lados (SiO2/Si/SiO2; 2 μm/300 μm/2 μm, respectivamente). Além disso, a capacidade dos sílica-GEMs de prender ar subaquático é avaliada usando uma célula de pressão personalizada e microscopia confocal.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig1.jpg">
Figura 1: Representação esquemática de uma membrana com simples poros cilíndricos (A,B) e uma com poros reentrantes (C.D). Em contraste com os simples poros cilíndricos, os poros reentrantes tornam-se fortemente mais amplos após entradas/saídas, e é essa descontinuidade (ou as bordas reparticipantes) que impede que os líquidos se intrometam nos poros. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig1large.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>
Em particular, esta seção descreve o protocolo de microfabricação para esculpir matrizes de poros com entradas e tomadas reentrantes usando wafers de silício polidos de dois lados que têm 300 μm de espessura (p-doped, &lt;100&gt; orientação, 4" diâmetro, 2 μm camadas de óxido de espessura térmica em ambos os lados). Isso é referido a partir de agora como SiO2(2 μm)/Si(300 μm)/SiO2(2 μm) (Figura 2).
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig2.jpg">
Figura 2: Flowchart listando passos-chave envolvidos na microfabricação de sílica-GEMs. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig2alarge.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>

<table><tbody><tr><td>Impressora 3D</td><td>BCN3D</td><td>020.180510.3103</td><td>BCN3D Impressora 3D Sigma para impressão de módulo de teste com filamento PLA (ácido polilático).</td></tr><tr><td>Acetona</td><td>BASF</td><td></td><td></td></tr><tr><td>AZ-5214 E fotorresistente</td><td>Merck</td><td></td><td></td></tr><tr><td>AZ-726 MIF desenvolvedor</td><td>Merck</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Chrome Etchant</td><td></td><td>MicroChemicals TechniEtch Cr01</td><td>Para remover o cromo do wafer de silício e mascarar Medidor de</td></tr><tr><td>condutividade</td><td>Hanna</td><td>HI98192</td><td>Para medir a condutividade da água pura durante o teste de vazamento.</td></tr><tr><td>Microscópio confocal</td><td>Zeiss</td><td>ZEISS LSM 710</td><td>Para imagens de fluorescência de água.</td></tr><tr><td>Alinhador de Contato</td><td>EVG</td><td>EVG6200</td><td>Máscara alinhador</td></tr><tr><td>Deep ICP-RIE</td><td>Oxford Instruments</td><td>Sistema Plasmalab100</td><td></td></tr><tr><td>DI água</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Escritor direto</td><td>Heidelberg Instruments</td><td>&micro; PG501 sistema de escrita direta</td><td>Exposição UV</td></tr><tr><td>Corante alimentar</td><td>Kroger</td><td></td><td>Corante alimentar verde para rotular água salgada.</td></tr><tr><td>Placa de Petri de vidro</td><td>VWR</td><td></td><td></td></tr><tr><td>HMDS vapor prime</td><td>Rendimento Sistemas</td><td></td><td></td>de engenharia</tr><tr><td>Placa quente</td><td>Equipamentos rentáveis</td><td>Modelo 1300</td><td></td></tr><tr><td>Peróxido de hidrogénio 30%</td> <td>VWR produtos químicos</td><td></td><td>Para preparar a solução de piranha.</td></tr><tr><td>Software Imaris</td><td></td><td>Bitplane Versão 8</td><td>Imagens de microscopia confocal pós-processo</td></tr><tr><td>Gás</td><td></td><td></td><td></td>nitrogênio</tr><tr><td>Perfilador óptico de superfície</td><td>Zygo</td><td>Zygo newview 7300</td><td></td></tr><tr><td>Photomask</td><td>Nanofilme</td><td></td><td>Máscara de vidro sodo-cal de 5 polegadas</td></tr><tr><td>Profilômetro</td><td>Veeco</td><td>Detak 8</td><td>Profilômetro</td></tr><tr><td>Stylus Sputter reativo</td><td>Equipment Support Company Ltd</td><td></td><td>Gravação</td></tr><tr><td>de íons reativos (RIE)</td> <td>Oxford Instruments</td><td>Plasmalab system100</td><td></td></tr><tr><td>Reflectometer</td><td>Nanometrics Nanospec</td><td>6100</td><td>Para verificar a espessura da camada de óxido restante.</td></tr><tr><td>Rodamina B</td><td>Merck</td><td>81-88-9</td><td>Corante para imagens de menisco aquático sob microscópio confocal.