Name: Ohmic Contato Fabrication usando uma técnica Focused-ion Beam e caracterização elétrica para camada semicondutora Nanoestruturas (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-12-05T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 12 s
Description: Aprenda a fabricar contatos óhmicos em nanoestruturas de MoSe₂ usando deposição por feixe de íons focado. Este método simples e reprodutível permite caracterização elétrica confiável de semicondutores em camadas para pesquisa em nanotecnologia.

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1. Caracterização Estrutural de Mose 2 Crystals Layer (Consulte a Etapa 1 na Figura 1) <ol><li> DRX Procedimento de Medição <ol><li> Montar um cristal mose camada 2 (com o intervalo de tamanho de 5 x 5 x 0,1-10 x 10 x 0,5 mm 3) ou pó de cristal (que foi misturado com o pó de quartzo e aglutinante e foi manchada sobre a lâmina de vidro) sobre o suporte. </li><li> Pressionar o suporte por uma lâmina de vidro para assegurar a camada de cristal superfície paralela à superfície de suporte. </li><li> Coloque o suporte de amostras para o difratômetro. </li><li> Feche as portas do difratômetro. </li><li> Calibrar linha do feixe de acordo com as instruções do fabricante. </li><li> Parâmetros de medição de entrada, como o 2 faixa de varredura (10-80 °), o incremento (0,004 °), e o tempo de permanência (0,1 seg). </li><li> Inicie o programa DIFFRAC.Measurement Center no computador conectado à difratômetro e, em seguida, salvar os dados e nome do arquivo de dados de acordo com a proto do fabricantecol. </li><li> Analisar o padrão de DRX, identificando as posições dos picos de difração usando o software e, em seguida, comparar com os dados padrão do banco de dados do cartão JCPDS para confirmar a única qualidade fora do plano de orientação e single-cristalina das Mose 2 cristais camada 32,33 . </li></ol></li><li> Micro-Raman Procedimento de Medição <ol><li> Realize a calibração do equipamento Raman usando uma pastilha de silício que a amostra padrão. A medição da bolacha de silício é o mesmo que o procedimento descrito a seguir para o interesse mose 2 camada de cristal. </li><li> Montar um cristal camada Mose 2 no vidro do slide. </li><li> Coloque o vidro slide no suporte de microscópio óptico e foco superfície da amostra com uma fonte de luz branca. </li><li> Mudar a fonte de luz de uma luz branca para um feixe de laser (comprimento de onda a 514 nm). </li><li> Parâmetros de medição de entrada, como a faixa de varredura número de onda (150-500 cm-1), o INTEGRção do tempo (10 segundos), e o número de vezes de verificação (10-30 vezes). </li><li> Inicie o programa no computador acoplado a espectrômetro Raman o e depois salvar os dados e nome do arquivo de dados de acordo com o protocolo do fabricante. </li><li> Analisar o espectro de Raman, identificando suas larguras e posições usando o software de pico e, em seguida, comparar com dados padrão a partir de referências para confirmar o tipo de estrutura cristalina e qualidade dos Mose 2 cristais da camada de 34,35. </li></ol></li></ol> 2. Fabricação de Mose 2 Camada Devices nanocristais <ol><li> A esfoliação mecânica de cristais Camada <ol><li> Pinças limpas com acetona e álcool. </li><li> Escolha os Mose 2 cristais de camada (4 a 8 peças) com uma superfície brilhante (ou seja, espelho-como a cara de cristal) e um tamanho de área maior do que 0,5 x 0,5 mm2 com a pinça e colocá-los na fita para corte com um tamanho da área 20 x 60 mm 2.</li><li> Dobre a fita ao meio para esfoliar a camada de cristal e repetir a ação cerca de vinte vezes. Normalmente, os cristais da camada pode ser desmontado em muitos cristais de tamanho micrométrico de largura (ver Passo 2 na Figura 1). </li><li> Coloque a fita em cubos com o pó camada de nanocristais na câmara de SEM para observar os tamanhos e morfologias destes despojado Mose 2 camada microcrystal. Se as distribuições de largura da camada de nanocristais estão no 1-20 pm, o pó de nanocristais pode cumprir os critérios para a fabricação de dispositivos. </li></ol></li><li> Dispersão dos Nanocrystals camada sobre o modelo de dispositivo <ol><li> Colocar a fita para corte com a camada de pó de nanocristais de cabeça para baixo sobre o dispositivo de molde. O