Name: البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية Epitaxy النمو من ملغ3N2 والزنك3N2 أفلام رقيقة (فيديو) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-05-11T13:00:00.000+00:00
Duration: 13 min 5 s
Description: تعلم نمو أفلام شبه الموصلات النبيتية من نتريد المغنيسيوم والزنك باستخدام تقنية الترسيب الجزيئي بمساعدة البلازما على ركائز MgO. تُستخدم المراقبة الضوئية لتحديد معدل النمو والثوابت البصرية للأفلام.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

وقد دعم هذا العمل مجلس البحوث الطبيعية والهندسية في كندا.

1. إعداد الركيزة MgO
ملاحظة: تم استخدام الركائز المربعة أحادية اللون من الكريستال الواحد MgO (1 سم × 1 سم) لـ X3N2 (X = Zn and Mg) لنمو الأفلام الرقيقة.
<ol><li>ارتفاع درجة الحرارة الصلب<ol>
<li>ضع MgO على حامل عينة رقاقة الياقوت نظيفة مع الجانب المصقول التي تواجه صعودا في فرن والصلب لمدة 9 ساعة في 1000 درجة مئوية. رفع درجة الحرارة إلى 1000 درجة مئوية على مدى فترة 10 دقيقة. ملاحظة: ارتفاع درجة الحرارة الصلب يزيل الكربون من السطح ويعيد بناء بنية الكريستال السطحية من ركائز الكريستال واحد MgO.</li>
		<li>تبريد ركائز MgO إلى درجة حرارة الغرفة (RT).</li>
	</ol>
</li>
	<li>تنظيف الركيزة<ol>
<li>جمع ركائز MgO الصلب وشطف في الماء منزوع الأيونات في كوب زجاجي البورسليكات نظيفة.</li>
		<li>تغلي ركائز MgO في 100 مل من الأسيتون في كوب زجاجي البورسليكات 250 مل لمدة 30 دقيقة لإزالة التلوث الكربوني غير العضوي من المناولة. ملاحظة: تغطية الكأس ولا تسمح الأسيتون ليغلي الجافة.</li>
		<li>استنزاف الأسيتون وشطف ركائز MgO في 50 مل من الميثانول.</li>
		<li>تجفيف الركائز مع غاز النيتروجين، ثم تخزين الركائز الجافة والنظيفة في علبة رقاقة نظيفة.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. تشغيل VG V80 MBE
<ol><li>فتح مياه التبريد لغرفة التحضير، cryoshroud على غرفة النمو (انظر الشكل1)، خلايا الانصباب، والكوارتز الكريستال الاستشعار microbalance.</li>
	<li>تشغيل الليزر الأيون مع الطول الموجي من 488 نانومتر. يتم جلب ضوء الليزر إلى غرفة MBE مع الألياف البصرية من الليزر، والذي يقع في غرفة أخرى.</li>
	<li>تشغيل انعكاس عالية الطاقة بندقية انعراج الإلكترون (RHEED)، 13.56 ميغاهيرتز الترددات الراديوية (الترددات اللاسلكية) مولد البلازما، والكوارتز الكريستال microbalance (QCM) نظام.</li>
</ol>3. الركيزة التحميل
<ol><li>قفل دخول سريع<ol>
<li>جبل الركيزة مغو نظيفة على حامل عينة الموليبدينوم (الشكل2A)باستخدام مقاطع الربيع التنغستن.</li>
		<li>إيقاف مضخة توربو على قفل دخول سريع (FEL) وتنفيس غرفة FEL مع النيتروجين. فتح FEL عندما يصل ضغط الغرفة إلى الضغط الجوي.</li>
		<li>قم بإزالة كاسيت حامل العينات من FEL واحمّل حامل العينة بالركيزة في الدرج.</li>
		<li>قم بتحميل الكاسيت مرة أخرى إلى FEL وأعد تشغيل المضخة التوربينية مرة أخرى.</li>
		<li>انتظر الضغط في FEL إلى انخفاض إلى 10-6 تور.</li>
		<li>زيادة درجة حرارة قفل الدخول السريع إلى 100 درجة مئوية على مدى فترة 5 دقائق وdegas ركائز مع أصحاب لمدة 30 دقيقة في قفل الدخول السريع.</li>
	</ol>
</li>
	<li>تأكد من الضغط في قفل الدخول السريع هو أقل من 10-7 تور قبل فتح صمام فراغ إلى غرفة الإعداد. نقل حامل باستخدام آلية نقل عصا تمايل إلى غرفة الإعداد، ثم تصعيد محطة إزالة الغاز إلى 400 درجة مئوية والسماح لها ديغاز لمدة 5 ساعة.</li>
	<li>نقل حامل منزوع الغاز بواسطة آلية نقل عربة إلى المتلاعب عينة في غرفة النمو. زيادة درجة حرارة الركيزة تصل إلى 750 درجة مئوية على مدى فترة 30 دقيقة والسماح للعينة إلى outgas في المتلاعب لمدة 30 دقيقة أخرى.</li>
	<li>انخفاض درجة حرارة الركيزة إلى 150 درجة مئوية لنمو فيلم Zn3N2 و 330 درجة مئوية لنمو فيلم Mg3N2 باستخدام الحرارية في المتلاعب عينة لقياس درجة حرارة العينة.</li>
	<li>في الموقع<ol>
<li>تعيين الجهد على بندقية الإلكترون إلى 15 كيلو فولت وخيوط الحالية إلى 1.5 A مرة واحدة ضغط غرفة النمو هو أقل من 1 × 10-7 تور.</li>
		<li>تدوير حامل الركيزة حتى 1) يتم محاذاة بندقية الإلكترون على طول محور الكريستال مبدأ الركيزة و 2) واضح نمط انعراج الإلكترون الكريستال واحد مرئي.</li>
		<li>التقاط صورة لنمط RHEED وحفظ الصورة.</li>
	</ol>
</li>
	<li>أغلق الغالق على خلية الانصباب وأوقف تدفق النيتروجين. قياس نمط RHEED للفيلم المودعة عندما ضغط الغرفة هو أقل من 10-7 تور.</li>
</ol>4. قياسات تدفق المعادن
<ol><li>استخدام معيار مجموعة III نوع خلايا الانصباب أو خلايا الانصباب درجة حرارة منخفضة لملغ والزنك.</li>
	<li>تحميل بوتقة مع 15 غرام و 25 غرام من النقاء العالي Mg وZn النار، على التوالي.</li>
	<li>عندما حققت غرفة النمو فراغ من 10-8 تور أو أفضل، وقبل تحميل حامل الركيزة، outgas الزنك أو ملغ خلايا انصباب المصدر تصل إلى 250 درجة مئوية بمعدل منحدر ~ 20 درجة مئوية / دقيقة والسماح لها outgas لمدة 1 ساعة مع مصاريع مغلقة.</li>
	<li>بعد أن تم تحميل الركيزة في المتلاعب عينة، وتسخين الزنك و / أو خلايا انصباب ملغ إلى 350 درجة مئوية أو 390 درجة مئوية على التوالي، بمعدل منحدر ~ 10 درجة مئوية / دقيقة، والانتظار 10 دقيقة بالنسبة لهم لتحقيق الاستقرار مع مصاريع مغلقة.</li>
