我们提出了一个用于制造自旋和方向多路复用可见元全息图的协议,然后进行光学实验以验证其功能。这些元全息图可以轻松地可视化编码的信息,因此它们可用于投射体积显示和信息加密。
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我们提出了一个用于制造自旋和方向多路复用可见元全息图的协议,然后进行光学实验以验证其功能。这些元全息图可以轻松地可视化编码的信息,因此它们可用于投射体积显示和信息加密。
元表面实现的光全息技术,已成为以超薄、几乎平坦的光学器件形式进行分明体积显示和信息加密显示的一种新方法。与传统的空间光调制技术相比,元全息图具有光学设置的小型化、图像分辨率更高、全息图像能见度大等优点。这里报告了对点电光的旋转和方向敏感的光学元全息图的制造和光学表征协议。变表面由氢化非晶硅(a-Si:H)组成,在整个可见范围内具有较大的折射率和小的消光系数,从而产生高透射和衍射效率。当开关出位光的旋转或方向时,器件会产生不同的全息图像。因此,它们可以同时对多种类型的视觉信息进行编码。制造方案包括薄膜沉积、电子束书写和随后的蚀刻。该制造的器件可以使用定制光学设置进行描述,该设置由激光、线性偏振器、四分之一波板、透镜和电荷耦合器件 (CCD) 组成。
由,亚波长纳米结构组成的光学元表面产生了许多有趣的光学现象,包括光学掩蔽1、负折射2、完美光吸收3、滤色4、全息图像投影5、光束操纵6、7、8。7,8具有适当设计的散射器的光学元表面可以调节光的光谱、波前和极化。早期的光学元表面主要使用贵金属(如Au、Ag)制造,由于其高反射率和纳米制造易用性,但具有高欧姆损耗,因此元表面在短可见波长下效率较低。
对于可见光损耗低的介电材料(如TiO2 9、GaN10和a-Si:H11)的纳米制造技术的发展,实现了具有光学元表面的高效平面光学器件。10这些设备在光学和工程领域具有应用。一个耐人寻味的应用是光学全息,用于投射体积显示和信息加密。与使用空间光调制器的传统全息图相比,元全息图具有光学设置的小型化、全息图像分辨率更高、视野更大的许多优点。
最近,在单层元全息图装置中实现了多个全息信息的编码。例如,在旋转12、13、,轨道角动量14、射点光角15和方向16中多路复用的元全息图。这些努力克服了元全息图的临界缺陷,即单一设备缺乏设计自由度。大多数传统的元全息图只能生成单个编码的全息图像,但多路复用设备可以实时对多个全息图像进行编码。因此,多路复用元全息图是实现真实全息视频显示或多功能反反全息图的关键解决方案平台。
这里报道的协议是制造旋转和方向多路复用全介电可见元全息图,然后以光学特性它们13,16。13,为了在单个元表面设备中对多个视觉信息进行编码,设计了元全息图,当电感光的旋转或方向发生变化时,这些图像会显示两个不同的全息图像。为了以与CMOS技术相媲美的方式制造高效的全息图像,利用a-Si:H进行元表面和双磁共振,并利用其内部诱导的抗铁磁共振。制造方案包括薄膜沉积、电子束书写和蚀刻。制造装置的特点是使用由激光、线性偏振器、四分之一波板、透镜和电荷耦合器件 (CCD) 组成的定制光学装置。
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1. 设备制造
注 :图1 显示了a-Si:H元表面17的制造过程。
2. 扫描电子显微镜表征
3. 旋转多路复用元全息图的光学表征
4. 方向多路复用元全息图的光学表征
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a-Si:H元表面可实现高交叉极化效率,并且可以使用与CMOS兼容的方法(图1)进行制造;这种特性可能实现可扩展的制造和近期的商业化。SEM 图像显示捏造的 a-Si:H 元表面(图 2)。此外,a-Si:H的折射率比TiO2和 GaN大,因此即使低纵横比纳米结构在4.7左右,也可以实现具有高衍射效率的a-SiH元全息图。633 nm波长的计算效率为74%,测量效率为61%。
旋转多路复用元全息图只需翻转事件圆极化光的手部即可切换投影的全息图像(图3a)。为了设计这种旋转多路复用元全息图,使用了两种元表面;它们可以产生不同的响应,具体取决于光线是向左还是向左偏振。Gerchberg-Saxton 算法用于计算对应于非轴全息图像的相位图。因此,根据输入光束极化状态,"ITU"和"RHO"全息图像(图3c+e)<...