molde é SiO2 (300 nm) com o substrato de silício -Revestido dezasseis Ti pré-modelado (30 nm) / Au (90 nm) na superfície de eléctrodos de SiO 2 (ver Passo 4 na Figura 1). O tamanho do modelo de área é de 5 x 5 mm <sup&gt; 2. </li><li> Toque na fita para corte levemente para fazer algumas nanocristais (cerca de 10 a 100 peças) se enquadram no modelo. </li><li> Verifique o número e densidade condição dispersão do nanocristais no modelo por microscópio óptico ou, por vezes, SEM se os nanocristais dispersas não pode ser observado por microscópio óptico. Normalmente 2 a 5 peças de nanocristais (tamanho área maior do que 2 x 2 mm 2) dispersos na praça central (com área de 80 x 80 mm 2) do modelo, sem se sobrepor uns aos outros são as melhores condições para o processamento seguinte FIB . </li></ol></li><li> Fabricação Eletrodo pela FIB <ol><li> Mount templates no suporte da FIB utilizando a realização de fita de folha de cobre. Tipicamente, a área de realização da fita de 3 x 2,4 cm 2 foi necessária para a montagem de 6-8 modelos. </li><li> Coloque o suporte na câmara FIB. </li><li> Evacuar a câmara com o grau de vácuo até 10 -5 mbar clicando no botão&quot;Bomba&quot;. </li><li> Ajustar a corrente de feixe de electrões (41 Pa) e a tensão de aceleração (10 kV) para o modo de SEM. </li><li> Ajustar a corrente de feixe de iões (0,1 nA) e tensão de aceleração (30 kV) para o modo de FIB. </li><li> Aqueça o sistema de feixe de íons e-injeção do sistema de gás (GIS) clicando no botão &quot;viga em&quot; eo botão &quot;Cold&quot; no bloco &quot;Injeção de Gás&quot;, respectivamente. </li><li> Ligue o feixe de elétrons, clicando no botão &quot;Feixe On&quot; e focalizar a imagem a um pequeno aumento de 100X. </li><li> Defina a distância z-axial de trabalho (WD) a 10 mm para o modo de SEM. </li><li> Defina a ampliação em 5,000X e se concentrar. </li><li> Defina o ângulo de inclinação do titular a 52 graus, clicando no botão &quot;Navegação&quot; e insira o ângulo de inclinação &quot;52&quot;. </li><li> Seleccionar uma camada de nanocristais mose 2 com uma certa espessura (que varia de 5 a 3.000 nm) e uma forma rectangular e quadrada para o eléctrodo Fabricação. </li><li> Tome as imagens SEM em diferentes ampliações de 1000X (10.000 vezes) do material como novo alvo antes de fabricação eletrodo clicando no botão &quot;Snapshot&quot;. </li><li> Alternar para o modo de FIB e tomar uma imagem FIB pelo modo instantâneo para reduzir o tempo de exposição do material alvo sob bombardeio feixe de íons. </li><li> Definir área de deposição do eletrodo, selecione o modo &quot;deposição de Pt&quot;, e entrada a espessura (0,2-1,0 mm) valor do eletrodo Pt depositado. </li><li> Introduzir o capilar de GIS para a câmara, clicando na caixa &quot;Pt dep&quot; no bloco &quot;Injeção de Gás&quot;. </li><li> Aqui uma imagem pelo modo instantâneo novamente e modificar a posição dos eléctrodos, se o padrão definido originalmente desloca ligeiramente. </li><li> Ligue a deposição FIB clicando no botão &quot;Iniciar Patterning&quot;. </li><li> Após a deposição, desenhe o capilar de GIS volta por unclicking a caixa &quot;Pt dep &quot;no&quot; bloco de injecção de gás &quot;. </li><li> Alternar para o modo SEM e verificar o resultado dos eletrodos de platina depositada sobre a camada de nanocristais. </li><li> Tome as imagens SEM em diferentes ampliações dos dispositivos completados com dois ou quatro eletrodos (veja o Passo 3 na Figura 1). </li><li> Defina o ângulo de inclinação do retorno titular a 0 graus, clicando no botão &quot;Navegação&quot; e insira o ângulo de inclinação &quot;0&quot;. </li><li> Tome as imagens de alta visto SEM em diferentes ampliações para as estimativas da largura material de eletrodo e inter-distância, clicando no botão &quot;Snapshot&quot;. </li><li> Desligue os sistemas de feixe por feixe de elétrons e de íons e arrefecer sistema GIS, clicando no botão &quot;Feixe Off&quot; eo botão &quot;Warm&quot; no bloco &quot;Injeção de Gás&quot;, respectivamente. </li><li> Ventilar a câmara através da introdução de gás nitrogênio, clicando nos botões &quot;desabafar&quot; e, em seguida, tomar o titularfora da câmara. Ele normalmente leva de 5 a 10 minutos para concluir o processo de ventilação. </li><li> Feche