方法文章

自主和可充电 Microneurostimulator 内窥镜植入黏膜下层

DOI:

10.3791/57268

2018年9月27日

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本文内容

摘要

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高频低能量刺激的应用可以缓解胃动力障碍的症状。在这项研究中, 提出了一个微型, 内窥镜植入和无线可充电装置, 植入到黏膜下口袋里。成功的双向沟通和刺激控制是在生猪实验中取得的。

摘要

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胃动力障碍可能是常见疾病的标志, 如长期糖尿病。应用高频低能量刺激可有效缓解胃动力障碍的症状, 提高其效果。研究的目的是开发一个微型的, 内窥镜植入装置的黏膜下口袋。植入装置是一种完全定制的电子封装, 专门为黏膜下层的实验目的而设计。该装置装有锂离子电池, 可通过接收来自充电/发射线圈的入射磁场来无线充电。上行通信以 432 MHz 的 MedRadio 波段实现。该装置被内窥镜插入到一个活体猪的黏膜下袋中, 用作体内模型, 特别是胃窦。实验证实, 所设计的装置可植入黏膜下层, 具有双向通信能力。该装置可对肌肉组织进行双极刺激。

引言

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胃动力障碍可以是一些比较常见的疾病, 如胃轻瘫的迹象, 这通常是慢性进展的特点, 并对患者的社会、工作和身体状况施加相当严重的后果。大多数的胃轻瘫病例通常是糖尿病或特发性的起源, 通常对现有药物有抗药性1。患者患有这种情况最常见的是恶心和反复呕吐。在前人研究的基础上, 应用高频低能量电刺激可以有效缓解和减轻胃动力障碍12的症状。

在前人研究的基础上, 证明高频胃电刺激可显著改善胃排空障碍3。结果表明, 下食管括约肌神经刺激器治疗胃食管反流病 (食管逆流), 减少酸暴露, 消除每日质子泵抑制剂 (PPI) 的使用是安全有效的, 无需刺激相关不良反应4。在人类试验之前, 第一项研究是在动物模型 (犬模型5) 上进行的。根据这些研究, 电刺激下食管括约肌 (les, 20 赫兹, 脉宽3毫秒) 造成了长期收缩的 LES5。研究了胃食管反流病患者高 (20 赫兹、脉宽200微秒) 和低 (6 转/分、脉宽375毫秒) 电刺激对 LES 的相似效应。高、低频刺激均有效6。然而, 目前,....

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方案

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所有内镜手术, 包括动物实验都已在捷克共和国 PIGMOD 动物生理学和遗传学研究所 (生物医学中心, Libechov, 捷克共和国) 批准 (在植入的项目实验无电池和电池设备进入黏膜下层的食管和胃实验研究)。所有的实验都是遵照捷克法律246/1992 某人 "关于保护动物免受虐待, 经修订"。发射机设备不需要被灭菌, 因为它是一个外部设备, 是不与动物直接接触。

1. 植入装置设计

  1. 使用第三方 pcb 制造服务准备 pcb。完整的印制电路板设计在补充文件 "gerber_implant 7 z" 中提供。图 1提供了原理图。
  2. 将 pcb 放在平坦的表面上 (图 2a)。使用带有0.6 毫米针和 60 psi 压力的焊锡膏分配器手动将焊锡膏放到 PCB 上的每个金属垫上。从 PCB 的顶部开始 (图 2b)。PCB 两侧焊锡膏的总用量不应超过 15 ul。
  3. 用一对抗静电镊子, 将所有组件放在 PCB 的顶层 (图 2e)。对于组件位置和辅助文件 "bom_implantabledevice", 请使用图 3将组件分配给其....

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结果

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图 17显示, 内镜下放置胃神经刺激器到黏膜下层的口袋里, 以及正确放置电极到肌肉层是成功的。设备的尺寸 (图 10) 为 35 x 15 x 5 毫米3 , 而重量为 2.15 g.图 17显示了设备的电路图, 表明该设备包括6个不同模块, 它们连接在一起。图 3显示了设备中的 PCB 布局和组件放置。图 18显示, 为了将该设备植入黏膜下层, 采用了一种称为内镜黏膜下口袋9,10 (ESP) 的技术。刺激器被附加在肌肉层附近 (肌固有), 在理论上它是最佳的刺激深度。创建黏膜下袋和植入胃神经刺激器内窥镜采取20–30分钟。在此过.......

