制造和Acoustofluidic设备的运营支撑体声波驻波的聚焦鞘颗粒

Acoustofluidic装置用于施加微观实体它们的浓度，对准，装配，禁闭或静态流体或层状flowstreams内的分离^。1在这一大类的设备（ 例如 ，颗粒或细胞）的定向力，可以从散装产生的力声学驻波，表面声波的驻波^（SSAWs）2或声行波³虽然我们专注于制造和配套体声波的驻波，支持SSAWs装置设备的运行近来备受关注，由于其精确操纵细胞的能力沿面⁴和快速排序中连续流动通道的细胞^。5器件支撑体声波的驻波，但是，根据由压电换能器生成的装置，它激励在微流体驻波的壁的机械振动重新安排粒子腔在几何定义的谐振频率。这使得电势为相比SSAW设备产生更高的声压振幅，和微观实体从而，更快acoustophoretic运输⁶

这些驻波由一空间周期性设定压力节和波腹，当压力在时间振荡被固定在适当位置的。颗粒驻波响应通过迁移到压力节点或波腹，这取决于相对于流体的颗粒的机械性能，并且这是由声学造影因子描述:

其中变量ρ和β代表密度和可压缩性以及下标p和ƒ代表悬挂物体（ 例如 ，颗粒或细胞）和流体，分别7实体是拥有一个积极的原音对比系数（ 即 ɸ> 0）迁移到压力点（S）;然而，这具有负面原音对比系数实体（ 即 ɸ<0）迁移到压力波腹^。7虽然大多数合成材料（ 如聚苯乙烯珠）及细胞表现出积极的声音对比，从基于硅树脂制成的弹性粒子材料^，8脂肪分子⁹或其它高弹性的成分表现出水中负声的对比。在acoustofluidic装置的弹性体颗粒可用于小分子隔离¹⁰和装置，以限制合成颗粒¹¹或单元¹²用于判别分拣的用途^。13

Acoustofluidic设备通常从具有足够的刚性苏标准的材料（ 如硅和玻璃）制造支持度声学驻波。在许多acoustofluidic设备（包括本文所示的装置）中，机械波被设计为在最低的谐波模式，它由一个半波长驻波横跨所述微通道宽度的谐振。这种结构具有在沿通道的周围的信道和压力波腹的中心的压力节点。先前已表明，这些系统可用于基于芯片的流式细胞仪的应用程序^14-16和应用范围从细胞到细胞的浓度的捕捉^。17,18

我们描述制造，使用和支持体声波驻波的acoustofluidic装置的代表表现能力的方法的过程。该装置需要一个光刻步骤，一是蚀刻工序和一个熔合步骤，以永久地粘合玻璃"盖"的蚀刻硅衬底。我们注意到，其他acoustofluidi支持体声波驻波C器件可从结合到压电换能器的玻璃或石英毛细管，该别处描述来制造^。19,20硅基器件提供鲁棒性和控制流动通道的几何形状的优点，它们一起允许众多类型的处理的对含有颗粒和细胞悬液样品。是可重复使用的提供的器件中，它们在使用之间适当清洗（ 即 ，由冲洗用缓冲液和洗涤剂的装置）。

1.光刻

1. 使用合适的软件包装设计的光罩，并提交设计为一个合格的光掩模打印机^。21
2. 在无尘室设施，冲洗6"单面抛光硅片用丙酮源源不断（≥99.5％; 见表1），然后通过甲醇源源不断（99.8％， 见表1）。干燥晶片通过用N ₂气喷涂和放置在晶片上的热板上在95℃下2分钟。
   注:该晶片的掺杂分布和晶体取向不会影响下面的过程。
3. 通过用铝箔的片材覆盖保护旋涂机（以标准旋涂罩）的外槽及置于干净的Si晶片上的真空吸盘，在旋涂机的中心，以确保晶片。
4. 通过仔细倾倒，直到光致抗蚀剂覆盖了大部分沉积正性光刻胶直接在晶片的中心的晶片。请注意，以确保没有光致抗蚀剂无气泡。
   注:在步骤确切程序1.5-1.10对应于表1所示的光致抗蚀剂;可能需要不同的光致抗蚀剂不同的程序。
5. 通过执行以下程序启动旋转循环:
   1. 编程300rpm的速度，100转/秒的升温，和5秒的旋转时间开始旋转循环。
   2. 程序1800转，1000转/秒的升温，和60秒的旋转时间，以均匀分布的光致抗蚀剂的速度。
   3. 方案至0 rpm，1000转/秒的升温，以及0秒的旋转时间的速度结束旋转循环。
6. 松开夹头的真空，并使用晶片镊子检索从卡盘的晶片。然后将晶片放置到热板上在110℃烘烤165秒。
   注意:此步骤被称为"软烘焙"。
7. 加载掩模成掩模的夹持器对齐/光刻机。
8. 编辑光刻机的参数，以提供1400毫焦/厘米^2（ 例如 ，对于13.5毫瓦/厘米²的输出强度，使用~103.7秒的曝光时间）的能量剂量。
9. 从支架上取下photopatterned晶片并将其放置在其相应的显影剂中的溶液（ 见表1）中5分钟。
10. 从开发商取出晶圆，以去离子水₂ O源源不断清洗硅片，用_氮气吹干。
    注:过显影可能会导致图案膨胀，而下显影可能会导致不完全除去沿光图案化特征的光致抗蚀剂。
11. 检查在显微镜下晶片，确认印刷在光掩模被转移到光致抗蚀剂的图案。