a porta da câmara e evacuar a câmara. </li></ol></li></ol> 3. caracterizações do Mose 2 Camada Devices nanocristais <ol><li> Medição da espessura de camada por nanocristais AFM <ol><li> Instale o cantilever AFM para o titular da sonda. </li><li> Ligue programa AFM e selecionar o modo &quot;ScanAsyst&quot;. </li><li> Coloque o porta-sonda e conectá-lo com o diodo laser cabeça de estação de AFM. </li><li> Realizar a calibração para alinhar a posição do feixe de laser incidente e o braço de suporte de acordo com o protocolo do fabricante. </li><li> Monte a amostra (o chip modelo com dispositivos de nanocristais camada pré-fabricadas das FIB) no suporte de amostras de fita de folha de Cu. </li><li> Carregar o suporte de amostras para a estação de AFM. </li><li> Mover o suporte de amostra para a posição de, aproximadamente, por baixo do feixe de laser ou AFM cantilever. </li><li> Mais abaixo AFM cantilever para a posição do foco, concentrando-se a imagem do microscópio óptico da nanocristais camada. </li><li> Entrada de parâmetros de rastreamento, tais como a área de digitalização (6 x 30/06 x 30 mm 2), a frequência (0,5-1,5 Hz), ea resolução (256-512 linhas). </li><li> Inicie o programa e salvar dados de acordo com o protocolo do fabricante. </li><li> Elevar o cantilever AFM e tirar o suporte de amostras para fora. </li><li> Coloque a segunda amostra e repita o procedimento de medição descrito acima, se necessário. </li><li> Estimar a espessura da camada de nanocristais através da análise da imagem e altura do perfil AFM utilizando o software &quot;Análise Nanoscope&quot;. Seleccionar um perfil lateral, altura a partir da imagem AFM e determinação do valor médio da espessura da área de achatar o perfil. (Veja Figura 2d e 2e) </li></ol></li><li> Corrente versus tensão (IV) mensuração dos nanocristais camada <ol><li> Mountda amostra (o chip modelo com dispositivos de nanocristais camada pré-fabricadas das FIB) sobre o substrato de mica por fita de folha de Cu. </li><li> Ligar os fios esmaltados ou fios de Cu sobre os eletrodos do chip por Ag colar. (Consulte a Etapa 4 na Figura 1). </li><li> Coloque a amostra completa na câmara de estação de sonda e corrigi-lo no suporte de amostras de fita de folha de Cu. A estação de sonda criogênica foi localizado em ambiente escuro. (Veja o passo 5 na Figura 1). </li><li> Soldar os fios eléctricos da amostra e os eléctrodos de metal das sondas, um por um. </li><li> Tampe o topo da câmara e evacuar a câmara até 10 -4 mbar. Arrefecer a amostra para 77 K através da introdução de nitrogênio líquido para a estação de sonda. Definir o intervalo de temperatura (geralmente a partir de 80 para 320 K), o intervalo, o tempo de paragem e para o controlo da temperatura. (Necessário só para a medição dependente da temperatura). </li><li> Defina o intervalo de varredura tensão aplicada (tipicamente de -1 a 1 V), inte tensãorval (0,01 V), e a corrente máxima limitada (10 ou 100 uA) em um electrómetro multifuncional ultra-alta impedância para a medição de dois terminais IV. Para a medição de quatro terminais, defina o intervalo de varredura corrente aplicada (tipicamente de -100 a 100 mA) e intervalo atual (1 mA). </li><li> Inicie o programa e salvar os dados IV à temperatura ambiente ou a temperaturas diferentes. </li><li> Abra a tampa da câmara, se necessário e tomar a amostra para fora da câmara. </li><li> Carregar a segunda amostra, se necessário e repetir o procedimento acima descrito. </li><li> Analisar a curva IV plotando a corrente medida versus os dados de tensão aplicadas usando o software. Ajustar a curva IV seleccionando a função Fitting Linear. Verificar a linearidade da curva IV e obter o valor da inclinação (isto é, valor de condutância). (Veja o passo 6 na Figura 1). </li><li> Repita o passo 3.2.10 para as curvas IV medido a diferentes temperaturas em caso de necessidade. </li><li> Calcular o valor de condutividade (σ) de acordo com a equação σ = L (t / TW), adoptando os parâmetros obtidos por IV, SEM, e medidas de AFM incluindo condutância (G), a espessura (T), a largura (w) e comprimento ( l) do nanocristais camada. </li><li> Traçar as curvas da condutância e condutividade valores contra espessura da camada de nanocristais. </li></ol></li></ol>

