تصميم وتوصيف المنهجية لمرشحات ممس الانضباطي كفاءة واسعة النطاق

المرشحات بشعبية كبيرة وتستخدم على نطاق واسع في تسلسل جهاز الاستقبال وجهاز الإرسال في الاتصالات اللاسلكية. بالإضافة إلى ذلك ، تعد مستشعرات الغاز وأجهزة الاستشعار الحيوية وأجهزة استشعار درجة الحرارة هي التطبيق الأكثر شيوعا. يجب تصنيع هذه المرشحات عالية الطلب في عملية CMOS MEMS لدعم كل من تصنيع أكثر موثوقية وتصميم إشارة منخفضة الضوضاء من خلال التخلص من الأسلاك الإضافية بين شريحتين منفصلتين.

هنا ، يرمز CMOS إلى أشباه الموصلات التكميلية لأكسيد المعادن و MEMS تعني الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة وأجهزة الاستشعار. علاوة على ذلك ، يجب تصميم عملية النشر بطريقة تتجنب الاحتكاك أثناء عملية التصنيع. هناك طريقة معروفة لقياس رنانات MEMS وهي استخدام محلل الشبكة ولكنها ليست طريقة قوية مثل تقنية مقياس اهتزاز دوبلر بالليزر للأسباب التالية.

أحد التحديات الكبيرة في طريقة محلل الشبكة هو القضاء على السعة الطفيلية. أرى أنه تم استخدام أداة التصميم لتفجير التردد واستجابة الطور للدائرة المكافئة لشعاع طويل 120 ميكرون. انخفضت قيمة الذروة إلى الذروة من هاتين الواط بشكل كبير من 6 ديسيبل إلى 0.34 ديسيبل حتى عندما زادت السعة الطفيلية من فيمتوفاراد واحد إلى 20 فيمتوفاراد.

هذا هو السبب في أن هذا يتطلب شريحة واحدة لإطلاق النار بجوار الرنانات القصوى. مقياس اهتزاز دوبلر بالليزر هو طريقة أخرى تستخدم الليزر لاستشعار اهتزاز الحزم عندما يتردد صداها. على عكس محلل الشبكة ، فإن تقنية مقياس الاهتزاز بالليزر دوبلر تقضي على مشكلة السعة الطفيلية.

بالإضافة إلى ذلك ، يمكنه اكتشاف رنين الوضع العالي الذي يجلب العديد من المزايا في مجالات البحث المختلفة مثل التطبيقات الحساسة للحيوية ويمكن أن يميز الرنانات الأصغر بكثير على عكس محلل الشبكة. يتيح ذلك النماذج الأولية السريعة والرنانات الأكثر حساسية ودقة ، خاصة في التطبيقات الحساسة بيولوجيا. الهدف من هذه الدراسة هو توفير مبدأ توجيهي لتوضيح ما بعد التصميم ، وقياس ضبط التردد ، وضبط القدرة على الضبط ، وتجنب الحزمة الثابتة الثابتة المزدوجة باستخدام مقياس اهتزاز دوبلر بالليزر.

تبدأ العملية بإيجاد الهيكل الأمثل. حدد الحزمة الثابتة على ضبط التردد الثاني واسع المدى لأن الحزمة الثابتة مقارنة بالمرشحين الآخرين تتيح ضبطا واسع المدى عند تسخينها بسبب معامل درجة الحرارة الكبير للتردد وثابت التمدد الحراري الفردي. صمم شعاعا أطول إذا كان الغرض هو تحسين كفاءة الضبط.

تصميم شعاع أقصر إذا كان الغرض هو قفز التردد أو تطبيقات تتبع الإشارة. تصميم وإنشاء نموذج ثلاثي الأبعاد لمغذي MEMS في برنامج قائم على العناصر المحدودة. أعد بناء نفس التخطيط في أداة تصميم الدوائر المتكاملة طبقة تلو الأخرى لإنشاء ملف GDS.

أرسل ملف GDS هذا إلى مسبك CMOS للتصنيع. هنا ، نستخدم تقنية CMOS 0.6 ميكرون. بمجرد اكتمال عملية CMOS ، يجب أن تأتي الرقائق مع طبقات البولي سيليكون والألمنيوم والأكسيد.

الخطوة التالية هي إجراء خطوات ما بعد العملية. قم بإجراء عملية الحفر الجاف CHF302 عبر نظام ICPH ، وهو ثاني أكسيد السيليكون بين طبقات الألمنيوم لتشكيل الحزم بنسبة عرض إلى ارتفاع تبلغ 5.7. لهذه العملية، استخدم المعلمات التالية.

