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Chemistry
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JoVE Journal Chemistry
L’effet des paramètres d’anodisation sur la couche diélectrique d’oxyde d’aluminium des transistors minces
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Journal (Chemistry)
Preparation of Poly(pentafluorophenyl acrylate) Functionalized SiO2 Beads for Protein Purification
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L’effet des paramètres d’anodisation sur la couche diélectrique d’oxyde d’aluminium des transistors minces

Article DOI: 10.3791/60798-v • 12:32 min • May 24th, 2020
May 24th, 2020 •
*1, *2, *1, *2, *3
1School of Technology and Sciences, São Paulo State University - UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering, Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences, São Paulo State University - UNESP
* These authors contributed equally

Chapters

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Les paramètres d’anodisation pour la croissance de la couche diélectrique d’aluminium-oxyde des transistors à couches minces de zinc-oxyde (TTET) sont variés pour déterminer les effets sur les réponses de paramètres électriques. L’analyse de la variance (ANOVA) est appliquée à une conception d’expériences Plackett-Burman (DOE) afin de déterminer les conditions de fabrication qui donnent lieu à des performances optimisées de l’appareil.

Tags

Chimie Numéro 159 Anodisation oxyde d’aluminium couche diélectrique transistor à couches minces oxyde de zinc ANOVA
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