<ol><li>Wilson, J. A., Yoffe, A. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+transition+metal+dichalcogenides+discussion+and+interpretation+of+the+observed+optical%2C+electrical+and+structural+properties%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Phys%22%5BJournal%5D)">The transition metal dichalcogenides discussion and interpretation of the observed optical, electrical and structural properties.</a> Adv. Phys. 18 (73), 193-335 (1969).</li>
<li>Ataca, C., Sahin, H., Ciraci, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-layer+MX2+transition-metal+oxides+and+dichalcogenides+in+a+honeycomb-like+structure%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Phys.+Chem.+C%22%5BJournal%5D)">Single-layer MX2 transition-metal oxides and dichalcogenides in a honeycomb-like structure.</a> J. Phys. Chem. C. 116 (16), 8983-8999 (2012).</li>
<li>Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., Strano, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electronics+and+optoelectronics+of+two-dimensional+transition+metal+dichalcogenides%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotech%22%5BJournal%5D)">Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides.</a> Nature Nanotech. 7 (11), 699-712 (2012).</li>
<li>Mak, K. F., Lee, C., Hone, J., Shan, J., Heinz, T. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomically+thin+MoS2%3A+A+new+direct-gap+semiconductor%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Atomically thin MoS2: A new direct-gap semiconductor.</a> Phys. Rev. Lett. 105 (13), 136805(2010).</li>
<li>Splendiani, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Emerging+photoluminescence+in+monolayer+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Emerging photoluminescence in monolayer MoS2.</a> Nano Lett. 10 (4), 1271-1275 (2010).</li>
<li>Lebègue, S., Eriksson, O. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electronic+structure+of+two-dimensional+crystals+from+ab+initio+theory%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Electronic structure of two-dimensional crystals from ab initio theory.</a> Phys. Rev. B. 79 (11), 115409(2009).</li>
<li>Kuc, A., Zibouche, N., Heine, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Influence+of+quantum+confinement+on+the+electronic+structure+of+the+transition+metal+sulfide+TS2%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Influence of quantum confinement on the electronic structure of the transition metal sulfide TS2.</a> Phys. Rev. B. 83 (24), 245213(2011).</li>
<li>Yoffe, A. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Layer+compounds%5BTitle%5D)+AND+%22Annu.+Rev.+Mater.+Sci%22%5BJournal%5D)">Layer compounds.</a> Annu. Rev. Mater. Sci. 3, 147-170 (1993).</li>
<li>Chen, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Tunable+band+gap+photoluminescence+from+atomically+thin+transition-metal+dichalcogenide+alloys%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Tunable band gap photoluminescence from atomically thin transition-metal dichalcogenide alloys.</a> ACS Nano. 7 (5), 4610-4616 (2013).</li>
<li>Radisavljevic, B., Kis, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mobility+engineering+and+a+metal-insulator+transition+in+monolayer+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Mater%22%5BJournal%5D)">Mobility engineering and a metal-insulator transition in monolayer MoS2.</a> Nature Mater. 12 (9), 815-820 (2013).</li>
<li>Zhang, Y., Ye, J., Matsuhashi, Y., Iwasa, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ambipolar+MoS2+thin+flake+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Ambipolar MoS2 thin flake transistors.</a> Nano Lett. 12 (3), 1136-1140 (2012).</li>
<li>Liu, H., Neal, A. T., Ye, P. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Channel+length+scaling+of+MoS2+MOSFETs%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Channel length scaling of MoS2 MOSFETs.</a> ACS Nano. 6 (10), 8563-8569 (2012).</li>
<li>Ghatak, S., Pal, A. N., Ghosh, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nature+of+electronic+states+in+atomically+thin+MoS2+field-effect+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Nature of electronic states in atomically thin MoS2 field-effect transistors.</a> ACS Nano. 5 (10), 7707-7712 (2011).</li>
<li>Ong, Z. Y., Fischetti, M. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mobility+enhancement+and+temperature+dependence+in+top-gated+single-layer+MoS2%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Mobility enhancement and temperature dependence in top-gated single-layer MoS2.</a> Phys. Rev. B. 88 (16), (2013).</li>
<li>Hwang, W. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Comparative+study+of+chemically+synthesized+and+exfoliated+multilayer+MoS2+field-effect+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Comparative study of chemically synthesized and exfoliated multilayer MoS2 field-effect transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (4), 165316(2013).</li>
<li>Park, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Oxygen+environmental+and+passivation+effects+on+molybdenum+disulfide+field+effect+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Oxygen environmental and passivation effects on molybdenum disulfide field effect transistors.</a> Nanotechnology. 24 (9), 095202(2013).</li>
<li>Wu, W., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High+mobility+and+high+on%2Foff+ratio+field-effect+transistors+based+on+chemical+vapor+deposited+single-crystal+MoS2+grains%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">High mobility and high on/off ratio field-effect transistors based on chemical vapor deposited single-crystal MoS2 grains.</a> Appl. Phys. Lett. 102 (14), 142106(2013).</li>
<li>Larentis, S., Fallahazad, B., Tutuc, E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Field-effect+transistors+and+intrinsic+mobility+in+ultra-thin+MoSe2+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers.</a> Appl. Phys. Lett. 101 (22), 223104(2012).</li>
<li>Bolotin, K. I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrahigh+electron+mobility+in+suspended+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Solid+State+Commun%22%5BJournal%5D)">Ultrahigh electron mobility in suspended graphene.</a> Solid State Commun. 146 (9), 351-355 (2008).</li>