	<li>استخدام شاشة الكريستال الكوارتز قابل للسحب لقياس تدفق المعادن. وضع جهاز استشعار الكريستال الكوارتز أمام الركيزة داخل الغرفة. تأكد من أن الركيزة مغطاة بالكامل من قبل كاشف بحيث لا يتم إيداع أي معدن على الركيزة.</li>
	<li>إدخال كثافة المعدن من الفائدة (الزنك = 7.14 غرام / سم3،وملغ = 1.74 غرام / سم3)في وحدة تحكم رصد الكريستال الكوارتز (QCM).</li>
	<li>لمعايرة التدفق، افتح الغالق لأحد المصادر المعدنية والسماح لخلية الانصباب بالإيداع على جهاز الاستشعار. يقوم نظام QCM بتحويل قياسه الداخلي للكتلة إلى سمك.</li>
	<li>حساب تدفق عنصري من المنحدر من سمك متزايد كدالة الوقت هو مبين على QCM. معدل زيادة سمك على مدى بضع دقائق يتناسب مع تدفق عنصري. وفي حالتين على سبيل المثال، يتم الحصول على تدفق زن قدره 0.45 نانومتر/ث وتدفق ملغ قدره 1.0 نانومتر/ث.</li>
	<li>تغيير درجة حرارة خلايا الانصباب وكرر الخطوة 4.8 إذا كان الاعتماد على درجة الحرارة من تدفق مطلوب. ويبين الشكل 3 الاعتماد على درجة الحرارة المقاسة لتدفق المغّاق والزنك من أجل نظام النمو المحدد هذا.</li>
	<li>عند اكتمال قياسات التدفق، أغلق مصاريع على خلايا الانصباب وسحب جهاز استشعار الكريستال الكوارتز.</li>
</ol>5. النيتروجين البلازما
<ol><li>إيقاف خيوط الحالية والجهد العالي على بندقية RHEED لمنع الضرر في وجود ارتفاع ضغط الغاز N2 في غرفة النمو.</li>
	<li>فتح صمام الغاز على الضغط العالي N2 اسطوانة.</li>
	<li>فتح ببطء صمام تسرب ببطء حتى ضغط النيتروجين في غرفة النمو يصل إلى 3 × 10-5-4 × 10-5 تور.</li>
	<li>تعيين قوة مولد البلازما إلى 300 واط.</li>
	<li>إشعال البلازما مع الإشعال على مصدر البلازما. سوف يكون توهج الأرجواني مشرق مرئية من منفذ العرض عندما تشتعل البلازما، كما هو مبين في الشكل 2B.</li>
	<li>ضبط عنصر التحكم في مربع مطابقة الترددات اللاسلكية لتقليل الطاقة المنعكسة قدر الإمكان. قوة منعكسة من أقل من 15 W هو جيد; في هذه الحالة، يتم تقليل الطاقة المنعكسة إلى 12 وات.</li>
</ol>6. في الموقع ضوء الليزر التشتت
<ol><li>التركيز على المفروم 488 نانومتر الأرجون ضوء الليزر ينعكس من الركيزة في غرفة النمو على صمام ثنائي Si بحيث يمكن الكشف عن إشارة كهربائية من قبل مكبر للصوت قفل في. ويتم ذلك عن طريق ضبط زاوية الركيزة عن طريق تدوير حامل الركيزة حول محورين وضبط موقف كاشف سي، ثم تركيز العدسة التي تجمع الضوء المنعكس كما هو موضح في الشكل4.</li>
	<li>فتح مصراع أحد المصادر المعدنية.</li>
	<li>تسجيل انعكاسية تعتمد على الوقت مع مسجل بيانات يتم التحكم فيه بالكمبيوتر. سوف ينتج عن نمو فيلم إبيتاكسي إشارة منعكسة متذبذبة مع الوقت المرتبط بالتداخل البصري للفيلم الرقيق بين الأسطح الأمامية والخلفية للفيلم.</li>
	<li>لحماية الفيلم من الأكسدة في الهواء، إيداع طبقة تغليف لحماية الفيلم من الأكسدة في الهواء. وهذا مهم بشكل خاص لملغ3N2 الذي يتأكسد بسرعة في الهواء.</li>
	<li>من أجل إيداع طبقة تغليف MgO، أغلق غاز النيتروجين، والتبديل إلى غاز الأكسجين، وكرر الخطوة 5.3، وزيادة ضغط الأكسجين إلى 1 × 10-5 تور.</li>
	<li>تعيين قوة مولد البلازما إلى 250 W وكرر الخطوة 5.5. تبدأ البلازما في انخفاض قوة الترددات اللاسلكية مع غاز الأكسجين من مع غاز النيتروجين.</li>
	<li>افتح الغالق على مصدر Mg، وكرر الخطوة 6.4 لمدة 5-10 دقائق. ملاحظة: هذا سوف تنتج فيلم MgO الذي هو حوالي 10 نانومتر سميكة. أفلام Mg3N2 غير المتوجة صفراء ولكنها تتلاشى بسرعة إلى لون أبيض في غضون 20 s عند التعرض للهواء. وبالتالي، مطلوب طبقة تغليف لإتاحة الوقت لإجراء قياسات على الأفلام قبل أن تتأكسد بعد إزالتها من غرفة الفراغ.</li>
	<li>أغلق صمامات الغاز، وأغلق الليزر، ومنحدر أسفل الركيزة ودرجات حرارة الخلية إلى ~ 25 درجة مئوية في 30 دقيقة.</li>
	<li>بعد عدة أشواط النمو، والنوافذ البصرية تصبح مغطاة بالمعادن. إزالة المعدن عن طريق التفاف النافذة في رقائق الألومنيوم وتسخينه مع شريط التدفئة إلى 400 درجة مئوية ومعدل منحدر درجة الحرارة من ~ 15 درجة مئوية / دقيقة أو أبطأ على مدى عطلة نهاية الأسبوع.</li>
</ol>7 - تحديد معدل النمو
<ol><li>استخدم المعادلة 1 أدناه لوصف انعكاسية بصرية للعينة11،19. <img alt="Equation 1" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq1.jpg" style="opacity: 0.9;">(1) حيث: <img alt="Equation 2" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq2.jpg" style="opacity: 0.9;">(1-أ) <img alt="Equation 4" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq4.jpg" style="opacity: 0.9;">(1-ب) <img alt="Equation 5" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq5.jpg" style="opacity: 0.9;">(1-ج) <img alt="Equation 6" src="/files/ftp_upload/59415/59415eq6.jpg" style="opacity: 0.9;">(1-د)</li>
	<li>وحيث: ن2 = 1.747 هو مؤشر الانكسار من الركيزة MgO في الطول الموجي من 488 نانومتر; θ0 هي زاوية شعاع الحادث المقاسة فيما يتعلق بسطح الركيزة الطبيعي. وt هو الوقت. يتم الحصول على الثوابت البصرية للفيلم (ن1 وك 1) ومعدل النمو عن طريق تركيب انعكاسية كدالة للوقت في المعادلة 1.</li>
</ol>