2.深层反应离子蚀刻

1. 加载光图案的硅晶片陷入了深深的室反应离子蚀刻仪器和蚀刻的流体通道到Si晶片到所需的深度以下标准的蚀刻过程^。22
2. 小心卸载从室中的样本的蚀刻过程完成之后。
3. 从晶片除去过量光致抗蚀剂，准备一个大烧杯中与光致抗蚀剂去除剂（ 见表1）的专用于溶剂使用，并将其放置在热板上于65℃的通风良好的罩的溶液。
4. 浸没在光致抗蚀剂除去用溶液的晶片，并让它浸泡1小时。
   注意:不同的解决方案可用于移除光致抗蚀剂（ 例如 ，丙酮中的溶液（≥99.5％） 见表1可以通过浸泡过夜除去光致抗蚀剂）。
5. 从烧杯中取出晶片，并用丙酮的交替流冲洗（≥99.5％; 见表1）和异丙醇（≥99.7％; 见表1）。干燥晶片W第i N ₂气。

3.清洁食人​​鱼

1. 在通风良好的罩（专用于使用的氨基酸），通过加入H ₂ O ₂制备食人鱼溶液（在水30.0重量％; 见表1）至H ₂ SO _{4（95.0-98.0％;} 见表1）以1:3的比例在一个大的，干净的烧杯中。
   注意:食人鱼的解决方案具有高度腐蚀性，是一种强氧化剂，而且非常危险。采取极端谨慎处理食人鱼解决方案，并佩戴合适的安全设备。
2. 淹没的蚀刻特性的离子蚀刻晶片面朝上和离开5分钟。小心取出晶片，并用去离子H ₂ O.充分漂洗
3. 再浸没在2分钟的食人鱼溶液的晶片。小心取出晶圆，并用大量的去离子H ₂ O.充分漂洗
4. 在专门为溶剂使用单独的通风罩，清洗晶圆与源源不断丙酮（≥99.5％; 见表1），随后加入甲醇（99.8％; 见表1）的稳定流，并干燥以N ₂气体的晶片。按照相应的安全程序处置食人鱼的解决方案。

4.准备硼硅玻璃盖

1. 使用划线工具，蚀刻直线入硼硅酸盐玻璃创建矩形段（ 例如 ，8×4 ^平方厘米）。仔细捕捉玻璃收回矩形段。
2. 把这些玻璃的细分市场之一，并将其​​放置在所需设计（实际尺寸）的打印副本的顶部，与黑色记号笔在玻璃纪念入口和出口的位置。
3. 钻入口和出口孔进入硼硅玻璃。
   注意:正确的安全设备，在任何时候都可以穿。
   1. 修正了一个1/8"钻头进入钻床的嘴。把长方形的玻璃段之上的Al板钻孔，以便在玻璃上的标记是在Al板中的孔上方。固定在Al板用胶带的玻璃。
   2. 小心地将饲料手柄开始小孔钻进玻璃和继续下去，直到孔穿过玻璃制成，以降低手柄。一旦孔完成后，取出磁带并慢慢抬起玻璃以除去玻璃粉末。放置玻璃粉末与水的烧杯中，并使用适当的安全程序丢弃。
   3. 仔细擦干用非皮棉生产吸水布，玻璃，并按照同样的程序（步骤4.3.1-4.3.2）钻其他的入口和出口孔。
4. 按照同样的步骤（第3节以上）清洁与食人鱼的解决方案矩形玻璃段。
   注意:食人鱼的解决方案具有高度腐蚀性，是一种强氧化剂，而且非常危险。采取极端谨慎处理食人鱼解决方案，并佩戴合适的安全设备。