<li>Novoselov, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Two-dimensional+gas+of+massless+Dirac+fermions+in+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene.</a> Nature. 438 (7065), 197-200 (2005).</li>
<li>Zhang, Y., Tan, Y. W., Stormer, H. L., Kim, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Experimental+observation+of+the+quantum+Hall+effect+and+Berry%27s+phase+in+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry's phase in graphene.</a> Nature. 438 (7065), 201-204 (2005).</li>
<li>Radisavljevic, B., Radenovic, A., Brivio, J., Giacometti, V., Kis, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-layer+MoS2+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotech%22%5BJournal%5D)">Single-layer MoS2 transistors.</a> Nature Nanotech. 6 (3), 147-150 (2011).</li>
<li>Chang, C. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrical+transport+properties+of+single+GaN+and+InN+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Electro.+Mater%22%5BJournal%5D)">Electrical transport properties of single GaN and InN nanowires.</a> J. Electro. Mater. 35 (4), 738-743 (2006).</li>
<li>Calarco, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Size-dependent+photoconductivity+in+MBE-grown+GaN-nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nano.+Lett%22%5BJournal%5D)">Size-dependent photoconductivity in MBE-grown GaN-nanowires.</a> Nano. Lett. 5 (5), 981-984 (2005).</li>
<li>Soci, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((ZnO+nanowire+UV+photodectors+with+high+internal+gain%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">ZnO nanowire UV photodectors with high internal gain.</a> Nano Lett. 7 (4), 1003-1009 (2007).</li>
<li>Nam, D. T., Fischer, J. E. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Disorder+effects+in+focused-ion-beam-deposited+Pt+contacts+on+GaN+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Disorder effects in focused-ion-beam-deposited Pt contacts on GaN nanowires.</a> Nano Lett. 5 (10), 2029-2033 (2005).</li>
<li>Chen, R. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Anomalous+quantum+efficiency+for+photoconduction+and+its+power+dependence+in+metal+oxide+semiconductor+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nanoscale%22%5BJournal%5D)">Anomalous quantum efficiency for photoconduction and its power dependence in metal oxide semiconductor nanowires.</a> Nanoscale. 5 (15), 6867-6873 (2013).</li>
<li>Chen, R. S., Tang, C. C., Shen, W. C., Huang, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Thickness-dependent+electrical+conductivities+and+ohmic+contacts+in+transition+metal+dichalcogenides+multilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Thickness-dependent electrical conductivities and ohmic contacts in transition metal dichalcogenides multilayers.</a> Nanotechnology. 25 (41), (2014).</li>
<li>Huang, Y. H., Peng, C. C., Chen, R. S., Huang, Y. S., Ho, C. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Transport+properties+in+semiconducting+NbS2+nanoflakes%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Transport properties in semiconducting NbS2 nanoflakes.</a> Appl. Phys. Lett. 105 (9), (2014).</li>
<li>Hu, S. Y., Liang, C. H., Tiong, K. K., Lee, Y. C., Huang, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Preparation+and+characterization+of+large+niobium-doped+MoSe2+single+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Crystal+Growth%22%5BJournal%5D)">Preparation and characterization of large niobium-doped MoSe2 single crystals.</a> J. Crystal Growth. 285 (3), 408-414 (2005).</li>
<li>Das, S., Appenzeller, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Where+does+the+current+flow+in+two-dimensional+layered+systems%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Where does the current flow in two-dimensional layered systems.</a> Nano Lett. 13 (7), 3396-3402 (2013).</li>
<li>Cullity, B. D. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aCullity%2C+BD+%22Elements+of+X-ray+Diffraction%22">Elements of X-ray Diffraction</a>. , 2nd ed, Addison-Wesley Publishing Company, Inc. Boston, Massachusetts. (1978).</li>
<li>Jadczak, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Composition+dependent+lattice+dynamics+in+MoSxSe%282-x%29+alloys%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Composition dependent lattice dynamics in MoSxSe(2-x) alloys.</a> J. Appl. Phys. 116 (19), 193505(2014).</li>
<li><a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22Raman+Scattering+in+Materials+Science%22">Raman Scattering in Materials Science</a>. Weber, W. H., Merlin, R. , Springer Science. Verlag, Berlin. (2000).</li>
<li>Tonndorf, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Photoluminescence+emission+and+Raman+response+of+monolayer+MoS2%2C+MoSe2%2C+and+WSe2%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Photoluminescence emission and Raman response of monolayer MoS2, MoSe2, and WSe2.</a> Opt. Express. 21 (4), 4908-4916 (2013).</li>
<li>Hu, S. Y., Liang, C. H., Tiong, K. K., Lee, Y. C., Huang, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Preparation+and+characterization+of+large+niobium-doped+MoSe2+single+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Crystal+Growth%22%5BJournal%5D)">Preparation and characterization of large niobium-doped MoSe2 single crystals.</a> J. Crystal Growth. 285 (3), 408-414 (2005).</li>
<li>Hu, S. Y., Liang, C. H., Tiong, K. K., Huang, Y. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effect+of+Re+dopant+on+the+electrical+and+optical+properties+of+MoSe2+single+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Alloys+Compounds%22%5BJournal%5D)">Effect of Re dopant on the electrical and optical properties of MoSe2 single crystals.</a> J. Alloys Compounds. 442 (1-2), 1-2 (2007).</li>
<li>Bougouma, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Growth+and+characterization+of+large%2C+high+quality+MoSe2+single+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Crystal+Growth%22%5BJournal%5D)">Growth and characterization of large, high quality MoSe2 single crystals.</a> J. Crystal Growth. 363, 122-127 (2013).</li>
</ol>