<ol><li>Suda, T., Kakishita, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Band-gap+energy+and+electron+effective+mass+of+polycrystalline+Zn3N2%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Band-gap energy and electron effective mass of polycrystalline Zn3N2.</a> Journal of Applied Physics. 99 (7), 076101.1-076101.3 (2006).</li>
<li>Hu, J., Bando, Y., Zhan, J., Zhi, C., Golberg, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carbon+nanotubes+as+nanoreactors+for+fabrication+of+single-crystalline+Mg3N2+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Carbon nanotubes as nanoreactors for fabrication of single-crystalline Mg3N2 nanowires.</a> Nano Letters. 6 (6), 1136-1140 (2006).</li>
<li>Fang, C. M., Groot, R. A., Bruls, R. J., Hintzen, H. T., With, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ab+initio+band+structure+calculations+of+Mg3N2+and+MgSiN2%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Physics%3A+Condensed+Matter%22%5BJournal%5D)">Ab initio band structure calculations of Mg3N2 and MgSiN2.</a> Journal of Physics: Condensed Matter. 11 (25), 4833-4842 (1999).</li>
<li>Yoo, S. H., Walsh, A., Scanlonc, D. O., Soon, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electronic+structure+and+band+alignment+of+zinc+nitride%2C+Zn3N2%5BTitle%5D)+AND+%22RSC+Advances%22%5BJournal%5D)">Electronic structure and band alignment of zinc nitride, Zn3N2.</a> RSC Advances. 4 (7), 3306-3311 (2014).</li>
<li>Partin, D. E., Williams, D. J., O'Keeffe, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+crystal+structures+of+Mg3N2+and+Zn3N2%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Solid-State+Chemistry%22%5BJournal%5D)">The crystal structures of Mg3N2 and Zn3N2.</a> Journal of Solid-State Chemistry. 132 (1), 56-59 (1997).</li>
<li>Ullah, M., Murtaza, G., Ramay, S. M., Mahmood, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Structural%2C+electronic%2C+optical+and+thermoelectric+properties+of+Mg3X2+%28X+%3D+N%2C+P%2C+As%2C+Sb%2C+Bi%29+compounds%5BTitle%5D)+AND+%22Materials+Research+Bulletin%22%5BJournal%5D)">Structural, electronic, optical and thermoelectric properties of Mg3X2 (X = N, P, As, Sb, Bi) compounds.</a> Materials Research Bulletin. 91, 22-30 (2017).</li>
<li>Li, C. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrocatalytic+zinc+composites+as+the+efficient+counter+electrodes+of+dye-sensitized+solar+cells%3A+study+on+the+electrochemical+performance+and+density+functional+theory+Calculations%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+%26+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Electrocatalytic zinc composites as the efficient counter electrodes of dye-sensitized solar cells: study on the electrochemical performance and density functional theory Calculations.</a> ACS Applied Materials & Interfaces. 7 (51), 28254-28263 (2015).</li>
<li>Sinha, S., Choudhury, D., Rajaraman, G., Sarkar, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomic+layer+deposition+of+Zn3N2+thin+films%3A+growth+mechanism+and+application+in+thin+film+transistor%5BTitle%5D)+AND+%22RSC+Advances%22%5BJournal%5D)">Atomic layer deposition of Zn3N2 thin films: growth mechanism and application in thin film transistor.</a> RSC Advances. 5 (29), 22712-22717 (2015).</li>
<li>Bhattacharyya, S. R., Ayouchi, R., Pinnisch, M., Schwarz, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Transfer+characteristic+of+zinc+nitride+based+thin+film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Physica+Status+Solidi+C%22%5BJournal%5D)">Transfer characteristic of zinc nitride based thin film transistors.</a> Physica Status Solidi C. 9 (3-4), 469-472 (2012).</li>
<li>Wu, P., Tiedje, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Molecular+beam+epitaxy+growth+and+optical+properties+of+Mg3N2+films%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Molecular beam epitaxy growth and optical properties of Mg3N2 films.</a> Applied Physics Letters. 113 (8), 082101.1-082101.4 (2018).</li>
<li>Wu, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Molecular+beam+epitaxy+growth+and+optical+properties+of+single+crystal+Zn3N2+films%5BTitle%5D)+AND+%22Semiconductor+Science+and+Technology%22%5BJournal%5D)">Molecular beam epitaxy growth and optical properties of single crystal Zn3N2 films.</a> Semiconductor Science and Technology. 31 (10), 10LT01.1-10LT01.4 (2016).</li>
<li>Jiang, N., Georgiev, D. G., Jayatissa, A. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+effects+of+the+pressure+and+the+oxygen+content+of+the+sputtering+gas+on+the+structure+and+the+properties+of+zinc+oxy-nitride+thin+films+deposited+by+reactive+sputtering+of+zinc%5BTitle%5D)+AND+%22Semiconductor+Science+and+Technology%22%5BJournal%5D)">The effects of the pressure and the oxygen content of the sputtering gas on the structure and the properties of zinc oxy-nitride thin films deposited by reactive sputtering of zinc.</a> Semiconductor Science and Technology. 28 (2), 025009(2013).</li>
<li>Nakano, Y., Morikawa, T., Ohwaki, T., Taga, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrical+characterization+of+p-type+N-doped+ZnO+films+prepared+by+thermal+oxidation+of+sputtered+Zn3N2+films%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Electrical characterization of p-type N-doped ZnO films prepared by thermal oxidation of sputtered Zn3N2 films.</a> Applied Physics Letters. 88 (17), 172103.1-172103.3 (2006).</li>
<li>Cao, X., Yamaguchi, Y., Ninomiya, Y., Yamada, N. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Comparative+study+of+electron+transport+mechanisms+in+epitaxial+and+polycrystalline+zinc+nitride+films%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Comparative study of electron transport mechanisms in epitaxial and polycrystalline zinc nitride films.</a> Journal of Applied Physics. 119 (2), 025104.1-025104.10 (2016).</li>
<li>Jia, J., Kamijo, H., Nakamura, S., Shigesato, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((How+the+sputtering+process+influence+structural%2C+optical%2C+and+electrical+properties+of+Zn3N2+films%5BTitle%5D)+AND+%22MRS+Communications%22%5BJournal%5D)">How the sputtering process influence structural, optical, and electrical properties of Zn3N2 films.</a> MRS Communications. 8 (2), 314-321 (2018).</li>
<li>Trapalis, A., Hefferman, J., Farrer, I., Sherman, J., Kean, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Structural%2C+electrical+and+optical+characterization+of+as-grown+and+oxidized+zinc+nitride+films%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">Structural, electrical and optical characterization of as-grown and oxidized zinc nitride films.</a> Journal of Applied Physics. 120 (20), 205102.1-205102.9 (2016).</li>
<li>Núñez, C. G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((On+the+zinc+nitride+properties+and+the+unintentional+incorporation+of+oxygen%5BTitle%5D)+AND+%22Thin+Solid+Films%22%5BJournal%5D)">On the zinc nitride properties and the unintentional incorporation of oxygen.</a> Thin Solid Films. 520 (6), 1924-1929 (2012).</li>
<li>Oshima, T., Fujita, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((%28111%29-oriented+Zn3N2+growth+on+a-plane+sapphire+substrates+by+molecular+beam+epitaxy%5BTitle%5D)+AND+%22Japanese+Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">(111)-oriented Zn3N2 growth on a-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy.</a> Japanese Journal of Applied Physics. 45 (111), 8653-8655 (2006).</li>
<li>Heavens, O. S. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aHeavens%2C+OS+%22Optical+properties+of+thin+solid+films%22">Optical properties of thin solid films</a>. , Butterworth, London. 46-48 (1955).</li>
<li>Heyns, A. H., Prinsloo, L. C., Range, K. J., Stassen, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+vibrational+spectra+and+decomposition+of+%CE%B1-calcium+nitride+%28%CE%B1-Ca3N2%29+and+magnesium+nitride+%28Mg3N2%29%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Solid-State+Chemistry%22%5BJournal%5D)">The vibrational spectra and decomposition of α-calcium nitride (α-Ca3N2) and magnesium nitride (Mg3N2).</a> Journal of Solid-State Chemistry. 137, 33-41 (1998).</li>
<li>Lewis, R. B., Bahrami-Yekta, V., Patel, M. J., Tiedje, T., Masnadi-Shirazi, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Closed-cycle+cooling+of+cryopanels+in+molecular+beam+epitaxy%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Vacuum+Science+Technology+B%22%5BJournal%5D)">Closed-cycle cooling of cryopanels in molecular beam epitaxy.</a> Journal of Vacuum Science Technology B. 32 (2), 02C102.1-02C102.7 (2014).</li>
</ol>