CHF3 عند 40sccm ، الأكسجين عند 5sccm ، الضغط عند 0.5 باسكال ، طاقة ICP عند 500 واط ، طاقة العينة عند 100 واط مع إجمالي وقت الحفر 56 دقيقة. قم بتطبيق عملية حفر فلوريد الزينون في ركيزة السيليكون لإنشاء تجويف بعمق تسعة ميكرومتر تحت الحزم. في هذه العملية ، استخدم نظام نقش فلوريد الزينون لمدة ثلاث دورات بثلاث دورات لمدة 60 ثانية لكل دورة.

قم بتمييز الأجهزة الموجودة تحت ECM للتأكد من أنها ملفقة بشكل صحيح. في هذه الخطوة ، قم بتغيير جهد تسريع الشعاع إلى 2.58 كيلو فولت ومسافة العمل إلى 9.5 ملم. يتكون اختبار الجهاز من العديد من الخطوات بما في ذلك اختبار تسخين الجول واختبار استجابة التردد.

حدد موقع الكاميرا الحرارية أعلى الشريحة واختبر السخانات المحيطة للتأكد من تسخين الحزم. قم بتوصيل مصدر الطاقة بحزمة الشريحة لتطبيق جهد تيار مستمر على السخانات المدمجة بين 0 فولت و 5.7 فولت بزيادات صغيرة لزيادة درجة الحرارة في جميع أنحاء الحزم. قم بتسجيل ملف تعريف درجة الحرارة في جميع أنحاء حزمة الرقاقة باستخدام الكاميرا الحرارية أثناء عملية التسخين واحفظ النتائج في برنامج الإكمال العددي ورسم ملف تعريف التسخين.

حدد موقع الليزر أعلى الحزم التي يبلغ طولها 120 ميكرومتر. قم بتوصيل مصدر الطاقة بين حزمتين بطول 120 ميكرون لتطبيق حوالي سبعة فولت تيار مستمر وثلاثة جهد تيار متردد لعملية الرنين. قم بتوصيل جهد انحياز تيار مستمر إضافي بالسخانات المدمجة بحد أقصى 5.7 فولت لتطبيق تسخين الجول على الحزم أثناء عملية الرنين.

انقل الليزر إلى مكان مختلف على الشعاع للحصول على انحراف ليزر أقل لفترة طويلة. تأكد من زيادة شدة الشريط الأزرق لتقليل الضوضاء. قسم الشاشة إلى طرق عرض متعددة للمعايرة وبدء إعداد القياس.

انتقل إلى إعدادات الاكتساب. اضبط وضع القياس على FFT. لا تستخدم أي فلتر.

واضبط النطاق الترددي على اثنين من ميغاهيرتز. قم بتغيير السرعة التي يمكن أن تدعم الحد الأقصى للتردد البالغ 2.5 ميغا هرتز. استخدم شكل موجة الرقاقة الدورية.

هنا السعة تعني جهد التيار المتردد والإزاحة تعني جهد التيار المستمر. ابدأ القياس المستمر مع هذا الإعداد الجديد. قم بتحديث إعدادات الاستحواذ عن طريق تغيير جهد التيار المستمر إلى فولت واحد.

عندما يعرض Ref1 إنذارا أحمر ، فهذا يعني أن الإشارة صاخبة. قم بتقليل جهد التحيز المطبق في نافذة إعدادات الاستحواذ لإصلاح المشكلة. انقل الليزر إلى بقعة مختلفة على الحزمة للحصول على مزيد من الزيادة في نسبة الإشارة إلى الضوضاء.

في بعض الأحيان قد تجد بقعا سيئة على الشعاع تسبب إنذارا أحمر على شريط الاهتزاز. فقط استمر في البحث عن أفضل بقعة على العارضة. حدد مرشح MEMS بطول 68 ميكرون للاختبار.

قم بتطبيق جهد 25 فولت تيار مستمر وجهد تيار متردد بخمسة فولت معا بين الحزم المجاورة التي يبلغ طولها 68 ميكرون. هنا يوفر جهد التيار المستمر نطاقات ويتيح جهد التيار المتردد عملية الرنين. قم بتطبيق جهد تيار مستمر إضافي على السخانات المدمجة الموجودة في شعاع طويل 68 ميكرون وقم بزيادة الجهد من صفر فولت إلى 5.7 فولت بزيادات صغيرة في الخطوة.