Os autores não têm nada a divulgar.

A determinação exacta do valor σ e a sua dimensão na dependência dos nanocristais camada é altamente dependente da qualidade dos contactos eléctricos. O método utilizado para a deposição de FIB deposição eléctrodo metálico desempenhado um papel crucial durante todo o estudo. De acordo com eléctrico, estrutural, e análise da composição, a fabricação de contactos óhmicos estáveis ​​e altamente reprodutível, utilizando o método de deposição de FIB, em mose 2 ou MoS 2 dispositivos foi facilita...

Dichalcogenides de metais de transição (DTM), tais como MoS 2, mose 2, WS 2, e WsE 2, tem um bidimensional (2D) e a estrutura da camada interessante propriedades semicondutoras 1-3. Os cientistas descobriram recentemente que a estrutura em monocamada de MoS 2 mostra uma eficiência emissora de luz substancialmente aumentada por causa do efeito de confinamento quântico. A descoberta do novo material semicondutor de bandgap direta tem atraído a atenção substancial 4-7. Além disso, a estrutura da camada facilmente descascada do DTM é uma plataforma excelente para o estudo das propriedades fundamentais dos materiais 2D. Ao contrário grafeno metálico sem a banda proibida, DTM têm características inerentes semicondutores e tem uma banda proibida na gama de 1-2 eV 1,3,8. As estruturas 2D dos compostos ternários de DTM 9 e a possibilidade de a integração destes compostos com grafeno fornecer um OPP sem precedentesortunity para desenvolver dispositivos electrónicos ultrafinos e flexíveis. Ao contrário de grafeno, os valores de mobilidade temperatura ambiente de elétrons de 2D DTMs estão em um nível moderado (1-200 cm 2 V - 1 seg - 1 para a MoS fevereiro 10-17; aproximadamente 50 cm 2 V - 1 seg - 1 para Mose 2 18 ). Os valores óptimos de mobilidade grafeno têm sido referidos como sendo superior a 10.000 cm 2 V - 1 s -. 1 19-21 No entanto, as monocamadas DTM semicondutores exibem excelente desempenho do dispositivo. Por exemplo, os MoS 2 e Mose 2 monocamadas ou multicamadas transistores de efeito de campo exposição extremamente elevados rácios de ligar / desligar, até 10 6 -10 9 10,12,17,18,22. Portanto, é crucial para compreender as propriedades eléctricas fundamentais da DTM 2D eomateriais a granel ir. No entanto, os estudos sobre as propriedades eléctricas dos materiais da camada tenham sido parcialmente prejudicada por causa da dificuldade de formar um bom contacto óhmico nos cristais da camada. Deposição de três abordagens, a deposição de máscara de sombra (SMD) 23, litografia por feixe de elétrons (EBL) 24,25, e focou-ion beam (FIB), 26,27 têm sido utilizados para formar contatos elétricos em nanomateriais. Porque SMD tipicamente envolve a utilização de uma grelha de cobre como a máscara, o espaçamento entre os dois eléctrodos de contacto é essencialmente maior do que 10 um. Ao contrário EBL e deposição FIB, a deposição de metal de matrizes de eletrodos sobre um substrato é realizada sem segmentação ou selecionando nanomateriais de interesse no método de SMD. Esta abordagem não pode garantir que os padrões de metais são correctamente depositadas sobre nanomateriais individuais como os eletrodos. O resultado do método de SMD tem um elemento de sorte. Os métodos de deposição EBL FIB e são usados ​​namicroscopia eletrônica de varredura de sistema (SEM); nanomateriais podem ser diretamente observados e selecionados para deposição do eletrodo. Além disso, EBL pode ser facilmente utilizado para o fabrico de eléctrodos de metal com uma largura de linha e um eléctrodo de contacto espaçamento menor do que 100 nm. No entanto, a resistir residual na superfície nanomaterial deixado durante litografia inevitavelmente resulta na formação de uma camada isoladora entre o eléctrodo de metal e nanomaterial. Assim, EBL leva a alta resistência de contato. A principal vantagem de fabricação eletrodo através da deposição FIB é que ele leva a baixa resistência de contato. Porque a deposição de metal é realizada pela decomposição de um precursor organometálico, utilizando um feixe de iões na zona definida, de deposição de metal e bombardeamento iónico ocorrer simultaneamente. Isto poderia destruir a interface metal-semicondutor e prevenir a formação de contacto Schottky. Bombardeamento de iões também podem eliminar contaminantes da superfície, tais como Hydrocarbons e os óxidos nativos, o que diminui a resistência de contato. Fabricação Conexão condutora através da deposição FIB foi demonstrada durante diferentes nanomateriais 27-29. Além disso, o processo de fabricação de todo na abordagem deposição FIB é mais simples do que no EBL. Como mostram tipicamente semicondutores camada de condução eléctrica altamente anisotrópica, a condutividade na direcção camada-a-camada é várias ordens de grandeza mais baixa do que na direcção no plano 30,31. Esta característica aumenta a dificuldade de fabrico de contactos óhmicos e a determinação da condutividade eléctrica. Portanto, neste estudo, a deposição de FIB foi utilizado para estudar as propriedades eléctricas de nanoestruturas camada de semicondutor.

<table><tbody><tr><td>HRTEM& SEAD</td><td>FEI (http://www.fei.com/products/tem/tecnai-g2/?ind=MS)</td><td>Tecnai&trade; G2 F-20</td><td></td></tr><tr><td>SEM& EDS</td><td>HITACHI (http://www.hitachi-hitec.com/global/em/sem/sem_index.html)</td> <td>S-3000H</td><td></td></tr><tr><td>FIB</td><td>FEI (http://www.fei.com/products/dualbeam/versa-3d/)</td> <td>Quanta 3D FEG</td><td></td></tr><tr><td>AFM</td><td>BRUKER (http://www.bruker.com/products/surface-analysis/atomic-force-microscopy/dimension-icon/overview.html)</td> <td>Dimensão Ícone</td><td></td></tr><tr><td>XRD</td><td>Difratômetro de raios X Bruker (https://www.bruker.com/products/x-ray-diffraction-and-elemental-analysis/x-ray-diffraction/d2-phaser/learn-more.html)</td><td>D2 PHASER</td> Raman Renishaw (http://www.renishaw.com/en/renishaw-enhancing-efficiency-in-manufacturing-and-healthcare--1030)inVia Sistema de microscópio Raman Keithley-4200 keithley (<td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td></td><td> http://www.keithley.com.tw/products/dcac/currentvoltage/4200scs)</td> Estação de sonda criogênica de vazamento de corrente ultrabaixa <td>4200scs</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Lakeshore Cryotronics (http://www.lakeshore.com/)</td> <td>TTP4</td><td></td></tr><tr><td>fita de folha de cobre</td><td>3M (http://solutions.3m.com/wps/portal/3M/en_US/Electronics_NA/Electronics/Products/Product_Catalog/~/3M-Copper-Foil-Shielding-Tape-1182?N=4294300025+5153906&&Nr=AND%28hrcy_id%3A8CQ27CX0WMgs_F2LMWMM6M6_N2RL3FHWVK_GPD0K8BC31gv%29&rt=d)</td><td>1182</td><td></td></tr><tr><td>Ag pasta</td><td>Bem-Estar (http://www.gredmann.com/about.htm)</td> <td>MS-5000</td><td></td></tr><tr><td>fio</td><td>Guv Team (http://www.guvteam.com)</td><td>ICUD0D01N</td><td></td></tr><tr><td>fita de corte</td><td>Nexteck (http://www.nexteck-corp.com/tw/product-tape.html)</td><td>contato vendedor</td><td></td></tr><tr><td>mica</td><td>Centenary Electronic (http://100y.diytrade.com/sdp/307600/4/pl-1175840/0.html)</td>Fio de esmalte <td>T0-200</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Light-Tech Electronics (http://www.ltc.com.tw/product_info.php/products_id/57631)</td> <td>SWG # 38</td><td></td></tr></tbody></table>

