Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

8.7K просмотров

Цитируется: 1

11:13 мин.

15 ноября 2013 г.

10.3791/50738-v

15 ноября 2013 г.

8.7K просмотров

Andrew M. Herrero¹ , Paul T. Blanchard¹ , Kris A. Bertness¹

¹Quantum Electronics and Photonics Division, National Institute of Standards and Technology

Методика была разработана, который удаляет Ni / Au контакт металлических пленок от субстрата, чтобы для рассмотрения и определения характеристик контактной / подложки и контакт / NW интерфейсов отдельных устройств GaN нанопроволоки.