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不同钙钛矿薄膜制备方法对成膜特性、电子结构及太阳能电池性能的影响

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DOI：

10.3791/55084

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2017年2月27日

 ,  ,  , 
1Department of Chemistry, University of Cologne

本文内容

摘要

我们通过比较晶体结构、态密度、能级以及最终的太阳能电池性能，对有机/无机钙钛矿薄膜不同制备方法的影响进行了深入研究。

摘要

近年来，杂化有机/无机卤化物钙钛矿在太阳能电池应用领域引起了广泛关注，其器件效率有望超过其他薄膜器件技术。然而，报道的器件效率及基本物理性质存在较大差异。这主要是由于薄膜制备过程中存在无意引入的变化，而这些变化迄今尚未得到充分研究。因此，我们对大量CH3NH3PbI3钙钛矿的形貌和电子结构进行了系统研究，阐明了制备方法以及反应物碘化甲铵与碘化铅(II)的混合比例如何影响薄膜形成、晶体结构、态密度、能级结构，以及最终的太阳能电池性能。

引言

由于薄膜光伏技术具有材料消耗低以及适用于柔性基底的特点，在太阳能电池应用研究中受到了广泛关注。其中，有机/无机卤化物钙钛矿材料已被证实可作为太阳能电池器件中的有效活性层，并实现了高光电转换效率。钙钛矿材料具备诸多优势特性，例如高吸收系数1、高载流子迁移率2以及低激子结合能3。钙钛矿层可通过多种基于溶液或气相的制备方法生成，所用前驱体材料成本较低，如碘化铅（PbI2）和碘化甲铵（MAI）。该方法可在远低于商用硅基太阳能电池所需温度的条件下，简便地制备出高结晶度的薄膜。

研究表明，多个参数对钙钛矿太阳能电池的性能具有显著影响，其中薄膜形貌尤为关键，因为它会影响激子扩散长度和载流子迁移率。Nie et al. 指出，通过改善钙钛矿薄膜的覆盖率和平均晶粒尺寸，可提高太阳能电池的性能4,5。研究发现，薄膜形貌受以下因素影响：(i) 前驱体材料的选择（例如 使用醋酸铅6），(ii) 分子添加剂（如 NH4Cl）7，(iii) 溶剂的选择，(iv) 在溶剂气氛中进行热退火（如甲苯或氯苯8），尤其是 (v) 制备方法的选择9。基于溶液的方法，如一步法或两步旋涂法，可制备出效率超过17%的太阳能电池4,10,11,12，而真空沉积法制备的钙钛矿太阳能电池效率可达15.4%13。

研究表明，钙钛矿层中过量的PbI2有助于提升太阳能电池的性能，原因是PbI2在晶界处对钙钛矿薄膜进行钝化，从而改善了载流子平衡14。然而，关于化学计量比对钙钛矿薄膜材料影响的作用机制，目前相关研究仍较少。

本文对多种不同制备方法的钙钛矿薄膜进行了系统深入的研究，展示了制备方法和前驱体化学计量比如何影响薄膜的形貌、结晶性、态密度、组分以及太阳能电池的性能。研究提供了一个从薄膜制备、薄膜表征到器件性能的全面综述。

方案

1. ITO 基底

注意：为了改善样品接触并避免器件短路，必须使用光刻和刻蚀技术对氧化铟锡（ITO）镀膜玻璃基底进行图形化处理。上下电极的重叠区域定义了所制备太阳能电池的活性面积。

  1. 使用玻璃刀将镀有氧化铟锡（ITO）的玻璃板切割成 2.5 cm × 2.5 cm 的基底。
  2. 在覆盖 ITO 的基底中心粘贴一个圆形标签（直径 = 1.6 cm）。
  3. 将基底置于 60 °C 的 1 M 盐酸 FeCl3 溶液中，加热 10 分钟以蚀刻 ITO。
  4. 在超声波浴中依次用氯仿、丙酮和肥皂溶液（2%）清洗基底。
  5. 再用蒸馏水冲洗一次，并在 N2 气流下吹干。