ohmic contato fabrication usando uma técnica focused-ion beam e caracterização elétrica para camada semicondutora nanoestruturas

Ohmic Contact Fabrication Using a Focused-ion Beam Technique and Electrical Characterization for Layer Semiconductor Nanostructures

Semicondutores camada com estruturas (2D) facilmente transformados bidimensionais exibem transições bandgap indireta-to-direta e desempenho do transistor superiores, o que sugere uma nova direção para o desenvolvimento da próxima geração de ultrafinos e dispositivos fotônicos e eletrônicos flexíveis. Luminescência melhorada eficiência quântica tem sido amplamente observado nestes cristais 2D atomicamente finas. No entanto, não são esperados efeitos dimensão além espessuras de confinamento quântico ou mesmo na escala micrométrica e raramente têm sido observados. Neste estudo, disseleneto de molibdénio (mose 2) camada de cristais com uma gama de espessura de 6-2,700 nm foram fabricados como dispositivos de duas ou de quatro terminais. Formação Conexão condutora foi alcançado com êxito, pelo método de deposição de feixe focalizado-ion (FIB) utilizando platina (Pt) como um metal contato. Cristais camada com várias espessuras foram preparados através de simples esfoliação mecânica usando fita para corte. Measuremen curva corrente-tensãoTS foram realizados para determinar o valor da condutividade dos nanocristais camada. Além disso, microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução,-área selecionada difração de elétrons, e espectroscopia de raios-X de energia dispersiva foram usadas para caracterizar a relação do contato de metal semicondutor dos Mose 2 dispositivos fabricados-FIB. Depois de aplicar as abordagens, a condutividade eléctrica substancial dependente da espessura numa gama ampla de espessura para o mose 2 -layer semicondutor foi observada. A condutividade aumentou em mais de duas ordens de grandeza de 4,6 a 1.500 Ω - 1 cm - 1, com uma diminuição da espessura de 2,700 a 6 nm. Além disso, a condutividade em função da temperatura indicaram que os mose finos multicamadas 2 exibiu um comportamento semicondutor consideravelmente fraco com energias de activação de 3,5-8,5 MeV, que são consideravelmente menores do que aqueles (36-38 MeV) da massa. Probapropriedades de transporte ble dominante da superfície e a presença de uma concentração elevada de electrões na superfície mose 2 são propostas. Resultados semelhantes podem ser obtidos por outros materiais de camada de semicondutores, tais como MoS 2 e WS 2.

Os valores determinados do condutância eléctrica (G) e condutividade (σ) de nanomateriais camadas com diferentes espessuras são altamente dependente da qualidade dos contactos eléctricos. Os contactos óhmicos do mose de dois terminais FIB-deposição fabricada-2 são caracterizadas por dispositivos de medição da corrente-tensão (I - V) curva. A temperatura da sala I - curvas V para os Mose 2 dispositivos nanoflake de dois terminais com espessuras diferentes...

Descrevemos as abordagens para a fabricação de dispositivos e caracterização elétrica de nanoestruturas semicondutoras de camada de disseleneto de molibdênio (MoSe2) com diferentes espessuras. Além disso, é descrita a fabricação de contatos ôhmicos para nanocristais MoSede 2 camadas pelo método de deposição de feixe de íons focalizados usando platina (Pt) como metal de contato.

Ohmic Contato Fabrication usando uma técnica Focused-ion Beam e caracterização elétrica para camada semicondutora Nanoestruturas

Layer semiconductors with easily processed two-dimensional (2D) structures exhibit indirect-to-direct bandgap transitions and superior transistor ...

