本方案描述了用于半导体材料和器件纳米级化学表征的外差检测轻敲模式光热原子力显微-红外光谱技术,包括图案化表面及工艺相关污染物的红外光谱采集与化学成像。
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本方案描述了用于半导体材料和器件纳米级化学表征的外差检测轻敲模式光热原子力显微-红外光谱技术,包括图案化表面及工艺相关污染物的红外光谱采集与化学成像。
原子力显微镜(AFM)被广泛用于表征材料与器件在纳米尺度下的电学、磁学、力学、热学、电化学及机电性能;然而,它无法直接提供化学成分的识别信息。相比之下,红外(IR)光谱通过化学键的振动特征来探测其化学结构,但传统上受光学衍射限制,空间分辨率通常局限于微米尺度。光热原子力显微镜-红外光谱技术(AFM–IR)结合了AFM与红外光谱的优势,通过检测红外吸收后产生的局域光热膨胀,实现纳米尺度的化学表征。本文介绍了一种基于外差检测的轻敲模式光热AFM–IR技术的操作流程及其在半导体材料与器件中的应用。该方案涵盖了仪器准备、探针选择与共振调谐、AFM形貌成像、红外激光准直与优化、局域红外光谱采集以及特定振动模式的化学成像等内容。特别强调了轻敲模式AFM–IR在半导体表征中的实际操作要点,以及影响数据质量的关键因素,包括探针选择、共振频率调谐和红外光束对准。 典型示例展示了AFM–IR技术在分辨图案化结构中不同材料组分、评估沉积于半导体基底上的材料,以及识别工艺后残留光刻胶污染等方面的应用。该方法能够以纳米级空间分辨率同步获取形貌与化学信息,展示了AFM–IR在半导体科研与制造过程中解决表征难题的潜力。为帮助新用户入门,文中还简要回顾了AFM–IR技术的发展历程,并比较了常用的红外光源与成像模式。
先进的表征方法在半导体研究、开发和制造中发挥着至关重要的作用。原子力显微镜(AFM)可在环境条件下、洁净室环境中、惰性气氛手套箱内或真空下进行,已被半导体行业广泛采用。现有的AFM模式可将半导体材料与器件的纳米级形貌成像,与共定位的电学、磁学、力学、压电(即机电)和热学测量相结合,包括表面电势、电阻、掺杂分布以及特定位置的电流–电压(I–V)测量1,2,3,4,5。然而,尽管AFM能够提供丰富的物性信息,却无法直接提供化学成分信息。相比之下,红外(IR)吸收光谱可探测样品中存在的化学键或声子模式,但由于受到阿贝衍射极限以及中红外光波长(~2.5–25 µm 或 400–4,000 cm−1)的限制,其空间分辨率传统上仅限于微米尺度6,7,8。光热型AFM–IR技术的发展弥补了这一不足6,7,8,9,10,11,12,13,该技术将AFM与近场红外显微镜和光谱技术相结合,实现了纳米级化学识别7,8,14,15,16。AFM–IR通过将中红外(MIR)光源聚焦到通常带有金属涂层的纳米级(~20 nm)AFM探针尖端,实现了AFM形貌与红外光谱数据的共定位采集(图1)6,7,8,11,15,16,17,18,19,20,21。

图1。光热原子力显微-红外光谱(AFM-IR)的示意图。聚焦的脉冲红外(IR)光束激发样品表面局部的光热膨胀。通过原子力显微镜(AFM)偏转激光和位置敏感光电二极管检测由此产生的悬臂振荡,从而实现样品形貌与化学信息在纳米尺度上的共定位获取。改编自Dazzi和Prater7中的图1A,经许可使用。版权所有 2017 美国化学会。请点击此处查看此图的放大版本。
早期的原子力显微-红外联用技术(AFM–IR)采用宽带红外光源,有时结合使用特殊的热敏探针,而非标准的原子力显微镜悬臂梁。22,23研究人员随后采用了脉冲红外光源24,可提供更高的峰值功率,且在重复频率可调的情况下,能够实现悬臂对样品光热激发响应的共振增强(RE)11,15,25,26,检测灵敏度接近单层水平21首个实现纳米级红外分辨率的原子力显微-红外系统采用自由电子激光器,并通过红外透射基底自下而上进行渐逝波照射9随后不久,自上而下的照明27 使用波长可调谐的光学参量振荡器(OPO)24,28 或台式激光光源,例如量子级联激光器(QCL)11,21被引入10这种配置构成了目前大多数商用AFM-IR系统的基础,因为自上而下的照射方式无需使用红外透射基底,简化了样品制备过程,并可实现对较厚样品的分析。7,8,15,16随后的发展使得能够在样品表面的特定位置获取红外光谱,并对特定的振动模式进行化学成像。6,7,8,9,15,24,29,30,31,32因此,原子力显微-红外光谱技术已广泛应用于包括生物学和药物递送在内的众多领域。6,25,33,34,35,36,37,聚合物表征6,12,26,38,39,纳米颗粒鉴定26,40,41,42,43,以及半导体研究7,44,45,46,47,48,49,目前的研究工作致力于拓展可利用的波长范围,从而扩大可研究的振动模式种类和材料体系。8,28,50.
