本研究提出了一个由人工智能驱动的自动化设计高性能纳米电子器件的框架。它对多个尺度的器件进行建模,并利用量子知情的奖励函数进行优化。该框架执行受限拓扑优化,生成非直观的器件配置,同时保持符合指定的量子和结构约束。
方法文章
本研究提出了一个由人工智能驱动的自动化设计高性能纳米电子器件的框架。它对多个尺度的器件进行建模,并利用量子知情的奖励函数进行优化。该框架执行受限拓扑优化,生成非直观的器件配置,同时保持符合指定的量子和结构约束。
本研究提出了利用基于图的机器学习,实现光电子纳米电子器件自主多尺度设计的计算框架。数据集包含约12万个原子尺度图、3.5万个中观尺度图和1.2万个由物理模拟生成的设备级图,每个图均标注结构描述符和参考能量值。设备以跨越原子、中观和器件层级的层级图表示,节点编码材料或功能单元,边编码物理交互。三个尺度特定的图神经网络(GNN)通过PyTorch和PyTorch几何流水线实现,每个尺度有四个消息传递层,并实现跨尺度基于注意力的功能融合。量子行为通过GNN参数化的有效哈密顿量被纳入,训练用物理正则化损耗函数近似参考紧结合和DFT启发的能量谱。器件拓扑演化被表述为受限强化学习问题,其中图的修改被视为动作,并通过带熵正则化的策略梯度方法进行优化。复合奖励函数在物理可行性约束下平衡内部量子效率、结构稳定性和图复杂度。多目标优化通过增强拉格朗日表述进行,以识别帕累托一致的器件配置。模型评估包括能量预测精度(MAE/RMSE)、约束违规率、拓扑可行性以及最多10个6 节点图的可扩展性分析。选定设计通过有限元多物理模拟进一步验证,以验证光学和电气一致性。该协议为物理约束的自主纳米电子器件设计提供了可重复的多尺度计算流水线。
物联网(IoT)系统、可穿戴和植入设备以及人工智能(AI)技术的快速普及,增加了对电子与光子平台紧密集成的需求 1,2。光电子元件,包括光子集成电路(PIC)、光电探测器和脉冲激光器,在此类系统中发挥核心作用 3,4。然而,在纳米尺度上,器件行为受量子约束、电荷传输以及耦合的光学-电相互作用所控制5.传统设计方法依赖于第一原理仿真和经验参数调优6.随着材料组合、几何布局和连通性模式的增加,基于模拟的穷尽筛选在计算上变得不切实际。
机器学习(ML)技术已被引入以加速建模和逆向设计任务7.早期实现使用人工神经网络和高斯过程作为替代预测器8.较新的深度学习(DL)架构改进了光子和纳米电子系统的表征学习9.尽管取得了这些进展,现有基于深度学习的方法常常存在解释性有限、数据依赖性强以及跨材料和结构尺度的泛化受限10.许多框架还将物理约束与学习分离,将其视为外部验证,而非优化过程的集成组件11。
与此同时,半导体器件的持续扩展已接近传统架构中的物理极限12。短通道效应和静电不稳定性在100纳米以下变得越来越显著13,促使人们探索替代材料和器件结构。二维(2D)材料,尤其是过渡金属双烷化物(TMD),提供了可调谐的带隙和原子级厚度,兼容CMOS工艺14。单层材料如MoS₂和WS₂表现出良好的载流子迁移率和静电控制15。无结结构进一步表明器件性能高度依赖于结构拓扑以及材料组成16,17。
图神经网络(GNNs)为建模关系系统(如分子晶格、纳米结构和电路拓扑18,19,20,21)提供了一种自然的计算框架。通过操作图结构表示而非基于网格的输入,GNN通过在邻近组件间传递消息来更新节点嵌入。简化形式下,节点更新可以表示为

其中φ节点和ψ边是可学习函数,表示
置换不变聚合算符。此类模型已被应用于纳米电子系统的性质预测和拓扑推断(22,23,24)。多尺度方法试图连接原子级仿真与器件级性能,但大多数实现采用单一结构分辨率或假设固定拓扑。在量子力学表述中,电子结构受特征值问题控制