5.阳极连接

1. 用划线工具，蚀刻直线到Si晶片围绕微流体芯片的周边，使得它比矩形玻璃段略小（ 例如 ，7×3厘米^2）。小心管理单元沿着蚀刻线的晶片。
2. 冲洗硅段与丙酮源源不断（≥99.5％; 见表1），随后加入甲醇源源不断（99.8％; 见表1）。放置在热板上的晶片在95℃下进行2分钟干燥。
3. 随着硅段腐蚀的特性朝上，仔细加上SI段顶部的干净的玻璃，并确保孔正确对齐。
4. 仔细翻转段，同时确保了孔保持对准。由于玻璃段比所述Si段时，固定两个片段用双面胶带，其中胶带的一半固定在Si段的垂直边缘，而另一半带的固定悬垂玻璃。然后翻转段再次使得玻璃段是在上面，并放置在金属板的顶段的热板上。
5. 仔细的足够重的重量（ 即 ，至少5千克）的第二金属板（ 例如 ，钢）直接添加到组装的玻璃和Si段的顶部。
   注意:此金属板不应该在与Si段或导电带接触。
6. 使用高压电源，一个引线（功率）连接到金属板上的装配玻璃和Si段和其它引线（地）的底部金属板的顶部。
7. 打开底层热板上的电压至1,000 V.检查通过使用万用表施加电压;按一次探测靠在底板和针对顶板其他探针。
   注意:高电压是非常危险的;要小心，不要触摸金属板或连接线。
8. 离开热板在450℃下2小时，以使玻璃"盖子"来阳极键合到Si衬底。 2小时后返回到关闭加热板，关闭直流电源，并从金属板中删除该设备。
   警告:金属板将是中和接合工艺之后极热，所以允许材料在关闭热板后，以冷却至少1小时。

6.最终确定Acoustofluidic设备

1. 刮玻璃表面用剃刀以去除由阳极接合产生污垢和清洁用丙酮玻璃的表面上。
2. 制备聚二甲基硅氧烷（PDMS）的片材大约5毫米厚，并切成几个小，正方形板坯约10×10mm的^2（ 见表^1）。23
3. 使用3毫米活检穿孔切割一个孔在每个PDMS板坯的中心，以便通过它插入硅氧烷管。直接放置在板顶部的孔S中的玻璃基板上和胶水板坯用环氧树脂。
   注意:要小心，不要使用太多的胶水，因为它会堵塞设备的孔。
4. 仔细胶锆钛酸铅（PZT）换能器，以在器件的背面上的硅段，居中-下方的微通道。
5. 焊接两条导线，以在PZT换能器的两个导电区域。要小心，接线牢固地附着在传感器PZT。通过PDMS的砖孔插入硅胶管，并添加额外的胶水周围砖和管材，以确保自己的依恋。

7.操作Acoustofluidic设备

1. 安全设备直接与微客观下方安装到显微镜的阶段。
   注:确保PZT传感器不放置一个小插件的设备下使与台接触。
2. 使用标准化的连接器，从OUTL连接硅胶管该装置固定在注射泵注射器ETS。
   注:此结构是用于"撤回模式";注射泵可替代地用于注入样品到器件中。
3. 放置硅胶管通向装置的入口在含有流体样品（ 例如 ，悬浮液的聚苯乙烯珠或细胞）的小瓶。
4. 上放置装有一个搅拌盘的流体样品连续混合样品，并确保颗粒或细胞的恒定浓度保持在整个实验过程中的小瓶中。
5. 从PZT传感器的电线连接到从功率放大器的输出串联一个函数发生器。 地编程（ 例如 ，峰-峰电压和频率）上的功能发生器的设置，监视来自使用示波器所述放大器的输出信号。打开函数发生器和功率放大器以开始致动PZT换能器^。6
   1. 来估计该装置的谐振频率，按照公式C =λ*ƒ， 其中 c是介质（ 即水）的音速，λ是声波的波长，ƒ是PZT换能器的频率。在一个半波长的谐波（我们展示了代表结果部分）的情况下，微通道的宽度应驻波长度的一半。
   2. 0-50五的范围内使用的峰 - 峰电压设定
      注:在较高的压力振幅所施加的电压的结果的增加，因此，更加快速acoustophoresis。
6. 打开显微镜，并确保在微流体通道显然是焦点。
7. 打开注射器泵应用流动和引入样品到器件中。监视流过与荧光模式的显微镜设备的实体。
8. 确保设备高效地集中partic莱斯通过调节供给到PZT换能器以修改的压力振幅的峰 - 峰值电压和通过执行预期谐振频率附近的一个频率扫描，以确定经验谐振频率。