相关技术包括红外散射型扫描近场光学显微镜(IR s-SNOM)14,51,52,53,54,55,56,57,58,59,60,61 和针尖增强拉曼散射(TERS)62,63,64,65,66,分别用于检测弹性或非弹性散射光。相比之下,AFM–IR 利用原子力显微镜(AFM)探针悬臂,通过悬臂共振的品质因子(Q 因子)将样品表面在红外激发后的光热膨胀进行转导和放大6,7,8,14,15,16,31,67。探针的振荡通过测量从悬臂背面反射的 AFM 偏转激光在位置敏感探测器上的位移来检测(图 1)。由于该检测路径也用于测量样品形貌的变化,AFM–IR 需要一种方法来分离形貌信号与红外吸收响应。这种分离最初通过接触模式 AFM 实现。在样品受到红外脉冲激发后,探针对样品光热膨胀的响应在纳秒至微秒时间尺度上迅速衰减,远快于千赫兹级 AFM 数据采集所对应的毫秒级有效探针驻留时间6,8,15,16,50,67。在每个数据点(即 AFM 图像像素)处获得的时间变化光学信号(或称衰减振荡)可通过以悬臂接触共振频率为中心的带通滤波器进行滤波,并进行傅里叶变换。所得振幅与样品的局域光热响应成正比(图 2A、2B)6,7,8,15,31,67,68。然而,样品刚度的变化可能导致探针接触共振频率发生偏移,从而将光热膨胀信号与样品表面力学行为的变化耦合在一起。为提高接触模式 AFM–IR 的灵敏度,发展了共振增强型(RE)AFM–IR 技术。在此模式下,激光脉冲重复频率被调节至与探针的某一接触共振频率匹配,从而引起悬臂机械共振的同相放大,并将衰减振荡转化为连续波振荡(图 2C、2D)7,8,11,15,21。该方法使信噪比(S:N)显著提升,提升幅度与悬臂共振的 Q 因子成正比8,15,16,21。引入锁相环(PLL)可实现对悬臂共振的连续监测,并在以选定红外波数对样品响应进行成像时,实时调整激光脉冲重复频率以匹配变化的共振频率。这有助于确保测得的 RE AFM–IR 信号始终与振动模式的红外吸收系数成正比,而不受样品表面力学性质(因而接触共振频率)变化的影响8,15,16,37,69。

图2。使用不同AFM–IR工作模式获得的典型时域和频域响应。(A)在接触模式AFM–IR中,样品经光热激发后悬臂的时域衰减响应。(B)(a)中衰减信号的快速傅里叶变换(FFT),显示多个接触共振模式。(C)使用软悬臂(k = 0.3 N/m)在共振增强接触模式AFM–IR中采集的时域响应。(D)共振增强信号的FFT,显示在选定的接触共振频率(365 kHz)处的放大,该频率对应于激光脉冲重复频率。约730、1095和1460 kHz处的峰对应于高阶谐波。(E)使用硬悬臂(k = 40 N/m)在轻敲模式AFM–IR中采集的时域信号。(F)轻敲模式AFM–IR响应的FFT。形貌成像使用约250 kHz的驱动共振频率进行,而光热响应则通过异步外差脉冲重复频率在约1.55 MHz处检测,该频率对应于差频(f₂ − f₁)约1.3 MHz。图(A, B)经许可改编自Mathurin等人的图316,版权所有 2022 AIP Publishing。请点击此处查看此图的放大版本。
AFM-IR 技术的下一个重大进展是引入了外差检测技术70,该技术实现了轻敲模式原子力显微镜(AFM)与 AFM-IR 的结合,可用于成像柔软、黏性或弱附着的样品8,15,16,25,26,37,71。在轻敲模式(也称为间歇接触模式)中,探针在悬臂共振频率处或附近振荡,从而与样品表面发生间歇性接触,以降低横向力,并最大限度地减少对样品和/或探针造成损伤的风险。与接触模式相比,轻敲模式因此特别适用于机械性质较软、附着力较弱或在成像过程中易发生表面改变的样品8,15,16,25,26,37,71。在轻敲模式 AFM-IR 中,激光脉冲重复频率被设定为两个悬臂共振频率之间的差值,即 flaser = Δf = f2 − f1。其中一个共振频率用于获取样品形貌信息(ftap),而第二个共振频率则用于监测由红外吸收引起的光热响应(fdemod)(图 2E、2F)8,15,16,71,72。与共振增强型接触模式 AFM-IR 类似,可使用锁相环(PLL)在扫描过程中维持激光脉冲重复频率与 Δf 之间的同步,以补偿由于针尖-样品相互作用势在样品表面不同位置的变化所引起的悬臂共振频率的微小偏移8,16。在外差检测的轻敲模式 AFM-IR 中,悬臂的响应(振荡幅度 Z)取决于 ftap、fdemod、Δf 以及所选解调共振频率的品质因数(Q 因子)8,15,16,26,71:

因此,当其他因素相近时(例如,f1 和 f2 具有相似的品质因数),可通过使用更刚硬的探针、在较高共振频率下以轻敲模式运行(即 ftap = f2),并在较低共振频率下解调光热响应信号(即 fdemod = f1)来提高信噪比。除可实现对柔软、黏性或弱附着样品的分析外,轻敲模式原子力显微-红外光谱法(AFM–IR)还降低了对样品力学性能变化的敏感性,横向分辨率提高约两倍(约10 nm 对比 约20 nm),相对于接触模式实现方式,表面灵敏度提高约10–20倍8,15,16,26,71。
在与学术界和工业界合作伙伴的协作下,轻敲模式原子力显微-红外光谱法(AFM–IR)已被用于评估图案化晶圆上的沉积和材料去除过程44,45,识别非预期的成核位点44,检测残留光刻胶45,以及优化宽禁带半导体器件中接触焊盘的工艺条件45。本文所述方案介绍了外差检测轻敲模式AFM–IR技术,并演示了其在选定位置获取纳米级红外光谱的应用,以及通过在固定红外波数下进行振动模式成像来绘制化学组分空间分布图的方法。尽管AFM–IR还可通过偏振依赖性测量提供与分子取向相关的信息8,16,73,74,75,76,但这些应用超出了本方案及所提供代表性示例的范围。
本方案不涉及动物或人类细胞系或受试对象的使用。请注意,尽管本文讨论了其他原子力显微-红外光谱(AFM–IR)的实现模式,但本方案特指异步检测轻敲模式光热原子力显微-红外光谱(AFM–IR)。
1. 实验设置
注意:本轻敲模式原子力显微镜-红外光谱(AFM–IR)方案旨在尽可能通用;然而,具体设置和操作将取决于所使用系统的品牌和型号,包括相关硬件(例如,红外光源、原子力显微镜平台及相关仪器)和软件。典型的 AFM–IR 系统通用示意图参见图3。本研究中所用系统的详细信息列于材料表中。

图3.典型AFM–IR系统的通用示意图。 该图展示了AFM–IR测量过程中使用的红外激光源、可见对准激光、对准光学元件、快门、聚焦光学元件、AFM探针组件、光电二极管探测器、锁相放大器、AFM控制器、样品台以及环境吹扫腔体。缩写:AFM = 原子力显微镜;MIR = 中红外;OAP = 离轴抛物面反射镜。 请点击此处查看此图的放大版本。

图 4。使用 Analysis Studio v3.17 软件的 nanoIR3-s AFM–IR 系统的仪器设置、探针校准和悬臂梁调谐。(A)原子力显微镜(AFM)探头组件,显示 AFM 探头手柄、滑块手柄以及探头定位部件。(B)探针支架,内含已预安装的 TnIR-D-10 AFM–IR 探针。(C)用于将 AFM 偏转激光对准悬臂梁,并使反射光束在位置敏感光电二极管上居中的校准控制装置。(D)激光对准前的样品与 AFM 探针光学图像,显示激光总和信号较低。(E)激光对准后的光学图像,显示激光总和信号高于 5 V 且悬臂梁偏转接近零。(F)TnIR-D-10 探针一阶共振频率(f₁)的典型调谐曲线,频率约为 240 kHz,用于形貌采集(驱动模式)。(G)高频共振(f₂)的典型调谐曲线,频率约为 1550 kHz,用于光热检测(检测模式)。请点击此处查看该图的放大版本。
2. 探针调谐
3. 原子力显微镜(形貌)成像
4. 红外激光器的准直与优化

图5.红外激光对准与优化工作流程。(A)原子力显微镜探针的光学图像,可见对准激光失焦且未对准悬臂中心。(B)优化聚焦与定位后,可见对准激光准确对准探针尖端正上方的悬臂中心。(C)在未优化的光束对准与聚焦条件下,对200 µm × 200 µm区域进行光栅扫描的示例,Carmina OPO调谐至1730 cm⁻1,并过滤至11.39%功率。在选定波数下样品实际上无红外活性和/或红外焦点与针尖-样品界面未良好对准,因此未检测到局部高强度的光热响应。(D)对同一200 µm × 200 µm区域围绕探针尖端进行优化后的光栅扫描,显示光束中心对准,激光轮廓近似高斯分布,光斑尺寸为40–50 µm,并表现出强烈的光热响应,最大强度约为3 mV。(E)在1730 cm⁻1处完成红外光束对准至探针尖端后,从聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)对准样品获得的代表性原始外差检测轻敲模式AFM–IR谱图,分辨率为2 cm⁻1/点。y轴表示在检测模式频率下,光反弹光电二极管信号测得的光热AFM–IR响应,单位为毫伏。请点击此处查看该图的放大版本。
5. 红外光谱采集