وليس لدى أصحاب البلاغ ما يكشفون عنه.

وتشارك مجموعة متنوعة من الاعتبارات في اختيار ركائز وتحديد ظروف النمو التي تحسن الخصائص الهيكلية والإلكترونية للأفلام. يتم تسخين ركائز MgO في درجة حرارة عالية في الهواء (1000 درجة مئوية) لإزالة تلوث الكربون من السطح وتحسين النظام البلورية في سطح الركيزة. التنظيف بالموجات فوق الصوتية في الأسيتون هو طريقة بديلة جيدة لتنظيف ركائز MgO.
تم العثور على ذروة الانعراج بالأشعة السينية (400) لأفلام Zn3N2 لتكون أضيق عندما تم زراعة الفيلم على درجة حرارة عالية، ركائز MgO الصلبة بالمقارن...

الموادII 3-V2 هي فئة من أشباه الموصلات التي تلقت القليل نسبيا من الاهتمام من مجتمع بحوث أشباه الموصلات مقارنة مع أشباه الموصلات III-V و II-VI1. وملغ والزنك نيتريدس، ملغ3N2 والزنك3N2،هي جذابة لتطبيقات المستهلك لأنها تتألف من عناصر وفيرة وغير سامة، مما يجعلها غير مكلفة وسهلة لإعادة تدوير على عكس معظم III-V و II-VI أشباه الموصلات المركبة. أنها تعرض هيكل الكريستال المضادة للبيكسبيت مماثلة لهيكل CaF 2، مع واحدة من شبكة الاتصالات الفدرالية المتشابكة F-sublattices يجري نصف المحتلة2،3،4،5. كلاهما مباشرة الموادالفجوة الفرقة 6، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات البصرية7،8،9. الفجوة الفرقة من ملغ3N2 في الطيف المرئي (2.5 eV)10، والفجوة الفرقة من الزنك3N2 في الأشعة تحت الحمراء القريبة (1.25 eV)11. لاستكشاف الخصائص الفيزيائية لهذه المواد وإمكاناتها لتطبيقات الأجهزة الإلكترونية والبصرية، من المهم الحصول على أفلام الكريستال ذات جودة عالية وواحدة. وقد تم تنفيذ معظم الأعمال على هذه المواد حتى الآن على مساحيق أو أفلام متعددة البلورات التي أدلى بها رد الفعل التأتأة12،13،14،15،16، 17.
الشعاع الجزيئي epitaxy (MBE) هو طريقة متطورة ومتعددة الاستخدامات لزراعة أفلام أشباه الموصلات المركبة أحادية الكريستال18 التي لديها القدرة على إنتاج مواد ذات جودة عالية باستخدام بيئة نظيفة ومصادر عنصرية عالية النقاء. وفي الوقت نفسه، يتيح عمل الغالق السريع MBE تغييرات في فيلم على مقياس الطبقة الذرية ويسمح بالتحكم الدقيق في سمك. هذه الورقة تقارير عن نمو ملغ3N2 والزنك3N2 الأفلام الظهارية على ركائز MgO من قبل MBE بمساعدة البلازما، وذلك باستخدام عالية النقاء الزنك وملغ كمصادر بخار وN2 الغاز كمصدر النيتروجين.