2. ITO 基底的臭氧处理

注意：为了去除有机杂质，ITO 基底必须进行臭氧处理。该步骤可活化氧化物表面，并提高基底的润湿性，这对于后续各层材料的可重复沉积至关重要。

  1. 将ITO基底安装在样品台上，并放入臭氧处理室中。
  2. 在常压氧气环境下，用产生臭氧的紫外灯（20 W）照射10分钟。

3. 沉积 PEDOT:PSS 空穴收集接触层

注意：在环境条件（相对湿度25%至40%）下，通过旋涂水相悬浮液的方式沉积一层聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)（PEDOT:PSS）。该层用作空穴收集电极，具有高功函数，可减少针孔，并提高器件的重复性。

  1. 将1.5%的PEDOT:PSS水悬浮液150 µL通过0.45 µm滤膜过滤后，用注射器滴加到基底上。
  2. 先以2,500 rpm转速旋涂25秒，紧接着以4,000 rpm转速旋涂5秒，每次加速度均为4,000 rpm/s。该工艺可得到厚度为40至45 nm的PEDOT:PSS薄膜。
  3. 将基底置于热板上，在空气环境中150 °C下退火10分钟，以去除薄膜中的残留水分。

4. 钙钛矿层的沉积

注意：碘化铅（PbI2) 对人类有剧毒，即使少量也对神经系统、造血系统、肾脏和肝脏系统极为危险。请谨慎操作含铅溶液。
注意：本文所研究的钙钛矿薄膜是通过五种不同方法使用PbI制备的2 和 CH3NH3I（MAI）作为前驱体材料。为了避免降解15薄膜与器件的制备及其表征必须在惰性气氛下进行， 例如 在 N2 充满手套箱（溶液加工）或在真空条件下（蒸镀）。

  1. 溶液加工
    1. 顺序沉积
      1. 将衬底置于旋涂仪上，滴加150 µL PbI2 用移液管将溶于N,N-二甲基甲酰胺（DMF，400 mg/mL）的溶液滴加到基底上。
      2. 立即以3,000 rpm转速旋涂30秒。
      3. 浸渍 PbI₂2 在异丙醇中溶解的MAI（10 mg/mL）溶液中浸泡40秒，或直接将MAI溶液滴加到干燥的PbI₂上2 薄膜并静置40秒。
      4. 以3,000 rpm转速旋涂剩余的MAI溶液30秒，使其脱离基底。
      5. 将底物置于加热板上，于100 °C加热15分钟。
    2. 共溶液：
      1. 将PbI₂和MAI分别溶解于DMF中2 以所需比例（理想情况下为1:1摩尔比）将MAI溶于DMF中，配制成浓度为250 mg/mL的前驱体溶液。
      2. 在 50 °C 下搅拌前体溶液至少 5 小时。
      3. 在热板上将覆盖有PEDOT:PSS的基底于50 °C预热5分钟。
      4. 为确保同一设备系列中具有更高的可重复性，在旋涂钙钛矿层时，向旋涂仪腔体内滴加少量溶剂（200 µL）以形成甲苯气氛。
      5. 将150 µL前驱体溶液（来自4.1.2.1）置于基底上。
      6. 从该前驱体溶液中，以3,000 rpm转速旋涂钙钛矿层30秒。每块基底旋涂一层钙钛矿材料。
      7. 将所得的钙钛矿层在热板上于 110 °C 加热 30 秒。
    3. 分子添加剂
      1. 共溶解 NH4在旋涂溶液中加入 Cl（18–20 mg/mL）（如 4.1.2.1 节所述），以确保成膜效果更佳。其余步骤照前进行。
        注意：这是步骤 4.1.2 中添加共溶液的替代方法。
  2. 真空沉积
    1. 常规操作步骤
      1. 将清洗后的基底装入真空系统并抽真空。
      2. 在施加10的压力后-7 当达到 mbar 时，将样品转移至蒸发室，并用快门将样品与蒸发源屏蔽隔离。
      3. 将含有前驱体材料的两个源加热至约 330 °C 以制备 PbI2 以及 MAI 为 140 °C。请注意，腔室内的压力将上升至约 10-4 mbar，由于MAI具有挥发性。
      4. 使用一个位于源附近的石英晶体微天平（QCM）和另一个位于样品位置的石英晶体微天平，对两种材料的蒸发速率进行校准。将材料加热至蒸发温度，同时记录两个QCM显示的相应厚度值。通过这两个数值的比值计算镀膜工具因子。厚度计算时采用6.16和1.23 g/cm³作为材料密度。-3 对于 PbI2 和MAI，分别。
    2. 共蒸发
      1. 调节 PbI 的速率2 通过升高或降低源材料的温度，将MAI的比例调节至约1:2，以获得化学计量比正确的钙钛矿薄膜。
      2. 打开样品前的快门以开始沉积。当达到预期厚度后，关闭快门并关闭源的加热。
      3. 在真空室中于70 °C加热薄膜1小时，以去除挥发性化合物并完成成膜过程。
    3. 顺序蒸发
      1. 再次将MAI源的温度降低至蒸发点以下（约100 °C），并加热PbI2 源物质直至蒸发开始；沉积50 nm纯PbI2.
      2. 随后，将 PbI2 以同样方式蒸发50 nm的MAI。对于更厚的厚度，交替重复步骤4.2.3.1和4.2.3.2。
      3. 在真空室中于 70 °C 加热薄膜 1 小时，以去除挥发性化合物并完成成膜过程。