6. 红外(振动模式)成像

图6.原子力显微镜-红外光谱(AFM–IR)及图案化聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的化学成像。 使用Teneo Nabity NPGS电子束光刻(EBL)系统在热氧化的Si/SiO₂基底上制备PMMA图案。测量采用共振增强接触模式AFM–IR进行,探针为CnIR-B-10,中红外量子级联激光器(MIRcat QCL)的红外功率过滤至14.75%,激光脉冲重复频率调谐至约782 kHz,对应探针的接触共振频率,探针保持在2 V偏转设定点(约4 nN载荷)。(A)从样品的PMMA(橙色)和SiO₂(蓝色)区域获取的AFM–IR光谱。光谱为在同一位置连续采集的五次测量结果的平均值,光谱分辨率为2 cm-1/点。使用Origin v10.0.5.157软件,通过三阶Savitzky–Golay滤波器(滑动窗口为10点)对光谱进行平滑处理,PMMA光谱在垂直方向上偏移以增强可读性。插图显示PMMA的分子结构,其中羰基(C=O)官能团被高亮标出。(B)在1730 cm-1处获取的AFM–IR化学成像图,对应PMMA的羰基吸收带。该图像覆盖15 µm × 15 µm区域,扫描速率为0.5 Hz,像素分辨率为30 nm(500 × 500像素)。在整个图像采集过程中启用了锁相环(PLL),以实时跟踪接触共振频率的变化。请点击此处查看该图的放大版本。

图7原子力显微镜-红外光谱(AFM–IR)表征在图案化硅结构上选择性区域沉积聚吡咯(PPy) 使用外差检测轻敲模式原子力显微镜-红外光谱(AFM–IR)及TnIR-D-10探针进行测量。Carmina OPO激光器经滤波后红外功率为4.15%,并调节至激光脉冲重复频率约为258 kHz,该频率对应于驱动频率与检测模式频率之差,用于实现光热红外响应信号的外差放大,锁相环(PLL)带宽设定为 ±25 kHz。A横截面扫描电子显微镜(SEM)图像,显示被氮化硅覆盖的硅脊与二氧化硅相邻的图形化晶圆结构₂ 沟槽。B, C) 256 × 256像素原子力显微镜形貌图像,显示代表性图案化区域Ba 10 µm × 10 µm 约40 nm像素分辨率的区域以及(Ca 5 µm × 5 µm 约20 nm像素分辨率的区域。D) 从 SiO 获得的原始原子力显微红外光谱₂ 以及SiN区域,光谱分辨率为2 cm-1/点,显示在约1120 cm⁻¹处的特征性Si–O伸缩振动模式-1. (E) 在 1120 cm⁻¹ 处获取的 AFM-IR 化学成像图-1信号强度增加对应于更强的Si–O吸收。F) 在1120 cm⁻¹处AFM-IR响应的三维渲染-1 在聚吡咯(PPy)沉积后叠加于样品形貌之上。在SiO中观察到局部沉积。₂ 沟槽。像素分辨率的 5 µm × 5 µm (所示的红外图谱E)和(F)约为 20 nm(256 × 256 像素)。图像采集扫描速率为 0.5 Hz。基础数据和图示经许可改编自 Thelven 等人论文中图 6,采用知识共享署名 4.0 许可协议。44. 请点击此处以查看此图的放大版本。

图8.光刻胶去除过程的原子力显微-红外(AFM–IR)分析。 实验采用外差检测轻敲模式AFM–IR,并使用TnIR-D-10探针进行测量。Carmina OPO激光器经滤波后红外功率为4.15%,并调节至约266 kHz的激光脉冲重复频率,该频率对应于驱动模式与检测模式频率之差,以实现光热红外响应信号的外差放大,锁相环(PLL)带宽设置为±25 kHz。(A)在扫描速率为0.3 Hz、像素分辨率为50 nm(400 × 400像素)的条件下,对20 µm × 20 µm区域在1600 cm-1波数处(对应光刻胶特征性的芳香环振动)获得的AFM–IR化学成像图。疑似残留污染的区域以虚线轮廓标出。由探针对突变特征跟踪不良导致的水平条纹,使用Gwyddion v2.69中的划痕校正功能予以去除。(B)从(A)中标注位置采集的AFM–IR光谱,分辨率为1 cm-1/点。位置A对应光刻胶区域,位置B对应受污染的接触区域,位置C对应名义上洁净的Ga₂O₃表面。阴影区域表示用于生成化学成像图的光谱范围,基于样品在1600 cm-1处的光热响应。光谱数据通过Gwyddion v2.69中的FFT后处理滤波器进行平滑处理。原始数据及本图经许可改编自Pieczulewski等人45论文中的图6,遵循CC BY 4.0许可协议。请点击此处查看该图的放大版本。

