Нанофабрикации Gate определенные GaAs / AlGaAs квантовых точек Боковые
1 ноября 2013 г.
16.3K просмотров
Эта статья представляет собой подробный протокол для изготовления ворот определенных полупроводниковых квантовых точек боковой на арсенид галлия гетероструктур. Эти наноразмерных устройств используются для захвата нескольких электронов для использования в качестве квантовых битов в квантовой обработки информации или для других экспериментов мезоскопическим таких как когерентные измерения проводимости.