</td></tr><tr><td>SEM stub</td><td>Microscopia Eletrônica Ciências</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SEM-Quanta 3D</td><td>FEI</td><td>Quanta 3D FEG Dual Beam (SEM/FIB)</td><td></td></tr><tr><td>Silicon wafer</td><td>Silicon Valley Microelectronics</td><td></td><td>Dupla face polida, 4" diamater, 300 &micro; m de espessura, 2 &micro; m de espessura camada de óxido, dopada com p, < Orientação 100>.</td></tr><tr><td>Cloreto de sódio</td><td>Merck</td><td>7647-14-5</td><td>Para preparar a solução de NaCl</td></tr><tr><td>Sonicator</td><td>Branson</td><td>1510</td><td></td></tr><tr><td>Spin coater</td><td>Headway Research,Inc.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Secador de centrifugação</td><td>MicroProcess</td><td>Avenger Ultra Pure 6</td><td>Secagem por centrifugação em ambiente de nitrogênio.</td></tr><tr><td>Sputter</td><td>Quorum Technologies</td><td>Q150T S</td><td>Pulverização catódica de irídio para SEM.</td></tr><tr><td>Ácido sulfúrico 96%</td> <td>Technic</td><td>764-93-9</td><td>Para preparar solução de piranha.</td></tr><tr><td>Tanner EDA L-Edit software</td><td>Tanner EDA, Inc.</td><td></td><td>Para projetar pinças de fotomáscara</td></tr><tr><td></td><td>Excelta</td><td></td><td></td></tr><tr><td>UV Cure</td><td>Tamarack Scientific Co. Inc.</td><td>PRX-2000-20</td><td>Para exposição a inundações de wafer e fotomáscara</td></tr><tr><td>Forno a vácuo</td><td>Thermo Scientific</td><td>13-258-13</td><td>Lindberg/Blue M</td></tr><tr><td>Bancada úmida</td><td>JST Manufacturing Inc.</td><td>17391-015-00</td><td>Banco molhado usado para limpeza de piranhas</td></tr></tbody></table>

prova de conceito para membranas de enprisionamento de gás derivadas do sio amante da água2/si/sio2 wafers para dessalinização verde

Proof-of-Concept for Gas-Entrapping Membranes Derived from Water-Loving SiO2/Si/SiO2 Wafers for Green Desalination

A dessalinização através da destilação da membrana de contato direto (DCMD) explora membranas repelentes à água para separar robustamente fluxos de água do mar quente e salgado a partir de água fria e pura, permitindo assim apenas vapor de água puro passar. Para alcançar esse feito, as membranas dCMD comerciais são derivadas ou revestidas com perfluorocarbonos repelentes à água, como politetrafluoroethtileno (PTFE) e difluoreto de polivinilidene (PVDF). No entanto, o uso de perfluorocarbonos está limitado devido ao seu alto custo, não biodegradabilidade e vulnerabilidade a condições operacionais severas. Revelada aqui está uma nova classe de membranas referidas como membranas a gás(GEMs) que podem robustamente prender ar após a imersão na água. Os GEMs alcançam essa função por sua microestrutura em vez de sua composição química. Este trabalho demonstra uma prova de conceito para GEMs usando intrinsecamente molhado SiO2/Si/SiO2 wafers como o sistema modelo; o ângulo de contato da água no SiO2 é φo ◗ 40°. Sílica-GEMs tinha 300 μm de comprimento de poros cilíndricos cujos diâmetros nas regiões de entrada e saída (2 μm-long) eram significativamente menores; essa estrutura geométricamente descontínua, com 90° curvas nas entradas e tomadas, é conhecida como a "microtextura reentrante". O protocolo de microfabricação para sílica-GEMs implica projetar, fotolitografia, sputtering cromado e gravura isotrópica e anisotrópica. Apesar da natureza amorosa da água da sílica, a água não intromete sílica-GEMs na submersão. Na verdade, eles robustamente prendem ar debaixo d'água e mantêm-no intacto mesmo após seis semanas (>106 segundos). Por outro lado, membranas sílicas com poros cilíndricos simples absorvem espontaneamente água (< 1 s). Esses achados destacam o potencial da arquitetura GEMs para processos de separação. Embora a escolha dos wafers SiO 2/Si/SiO2 para GEMs se limite a demonstrar a prova de conceito, espera-se que os protocolos e conceitos aqui apresentados avancem o design racional de GEMs escaláveis usando materiais comuns baratos para dessalinização e além.