图9。接触共振频率选择对共振增强型接触模式原子力显微-红外光谱(AFM–IR)性能的影响。 实验在单个电子束光刻(EBL)制备的PMMA-on-Si/SiO₂样品上进行,采用共振增强型接触模式AFM–IR,并使用CnIR-B-10探针,设定偏转值为2 V(约4 nN载荷),中红外量子级联激光器(MIRcat QCL)经滤波后输出17.85%的红外功率。通过调节QCL脉冲重复频率以匹配不同观测到的接触共振频率,锁相环(PLL)带宽设置为±30 kHz。(A)在激光调谐至PMMA羰基吸收峰1730 cm-1时,从Si/SiO₂基底上的PMMA区域获得的接触共振扫描曲线。(B)使用177 kHz和1139 kHz激光脉冲重复频率采集的AFM–IR光谱。光谱数据为在同一位置连续采集的五次测量结果的平均值,归一化至1730 cm-1处羰基峰高度,并沿垂直方向偏移以提高可读性。(C)根据实测共振峰计算得到的相对Q因子。(D)信噪比(S:N)的相对值,定义为PMMA羰基峰强度与基线噪声均方根之比。(E, F)在1730 cm-1处以0.8 Hz扫描速率、30 nm像素分辨率(500 × 500像素)对单个15 µm × 15 µm区域采集的原始AFM–IR化学成像图,分别使用(e)177 kHz和(f)1139 kHz的激光脉冲重复频率。为便于比较,(E)和(F)中的原始数据图采用相同的颜色标尺显示。请点击此处查看该图的放大版本。
在半导体领域,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等热塑性材料可用作绝缘体,并与活性半导体聚合物共混以调节器件的电荷迁移率77,78。PMMA 还可用作电子束或紫外光刻的正性抗蚀剂79。在这两类应用中,均可利用原子力显微-红外光谱(AFM–IR)技术在加工后确认聚合物的分布情况。在图6A、6B中,采用电子束光刻(EBL)在覆盖有薄氧化层(SiO₂)的硅晶圆上制备 PMMA 微结构。在所得的经平均和平滑处理的点选择性 AFM–IR 光谱中,可观察到聚合物(PMMA)与 Si/SiO₂ 衬底之间的光谱差异(图6A)。通过将红外激光调谐至 PMMA 羰基(C=O)键在 1730 cm-1 处的吸收峰,可对聚合物图案进行成像(图6B),以评估加工质量,包括聚合物分布的均匀性以及电子束光刻图案的保真度。
另一个AFM-IR评估图案化半导体结构的示例如下所示 图7A–7F一家行业合作伙伴提供了在硅脊上交替沉积氮化硅薄膜并带有图案的晶圆,其间夹有二氧化硅₂ 沟槽(图7A)。首先使用原子力显微镜-红外光谱法(AFM-IR)检测收到的图案化基底,以确认形貌(图7B,7C)和化学(图7D,7E) 图案化。在 SiO 内获得的点光谱₂ 沟槽显示出在1120 cm⁻¹处的典型Si–O–Si对称伸缩振动模式-1,而从氮化硅覆盖的脊状结构获得的光谱则没有(图7D)。随后将激光调谐至1120 cm⁻¹,对图案化区域进行映射-1 揭示了一种SiN/SiO₂ 分布与基底形貌一致,这通过将红外图谱叠加得到证实 图7E 在形貌图像中 图7C.
此类图案化基底是实现选择性区域沉积(ASD)的前提条件,而ASD是一种有前景的替代传统光刻图案化方法的技术,后者通常涉及多步沉积与刻蚀工艺。相较于传统光刻技术,ASD具有材料消耗更低、能耗更少以及在复杂集成电路结构中实现更优的图案对准控制等优势44。在此,共轭聚吡咯(PPy)被选择性地沉积在图案化晶圆的氮化硅(SiN)脊上。采用原子力显微-红外光谱(AFM–IR)技术,将脉冲激光调谐至1120 cm-1的Si–O–Si伸缩振动模式,用于识别二氧化硅(SiO₂)沟槽,并通过该波数下无吸收信号间接识别PPy的存在(图7F)。AFM–IR不仅检测到在SiN脊上预期沉积的PPy,还发现了在SiO₂沟槽内非预期形成的PPy成核点,从而可通过目标生长表面(g)与非生长表面(ng)的相对表面积覆盖率(θ)来计算沉积选择性(S)44:
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本示例展示了如何利用原子力显微红外光谱法(AFM–IR)对图案化的半导体结构进行表征,并在工艺开发过程中评估材料选择性结果。
