Обсуждается процесс изготовления и экспериментальные методы определения характеристик, относящиеся к одноэлектронным накачкам на основе кремний-металл-оксид-полупроводниковые квантовые точки.
Больше видео
Chapters in this video
0:05
Title
3:11
Creation of the Field Oxide Layer, Ohmic Contacts, and the Gate Oxide
7:10
Gate Patterning
9:20
Device Integrity Tests
10:57
Results: Device Integrity Test Results and Millikelvin Measurements