Атомно шаблонов, для эпитаксиального роста сложного оксида тонких пленок

Общая цель следующих экспериментов заключается в подготовке анатомически определенных матриц для таксального роста эпитов сложных оксидных тонких пленок. Первым подходом к достижению этой цели является химическая обработка монокристаллического стронция, титаната и DYS. Профессионалы сканируют подложки с датой для получения атомарно гладких одинарных концевых поверхностей.

Второй подход заключается в нанесении слоя нанолистов на произвольные подложки с помощью осаждения Lard Lodge или LB для создания затравочного слоя для последующего роста пленки. Результаты показывают, что пленки epit Taxal могут быть выращены на полученных шаблонах, что можно увидеть с помощью атомно-силовой микроскопии и дифракции обратного рассеяния электронов. При использовании перских оксидных подложек предпочтительна одноповерхностная заделка для получения высококачественных архитектурных пленок.

Основное преимущество использования нанолистов по сравнению с другими существующими методами заключается в том, что относительно дорогие и ограниченные по размеру монокристаллические подложки могут быть заменены практически любым материалом подложки. Сначала погружение в дисперсию. Отсканируйте восемь подложек в стакане, наполненном ацетоном, и поместите его в ультразвуковую ванну на 10 минут Повторив этот шаг с этанолом, используйте азотный пистолет для сушки подложек, сдувая капли этанола с поверхности.

Проверьте поверхность каждой подложки с помощью оптического микроскопа. Удалите остатки частиц, аккуратно потерев подложку о ткань линзы, смоченную этанолом, и высушите образец азотным пистолетом. Повторяйте предыдущие шаги до тех пор, пока в микроскоп не перестанут быть видны частицы.

Затем обработайте субстраты при температуре 1000 градусов в течение четырех часов в атмосфере кислорода. Когда закончите, погрузите восемь подложек Ane spross в стакан, содержащий деионизированную воду, с помощью тефлонового держателя. Затем поместите стакан в ультразвуковую ванну на 30 минут.

Перенесите тефлоновый держатель, в котором находятся подложки, из стакана с деионизированной водой в стакан, содержащий буферный фтористый водород. Поместив стакан в ультразвуковую ванну на 30 секунд, перенесите тефлоновый держатель в устойчивый к фтористому водороду стакан, содержащий деионизированную воду, и погрузите в него на 20 секунд, осторожно перемещая держатель вверх и вниз. После того, как предыдущий шаг был повторен в двух других стаканах, наполненных водой, оставьте держатель с подложкой в стакане, содержащем этанол.

После того, как вся буферизованная жидкость, содержащая фтористый водород, будет утилизирована, высушите подложки с помощью азотного пистолета. Проверьте поверхность с помощью оптического микроскопа, повторяя этап очистки, если видна грязь. После наполнения стакана гидроксидом натрия 12 моляров погрузите подложки с помощью тефлонового держателя и поместите стакан в ультразвуковую ванну на 30 минут.

После погружения в один моляр гидроксид натрия промойте подложки путем последующего погружения в три стакана с водой и, наконец, в стакан с этанолом. Затем просушите субстраты с помощью азотного пистолета. Проверьте поверхность с помощью оптического микроскопа и при необходимости очистите, используя описанную ранее процедуру после подготовки нанолиста кальциевых оватов.

Очистите пластину Вилли, промыв ее деионизированной водой. Затем очистите пластину кислородной плазмой при высокой энергии не менее трех минут для каждой стороны. Сразу после этого поместите пластину Вилли в деионизированную воду.

Затем очистите корыто LB в двух барьерах, промыв деионизированной водой и почистив этанолом щеткой. После промывки деионизированной водой, опять же, просушите корыто в двух барьерах с газообразным азотом, поместите установку в коробку, которую можно закрыть во время осаждения для защиты от проточного воздуха и пыли и на антивибрационный стол. После этого удалите 50 миллилитров из верхней части свежей нано-листовой дисперсии с помощью шприца, и медленно добавьте ее в корыто, давая дисперсии отдохнуть.

В течение 15 минут очистите произвольную подложку, совместимую с водными растворами. Когда закончите, прикрепите подложку к держателю установки LB и нанесите по нему последний удар. При использовании газообразного азота поместите держатель в положение LB.

Далее опустите ивовую тарелку в корыто и аккуратно прикрепите ее к пружине. Удалите капельки с проволоки тарелки с помощью листа бумаги. Опустите подложку до тех пор, пока она не коснется поверхности нанолистовой дисперсии.

Затем установите высоту в программном обеспечении равной нулю, опустите подложку дальше до нужной глубины, следя за тем, чтобы держатель подложки не касался дисперсии листа нана. После этого установите поверхностное давление в программном обеспечении на ноль и дайте дисперсии отдохнуть в течение 15 минут. Установив поверхностное давление в программном обеспечении снова в ноль, начните первый этап осаждения с перемещения барьеров со скоростью три миллиметра в минуту для медленного сжатия поверхности, следите за развитием поверхностного давления и площадью поверхности в ожидании, пока увеличение давления значительно замедлится и давление приблизится к своему максимуму.

Введите достигнутое значение в качестве целевого давления и установите высоту ковша на фактическое значение. Затем приступают ко второму этапу осаждения с забора подложки из дисперсии со скоростью один миллиметр в минуту. Следите за давлением на поверхности.

Снимите пластину Вилли, когда нанесение закончится после промывки, храните ее в деионизированной воде. Наконец, удалите субстрат после того, как он высохнет, совершенно другие окончания анального дисиса. Плюсы, можно увидеть подложки из оксида скандия, а также морфологию, ожидаемую для подложек с одиночным концом.

Более высокая шероховатость поверхности как на высоте, так и на фазовых изображениях по сравнению с одиночными концевыми поверхностями является признаком наличия обеих заделок. Коленопреклоненные в химически обработанном титанате стронция подложки имеют четко выраженные террасы. С помощью атомно-силовой микроскопии можно измерить только разницу в высоте элементарных ячеек, указывающую на одну концевую поверхность.

Конечным критерием для успеха химической обработки является качество пленки, стонущей на подложке. После этого стронциевый мочеиспускатель хорошо растет на одиночных концевых субстратах. Незначительные невидимые участки второй терминационной области могут оказывать существенное влияние на качество пленки.

Поверхности монослоя нанолистов гладкие, а большие различия с соседними зазорами приближаются к кристаллографической толщине слоев кальциевых яйцевидных слоев в их исходном соединении. Такие монослои обеспечивают последующий плавный рост пленки. Монослой нанолистов полностью ориентирован во внеплоскостном направлении, но как случайный, в простой ориентации, из-за случайного в простом порядке нанолистов, пленки, выращенные сверху, также текстурируются.

В этом видео вы увидите два подхода к подготовке анатомически определенных шаблонов для архитектурного выращивания сложных оксидных, тонких пленок. Для обеих процедур важно работать чисто и точно. Небольшие загрязнения могут испортить весь эксперимент.