Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

Общая цель данной процедуры заключается в том, чтобы обеспечить возможность изучения и определения характеристик контактной подложки и контактных границ раздела нанопроволок для устройств с одним нитридом галлия. Это достигается путем предварительного приготовления суспензии нанопроволоки и диспергирования ее на подложке. Второй шаг заключается в нанесении контактов из никель-золота на нанопроволоку, а затем на колени образца.

Заключительным этапом является удаление анальных контактов с нейзи-золотом с подложки путем приклеивания их к углеродной ленте. В конечном счете, сканирующий электронный микроскоп используется для исследования контактных границ на предмет образования пустот. Этот метод может помочь ответить на вопросы о том, как обрабатывать полупроводниковые нанопроволоки.