5. 太阳能电池的制备

  1. 将受体苯基-C60-丁酸甲酯（PC60BM）溶于氯苯中，浓度为 20 mg/mL，并在 50 °C 的加热板上搅拌至少一天。
  2. 制备钙钛矿层（含添加剂的共溶液法），方法如前所述（见 4.1.3 节）。
  3. 将加热后的钙钛矿层在金属板上冷却 30 秒至室温。
  4. 在基底上滴加 150 µL 的 PC60BM 溶液。
  5. 以 2,000 rpm 的转速旋涂 PC60BM 溶液 30 秒，覆盖在钙钛矿薄膜上，形成厚度为 50 nm 的薄膜。
  6. 将完全涂覆的基底放入样品 holder 中，并用遮蔽掩模覆盖，以便在活性层上方蒸镀电极接触层。
  7. 用手术刀划破其中一个电极，以实现与 ITO 阳极的电接触。
  8. 将样品转移至真空腔室，用于沉积阴极顶部接触层。
  9. 在最大压力 p = 3 × 10-6 mbar 下，以 0.5 Å/s 的速率沉积 10 nm 厚的铝层（通过石英晶体监控仪测量）。在完成最初的 10 nm 沉积后，速率可提高至 2.5 Å/s，直至总厚度达到 100 nm。
  10. 使用源测量单元对太阳能电池进行电流密度-电压（JV）测量，电压范围为 -0.5 至 1.5 V（步长 = 0.02 V）。为确保 JV 特性曲线中无滞后现象，还需进行反向扫描测量，即从 1.5 V 扫至 -0.5 V。使用经认证的硅光电二极管校准的太阳光模拟器（100 mW cm²）进行测试。

结果

为了全面了解钙钛矿薄膜的不同制备方法，有必要结合结构、电子特性及器件表征进行综合分析。扫描电子显微镜（SEM）能够清晰呈现薄膜的形貌特征，因此对采用不同制备方法所得的所有薄膜均进行了表征。图中展示了代表性的一组钙钛矿薄膜样品 图1，这直观地展示了制备方法对薄膜形貌的显著影响。

理想情况下，器件应用需要光滑且无针孔的薄膜。如图所示，蒸镀薄膜（f, g）、浸渍涂覆薄膜（d, e）以及在添加剂 NH4Cl 和甲苯气氛下由共溶液法制备的薄膜（a1 至 a5）均满足这一要求，其中 PbI2 与 MAI 的比例 R 在 0.6 至 1.4 范围内变化。相比之下，未添加添加剂的薄膜（h）、浸渍涂覆薄膜（d, e）以及滴涂薄膜（b, c）则表现出较大的孔洞、针状结构或显著的表面粗糙度，因此不适合用于器件应用。

不同R值（0.6-1.4）下的晶体形貌显微图像、结构分析、扫描电镜图
图1：采用不同制备方法制得的钙钛矿薄膜的扫描电镜（SEM）图像。（a1 - a5）使用添加剂并在甲苯气氛中通过共溶液法合成，PbI2与MAI的不同摩尔比（R）；（b）滴涂法，加载时间为40秒；（c）滴涂法，加载时间为120秒；（d）浸涂法（加载时间10秒）；（e）浸涂法（加载时间3,600秒）；（f）共蒸发法；（g）顺序蒸发法；（h）无添加剂的共溶液法。比例尺表示长度为1 µm。请点击此处查看该图的高清版本。

最后，图1 a1-a5展示了在使用添加剂和甲苯气氛的共溶液法制备过程中，PbI2与MAI的混合比例R从0.6到1.4的变化情况。表面覆盖率和晶体尺寸的变化表明，在此条件下同样出现了不同的薄膜形貌。