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讨论

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植入装置的设计应主要关注设备的整体尺寸、可实现的刺激外形 (最大电压、最大可交付电流、脉冲长度和脉冲频率)。从硬件角度来看, 主要的限制是适当组件的大小和可用性。为了最小化整体尺寸, 表面贴装组件是首选, 因为其紧凑的包装。最好的解决方案是将裸芯片模具集成到基板上。然而, 这是有限的可用的裸模具包装选项的组件和可访问性的电线粘合技术。第二个重要参数是电池。锂电池是首选, 因为它的高能量密度。另外, 标称电压为 3.7 V 是有益的。所提出的硬件拓扑的主要优点是其体积小、侵入性最小。与目前的解决方案7,8, 提出的解决方案是一个规模较小, 可以直接植入黏膜下层, 不需要外部线索和皮下植入的神经刺激器。

除了硬件本身, 将来还需要对设备机箱进行额外的注意。第一个问题是生物相容性和雷达军11 , 以避免可能的排斥植入物。另一种是在黏膜下层固定装置, 以避免植入物的不必要迁移。

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披露

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这项工作得到了 PROGRES-Q28 研究项目的支持, 并获得了布拉格查尔斯大学的奖项。作者感谢驴子。教授 1月 Martínek, 博士和 PIGMOD 中心。