Esta seção apresenta o desempenho subaquático de sílica-GEMs microfabricadas usando o protocolo acima mencionado. Os poros desses GEMs estavam verticalmente alinhados, os diâmetros de entrada/saída eram D = 100 μm, a distância centro-a-centro entre os poros (pitch) era De L = 400 μm, a separação entre as bordas reparticipantes e a parede foi w = 18 μm, e o comprimento dos poros foi h = 300 μm (Figura 5). Devido às inhomogeneidades incorridas durante as etapas de gravação e pequeno desalinhamento durante a microfabricação, a porção média dos poros foi um pouco mais estreita em comparação com a porção abaixo das inletas e saídas dos poros, no entanto, não afetou significativamente o fluxo de massa.
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig5.jpg">
Figura 5: Micrografos eletrônicos de varredura de sílica-GEMs. Mostra-se (A) uma visão transversal inclinada de sílica-GEMs,(B) uma visão transversal ampliada de um único poro, e (C,D) vistas ampliadas de bordas reentrantes nas entradas e tomadas de um poro. Os painéis (C) e (D) são reimpressos de Das et al.37. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig5alarge.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>
Imersão sílica-GEMs na água A sílica (SiO2)é hidrofílica, caracterizada pelo ângulo de contato intrínseco das gotas de água sobre ela vapor de água saturada, φo ¥ 40°. Assim, se os poros cilíndricos forem criados em uma folha de sílica, a água os imbie, atingindo o pleno preenchimento, ou o estado de Wenzel32. Para testar isso, foi utilizado um módulo personalizado que pode garantir uma membrana de teste entre um reservatório de água salgada dyed (~0,6 M NaCl com corante alimentar) e água deionizada(T = 293 K e p = 1 atm). Também registra a condutividade elétrica do reservatório de água desionizada em um computador para monitorar o enchimento de poros situ (Figura 6A). Aqui, as membranas sílicas com simples orifícios cilíndricos não foram capazes de impedir a mistura dos dois reservatórios, uma vez que a água se infiltrou instantaneamente como refletida pelo lançamento do corante (Filme Suplementar). Em contraste acentuado, quando os sílicas-GEMs foram testados nas mesmas condições, eles robustamente encurralaram o ar e mantiveram-no intacto por mais de 6 semanas, confirmados por medições de condutividade elétrica (limite de detecção = ± 0,01 μS/cm), após o qual o experimento foi descontinuado (Figura 6B). Esses achados estabelecem que a arquitetura GEMs pode permitir que materiais hidrofílicos aprisionam robustamente ar após a imersão na água. Além disso, foi apresentado um cenário de nível de poros em que a baixa solubilidade do ar encurralado na água e a curvatura da interface ar-água impediram que o menisco líquido se intrometesse ainda mais no pore (Figura 6C).