<table><tbody><tr><td>(100)</td><td>رقاقة جامعة</td> MgO <td>214018</td><td>جانب واحد مصقول</td></tr><tr><td>epi Acetone</td><td>Fisher Chemical &nbsp ؛</td><td>170239</td><td>99.8٪</td></tr> <tr><td>ليزر الأرجون</td><td>ليزر ليكسيل</td><td>00-137-124</td><td>488 نانومتر الطول الموجي المرئي ، 350 ميجاوات طاقة الإخراج</td></tr><tr><td>المروحية &nbsp ؛</td><td>نظام ستانفورد للأبحاث&nbsp;</td><td>SR540</td> <td>&nbsp ؛ الحد الأقصى للتردد: 3.7 كيلو هرتز & nbsp ؛</td></tr><tr><td>قفل في مكبر للصوت&nbsp;</td><td>نظام ستانفورد للأبحاث&nbsp;</td><td>37909</td><td>DSP SR810 ، الحد الأقصى للتردد: 100 كيلو هرتز & nbsp ؛</td></tr><tr><td>المغنيسيوم&nbsp;</td><td>UMC</td><td>MG6P5</td><td>99.9999٪</td></tr> <tr><td>نظام MBE</td><td>VG Semicon</td><td>V80H0016-2 SHT 1</td><td>V80H-10</td></tr><tr><td>ميثانول &nbsp ؛</td><td>ألفا إيسار</td><td>L30U027</td><td>شبه درجة 99.9٪</td></tr> <tr><td>نيتروجين</td><td>Praxair</td><td>402219501</td><td>99.998٪</td></tr> <tr><td>أكسجين &nbsp ؛</td><td>غاز ليند</td><td>200-14-00067</td><td>> 99.9999٪</td></tr> <tr><td>مصدر البلازما</td><td>SVT Associates</td><td>SVTA-RF-4.5PBN</td><td>PBN ، فتحة 0.11 بوصة ، تحديد الطول: 12 بوصة &ndash ؛ 20 بوصة</td></tr> <tr><td>الثنائي الضوئي Si &nbsp ؛</td><td>نيوبورت</td><td>2718</td><td>818-UV محسن ، 200 - 1100 نانومتر</td></tr><tr><td>زنك &nbsp ؛</td><td>ألفا إيسار</td><td>7440-66-6</td><td>99.9999٪</td></tr></tbody></table>

البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية epitaxy النمو من ملغ3n2 والزنك3n2 أفلام رقيقة

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

يصف هذا مادة إجراء ل ينمو [مغ]3[ن]2 و [زن]3[ن]2 أفلام ب [بلازما-كنّد] شعاع جزيئيّة [إبيإكسي] ([مب]). وتزرع الأفلام على 100 الموجهة MgO ركائز مع الغاز N2 كمصدر النيتروجين. يتم وصف طريقة إعداد الركائز وعملية نمو MBE. يتم رصد التوجه والنظام البلورية للطبقة والأسطح الفيلم من قبل انعكاس انعراج الإلكترون عالية الطاقة (RHEED) قبل وأثناء النمو. يتم قياس انعكاسية الطيفية لسطح العينة أثناء النمو مع ليزر أيون مع الطول الموجي من 488 نانومتر. من خلال تركيب الاعتماد على الوقت من انعكاسية لنموذج رياضي، يتم تحديد مؤشر الانكسار، ومعامل الانقراض البصري، ومعدل نمو الفيلم. يتم قياس التدفقات المعدنية بشكل مستقل كدالة لدرجات حرارة خلية الانصباب باستخدام شاشة كريستال الكوارتز. معدلات النمو النموذجية هي 0.028 نانومتر / ث في درجات حرارة النمو من 150 درجة مئوية و 330 درجة مئوية لملغ3N2 والزنك3N2 الأفلام، على التوالي.

الكائن الأسود في بداية في الشكل 5B هو صورة ل200 نانومتر 200 نانومتر الزنك3N2 فيلم رقيقة. وبالمثل، فإن الكائن الأصفر في الداخل في الشكل 5C هو نمت 220 نانومتر ملغ3N2 فيلم رقيقة. الفيلم الأصفر شفاف إلى حد أنه من السهل قراءة النص وضعت وراء الفيلم10.
رصدت السطح من الركيزة والأفلام كان في موقعة ب [رج...

يصف هذا مادة الحالة نموّ من أفلام إبيتاكسيّ من [مغ]3[ن]2 و [زن]3[ن]2 على [مغو] ركائز ب [بلازما-كنّد] شعاع جزيئيّة [إبيإكسي] مع [ن]2 غاز كالنيتروجين مصدر وبصريّة حالة نموّ رصد.

البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية Epitaxy النمو من ملغ3N2 والزنك3N2 أفلام رقيقة

This article describes a procedure for growing Mg3N2 and Zn3N2 films by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). The films are grown on 100 oriented ...