尽管扫描电子显微镜（SEM）是一种用于观察薄膜形貌和覆盖情况并评估薄膜粗糙度的有效工具，但它无法提供结构信息。

因此，为了进一步表征钙钛矿薄膜，采用了X射线衍射（XRD）技术。该技术使用Cu Kα靶（λ = 1.54056 Å），在2θ为10°至40°范围内（步长0.00836°）监测并表征晶体相。在许多文献中，XRD被用于评估钙钛矿薄膜的质量。

图2 显示了六种不同PbI混合比例的样品子集的XRD测量结果2 到 MAI，因此对应于 SEM 图像中的 图1a1-a5此外，纯 PbI 的光谱2 如图所示。由此可以看出前驱体溶液中的化学计量比对钙钛矿层质量的影响，以及不同相的出现情况。 即 额外PbI相的引入2 并研究了MAI。光谱显示为四方晶系结构，衍射峰已根据其对应的晶面进行标定。令人意外的是，未发现MAI或PbI的额外物相2 在非化学计量比薄膜中观察到了上述现象。

X射线衍射图谱，强度与角度关系，用于分析晶体结构相。
图2：纯PbI2以及通过共溶液法制备的钙钛矿样品（在NH4Cl和甲苯气氛下）的XRD图谱，前驱体使用了不同的摩尔比（右侧数字表示比例）。为便于比较，各曲线均以14.11°处的峰为基准进行归一化处理，并在纵向上进行了位移。经参考文献16许可转载。版权所有 2015 Wiley-VCH。 请点击此处查看此图的放大版本。

由于XRD未提供薄膜成分的信息，因此采用能够直接测量薄膜化学计量比的X射线光电子能谱（XPS）。该测量使用Mg Kα激发源（hν = 1252.6 eV），通能为10 eV（能量分辨率 = 800 meV）。每种单独测定的元素必须考虑其相对灵敏度因子（RSF）。因此，针对我们的测量系统（Mg Kα源，X射线源与分析器之间的角度为50.0°）校准RSF至关重要。我们使用若干小分子对碘峰进行校准，采用三(4-碘苯基)胺（C18H12I3N）作为标准物，并通过PbI2对铅进行校准。碳被用作参考，其RSF(C1s) = 1，因此各元素的RSF因子分别为：RSF(N1s) = 1.8，RSF(I3d5/2) = 32.8，和RSF(Pb4f7/2) = 16.5。

图3 显示了蒸镀薄膜的代表性XPS谱图，上图中已标出特征性内层电子能级峰。在下图中为I3d5/2 (619.6 eV)、N1s (402.7 eV)、C1s (286.6 eV) 和 Pb4f7/2 (138.6 eV) 峰被显示。所有信号均可通过单一的混合高斯/洛伦兹峰拟合，仅在碘元素的情况下，通常在较高结合能处观察到一个小的附加特征，但该特征为激发峰，因此与实际的额外化学键状态无关。通过积分信号强度并以其相应的相对灵敏度因子（RSF）进行归一化，我们能够提取出所有制备的钙钛矿薄膜的相对组成。16在部分薄膜中，发现其化学计量比 C:N:Pb:I 与理想的 1:1:1:3 存在显著偏离； 例如 铅氮比在0.4到1.5之间变化。这一点在蒸镀薄膜中尤为明显，因为共蒸发过程难以控制和重复。而对于溶液法制备的样品，前驱体的实际混合比例与预期比例则与通过XPS测定的最终薄膜组成非常一致。

XPS spectrum; chemical analysis; survey spectrum; lead, nitrogen, carbon peaks; graph data.
图3：典型的XPS谱图。 上方显示的是完整的XPS扫描谱，下方显示的是各积分峰的放大XPS测量结果。请点击此处查看该图的高清版本。

为了研究这些薄膜成分变化如何影响态密度，我们采用了紫外光电子能谱（UPS）。进行UPS测量时，使用氦放电灯（He I，21.22 eV，样品偏压 -8 V），设置2 eV的通能和110 meV的能量分辨率（由费米边宽度确定）。对所有样品，首先采集完整的谱图，然后通过增大分析器孔径以提高信噪比，对价带（VB）区域进行了更高分辨率的详细扫描。在UPS谱图中，特别是价带区域的扫描，数据分析过程中对多色He I辐射引起的卫星峰进行了数值校正。