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig6.jpg">
Figura 6: Testes de robustez de membrana. (A)Esquemática da célula personalizada impressa em 3D para testar a robustez das membranas na separação de água salgada dyed (~0,6 M NaCl com corante alimentar) a partir de água pura deionizada (T = 293 K, p = 1 atm), ao mesmo tempo registrando a condutividade elétrica do reservatório de água DI em um computador. (B) Um terreno semi-loacratémico da condutividade elétrica do reservatório de água DI horas extras quando foram utilizados sílica-GEMs para separar os dois reservatórios. Notavelmente, sílica-GEMs robustamente aprisionaram o ar em cada poro, de tal forma que a água não poderia penetrar nem mesmo um único poro por mais de 6 semanas, evidenciado pelos dados de condutividade elétrica. (C) Esquemática de nível pore, mostrando a interface ar-água em ambas as extremidades. Os painéis (A) e (B) são reimpressos de Das et al.37. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig6alarge.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>
Para obter uma visão mais profunda sobre a fixação e deslocamentos da interface ar-água nas entradas e tomadas de sílica-GEMs debaixo d'água (coluna de ~5 mm), utilizou-se microscopia confocal. É sabido que o laser usado para iluminação em microscopia confocal também aquece o sistema39, o que pode acelerar as transições úmidas. No entanto, a alta resolução espacial pode produzir uma visão útil. Para comparação, também foi investigado o comportamento das superfícies de sílica com cavidades reparticipantes,29,40. Em ambos os cenários, o calor adicional fornecido ao reservatório de água acima aumenta a condensação capilar do vapor de água dentro da microtextura. No caso das cavidades reparticipantes, a condensação do vapor de água deslocou o ar enredado, o que causou a baução da interface ar-água para cima e desestabilizou o sistema (Figura 7A,C). Nessas condições experimentais, a água se intrometeu em todas as cavidades em menos de 2h. Em contraste, os sílicas-GEMs permaneceram livres de abaulamento por um período muito maior, embora a taxa de aquecimento fosse semelhante. Esses resultados foram racionalizados com base na condensação preferencial do vapor de água do reservatório aquecido a laser para a interface ar-água mais fria no lado oposto do poro (Figura 7B,D). No entanto, não foi possível medir a taxa de transferência em massa nesta configuração experimental.
<img alt="Figure 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/60583/60583fig7.jpg">
Figura 7: Interfaces de água aérea. (A)Reconstruções 3D aprimoradas por computador da interface ar-água em entradas de sílica-GEMs debaixo d'água (altura da coluna, z 5 mm; energia laser = 0,6 mW) juntamente com vistas transversais ao longo das linhas pontilhadas brancas (nos lados esquerdo e direito da imagem central). Devido ao aquecimento do laser na parte superior, vapor de água condensado dentro das cavidades, deslocando o ar preso. Isso fez com que o menisco da água do ar se aproça para cima e se tornasse instável. Após 1,5 h, a maioria das cavidades foram intromedidas pela água. (B) Micrografos confocais de sílica-GEMs em condições semelhantes a (A). (C)Esquemática do abaulamento do menisco da água do ar no caso de cavidades reentrantes debaixo d'água. (D)Esquemática para um poro em sílica-GEMs em condições semelhantes. Vapor de água quente se condensa em todos os lugares, mais notavelmente na interface de água do ar mais fria do lado mais longe do laser. Como resultado dessa transferência em massa, há um acúmulo mínimo de pressão no poro. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/60583fig7large.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior deste valor.</a>
Destilação direta da membrana de contato com GEMs Tendo estabelecido que os sílicas-GEMs podem separar robustamente dois reservatórios de água de ambos os lados, uma configuração estática de DCMD foi testada, na qual o lado da alimentação salgada (0,6 M NaCl em T = 333 K) e o lado permeado desionizado(T = 288 K) eram reservatórios estáticos. Embora os sílicas-GEMs impedissem a intrusão da água, não foram observados fluxos mensuráveis. Isso se deve ao fato de que a condutividade térmica do silício (k = 149 W-m-1 K-1)41 são ordens de magnitude superiores às membranas DCMD típicas (ou seja, k &lt; 1 W-m-1-K-1)2. Assim, a configuração experimental com sílica-GEMs sofreu com o que é conhecido como polarização da temperatura, onde o lado quente perde calor para o lado frio, diminuindo o fluxo31.
Pode ser possível reduzir a condutividade térmica do silício através da nanoestruturação42 (por exemplo, para melhorar suas propriedades termelétricas43), mas esses caminhos não foram explorados. Em vez disso, os princípios de design de sílica-GEMs foram traduzidos para folhas de polimemetrio (PMMA)(φo ◗ 70° para água, k = 0,19 W-m-1-K-1)40 para criar PMMA-GEMs37. De fato, o primeiro lote (prova de conceito) de PMMA-GEMs com baixa porosidade (de 0,08) exibiu separação robusta do lado da alimentação e permeou e rendeu um fluxo de 1 L-m2-h-1 acima de 90 h. Assim, é possível traduzir esses estudos baseados em sílica-GEMs para o uso de materiais mais comuns para geração de membranas de menor custo mais verdes e de menor custo para dessalinização.