O objetivo geral deste procedimento é utilizar a técnica de feixe de íons focado para observar a fabricação de contato ôhmico nas nanoestruturas individuais de camadas de materiais semicondutores. Este método pode ajudar a responder perguntas fundamentais nas áreas de nanotecnologia, como, por exemplo, como obter um bom contato ôhmico em nanomateriais individuais sem tratamento alne. A principal vantagem desta técnica é que a abordagem de deposição de metal por feixe de íons focado fornece contatos elétricos altamente reprodutíveis em nanoestruturas semicondutoras de camada individual.O processo inteiro também é relativamente simples em comparação com outras técnicas, como a discografia com trobina. Após a caracterização estrutural dos cristais da camada de disseleneto de molibdênio conforme descrito no protocolo textual complementar, inicie a fabricação dos dispositivos de nanocristais de disseleneto de molibdênio. Primeiro, limpe um par de pinças com acetona e, em seguida, com álcool.Use as pin&ccedil;as para selecionar quatro a oito peda&ccedil;os dos cristais da camada de disseleneto de molibd&ecirc;nio com superf&iacute;cie brilhante e &aacute;rea maior que 0,5 mil&iacute;metros por 0,5 mil&iacute;metros. Coloque cada cristal sobre um peda&ccedil;o de fita de corte com &aacute;rea de 20 mil&iacute;metros por 60 mil&iacute;metros. Dobre a fita ao meio para esfoliar a camada.Cristal, repita esta ação aproximadamente 20 vezes. Normalmente, camadas de cristais podem ser destacadas em diversos cristais com tamanho na faixa de micrômetros. Obtenha três substratos de silício revestidos com dióxido de silício, contendo 16 eletrodos de titânio-ouro pré-PA na superfície.A área de cada molde deve ser aproximadamente um quadrado de cinco milímetros por cinco milímetros. Coloque a fita de corte com a camada de pó nano Krystal virada para baixo sobre cada molde de dispositivo. Toque levemente na fita de corte para que aproximadamente de 10 a 100 fragmentos dos cristais em camada de maum disseleneto caiam sobre cada molde.Monte os moldes preparados em um suporte de feixe de íons focalizado utilizando fita adesiva de cobre condutora. Em seguida, insira o suporte na câmara de feixe de íons focalizado. Evacue a câmara até um vezes 10 à quinta milibares clicando em bombear.No modo MEV, ajuste a corrente do feixe de elétrons para 41 picoampères e a tensão de aceleração para 10 quilovolts. Em seguida, no modo FIB, ajuste a corrente do feixe de íons para 0,1 nanoampère e a tensão de aceleração para 30 quilovolts. Depois, aqueça o sistema de feixe de íons e o sistema de injeção de gás.Ligue o feixe de elétrons clicando no botão ligar feixe e foque a imagem em uma baixa ampliação de 100 x. Em seguida, ajuste a distância de trabalho axial Z para 10 milímetros no modo MEV. Agora aumente a ampliação para 5.000 x e foque na amostra.Uma vez focado, insira um ângulo de inclinação de 52 graus no menu de navegação para ajustar o ângulo do suporte. Em seguida, selecione o molibdênio disseleneto nas formas retangular e quadrada. Deposite nanocristais com espessura variando de cinco a 3000 nanômetros.Para a fabricação do eletrodo, obtenha imagens de SCM do material bruto alvo em diferentes ampliações, variando de 1000 x a 10.000 x, antes da fabricação do eletrodo. Em seguida, alterne para o modo de feixe de íons focado e capture uma imagem usando o modo instantâneo para reduzir o tempo de exposição do material alvo ao bombardeamento com feixe de íons. Defina a área de deposição do eletrodo selecionando primeiro o modo de deposição de platina e, em seguida, insira a espessura entre 0,2 e 1,0 mícron.Em seguida, introduza a capilaridade do sistema de injeção de gás na câmara clicando na caixa de deposição de platina no bloco de injeção de gás. Tire outra imagem utilizando o modo de captura instantânea e modifique a posição dos eletrodos. Se o padrão originalmente definido sofrer um pequeno deslocamento, ligue a deposição por feixe de íons focalizados. Após a deposição, retire a capilaridade do sistema de injeção de gás desmarcando a caixa de deposição de platina.Em seguida, mude para o modo de microscopia eletrônica de varredura e capture imagens com diferentes aumentos dos dispositivos concluídos com dois ou quatro eletrodos. Após capturar as imagens, ajuste o ângulo de inclinação do suporte, retorne a zero graus e obtenha imagens adicionais em vista superior com diferentes aumentos, a fim de estimar a largura do material e a distância entre os eletrodos. Ao finalizar, desligue os sistemas de feixe de elétrons e de íons e resfrie o sistema de injeção de gás.Além disso, ventile a câmara com gás nitrogênio e, em seguida, retire o suporte da câmara. Por fim, feche a porta da câmara e evacue a câmara. Uma última vez.Imagens representativas obtidas por microscopia eletrônica de varredura de dispositivos IDE de molibdênio com dois e quatro terminais são apresentadas aqui. Após utilizar um microscópio de força (FM) para estimar a altura de diversos nanoflakes, os contatos ôhmicos dos dispositivos podem ser caracterizados mediante a medição da relação entre corrente e tensão. As curvas de corrente versus tensão deste dispositivo seguem uma relação linear, confirmando a condição de contato ôhmico dos dispositivos de disseleneto de molibdênio.Uma imagem de microscopia eletrônica de transmissão em corte transversal da interface de molibdênio platina disseleneto mostra que uma camada de liga de cerca de 25 a 30 nanômetros foi formada entre a platina e o disseleneto de molibdênio devido ao bombardeamento com feixe de íons. Uma imagem de TEM de alta resolução da interface mostra que uma liga amorfa é formada na superfície do cristal único de disseleneto de molibdênio. Essa liga consiste em uma mistura de molibdênio, selênio e platina numa proporção de dois para quatro para um Após dominado.Essa técnica pode ser realizada em horas se for executada corretamente após seu desenvolvimento. Esse método abre caminho para pesquisadores na área de nanotecnologia e ciência dos materiais, permitindo explorar propriedades elétricas em seus sistemas de materiais semicondutores.

ohmic-contact-fabrication-using-focused-ion-beam-technique-electrical

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