利用纳秒脉冲电场技术体外调控施万细胞生长

摘要

来源：Han, J., et.al. 利用纳秒脉冲电场在体外调控雪旺细胞生长以促进周围神经再生. J. Vis. Exp. (2024)

本视频展示了纳秒脉冲电场（nsPEF）技术在调控雪旺细胞（SC）生长中的应用。快速电脉冲可在SC细胞膜上诱导产生瞬时纳米孔，促进钙离子内流，从而激活信号通路，驱动SC增殖、去分化及神经营养因子的分泌。这些细胞反应可增强轴突支持、神经元存活以及潜在的髓鞘形成，表明nsPEF是一种具有前景的神经修复工具。

方案

1. 复苏冻存的 RSC96 细胞

1. 将含有1 mL细胞悬液的冻存管在37 °C水浴中快速振荡解冻，然后加入含有4-6 mL完全培养基的离心管中，充分混匀。
2. 在1000 × g 条件下离心3-5分钟，弃上清液，将细胞重悬于3 mL完全培养基中。
3. 将细胞悬液加入含有6-8 mL完全培养基的培养瓶（或培养皿）中，于37 °C孵育过夜。
4. 次日，在显微镜下观察细胞生长状态和密度。

2. 细胞传代：

注意：如果细胞密度达到80%-90%，即可进行传代。

1. 弃去培养基，用不含钙离子和镁离子的磷酸盐缓冲液（PBS）冲洗细胞1-2次。
2. 向培养瓶中加入0.25%（w/v）胰蛋白酶-0.53 mM EDTA（T25培养瓶加1-2 mL，T75培养瓶加2-3 mL），于37 °C孵育1-2分钟。
3. 在显微镜下观察细胞脱落情况。若大部分细胞变圆并脱落，迅速将培养瓶移回操作区，轻拍培养瓶，然后加入3-4 mL含10% FBS的培养基以终止消化。
4. 混匀内容物，吸取溶液，于1000 × g离心5分钟。弃去上清液，加入1-2 mL新鲜培养基，轻轻吹打重悬细胞。
5. 按1:2比例将细胞悬液转移至新的T25培养瓶中，并加入7 mL培养基。

3. 纳秒脉冲电场（nsPEF）设备的操作

1. 将RSC96细胞重悬于1 mL DMEM培养基中，并转移至两侧带有电极的比色皿中。
2. 打开电源开关。
3. 通过旋转仪器上的旋钮调节电场强度参数。本研究设定的电场强度分别为5 kV/cm、10 kV/cm、20 kV/cm和40 kV/cm。
4. 缓慢旋转电极，直至出现火花，使细胞根据预设的电场强度接受5次纳秒脉冲电场（nsPEF）处理，随后立即分开两个电极。

材料

本文使用的材料清单

姓名	公司	目录编号	评论
用于纳秒脉冲电场的高压电源	Matsusada Precision Inc.	AU-60P1.6-L
移液器	武汉厦维生物技术有限公司
RSC96 施万细胞	武汉厦维生物技术有限公司	STCC30007G-1
扫描仪	3DHISTECH	Pannoramic MIDI
纳秒脉冲电场专用电缆	Times Microwave Systems	M17/78-RG217