其中
是哈密顿算符,Ek 是能量特征值。密度泛函理论(DFT)提供了可解的近似,但其规模约为电子数的 O(N³),限制了直接应用于大规模拓扑探索。随着器件复杂度的增加,重复的 DFT 评估计算量变得难以承受。这些局限凸显了在保持物理结构同时实现可扩展优化的可微近似需求 26,27,28。
为弥补这一方法学空白,本研究将纳米电子器件构建为层次图 G=(V,E),涵盖原子、中观和器件尺度 29,30,31,32,33。尺度特定的 GNN 编码器提取结构嵌入,并通过基于注意力的融合实现跨尺度信息交换。在优化过程中不再反复求解完整的DFT方程,而是引入一个GNN参数化的有效哈密顿量
,以近似参考能量行为,同时保持厄米结构和局域约束34,35,36,37,38,39,40,41。
拓扑修改被表述为强化学习(RL)问题⁴²。对于状态s t ≡ Gt ,动作在物理可行性约束下修改图连通性。复合奖励函数定义为
rt = α⋅IQE(Gt) + β⋅Stability(Gt) - γ⋅复杂度(Gt),
其中系数α,β,γ调节性能、鲁棒性和结构简易性的权衡。多目标优化通过形式的受限表述来处理。

通过谱图粗化和层次聚合实现对大型系统的可扩展性,使得在包含数百万节点的图上实现高效学习和推断,同时不牺牲结构的真实性。谱图粗化通过根据特征结构相似性聚类节点,降低计算复杂度,保持关键的拓扑和谱属性,同时显著减少图规模。层级聚合进一步将简化图组织为多分辨率表示,使模型能够分阶段处理局部和全局依赖关系。这一多层次策略降低了内存消耗,加快了消息传递操作,并保持了预测准确性,从而确保该框架在大规模纳米电子和光电子器件建模(43,44,45,46,47,48,49,50,51)中保持计算可行性。
本研究的目标是实现和评估一个可重复、多尺度、基于物理的GNN框架,用于约束纳米电子器件设计。AI驱动的多尺度纳米电子设计框架的整体工作流程整合了数据集准备、分层图构建、量子知情建模、基于强化学习的拓扑演化以及基于物理的验证(见图1)。以下章节介绍了计算协议、训练配置和验证程序。
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1. 数据集准备与多尺度图构建

2. 初始化多尺度GNN模块
3. 量子知情建模


4. 拓扑演化的强化学习
5. 多目标优化
6. 迁移学习
7. COMSOL 多物理验证
8. 可扩展性测试
9. 统计评估
10. 数据与代码归档
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所提出的多尺度GNN强化学习框架在12万个原子图、3.5万个中间图和1.2万个设备级图上进行了评估。数据在设备层面分为70%训练集、15%验证集和15%测试集。所有报告的值均代表三次独立运行中的平均±标准差,使用不同的随机种子。基线方法包括SchNet、DimeNet++、物理知情神经网络(PIN)、生成拓扑优化和纯物理求解基线。所有方法均采用相同的数据集分割和超参数。
能源预测性能
利用MAE和RMSE对DFT参考值进行了能量预测准确性评估。
如 图2 所示并见 表3总结,所提模型在0.002 eV±实现了0.031的MAE,0.003 eV±RMSE为0.047。SchNet的MAE为0.038±0.003 eV,DimeNet++的MAE为0.034±0.002 eV。相较...
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本研究提出了一个基于物理的分层框架,用于自主纳米电子和光电子器件设计。结果表明该方法实现了具有竞争力的能量预测精度、稳定的强化学习驱动的拓扑演进、约束满足以及经过物理验证的器件性能改进。以下讨论重点关注关键程序要素、方法论考虑、局限性、上下文意义及技术的未来扩展。
协议中的关键步骤
协议中若干步骤对于可重复性和性能稳定性至关重要。首先,多尺度图构建必须保持原子级、中观级和器件层级间物理意义上的连接性。图聚合不当或特征归一化不一致可能导致结构误差在层级中传播,导致能量预测下降或拓扑演化不稳定。因此,谱图粗化必须在受控阈值下进行,以保持关键特征值谱,这与之前关于可扩展图学习的研究一致。
其次,训练过程中强制执行量子知情约束至关重要。隐隐性投影和带对齐正则化防止非物理算子漂移。如果强化学习中没有显式约束掩蔽,拓扑修改可能产生断开或无法制造的图。类似的约束感知优化策略已被证明能稳...
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作者声明不存在利益冲突。
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