原子力显微镜-红外光谱联用技术(AFM–IR)在半导体加工中的另一个应用是识别残留光刻胶污染。在接触电极沉积前残留的光刻胶会降低接触质量并增加接触电阻,可能影响器件性能与可靠性45。在本示例中,样品在显影剥离工艺后接受了2分钟、100 W的活性氧去胶处理,旨在去除残留光刻胶(图8A、8B)。通过在与光刻胶相关的1600 cm-1芳香环振动处进行AFM–IR成像,可清晰观察到主要光刻胶区域(PR;图8A,位置A),并识别出接触区域内孤立的残留污染物区域(图8A,位置B)。相比之下,在距离光刻胶边界较远的区域,AFM–IR信号极弱(图8A,位置C)。
从光刻胶区域(位置A)采集了红外光谱点数据,并与去残胶接触区域中红外信号增强的孤立区域(位置B)获得的光谱进行比较,基于光谱相似性以及从制造商提供的数据表中获得的AZ nLOF 2020光刻胶组成信息及其相应的特征光谱特征,确认了这些位置存在残留光刻胶(图8B)。相比之下,从位置C采集的光谱未显示出与光刻胶相关的特征吸收峰。所有光谱均在五次扫描范围内进行了平均叠加,未进行任何光谱处理或归一化,为便于观察,光谱在图中进行了垂直偏移。该实例展示了AFM–IR作为一种无损分析工具在纳米尺度评估界面清洁度以及通过工艺知识与AFM–IR光谱分析相结合来识别局部化学污染可能来源的有效性。
另一个展示AFM–IR性能优化的示例见图9A–9F。共振增强型接触模式AFM–IR依赖于选择合适的接触共振频率,而激光脉冲重复频率的选择会显著影响信号质量。通过对Si/SiO₂基底上图案化的PMMA进行脉冲调谐扫描,检测到多个可利用的接触共振峰(图9A)。使用不同共振频率获取的AFM–IR光谱在信号强度和光谱质量方面表现出显著差异(图9B)。对所识别共振峰的相对Q因子(图9C)以及相应光谱的信噪比(S:N)(图9D)进行分析表明,共振频率的选择直接影响AFM–IR的灵敏度。相对Q因子通过将每个共振峰的幅值除以其无量纲的相对宽度来确定,具体计算方法为:将峰幅值乘以中心频率,再除以半高全宽(FWHM)。信噪比(S:N)的计算方法为:取光谱中最高峰幅值与基线平均值(在870–970 cm-1范围内测得)之间的差值,再将该差值除以基线区域相对于其斜率校正后平均值的均方根(RMS)偏差(即基线噪声水平)。这些差异进一步体现在分别在1730 cm-1处以177 kHz和1139 kHz脉冲重复频率获取的AFM–IR化学成像图中(图9E、9F),其中更高品质的共振条件获得了更优的化学对比度和图像质量。该示例说明了在AFM–IR测量过程中进行共振优化的重要性,并提供了次优与优化采集条件之间的典型对比。
为获得最佳且无伪影的AFM-IR数据,选择适合AFM-IR几何构型(即从上至下或从下至上照明)和操作模式(如轻敲模式与接触模式AFM-IR)的探针至关重要。需考虑的探针通用特性包括标称弹性常数和共振频率,二者通常呈正相关。由于较高的共振频率对应较大的弹性常数(即更硬的悬臂),因此在轻敲模式操作中通常优先选用此类探针,因其可降低“突然接触”现象的发生概率,并有助于实现更快的数据采集速率和更高的信噪比(S:N)。另一个需考虑的因素是探针是否具有金属涂层。在从上至下照明配置中,通常采用高反射性金属涂层,以最大限度减少AFM探针对红外光的吸收,并通过尖端顶点介导的“尖端增强效应”(即“避雷针效应”),实现与波长无关的近场电场增强。7,14,77,78,79,80,81。特别是金涂层在中红外区域(~2.5–15)表现出相对平坦的光谱响应 µ米),具有高反射率(>98%–99%)且反射率随入射光偏振态的变化小于1%。更复杂的因素,例如针对不同工作模式选择微悬臂梁的共振频率,会显著影响所获取数据的信噪比(S:N)和空间分辨率。对于表现为理想弹性梁的微悬臂梁,其法向模式方程的解预测第二共振频率应出现在基频共振频率(f₂ = 5f₁)。将这一关系代入引言中提出的用于异步检测轻敲模式原子力显微-红外光谱(AFM–IR)的悬臂响应表达式,可预测悬臂响应(Z)与0.16Q成正比₂ 轻敲 f 时₁ 并在频率 f 处进行解调₂,与20Q相比₁ 轻敲 f 时₂ 并在频率 f 处进行解调₁因此,如果这两个共振具有相似的品质因数(尽管Q₁ 通常大于 Q₂),在较高的共振频率下进行敲击,同时在较低的共振频率下解调,预计可提供约125倍更高的灵敏度。然而在实际操作中,由于仪器硬件的限制,这种配置可能并不总是可行。例如,较高的共振频率(f₂)可能超出轻敲模式下抖动压电元件的工作范围。