في هذا الفيديو، نعرض كيفية زراعة أفلام ظهارية من نتريت المغنيسيوم والنيتري الزنك بواسطة البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية، أو MBE لفترة قصيرة. نيتريت المغنيسيوم والزنك نتريت هي المواد أشباه الموصلات المركبة II-V. هذه فئة غير مستكشفة نسبيا من أشباه الموصلات.لديهم بنية الكريستال المضادة لـ bixbyite ، والتي تحتوي على 80 ذرة في خلية الوحدة المكعبة التقليدية. وتزرع الأفلام في نظام V80 V 80. الغرفة الأفقية على اليسار هي غرفة التحضير والغرفة المستديرة على اليمين هي غرفة النمو حيث يحدث نمو الفيلم.قفل إدخال العينة، الموجود في الطرف الأيسر من غرفة التحضير. أفضل الركيزة التي وجدناها لنمو نتريت المغنيسيوم الظهارية والزنك نيتريت هو 100 الموجهة أكسيد المغنيسيوم الكريستالية. يتم وضع ركائز مربعة سنتيمتر واحد لأول مرة على الناقل عينة رقاقة الياقوت مع الجانب المصقول حتى ومحن لمدة تسع ساعات في 1، 000 درجة C.High درجة الحرارة الصلب يزيل الكربون من السطح ويعيد بناء هيكل الكريستال السطح من ركائز الكريستال أكسيد المغنيسيوم واحد.بعد التلاطيف ، يتم شطف العينات في الماء الأيون ، والمغلي في الأسيتون لمدة 30 دقيقة لإزالة أي تلوث الكربون العضوي من المناولة ، ثم يتم شطفها مرة أخرى في الميثانول وتجفيفها بالنتروجين. الخطوة الأولى في نمو MBE هي تشغيل مياه التبريد لخلايا الاندماج وكفن التبريد في غرفة النمو. ثم ننتقل على الليزر رصد النمو، وإمدادات الطاقة RHEED، وإمدادات الطاقة مولد البلازما RF، ونظام توازن الكريستال الكوارتز.يتم تركيب ركائز أكسيد المغنيسيوم على حاملات عينة الموليبدينوم بقطر ثلاثة بوصات مع مقاطع الربيع التنغستن. الخطوة الأولى في تحميل العينات في MBE هو لإيقاف مضخة توربو وتنفيس قفل دخول سريع. تتم إزالة الكاسيت حامل العينة من قفل الدخول السريع وعينة جديدة تحميلها في الكاسيت ويتم وضع الكاسيت مرة أخرى في قفل الدخول السريع.يتم استخدام مضخة توربو لإخلاء قفل الدخول السريع. لذلك نحن عادة إزالة الغاز الركيزة في قفل دخول سريع في 100 درجة مئوية ، درجة مئوية ، لمدة 30 دقيقة. وبعد ذلك، نقله إلى غرفة التحضير للتهوية في 400 درجة مئوية لمدة خمس ساعات.يتم نقل حامل عينة إزالة الغاز بواسطة آلية عربة إلى غرفة النمو حيث يتم تحميلها في المتلاعب العينة. العينة خارج الغاز في المتلاعب في 750 درجة مئوية لمدة 30 دقيقة. تأكد من تشغيل مياه التبريد في كفن التبريد لتجنب ارتفاع درجة الحرارة.في حالة نمو نتريت المغنيسيوم ، يتم زيادة درجة حرارة الركيزة إلى 330 درجة. وينبغي أن يكون ضغط غرفة النمو الآن أقل من 10 إلى ناقص ثمانية تور. الجهد على انعكاس الطاقة العالية الإلكترون مسدس الحيود، أو RHEED لفترة قصيرة، يتم زيادة ببطء إلى 15 كيلوفولت ويتم تعيين تيار سخان خيوط في واحد ونصف أمبير.يتم تدوير حامل الركيزة حتى يظهر نمط الحيود الإلكتروني المحاذاة مع محور الرسم الكريستالي الأساسي للركيزة ونمط حيود إلكترون أحادي البلور واضح مرئي. وتستخدم المجموعة القياسية ثلاثة خلايا نشر نوع أو خلايا نشر درجة حرارة منخفضة للمغنيسيوم والزنك. تم تحميل البوتقات مع 15 غراما و 25 غراما من المغنيسيوم عالية النقاوة والزنك النار، على التوالي.خلايا الانصهار المصدر الزنك والمغنيسيوم هي خارج الغاز في 250 درجة لمدة ساعة واحدة مع مصاريع مغلقة. عادة يتم ذلك قبل تحميل الركيزة في المتلاعب. بعد تحميل الركيزة، نحن تسخين خلية الانصهار الزنك تصل إلى 350 درجة مئوية وخلية المغنيسيوم إلى 390 درجة C.The خلايا الاندماج يسمح لتحقيق الاستقرار لمدة 10 دقائق في درجات حرارة التشغيل الخاصة بهم قبل فتح مصاريع.يتم وضع شاشة الكريستال الكوارتز قابل للسحب أمام الركيزة داخل الغرفة. تأكد من أن الركيزة مغطاة بالكامل بواسطة الكاشف ، بحيث لا يتم إيداع أي معدن على الركيزة. إدخال كثافة المعدن في وحدة تحكم مراقبة الكريستال الكوارتز، بحيث يمكن أن تقرأ وحدة تحكم سمك المعدن المودع على استشعار الكريستال الكوارتز.من أجل معايرة تدفق، ونحن فتح مصراع على واحد من المصادر المعدنية والسماح للتدفق المعدني من واحدة من خلية ضخ للإيداع على أجهزة الاستشعار. سوف يزيد سمك قياسها من قبل وحدة تحكم خطيا مع مرور الوقت كما يتراكم المعدن على أجهزة الاستشعار. عن طريق تركيب خط مستقيم إلى سمك كدالة من الزمن، نحصل على قياس دقيق للتدفق المعدني.بمجرد الانتهاء من قياسات التدفق ، أغلق مصاريع خلايا التسريب واسحب كاشف جهاز الكريستال الكوارتز من الجزء الأمامي من حامل العينة. يُظهر هذا الرسم البياني درجة الحرارة الاعتماد على تدفق يتم قياس مصدر المعدن مع جهاز الكريستال الكوارتز. يتم إصلاح الخطوط المستقيمة إلى علاقة Arhenius.يتضاعف تدفق تقريبا لكل 12 زيادة درجة في درجة حرارة المصدر. إيقاف التيار خيوط والجهد العالي على بندقية RHEED لمنع الأضرار التي لحقت خيوط في وجود ارتفاع ضغط غاز النيتروجين في غرفة النمو. الخطوة التالية هي بدء مصدر البلازما النيتروجين.