Filme Suplementar. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/60583/Movie_S1.mp4" target="_blank">Clique aqui para ver este arquivo (Clique certo para baixar).</a>

Apresentado aqui está um protocolo stepwise para a realização de membranas deaprisionação de gás (GEMs) a partir de wafers SiO 2/Si usando tecnologia integrada de microfabricação de circuitos. Quando os sílicas-GEMs estão imersos na água, a intrusão da água é evitada, apesar da composição aquática da sílica.

Prova de conceito para membranas de enprisionamento de gás derivadas do SiO amante da água2/Si/SiO2 Wafers para dessalinização verde

Desalination through direct contact membrane distillation (DCMD) exploits water-repellent membranes to robustly separate counterflowing streams of hot and ...

As membranas de aprisionamento de gás, ou GEMs, podem robustamente prender o ar na imersão em líquidos de molhar. Como resultado, eles alcançam essa função devido à sua estrutura, que pode ser de uso, por exemplo, na dessalinização por destilação de membrana. A fotolitografia nos permitiu criar arquiteturas complexas pendentes em ambos os lados de um wafer de silício resultando em GEMS.Ele forneceu um caminho para fabricar GEMS usando técnicas convencionais de micro-fabricação. As marcas de alinhamento adequadas devem ser colocadas na máscara fotográfica para obter postagens verticalmente alinhadas. Sugerimos o uso de marcas de alinhamento em várias escalas com o menor tamanho de pelo menos quatro vezes o diâmetro do polo.A fabricação de GEMS de sílica envolve padrões de design intrincados e um processo de várias etapas, e isso demonstrará etapas suficientes de micro-fabricação que ajudarão na compreensão do protocolo. Inicie este procedimento com o projeto de matrizes e o desenvolvimento da máscara, conforme descrito no protocolo de texto. Mergulhe o wafer de silício em uma solução de piranha recém-preparada.Mantenha a uma temperatura de 388 Kelvin por 10 minutos. Enxágüe o wafer com água desionizada por dois ciclos em um banco molhado e seque o wafer sob um ambiente de nitrogênio na secadora de spin. Exponha o wafer ao vapor de HMDS para melhorar a adesão do fotoresist com a superfície da sílica.Transfira o wafer para um mandril a vácuo de um reveste de giro para girar o fotoresist. Use o fotoresist AZ 5214 como um tom negativo para alcançar um filme de 1,6 míces de espessura do fotoresist. Asse o wafer revestido de fotoresistista a 105 graus Celsius em um prato quente por dois minutos.Isso seca e endurece o filme fotoresist, que de outra forma gruda na máscara de vidro e causa problemas de contaminação durante a exposição uv. Também melhora a adesão do fotoresist à superfície da sílica. Exponha o wafer sob exposição UV por 15 segundos através da máscara cromada usando um sistema de alinhamento de máscaras para alcançar o design desejado no fotoresist.Em seguida, asse o wafer realizado a 120 graus Celsius em um prato quente por dois minutos. Durante esta etapa, o filme fotoresist negativo exposto mais cruza as ligações. Como resultado, as partes expostas por UV do fotoresist não são mais solúveis na solução do desenvolvedor, enquanto as áreas não expostas são solúveis.Exponha ainda mais o wafer sob luz UV por 15 segundos em um sistema de cura UV. Durante esta etapa, áreas fotoresististas que não foram expostas anteriormente são expostas e podem ser dissolvidas posteriormente no desenvolvedor. Em seguida, mergulhe o wafer em um banho de 50 mL do desenvolvedor fotoresist AZ 726 por 60 segundos para alcançar o padrão fotoresist desejado no wafer de silício.Posteriormente limpe o wafer usando água desionizada, e assopre-a ainda mais com gás nitrogênio. Sputter cromo no wafer por 200 segundos para obter uma camada de cromo de 50 nanômetros de espessura. O depoimento é realizado usando um sputter reativo DC tipo magnetron com uma fonte de destino redonda padrão de duas polegadas em um ambiente de argônio.Sonicar o wafer sputtered em um banho de acetona por cinco minutos para levantar o fotoresist restante do wafer, deixando para trás as características desejadas com uma máscara dura de cromo. Depois de enxaguar a parte de trás do wafer com uma quantidade abundante de acetona e etanol, seque com uma arma de nitrogênio. Em seguida, repita os degraus de revestimento de giro, cozimento e exposição uv na parte de trás do wafer.Para exposição uv, use o alinhamento manual de volta com o módulo de mira no