Рабочие процессы криогенной сканирующей электронной нанолучевой дифракции для структурной характеристики чувствительных к пучку интерфейсов аккумуляторных батарей

277 просмотров

08:21 мин.

1 октября 2026 г.

10.3791/70455-v

1 октября 2026 г.

277 просмотров
 , 

В данном протоколе описывается рабочий процесс криогенной сканирующей электронной нанолучевой дифракции (cryo-SEND) с контролируемой дозой облучения для характеристики чувствительных к пучку интерфейсов аккумуляторов. Этот метод позволяет сохранить нативные твердоэлектролитные интерфазы за счет сочетания безледяной криогенной обработки, контроля дозы электронов и дифракционного имиджинга. Рабочий процесс включает рекомендации по подготовке образцов, криогенному переносу, юстировке пучка и сбору данных.

Больше видео

Криогенная электронная микроскопия

Chapters in this video

0:00

Введение

0:26

Подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) (метод подготовки непосредственно на сетке)

2:01

Подготовка образцов для ПЭМ (метод крио-FIB/СЭМ)

3:10

Характеристика межфазных слоев/интерфейсов аккумуляторов с помощью крио-SEND

5:57

Коррекция и анализ четырехмерных данных сканирующей ПЭМ

6:57

Результаты

7:52

Заключение

Related Videos