致谢

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作者声明他们没有竞争的财政利益。

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材料

本文使用的材料清单
姓名公司目录编号评论
EIA 0402 陶瓷电容器 1.8 pFAVX04025U1R8BAT2A1 个
EIA 0402 陶瓷电容器 100 nFTDKCGA2B3X7R1H104K050BB7 个EIA
0402 陶瓷电容器 100 pF村田电子GRM1555C1H101JA01D1 个
EIA 0402 厚膜电阻器 10 kΩVishayCRCW040210K7FKED1 pc
EIA 0402 陶瓷电容器 10 nFMurata ElectronicsGRM155R71C103KA01D3 pcs
EIA 0402 陶瓷电容器 10 pFMurata ElectronicsGJM1555C1H100JB01D3 pc
EIA 0402 陶瓷电容器 12 pFMurata ElectronicsGJM1555C1H120JB01D2 pcs
EIA 0402 陶瓷电容器 18 pFKEMETC0402C180J3GACAUTO2 个
EIA 0402 电阻器 1 mΩVishayMCS04020C1004FE0002 pcs
EIA 0402 电阻器 1 kΩYageoRC0402FR-071KL1个
EIA 0402陶瓷电容器 1 nF村田电子GRM1555C1H102JA01D3
EIA 0603陶瓷电容器 2.2 uF村田电子GCM188R70J225KE22D2个
EIA 0402电阻器 220 kΩVishayCRCW0402220KJNED5 pcs
0805 22 uH 电感TDKMLZ2012N220LT0001 pc
EIA 0402 电阻器 330 kΩVishayCRCW0402330KFKED1 个
EIA 0603 陶瓷电容器 4.7 uFTDKC1608X6S1C475K080AC1 个
EIA 0402 电阻器 470 ΩVishayRCG0402470RJNED1 pc
EIA 0402 电阻器 470 kΩVishayCRCW0402470KJNED1 pc
EIA 0603 电感器 470 nHMurata ElectronicsLQW18ANR47G00D1 pc
EIA 0402 电阻器 47 kΩ村田电子CRCW040247K0JNED2 件
27.0000 MHz 晶体 5032AVX / 京瓷KC5032A27.0000CMGE001 件
EIA 0402 电容器 6.8 pF村田电子GJM1555C1H6R8CB01D1 件
EIA 0402 电感器 82 nHEPCOS / TDK1 件
ABS05 32.768 kHz 晶体ABRACON ABS05-32.768KHZ-T1 件
CDBU00340-HF 肖特基二极管COMCHIP 技术CDBU00340-HF2 个
CG-320S 锂离子精确电池PanasonicCG-320S1 个
HSMS282P肖特基二极管整流器Broadcom / AvagoHSMS-282P-TR1G1 个
MAX8570升压转换器Maxim IntegratedMAX8570EUT+T1 个
MICRF113射频发射器Microchip TechnologyMICRF113YM6-TR1 个
4.3 V 齐纳二极管ON SemiconductorMM3Z4V3ST1G1 个
OPA237 运算放大器德州仪器OPA237N1 个
PIC16LF1783 8 位微控制器Microchip TechnologyPIC16LF1783-I/ML1 个
TPS70628低压降稳压器德州仪器TPS70628DBVT1 个
EIA 1206 厚膜电阻器 0 ΩYageoRC1206JR-070RL2 pcs
EIA 0603 厚膜电阻器 0 ΩYageoRC0603JR-070RL1 pc
EIA 0402 厚膜电阻器 100 kΩYageoRC0402FR-07100KL1 pc
EIA 0603 厚膜电阻器 100 kΩYageoRC0603FR-07100KL1 pc
EIA 0805 陶瓷电容器 100 nFKEMETC0805C104K5RAC72102 pcs
EIA 0402 厚膜电阻器 10 kΩYageoRC0402JR-0710KL1 pc
EIA 1206 陶瓷电容器 10 nFSamsungCL31B103KHFSW6E2 pcs
EIA 0402 厚膜电阻器 1 kΩYageoRC0402JR-071KL2 个
EIA 0402 厚膜电阻器 220 ΩYageoRC0402JR-07220RL2 pcs
EIA 0402 陶瓷电容器 220 nFTDKC1005X5R1C224K050BB1 pc
EIA 1206 陶瓷电容器 22 nFTDKC3216X7R2J223K130AA2 pcs
SMC B 钽电容器 22 uFAVXTPSB226K010T0700 1 个
EIA 0402 厚膜电阻器 27 ΩYageoRC0402FR-0727RL2 pcs
EIA 1206 厚膜电阻器 3.3 ΩYageoRC1206JR-073K3L3 pcs
SOT23 3.3V zener diodON SemiconductorBZX84C3V3LT1G1 pc
SMC A 钽电容器 4.7uFKEMETT491A475M016AT2 pcs
EIA 0603 厚膜电阻器 470 ΩYageoRC0603JR-07470RL2 件
EIA 1206 陶瓷电容器 470 nFKEMETC1206C471J5GACTU3 件电解
电容器 470 uF松下EEE-1CA471UP3 件
EIA 0402 陶瓷电容器 47 pFAVX04025A470JAT2A2 件
0603 绿色 LEDLite-On Inc.LTST-C191KGKT1 pc
0603 RED LEDLite-On Inc.LTST-C191KRKT1 pc
16 MHz CX3225 晶体EPSONFA-238 16.0000MB-C31 pc
0805 铁氧体磁珠Wurth Electronics Inc.7427920401 个
IR2110SO FET 驱动器Infineon TechnologiesIR2110SPBF1 个
FT230XS USB 驱动器,用于存储;l 转换器FTDI Ltd.FT230XS-R1 个
Mini USB 连接器EDAC Inc.690-005-299-0431 个
PIC16F1783 8 位微控制器Microchip TechnologyPIC16F1783-I/ML1 个
REG1117 3.3 V 稳压器 SOT223德州仪器REG1117-3.3/2K51 个
肖特基 SMB 二极管整流器STMicroelectronicsSTPS3H100UF1 个
SMB 封装 TVS 二极管Littelfuse Inc.1KSMBJ6V81 个
IRLZ44NPBF N 沟道 MOSFET英飞凌科技IRLZ44NPBF2 个
RTL2832U接收器加密狗EVOLVEOMars1 个
PICkit 3 个 MicrochipTechnologyPICkit 31 个
迷你 USB 转 USB A 电缆OEM迷你 USB 转 USB-A1 个
印刷电路板、植入式设备---使用提供的补充文件进行制造1 个
印刷电路板、发射器/接收器设备---使用提供的补充文件进行制造1 个
印刷电路板、植入式设备---使用提供的补充文件进行制造1 个
AWG18 线Alpha Wire3055 BK0012 m
AWG42 线Daburn电子元件2420/42 BK-1001 m
奥林巴斯 GIFQ-160奥林巴斯N/A(部件已过时)1 个
使用电刀,带旋钮形尖端和集成喷射功能奥林巴斯KD-655L1 个
一次性使用椭圆形电外科圈套器奥林巴斯SD-210U-151 个
15.5 毫米镜头遮光罩FujiFilmDH-28GR1 个
注射治疗针导管波士顿科学25G1 个
鳄鱼法抓钳奥林巴斯FG-6L-11 个
即时混合 5 分钟环氧树脂乐泰N/A1 个
热缩管,内径 9.5 毫米TE ConnectivityRNF-100-3/8-X-STK1 个
ChipQuik 焊膏Chip QuikSMD4300AX101 个
个器 B82498F3471J 一次性

参考文献

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$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,
  1. Abell, T., et al. Gastric electrical stimulation for medically refractory gastroparesis. Gastroenterology. 125 (2), 421-428 (2003).
  2. O'Grady, G., Egbuji, J., Du, P., Cheng, L. K., Pullan, A. J., Windsor, J. A. High-frequency gastric elec....

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