我们设计的acoustofluidic设备包含一个trifurcating入口，具有300微米的宽度和trifurcating出口（ 图1A - B）中的主信道。我们注意到，我们仅在这项研究中使用的一个入口，用于所有的实验（ 即 ，能实现无鞘通过声辐射力聚焦粒子）通过阻断其他入口与可移除的塞子。按照以上描述的方法，我们构建了芯片具有313微米的沟道宽度，具有~4％的误差由于在微细加工（ 图1C - D）的缺陷。我们操作的设备在2.366兆赫的驱动频率以诱导半波长谐驻波。

我们使用连接到功率放大器的信号发生器，以产生高频正弦波形致动PZT TRansducer。我们使用示波器来测量从功率放大器产生验证信号形状和幅度的保真度的峰-峰输出电压（V PP）。使用注射泵，我们首先以100微升/分钟的速率注射的悬浮液中的绿色荧光聚苯乙烯珠没有PZT换能器作为阴性对照（ 图2A）的致动。接下来，我们致动装置在2.366兆赫，以形成横跨所述微通道宽度的半波长驻波（V pp的= 40伏; 图2B）。我们发现，这些颗粒，其具有正的声学造影因子，沿压力节点集中如预期6我们也注入红色荧光颗粒与负声学造影因子（ 即 ，ɸ≈-0.88，从先前描述的方法合成） 8，以验证我们的器件可诱导它们的浓度沿压力波腹（

最后，我们研究以积极的声学造影因子粒子聚焦在一个流量范围内（ 即 ，0至1000微升/分钟通过注射器泵调节）和电压（ 即 ，0至50 Vpp）为的程度。由15帧的视频采集每个条件。的ImageJ软件用于样品的荧光强度轮廓五个横跨所述微通道的宽度。数值计算程序被用来平均化强度分布为每个条件和平滑使用内联的滤波程序中的平均数据。正如预期的，颗粒的程度聚焦（ 即 ，由荧光峰的宽度所限定，对应于颗粒流的宽度）与流速增加（ 图3A）降低。我们还发现，粒子的程度聚焦随着施加的电压增加（ 连接古尔3B）。

图1:Acoustofluidic装置支撑体声波驻波包含稠合到硼硅酸盐玻璃"盖"的蚀刻硅衬底的装置的顶部（A）和底部（B）的示意图，聚二甲基硅氧烷（PDMS）的块连接到硅氧烷油管和焊接到粘在装置的底部电线的压电换能器。该装置的顶部（C）和底部（D）的照片也显示。 请点击此处查看该图的放大版本。

图2:声聚焦粒子具有正负声学造影因素:（A）在此之前的锆钛酸铅（PZT）换能器的致动，在100微升流动的正面声学造影因子（10微米，黄绿色的聚苯乙烯珠）颗粒/分钟占据的所述微通道的宽度。 （ 二 ）PZT传感器后启动（V PP = 40 V和ƒ= 2.366兆赫），在（A）的粒子显示沿着驻波的压力节点集中。 （C），沿在没有应用流量的驻波的压力波腹集中负声学造影因素粒子（V PP = 40 V和ƒ= 2.366兆赫）。 请点击此处查看该图的放大版本。

图3:的聚苯乙烯珠的荧光强度曲线（ 图2A所示- B） 一种acoustofluidic装置的聚焦性能示为（A）的各种流速（范围从0到1000微升/分钟）的恒定峰到的40 V峰值电压和（B）各种应用的电压（从0到50 Vpp）为100微升/分钟的恒定流量。 请点击此处查看该图的放大版本。

提交人声明，他们没有竞争的经济利益。