图4展示了所有被研究样品完整数据集的UPS曲线，涵盖了共蒸发（浅红色）和顺序蒸发（浅红色）以及不同溶液加工（深红色）方法。需要强调的是，电离能（IE）存在显著差异，这从图4左侧图中高结合能截止位置的变化可以明显看出。这些变化由加工工艺和薄膜组分的差异引起，导致电离能在5.67至6.4 eV范围内可调。有关更详细的讨论，请参见参考文献16。

气相与溶液法制备的光谱对比；强度与能量偏移关系；材料特性图示。
图 4：所研究样品代表性子集的UPS扫描结果。 左侧图显示高结合能截止区（HBEC）和价带区域，右侧为气相沉积（浅红色线）和溶液法制备（深红色线）钙钛矿薄膜在价带起始位置的高分辨率放大图。所有曲线均沿x轴进行了偏移，以便与约3 eV处的特征峰对齐。转载自参考文献16，经许可。版权所有 2015 Wiley-VCH。 请点击此处查看此图的放大版本。

根据我们之前的实验结果，由不同前驱体混合比例制备的钙钛矿薄膜在不破坏薄膜晶体结构的前提下，会导致电子结构发生变化，因此我们希望研究前驱体比例对太阳能电池性能的影响。为此，采用共溶液法制备了 ITO/PEDOT:PSS/钙钛矿/PC60BM/Al 太阳能电池，其中钙钛矿层通过添加添加剂并在甲苯气氛中处理，PbI2 与 MAI 的比例从 0.7 到 1.2 不等。图5展示了薄膜化学计量比（目标比例 R）对太阳能电池特性的影响，包括能量转换效率（PCE）、短路电流（JSC）、开路电压（VOC）和填充因子（FF）。当目标摩尔比为 1.02 时，获得了最高的 9.6% 效率，即接近理想的钙钛矿组分。

钙钛矿太阳能电池性能与PbI<sub>2</sub>/MAI比例的关系；PCE、J<sub>sc</sub>、V<sub>oc</sub>、FF曲线。
图5：PCE、JSC、VOC 和 FF 的特征值。这些数值是从太阳能电池器件的测量结果中提取的，与薄膜制备过程中所使用的PbI2与MAI的预定混合比例Rint无关。经参考文献16许可重印。版权所有 2015 Wiley-VCH。请点击此处查看此图的放大版本。

讨论

我们证明了加工条件对薄膜形貌和薄膜覆盖率具有显著影响。这就是为什么许多研究小组针对相同的钙钛矿材料在太阳能电池性能和电离势方面发表不同结果的原因。

为了确保可重复性，所有处理步骤和表征方法都必须在惰性气氛（或真空）条件下进行，以避免湿气导致的降解。此外，反应物的纯度和供应商也起着重要作用（本文未对此进行研究）。显然，真空沉积的钙钛矿层具有高度结晶的薄膜；然而，相比之下，溶液法制备的薄膜可实现更高的生产通量。

在本研究中，通过在前驱体溶液中添加 NH4Cl，并在旋涂腔室内引入甲苯气氛，获得了最可重复且表面光滑的钙钛矿薄膜。相比之下，浸涂和滴涂工艺所得薄膜表面较为粗糙，因此未进一步用于器件制备。最后，真空处理的薄膜整体晶粒尺寸较小（约 100 nm），但在整个薄膜范围内具有较高的覆盖度和更光滑的表面。通过对不同前驱体比例的样品系列研究发现，组分对成膜过程也有显著影响。然而，在利用 XRD 分析这些薄膜时（图 2），所有样品均显示出较高的结晶度，且在 14.11° 和 28.14° 处出现衍射峰，分别对应于 (110) 和 (220) 晶面，表明具有相似的四方晶系结构；部分薄膜表现出轻微的无序性，这可通过出现微弱的 (002) 和 (004) 衍射峰加以识别。然而，XRD 衍射峰未出现明显的展宽现象。值得注意的是，即使在掺入大量过量 PbI2 的情况下，也未检测到 PbI2 在 12.63° 处的独立物相峰。这表明 PbI2 并未以独立相或纳米晶岛屿的形式存在，而是以稀疏的间隙原子形式掺入，因而无法通过 XRD 检测。因此，XRD 的应用具有局限性。