سيوفر هذا ضبط التردد على أساس تسخين الجول. مراقبة وتسجيل تردد الرنين واستجابة الطور فيما يتعلق بجهد التحيز المطبق في كل خطوة وتلخيص النتائج في جدول. هنا يبلغ ضبط التردد الكلي لهذه العينة حوالي 874 كيلو هرتز عند تطبيق جهد تيار مستمر 5.7 فولت على السخان المدمج.

اضغط على زر A / D للانتقال إلى نافذة إعدادات الاستحواذ الموضحة في معايرة LDV وقسم إعداد الاختبار وتغيير السرعة التي يمكن أن تدعم الترددات العالية جدا. قم بقياس الوضع الأول والثاني بمرحلتهما. قم بتطبيق إشارة موجة مربعة واحدة هرتز لحل مشكلة الاحتكاك الناتجة عن شحن السرعة من حزمتين متجاورتين.

انتقل إلى علامة التبويب "المولد" وحدد شكل موجة مربعة ضمن القائمة المنسدلة لشكل الموجة. انتقل إلى صندوق الإزاحة واضبط جهد التيار المستمر على فولت واحد. انتقل إلى مربع التردد واضبط التردد على هرتز واحد.

قم بتنشيط وتطبيق هذه الإعدادات الجديدة على الحزم. راقب فصل الحزم. استخدم عينة إضافية لاختبار الإجهاد الحراري.

قم بزيادة جهد التحيز المطبق على السخان المضمن بزيادة صغيرة للعثور على الحد الأقصى للجهد المسموح به قبل فشل الجهاز بسبب الضغط الحراري العالي. قم بتطبيق جهد تيار مستمر 25 فولت وجهد تيار متردد خمسة فولت معا بين حزمتين متجاورتين بحجم 68 ميكرون مع زيادة جهد التحيز المطبق على السخان المدمج من 0 فولت إلى 5.7 فولت للحصول على إجمالي تحول تردد 661 كيلو هرتز. قم بزيادة جهد التحيز المطبق من 25 فولت إلى 35 فولت لإضافة تأثير تليين إضافي بين الحزمتين المتجاورتين بطول 68 ميكرون مع تطبيق جهد تيار متردد واحد فولت والحفاظ على نفس إعداد جهد التحيز على السخانات المدمجة.

سجل التحسن بنسبة 32٪ في إجمالي التحول في التردد حيث يجب أن يزيد من 661 كيلو هرتز إلى 875 كيلو هرتز الناتج عن تأثير التليين الإضافي هذا. يتم تحقيق ضبط تردد واسع النطاق مع تطبيق جهد التحيز المطبق على السخانات المدمجة والتحقق منه باستخدام مقياس اهتزاز دوبلر بالليزر. يعد قياس الرنين العالي للفولت أمرا بالغ الأهمية للرنانات لأنه يوفر نتائج واعدة لأجهزة الاستشعار الحيوية عالية الحساسية والدقيقة.

يتيح مقياس اهتزاز دوبلر الليزر قياس الجهد العالي الذي يكاد يكون من غير الممكن قراءته باستخدام محلل الشبكة. تم قياس الوضع الخامس باستخدام مقياس اهتزاز دوبلر بالليزر عن طريق قياس نقاط متعددة على كل حزمة. يحلل شكل الوضع المقاس للتأثير على التطابقات مع العنصر المحدود نتائج البرنامج المستندة الموضحة في الزاوية اليمنى.

يعلم هذا الفيديو كيفية تصميم وتصنيع وتوصيف الموجات الطويلة ومرشحات CMOS MEMS القابلة للضبط على نطاق واسع. تعد مرشحات MEMS القابلة للضبط ذات النطاق الواسع متطلبة للغاية خاصة في تطبيقات تتبع الإشارات وقفز التردد. هذا هو السبب في أنه بعد تعزيز نطاق الضبط مع تجنب الفشل ، يتم إثباته بنجاح ، وسهل التطبيق ، وقابل للتكرار.

يتم إثبات طرق تجنب المشاكل الشائعة مثل الحرق والاحتكاك بنجاح من أجل الموثوقية والتصنيع منخفض التكلفة. لغرض التوصيف ، تم إثبات تفوق مقياس اهتزاز دوبلر الليزر أو محلل الشبكة بنجاح. ليس فقط لتمكين الشريط في الوضع الخامس ولكن أيضا لتمكين التكنولوجيا المتطورة لأجهزة الاستشعار الحيوي المحمولة والتشخيص المبكر مثل فيروس نقص المناعة البشرية.