فتح صمام الغاز على اسطوانة الضغط العالي، ثم فتح ببطء صمام تسرب حتى ضغط النيتروجين في غرفة النمو تصل ثلاث إلى أربع مرات 10 إلى ناقص خمسة تور. ثم تعيين الطاقة على 13.56 ميغاهيرتز RF امدادات الطاقة إلى 300 واط. يتم بدء البلازما مع إشعال على مصدر البلازما.عندما بدأت البلازما، توهج الأرجواني مشرق مرئيا من ميناء عرض في الجزء الخلفي من مصدر البلازما. اضبط عنصر التحكم في مربع مطابقة الترددات الراديوية لتقليل القدرة العاكسة قدر الإمكان. قوة تنعكس أقل من 15 واط جيدة.التركيز على 488 نانومتر المفروم الطول الموجي أرجون ضوء الليزر تنعكس من الركيزة في غرفة النمو على صمام ثنائي الصور سيليكون، بحيث يمكن الكشف عن إشارة كهربائية من قبل مكبر للصوت قفل في. ويتم ذلك عن طريق ضبط زاوية الركيزة من خلال تدوير حامل الركيزة حول محورين وعن طريق ضبط موضع كاشف السيليكون والتركيز العدسة التي تجمع الضوء المنعك كما هو مبين في هذه الصورة. يتم استخدام فلتر خط الليزر لمنع جميع الضوء باستثناء ضوء نانومتر 488 من ليزر الأرجون.يتم قياس الناتج الصمام الثنائي الصورة مع مكبر للصوت قفل في وهذا واحد يتناسب مع انعكاسية سطح الركيزة. افتح مصراع أحد المصادر المعدنية. تسجيل انعكاسية تعتمد على الوقت مع مسجل بيانات يتم التحكم فيه على الكمبيوتر.سوف ينتج نمو فيلم الإكسياسي إشارة متذبذبة تنعكس مرتبطة بالتداخل البصري الرقيق بين الأسطح الأمامية والخلفية للفيلم. عندما يتم أخذ أفلام نيتريت المغنيسيوم لأول مرة من MBE ، فهي صفراء ، ولكنها تتلاشى بسرعة إلى لون ابيض. لحماية الأفلام من الأكسدة والهواء، فمن المستحسن أن يتم إيداع طبقة تغليف أكسيد المغنيسيوم على أعلى قبل إخراج الفيلم من غرفة النمو لحماية الفيلم من الأكسدة عندما يتعرض للهواء.وهذا مهم بشكل خاص بالنسبة لنيت المغنيسيوم وأقل أهمية لنيت الزنك. من أجل إيداع طبقة تغليف أكسيد المغنيسيوم، وإغلاق غاز النيتروجين والتحول إلى غاز الأكسجين وزيادة ضغط الأكسجين إلى 10 إلى ناقص خمسة تور. خلال نمو طبقة التوجّي، نخفّض طاقة الترددات اللاسلكية إلى 250 واط.البلازما يبدأ في قوة أقل الترددات اللاسلكية مع الأكسجين من مع النيتروجين. بمجرد تشغيل البلازما الأكسجين، فتح مصراع على مصدر المغنيسيوم ومراقبة انعكاسية تعتمد على الوقت لمدة 10 دقائق. وهذا سوف ينتج فيلم أكسيد المغنيسيوم الذي هو حوالي 10 نانومتر سميكة.يمكن نمذجة انعكاسية بصرية للعينات مع هذه المعادلة. n2 هو مؤشر الانكسار من الركيزة أكسيد المغنيسيوم في 488 نانومتر، وهو ما يعادل 1.75. ثيتا هو زاوية الحادث الذي يقاس فيما يتعلق الركيزة الطبيعية.و t هو الوقت خلال عملية النمو. يتم الحصول على الثوابت البصرية للفيلم ، n1 و K1 ، ومعدل النمو عن طريق تركيب انعكاسية كدالة للوقت مع المعادلة. المربع الأصفر هو مثال على فيلم نيتريت المغنيسيوم توج مع أكسيد المغنيسيوم والمربع الأسود هو فيلم نيتريت الزنك.نيتريت المغنيسيوم هو أصفر لأنه يحتوي على فجوة الفرقة في مرئية، في حين أن نيتريت الزنك هو أسود لأنه الفجوة الفرقة هو الأشعة تحت الحمراء. الصورة على اليسار هي نمط الحيود الإلكترون RHEED لركيزة أكسيد المغنيسيوم عارية مع شعاع الإلكترون الانحياز بالتوازي مع اتجاه 110. الصورة الوسطى هي نمط الحيود من فيلم نيتريت الزنك والصورة على اليمين هي من فيلم نيتريت المغنيسيوم.تظهر هذه النتائج أن الهياكل البلورية للأفلام المودعة موجهة في مستوى الركيزة كما نتوقع للأفلام الظهارية. وهذا يدل على ما يحدث لنمط الحيود الإلكترون عند تدوير الركيزة أكسيد المغنيسيوم العارية في المتلاعب عينة. يُظهر هذا الرسم البياني الانعكاسية البصرية كدالة للوقت أثناء نمو نتريت الزنك و أفلام نيتريت المغنيسيوم.عن طريق تركيب الانعكاسية كدالة الزمن إلى النموذج البصري، يمكنك استخراج مؤشر الانكسار، ن، معامل الانقراض، ك، ومعدل النمو، ز، للأفلام. الانعكاسية قطرات مع مرور الوقت في حالة من أفلام نيتريت المغنيسيوم بسبب خشونة السطح تشتت، والتي نحن على غرار رياضيا من قبل أسي مبللة. في هذا الفيديو، أظهرنا لك كيفية زراعة مغنيسيوم الظهارية والزنك نتريت الأفلام بواسطة البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية.واحدة من نتائجنا هو أن قياس انعكاسية بصرية من العينات في حين أنها تنمو هو وسيلة جيدة لتحديد كل من معدل النمو والثوابت البصرية للفيلم. لسوء الحظ، لم تظهر موادنا الإضاءة الضوئية، سواء في درجة حرارة الغرفة أو في درجة حرارة منخفضة، لذلك هناك حاجة لإجراء المزيد من التحسينات في جودة الفيلم. التجارب في مختبرنا على عينات مسحوق توفر دليلا على كيفية القيام بذلك.مساحيق نيتريت الزنك التي أدلى بها تفاعل الزنك مع الأمونيا في درجة حرارة عالية لا تظهر الإضاءة الضوئية قوية. وهذا يشير إلى أن استخدام الأمونيا بدلاً من غاز النيتروجين كمصدر للنيتروجين قد يكون وسيلة لصنع مواد ذات خصائص إلكترونية محسنة.

