Электрон Ченнелинг Контрастность изображений для быстрого III-V гетероэпитаксиального Характеристика

11K просмотров

Цитируется: 22

07:50 мин.

17 июля 2015 г.

10.3791/52745-v

17 июля 2015 г.

11K просмотров

Описано использование электронно-канальной контрастной визуализации в сканирующем электронном микроскопе для характеристики дефектов в гетероэкспитакиальных тонких пленках III-V/Si. Этот метод дает результаты, аналогичные просвечивающей электронной микроскопии, но за значительно меньшее время из-за отсутствия необходимой пробоподготовки.

Больше видео

Растровая электронный микроскоп

Chapters in this video

0:05

Title

2:03

GaP/Si Sample Loading

2:51

Set up of Appropriate Working Conditions

3:46

Visualization of the Sample's Electron Channeling Patterns

4:35

Imaging of Defects and Features

6:13

Results: Imaging Clearly Shows the Misfit Networks in GaP/Si Samples

7:14

Conclusion

Related Videos