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a-Si:H 元表面由三个主要步骤制造:使用 PECVD 的 a-Si:H 薄膜沉积、精确的 EBL 和干蚀刻。在这些步骤中,EBL 编写过程是最重要的。首先,元表面的图案密度相当高,因此该过程需要精确控制电子剂量(能量)和扫描参数,如单位面积的点数。开发条件也应该谨慎选择。图案的密度非常高,所以当开发过程瞬间完成时,纳米棒状图案的定义并不好,而是相互连接。为了防止此问题,并提供适当的光光光片的负斜,从而便于升空,采用冷开发技术,在2~4°C下进行开发过程。 此外,双层电阻方法可用于简单的升空过程,其中两种不同类型的电阻具有不同的分子量和溶解性,在开发解决方案中使用。此外,通过调整蚀刻过程,在蚀刻过程中应尽可能接近 90°的侧壁轮廓。
应严格进行制造元表面的SEM和光学表征。通过观察制造结构的SEM图像,应检查精确的几何参数和侧壁轮廓,以预测元全息图的效率。光学实验要产生和获取高质量的全息图像,应准确调整射射激光束形状和聚焦。因此,光学元件应彼此正确对齐,并根据元件规格(如镜头焦距、偏振器和波板角度)正确定位。
在这一工作中,...
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这项工作由国家研究基金会(NRF)赠款(NRF-2019R1A2C3003129、CAMM-2019M3A6B303030637、NRF-2019R1A5A8080290)提供财政支持,由韩国政府科学和信息通信技术部资助。I.K.承认由韩国政府教育部资助的NRF全球博士奖学金(NRF-2016H1A2A1906519)。
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| 姓名 | 公司 | 目录编号 | 评论 |
|---|---|---|---|
| Aceton | J.T. Baker | 925402 | |
| 分束器 | Thorlabs | CCM1-BS013/M | |
| 铬蚀刻剂 | KMG | Cr-7 | |
| 铬蒸发源 | Kurt J. Lesker | EVMCR35D | |
| Clamp | Thorlabs | CP175 | |
| 导电聚合物 | Showa denko | E-spacer | |
| 二极管激光器 | Thorlabs CPS635 | ||
| 电子束蒸发系统 | 韩国真空技术 | KVE-E4000 | |
| 电子束光刻胶 | Microchem | 495 PMMA A2 | |
| 电子束光刻 | Elionix | ELS-7800 | |
| 半波片 | Thorlabs | AHWP05M-600 | |
| 电感耦合等离子体反应离子蚀刻 | DMS-Iris | ||
| Thorlabs | SM1D12 | ||
| 异丙醇 | J.T. Baker | 909502 | |
| 运动镜支架 | Thorlabs | KM100/M | |
| 镜头 | Thorlabs | LB1630 | |
| 镜头支架 | Thorlabs | LMR2/M | |
| 线性偏光片 | Thorlabs | GTH5-A | |
| 镜面 | Thorlabs | PF10-03-G01 | |
| 中性密度滤光片 | Thorlabs | NDC-50C-4 | |
| 等离子体增强化学气相沉积 | BMR 技术 | HiDep-SC | |
| 柱 | Thorlabs TR75/M | ||
| 柱架 | Thorlabs | PH75E/M | |
| 四分之一波板 | Thorlabs | AQWP10M-580 | |
| 光刻胶显影 | Microchem | MIBK:IPA=1:3 | |
| 旋转支架 | Thorlabs | RSP1/M | |
| 扫描电子显微镜 | Hitachi | Regulus8100 | |
| XY 平移支架 | Thorlabs | XYF1/M | |
| 1 英寸适配器 | Thorlabs | AD11F | |
| 1-英寸镜头卡口 | Thorlabs | CP02/M |
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