plasma-assisted-molecular-beam-epitaxy-growth-mg3n2-zn3n2-thin

Research

JoVE Journal

Engineering

الهندسة

وترد الإجراءات المختلفة لإعداد قوالب محددة بالذرة للنمو الفوقي من الأفلام أكسيد معقدة رقيقة. وأجريت العلاجات الكيماوية من احد البلورية SrTiO 3 (001) وDyScO 3 (110) ركائز للحصول السلس بالذرة، الأسطح إنهاء واحدة. CA 2 ملحوظة 3 O 10 - استخدمت nanosheets لإنشاء قوالب محددة بالذرة على ركائز التعسفية.

قوالب المعرفة بالذرة لالفوقي النمو من أكسيد مجمع الأغشية الرقيقة

يتم تقديم بروتوكول للنمو الخالي من البذور والإنتاجية العالية لمصفوفات الأسلاك النانوية البزموت من خلال تقنية التبخر الحراري الفراغي.

نمو البذور من البزموت أسلاك متناهية الصغر صفيف عبر فراغ التبخر الحراري

تفاصيل هذا العمل إجراءات لنمو وتوصيف البلورية SrTiO 3 مباشرة على ركائز الجرمانيوم التي ترسب طبقة الذري. يوضح الإجراء قدرة على طريقة نمو كل كيميائية لدمج أكاسيد كتلة واحدة على أشباه الموصلات لأجهزة أشباه الموصلات أكسيد المعادن.

الفوقي نمو Perovskite سترونتيوم تيتانات على الجرمانيوم عن طريق ترسب طبقة الذري

يستخدم الجزيئية تناضد شعاع لزراعة N-القطبية الترانزستورات InAlN من الحواجز العالية الإلكترون التنقل (HEMTs). السيطرة على إعداد ويفر، وظروف نمو طبقة والهيكل الفوقي النتائج في سلسة، وطبقات InAlN متجانسة بشكل إنشائي وHEMTs مع حركية عالية مثل 1750 سم 2 / V ∙ ثانية.

بمساعدة البلازما الجزيئية شعاع إبيتاز من InAlN من العوائق الترانزستور عالية الإلكترون التنقل N-القطبية

نحن تلفيق المعادن/ﻻلو3/SrTiO3 هيتيروستروكتوريس باستخدام مزيج من ترسب الليزر النبضي والأخرق ماغي في الموقع . من خلال ماجنيتوترانسبورت و في الموقع تجارب مطيافية إلكترون الأشعة السينية، ونحن التحقيق في التفاعل بين الظواهر الكهربائية والكيميائية من الغاز إلكترون ثنائي الأبعاد أو شبه شكلت في هذا النظام.

النمو والخصائص الكيميائية الكتروستاتي للمعدن/ﻻلو3/SrTiO3 هيتيروستروكتوريس

تحقيق اتصالات شوتكي عالية الجودة أمر ضروري لتحقيق تعديل بوابة فعالة في هيتيروستروكتوري مجال تأثير الترانزستورات (هفيتس). نقدم منهجية التلفيق وخصائص شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوريس بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية مع الغاز إلكترون الأبعاد اثنين عالية الكثافة (2DEG)، نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما في قوالب قان.

تصنيع شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوري بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما

يتم تقديم بروتوكول للنمو بمساعدة الجرافين لأفلام AlN عالية الجودة على الركيزة الياقوتية المنقوشة على نانو.

الجرافين بمساعدة شبه فان دير والز Epitaxy من فيلم ALN على الركيزة الياقوتية نانو منقوشة لضوديات الأشعة فوق البنفسجية الباعثة للضوء

A الشعاع الجزيئي بالإضافة إلى مطياف الأشعة فوق البنفسجية الانضباطي الفراغ الشامل photoionization في السنكروترون يوفر أداة مناسبة لاستكشاف هيكل الالكترونية من جزيئات معزولة المرحلة الغازية ومجموعات. تم توضيح آليات نقل بروتون في dimers قاعدة DNA مع هذه التقنية.

الجزيئية الطيف الكتلي مع الحزمة الانضباطي الإشعاع فوق البنفسجي فراغ السنكروترون (VUV)

وصفنا تقنية nanomoulding الذي يسمح منخفضة التكلفة الزخرفة النانومترية الحجم من المواد الفنية، مداخن المواد والأجهزة كاملة. لا يمكن أن يؤديها على أي Nanomoulding الإعداد nanoimprinting ويمكن تطبيقها على مجموعة واسعة من المواد والعمليات الترسيب.

Nanomoulding من مواد وظيفية، تنوعا النسخ المتماثل خطة التكميلية طريقة لNanoimprinting

ويقترح تقنية تدرجات ناشر في الأغشية الرقيقة (DGT) للدراسات أنواع جديدة من البلوتونيوم. يصف هذا البروتوكول التجارب نشر يحقق في سلوك بو (IV) وبو (V) في وجود المواد العضوية. DGTs نشرها في الربيع الكارستية تسمح تقييم التوافر البيولوجي للبو.

أنواع جديدة والتوافر الحيوي قياسات البلوتونيوم البيئة عن طريق الإنتشار في أغشية رقيقة

تعلم نمو أفلام شبه الموصلات النبيتية من نتريد المغنيسيوم والزنك باستخدام تقنية الترسيب الجزيئي بمساعدة البلازما على ركائز MgO. تُستخدم المراقبة الضوئية لتحديد معدل النمو والثوابت البصرية للأفلام.

البلازما بمساعدة شعاع الجزيئية Epitaxy النمو من ملغ₃N₂ والزنك₃N₂ أفلام رقيقة

استكشف المزيد من الفيديوهات