Разработка высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных батарей
6.9K просмотров
•
Цитируется: 4
•
10:31 мин.
•
16 ноября 2018 г.
DOI :10.3791/58292-v
16 ноября 2018 г.
•6.9K просмотров
Здесь мы представляем протокол для разработки высокопроизводительных разрыв/Si гетеропереход солнечных элементов с высоким жизни меньшинств перевозчик Si.
Chapters in this video
0:04
Title
0:38
Silicon Wafer Cleaning and Phosphorus Diffusion into the Silicon Substrate
3:08
SiNx Coating by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), GaP Growth by Molecular Beam Epitaxy (MBE), and Wet Etching of Back n+ and SiNx Layers
6:01
Hole-Selective Contact Formation on the Bare Si Side and External Contact Formation on the GaP Side
8:17
Results: Characterization of the GaP/Si Heterojunction Devices
10:11
Conclusion
Related Videos
© 2026 MyJoVE Corporation. Все права защищены.