当使用本研究中采用的 TnIR-D-10 探针时,某些原子力显微镜系统可能会出现这种情况,其中 f₁ ≈ 250 kHz (图4F)和 f₂ 接近六倍的 f₁ 由于悬臂梁的非理想性,导致 f₂ ≈ 1.5 MHz (图 4G),而 Q₁ ≈ 6Q₂相比之下,当使用共振频率标称值(f₁的 ≈75 kHz,例如 TnIR-A-10,使用时对应的 f₂ (预测约为 375–450 kHz)落在标准原子力显微镜轻敲压电元件的工作范围内,从而可在较高共振频率下实现轻敲模式操作。综上所述,在理想弹性行为下,且假设所有共振模式和探针具有相似的品质因数(Q 值)时,可在 f 处进行轻敲操作₂ 在频率 f 解调时₁ 预计可提供更高的灵敏度。然而在实际操作中,探针的选择以及驱动模式与检测模式的分配,必须根据仪器性能,并结合通过测量悬臂梁调谐曲线所获得的实际共振频率和品质因数进行优化。
尽管本方案主要针对外差检测的轻敲模式原子力显微-红外光谱(AFM–IR),但在进行共振增强接触模式AFM–IR操作时,应选择在与样品表面接触时易于发生弯曲的探针;换句话说,应使用标称弹性常数较小(<1 N/m)的软探针。这有助于提高检测灵敏度和信噪比(S:N),同时最大限度地降低因施加过大的成像力而导致样品损伤或探针磨损的风险。探针在接触状态下会表现出多个接触共振频率,应通过全面的脉冲调谐来评估这些频率(图9A)。通常,较高的共振频率可略微提升空间分辨率(由于热扩散时间缩短),但会因模态刚度增加(从而导致检测灵敏度降低)而牺牲信噪比8。应选择具有较高振幅(即较强的红外响应)和较窄半高全宽(FWHM)的尖锐、高耸的接触共振峰,这对应于较高的品质因数Q(例如 图9C 中所示的177 kHz和1139 kHz共振峰)。Q值通常应与使用特定接触共振频率所获取光谱的相对信噪比相关联(图9D)。为提供一个代表性示例,对两个接触共振频率用于表征沉积在氧化层覆盖的硅片上的电子束光刻(EBL)图案化PMMA结构的AFM–IR性能进行了评估。在相同PMMA位置采集的点光谱,分别采用177 kHz和1139 kHz的激光脉冲重复频率(对应高Q值共振),均表现出良好的信噪比(图9B)。随后使用相同的脉冲重复频率生成PMMA特征的AFM–IR化学成像图(图9E、9F),尽管使用1139 kHz接触共振采集的点光谱信噪比略优,但较高Q值(177 kHz)模式仍获得了更佳的红外成像对比度(图9B、9D)。总体而言,在采集红外光谱或对红外活性振动模式进行成像时,选择与实际可行最高Q值相对应的脉冲重复频率,可使检测灵敏度最大化,并改善图像对比度。
在本AFM-IR方案中,最关键的步骤或许是优化红外激光在探针尖端的对准和聚焦(方案步骤4),因为这直接影响对样品光热响应的检测灵敏度。由于红外辐射对人眼不可见,AFM-IR系统通常配备一个与红外光路共线的可见对准激光(图3),以辅助初步的粗略光束对准。该可见激光必须在XY平面内精确对准探针悬臂背面、探针尖端正上方的中心位置,并通过调节聚焦光学元件相对于样品表面和探针尖端的Z轴位置来实现聚焦(图5A、5B)。为了最小化色差,聚焦光学元件通常采用反射式光学元件,例如镀金的离轴抛物面反射镜(OAP)。即使在完成可见对准光束的优化后,仍必须对红外光束进行直接优化,因为可见光束与红外光束之间,以及不同红外光源之间,可能在光束指向性、准直性和光源特性(例如M2)方面存在差异。如方案步骤4所述,在选定感兴趣的特征区域以及预期能产生强光热响应的红外波数后,应在可见对准位置周围数百微米的区域内扫描红外光束,同时监测光热信号(图5C、5D)。
最佳的红外响应通常表现为一个居中且近似圆形的信号分布,对应于聚焦后的红外光斑尺寸。对于本研究中使用的系统,通过软件的“聚焦捕获”(Focus Capture)功能测得的表观聚焦光斑直径(图5D)通常约为40–50 µm。尽管在探针-样品界面处直接测量实际光束光斑尺寸具有挑战性,但可以估算其数量级(该值依赖于波长),以评估近似的注量或功率密度范围,并判断是否存在非预期的样品加热、损伤或非线性效应的风险。基于本系统中红外聚焦光学元件15 mm的焦距以及所用约5 mm直径的准直高斯输入光束,样品处衍射极限下的红外光束光斑尺寸(1/e2直径)在1000–2000 cm−1(λ = 5–10 µm)范围内估计约为20–50 µm,具体数值取决于波长和输入光束质量(M2 ≈ 1–1.3)。该估算结果与红外光束对准扫描过程中观察到的40–50 µm表观光斑尺寸一致。较长的波长(较低的波数)以及较差的光束质量(M2 > 1)会导致更大的光斑尺寸。同样,在本系统中,功率密度(对于脉冲激光器而言即注量)也难以直接测量。