В последнее время портативные и носимые электронные устройства стали важным элементом для комфортной жизни в связи с развитием нанотехнологий, в результате чего огромные требования для источника питания в диапазоне мкВт на милливатт. Значительные подходы к источнику питания портативных носимых устройств и были достигнуты возобновляемых источников энергии, в том числе солнечной энергии, тепловой 1,2 3,4 и механической источника 5,6. Пьезоэлектрический nanogenerator интенсивно изучались в качестве одного из возможных кандидатов на уборочной энергии устройства из сред, таких как шелест листа 7, 8 звуковую волну и движение человеческого бытия 9. Основной принцип, лежащий в nanogenerator это соединение между пьезоэлектрическим потенциалом и диэлектрического материала в качестве барьера. Пьезоэлектрический потенциал, создаваемый в деформированном материале вызывает переходный ток, который течет через внешний CIRCПИФ, который уравновешивает потенциал на поверхности раздела между пьезоэлектрическими и диэлектрического материала. Производительность nanogenerator можно было бы улучшить с помощью наноструктуры пьезоэлектрического материала из-за отказоустойчивости при отказоустойчивости при высоких нагрузках и отзывчивость к крошечной деформации 10.
Одномерная наноструктуры оксида цинка является перспективным компонентом для пьезоэлектрических материалов в nanogenerator из-за его привлекательных свойств, например, высокая пьезоэлектричество (26,7 пм / В) 11, оптической прозрачностью 12 и поверхностным синтез с помощью химических процессов 13. Подход гидротермального выращивания хорошо выровненный ZnO наностержней получает большое внимание из-за низкой стоимости, экологически синтеза и потенциала для легкого масштабирования вверх. Кроме того, предварительный нагрев техника гидротермальных легко управляема в экспериментальных условиях, в результате чего во многих видах новых наноструктур, таких, как nanoleaves 14,nanoflowers 15 и нанотрубок 16. Новые наноструктуры позволяют благоприятное воздействие на выполнение электрических и оптоэлектронного устройства, где высокая удельная поверхность материала требует.
В этом протоколе мы опишем экспериментальные процедуры для синтеза более новой наноструктуры (т.е., отдельно стоящая двойной гетероструктуры). Рост ZnO наностержню на границе между графена и полиэтилентерефталата (ПЭТ) подложки приводит к самостоятельной Подъемная наностержней ZnO / графена одного гетероструктуры, получая автономный двойной гетероструктуры. Кроме того, представляется возможным применение этого уникального наноструктуры для электронных устройств и оптоэлектронного свидетельствует изготовления пьезоэлектрического nanogenerator. Корпусная двойной гетероструктурой обеспечивает не только высокую удельную площадь поверхности, но и высокую плотность числа наностержню в данной области. Этот уникальный наноструктуры имеет огромное мощнымМВЛ для применения электрических и опто устройств, таких как датчик давления, иммуно-биосенсора и сенсибилизированных красителем солнечных элементах.