Fabrication of Gate-tunable Graphene Devices for Scanning Tunneling Microscopy Studies with Coulomb Impurities

Han Sae Jung; Hsin-Zon Tsai; Dillon Wong; Chad Germany; Salman Kahn; Youngkyou Kim; Andrew S. Aikawa; Dhruv K. Desai; Griffin F. Rodgers; Aaron J. Bradley; Jairo Velasco Jr.; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Feng Wang; Alex Zettl; Michael F. Crommie

doi:10.3791/52711

/

Изготовление ворот-перестраиваемых графена устройств для сканирующей туннельной микроскопии исследований с кулоновских примесей

JoVE Journal
Инженерия

Для просмотра этого контента требуется подписка на Jove Войдите в систему или начните бесплатную пробную версию.

JoVE Journal Инженерия

Fabrication of Gate-tunable Graphene Devices for Scanning Tunneling Microscopy Studies with Coulomb Impurities

Изготовление ворот-перестраиваемых графена устройств для сканирующей туннельной микроскопии исследований с кулоновских примесей

Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

15,335 Views

•

11:42 min

•

July 24, 2015

DOI:

10.3791/52711-v

DOI:

10.3791/52711-v

•

11:42 min

July 24, 2015

•

2 Views

Han Sae Jung^1,2, Hsin-Zon Tsai¹, Dillon Wong¹, Chad Germany¹, Salman Kahn¹, Youngkyou Kim^1,3, Andrew S. Aikawa¹, Dhruv K. Desai¹, Griffin F. Rodgers¹, Aaron J. Bradley¹, Jairo Velasco Jr.¹, Kenji Watanabe⁴, Takashi Taniguchi⁴, Feng Wang^1,5,6, Alex Zettl^1,5,6, Michael F. Crommie^1,5,6

¹Физический факультет,University of California at Berkeley, ²Кафедра химии,University of California at Berkeley, ³Department of Chemical and Biomolecular Engineering,University of California at Berkeley, ⁴National Institute for Materials Science (Japan), ⁵Materials Sciences Division,Lawrence Berkeley National Laboratory, ⁶Kavli Energy NanoSciences Institute,University of California at Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory

Резюме

This paper details the fabrication process of a gate-tunable graphene device, decorated with Coulomb impurities for scanning tunneling microscopy studies. Mapping the spatially dependent electronic structure of graphene in the presence of charged impurities unveils the unique behavior of its relativistic charge carriers in response to a local Coulomb potential.