另一方面，XPS 证实薄膜中存在额外量的 PbI2 或 MAI（取决于制备方法），这从铅与氮的比率变化中可见。如前所述，这些间隙相会显著影响薄膜的电子结构。现在，将 XPS 的研究结果与 UPS 揭示的电离能差异的观察相结合，使我们能够关联这两种现象。图6展示了综合图谱，其中测得的电离能（IE）值作为相应薄膜组分（铅与氮的比率）的函数进行绘制。

电离能与Pb/N比值关系图；溶液法、蒸镀法；残差分析；钙钛矿研究。
图6：40个钙钛矿薄膜完整数据集提取的测量点。 电离能随铅与氮元素含量比值 Rexp（由XPS测定）的变化关系；实线为数据的线性拟合结果，虚线表示±0.12 eV的标准偏差。底部显示拟合的残差。经参考文献16许可重印。版权所有 2015 Wiley-VCH。 请点击此处查看此图的放大版本。

我们发现这两个值之间存在明显的线性相关性。因此，我们的结果表明，含有过量MAI的钙钛矿薄膜具有较低的电离能（IE），而富含PbI2的薄膜则会提高IE。在最佳摩尔比Rexp = 1时，我们测得IE为6.05 ± 0.10 eV，明显高于通常报道的5.4 eV的IE值。这种差异不太可能源于制备条件的不同，因为我们对多种不同制备方法得到的钙钛矿薄膜均获得了该数值。差异更可能来自数据评估方法的不同，此处采用的态密度线性斜率会导致更高的读数。关于此问题的详细讨论可参见文献17。需要强调的是，这些薄膜的光学带隙并未发生变化（Eg = 1.60 ± 0.02 eV，数据未显示），这意味着不仅IE随组分比例变化而移动，活化能（EA）也同时发生偏移。

当PbI2与MAI的摩尔比R为1.02时，钙钛矿太阳能电池的光电转换效率达到最高，为9.6%，该结果与文献14的发现一致，表明略微富PbI2的薄膜可通过PbI2在晶界处对钙钛矿薄膜进行钝化，从而改善载流子行为。随着PbI2含量的增加，开路电压下降了200 meV。由于钙钛矿材料的带隙未发生变化，因此VOC的降低不能归因于光伏带隙的同步减小，而更可能是由于钙钛矿电离能（IE）升高，导致在钙钛矿与PCBM（IEPCBM = 6.2 eV）界面处空穴阻断不充分所致。同时，当R > 1.05时，填充因子（FF）从0.8下降至0.7，进一步支持了上述结论。

综上所述，我们对采用多种制备方法制得的钙钛矿薄膜进行了广泛研究，发现其成膜过程、电子结构及器件性能存在显著差异。特别值得关注的是，通过有意引入碘甲胺（MAI）或碘化铅（PbI2）间隙相，可调节钙钛矿的界面能级（IE），该方法可用于新型器件结构中的界面优化。未来的研究将聚焦于更先进的制备技术，以实现更大面积的器件制备，包括刮刀涂布、喷雾沉积和大规模印刷等方法，这些技术目前已在本机构的COPT中心（COPT = 有机生产技术中心）安装并投入使用。

披露

作者无任何利益冲突需要披露。

致谢

作者感谢北莱茵-威斯特法伦州通过项目PERO-BOOST（EFRE，项目编号NW-1-1-040a）提供的资金支持。感谢科隆大学的Azar Jahanbakhsh和Ines Schmidt在两步溶液法制备钙钛矿层的制备与表征方面的协助，感谢科隆大学的Jürgen Schelter博士在MAI材料合成方面的帮助，以及感谢伍珀塔尔大学的Riedl教授和Neda Pourdavoud在XRD测量方面的支持。

材料

本文使用的材料清单
姓名公司目录编号评论
ITO罗斯< 15 Ω/sq
PEDOT:PSS贺利氏 CleviosP VP .Al  4083
MAI按文献报道方法合成
PbI2阿尔法埃萨4431499.999% 痕量金属含量，-10 目珠状
NH4ClSuprapure10114399.995%
PCBM纳米 C99.9%
氯苯西格玛奥德里奇270644高效液相色谱用 Chromasolv（99.9%）
N,N-二甲基甲酰胺Acros 化学品 348430010超干燥，分子筛保存（99.8%）
甲苯西格玛奥德里奇244511无水

参考文献

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