alinhador de contato para alinhar as características desejadas na parte traseira com a parte frontal do wafer usando as marcas de alinhamento na máscara. Para o lado de trás do wafer, continue com o sputter e fotoresist lift off steps para gerar o design necessário com máscara dura de cromo em ambos os lados do wafer. A superfície coberta de cromo não sofre gravura.Assim, as manchas em que o cromo está ausente no wafer definem as entradas e saídas do derramamento. Submeter-se à gravura da camada de dióxido de silício exposta em ambos os lados do wafer por um íon reativo plasmátil indutivo etcher que emprega químicas de flúor e oxigênio. A duração é de 16 minutos para cada lado.Processe o wafer com cinco ciclos de gravura anisotropica usando o processo Bosch para criar um entalhe na camada de silício. Este processo é caracterizado por um perfil de parede lateral plana usando deposições alternadas de gases de hexafluoreto de octafluorocyclobutano e enxofre. Alternando gravura anisotropica e deposição de polímero, as gravuras de silício para baixo.Esta etapa é realizada em cada lado do wafer. Em seguida, mergulhe o wafer em um banho de solução de piranha mantido a uma temperatura de 388 Kelvin por 10 minutos. Isso remove os polímeros depositados na etapa anisotrópica.Para criar o undercut, que produz o perfil reentrante, submetam-se a um etch isotrópico usando uma receita à base de hexafluoreto de enxofre por uma duração de 165 segundos. Esta etapa é realizada em cada lado do wafer. Para realizar gravura de silício anisotrópica, transfira o wafer para um íon plasitivo de plasma indutivo profundo, etc. para gravar 150 mícrons de silício.Realize 200 ciclos de gravação profunda usando o processo Bosch. Repita este passo com o lado de trás do wafer. Agora, passe pela limpeza da piranha do wafer no banco molhado por 10 minutos para remover contaminantes poliméricos depositados do processo de gravação, o que garante taxas uniformes de gravação.Repita estas etapas de gravação e limpeza para realizar através de poros no wafer tendo entradas e tomadas reentrantes. Remova o cromo do wafer imergindo em um banho de 100 mL de etchant cromado por 60 segundos. Após o processo de microfabricação, limpe o wafer com 100 mL de solução de piranha recém-preparada em um recipiente de vidro por 10 minutos.Em seguida, mais secar com uma pistola de pressão de gás nitrogênio 99%. Coloque as amostras em uma placa de vidro Petri dentro de um forno a vácuo limpo em 323 Kelvin até que o ângulo de contato intrínseco da água em dióxido de silício liso seja estabilizado em um ângulo de contato intrínseco igual a 40 graus após 48 horas. Armazene as amostras secas obtidas, que são os GEMs de sílica, em um armário de nitrogênio.Os micrografos eletrônicos de sílica mostram uma visão transversal inclinada, uma visão transversal ampliada de um único poro, e vistas ampliadas das bordas reentrantes nas entradas e saídas do poro. Os poros desses GEMs estavam verticalmente alinhados. O diâmetro da entrada e da tomada foi de 100 mícrons.A distância centro-a-centro entre os poros era de 400 mícrons. A separação entre as bordas reentrantes e a parede dos poros foi de 18 mícrons, e o comprimento dos poros foi de 300 mícrons. Aqui são mostradas reconstruções 3D aprimoradas por computador da interface ar-água nas entradas de GEMs de sílica debaixo d'água.Também são mostradas vistas transversais ao longo das linhas pontilhadas brancas. No caso das cavidades reentrantes, a condensação do vapor de água dentro das cavidades deslocou o ar preso, o que causou saliência da interface ar-água para cima e desestabilizou o sistema. Em contraste, os GEMs de sílica permaneceram livres de saliência por um período muito maior, embora a taxa de aquecimento fosse semelhante.Esses resultados foram racionalizados com base na condensação preferencial do vapor de água do reservatório aquecido a laser na interface ar-água resfriada do outro lado. No entanto, não foi possível medir a taxa de transferência de massa nesta configuração experimental. Evite a remoção de estruturas de reentrada de sílica durante o processo Bosch, é usado para adicionar silício.É muito crucial ter máscara dura de cromo. Esses achados podem desbloquear o potencial de materiais comuns para aplicações que atualmente requerem revestimentos perfluorados, como para redução de arrasto ou para supressão e purificação.

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