然而,假设激光器输出达到其最大标称值且无光学损耗(包括光路中未使用中性密度滤光片),则Carmina OPO在样品处可能达到的最大注量估计为<1 J/cm2,而MIRcat QCL的最大注量估计为<800 mJ/cm2。对于QCL,在50%占空比下最大功率密度约为800 kW/cm2,而在本研究采用的<5%占空比下,100%功率时的功率密度低于100 kW/cm2。这些数值比标准共聚焦荧光显微镜中可实现的数十MW/cm2功率密度低数个数量级。由于Carmina OPO在窄带模式下产生的脉冲持续时间约为3 ps,因此与峰值注量相关的非线性效应可能比平均功率引起的热耗散效应更为显著。在本文所展示的实验中,激光输出被衰减至其最大值的约10%–20%,表观光斑尺寸约为50 µm。在此条件下,估计注量为<10 mJ/cm2,且未观察到与激光功率相关的效应。
在研究一种新型或先前未表征的材料体系时,建议首先使用具有强且特征明确的红外吸收峰的参考材料来优化红外光路的对准。合适的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的薄膜,这些薄膜可轻松沉积在平坦基底(例如玻璃显微镜盖玻片或硅晶圆)上,并在约1720–1730 cm-1处表现出强烈的羰基(C=O)吸收带(图5E)。该方法有助于区分由光路对准问题引起的现象与样品本身弱吸收之间的差异,并在不同样品间转移测量条件时提高实验的可重复性。同样,在开始表征新样品时,建议从低入射功率(例如<10%)开始,逐步增加功率,同时监测红外光谱是否出现除信噪比随功率提高而改善之外的其他与功率相关的谱图变化。
AFM-IR 的一个关键局限在于,待表征或鉴别的化学物质必须在红外光源可及的光谱范围内表现出红外活性的振动模式或吸收特征。因此,建议首先获取样品的常规红外光谱(例如使用 ATR FTIR),或查阅预期组分材料的已发表光谱,以确认在可用的波数范围内存在红外活性模式。尽管这些因素对于大多数有机材料通常不构成问题,但许多金属及含金属化合物(包括过渡金属二硫属化合物(TMDCs))的振动模式位于目前大多数中红外(MIR)激光光源约 670 cm−1(15 µm)的截止波数以下。因此,如引言中所述,拓展可调谐中红外光源的可及光谱范围仍是当前活跃的研究领域8,28,50。在此期间,此类材料的氧化或表面功能化可引入具有较高频率振动模式的官能团,使其落入当前中红外光源的可探测范围。另一个需考虑的因素是,AFM-IR 信号的产生与转导依赖于材料的光热响应,即:材料吸收红外光后,初始激发的振动模式通过振动能量重新分布至低频模式(亚纳秒时间尺度)并发生弛豫,从而导致局部加热,继而引发局部热膨胀,使原子力显微镜探针尖端发生位移并引起悬臂弯曲。局部温度升高通常小于 1–10 K,具体数值取决于激发光源(例如 QCL 与 OPO)8,且与样品在入射波长处的红外吸收系数成正比67。所产生的热膨胀幅度(通常 <1 nm)由材料的热膨胀系数决定,该系数通常在 10⁻4–10-6 K−1 量级,作为与波长无关但与材料相关的放大因子8,15。因此,热膨胀系数较大的材料通常会产生更大的悬臂弯曲,从而获得更强的 AFM-IR 信号,提高测量灵敏度。
总之,除了光谱范围的限制外,AFM-IR 的性能还强烈依赖于探针选择、激光准直、共振优化以及样品的热学和力学性质。样品刚度、热导率和表面形貌的变化可能会影响信号强度和测量的可重复性,尤其是在接触模式操作期间。过高的激光功率还可能导致样品加热或发生改变,特别是在软聚合物材料中。此外,从光路和仪器腔体中去除大气中的水蒸气和二氧化碳,并结合高度稳定的激光输出,对于实现 AFM-IR 信号在不同波长下的正确归一化至关重要。这对于弱吸收样品尤其重要8,例如通过原子层沉积(ALD)或分子层沉积(MLD)制备的薄膜。尽管存在这些限制,AFM-IR 仍提供了纳米级空间分辨率、化学特异性以及与 AFM 形貌直接关联的独特组合,这是传统红外显微镜单独无法实现的。即使对于具有挑战性的材料,因环境暴露而产生的表面氧化物、氢氧化物或其他官能团也可能引入可检测的红外活性振动模式。如果仅存在超出中红外激光光源可调波长范围的低频振动模式,则可考虑采用其他技术,例如 TERS,因其利用可见光激发波长62,63,64,65,66。同样,如果由于热膨胀有限导致光热响应较弱,则红外散射型扫描近场光学显微镜(IR s-SNOM)可能优于光热 AFM-IR,并且通常可在类似的仪器平台上实现14,51,52,53,54,55,56,57,58,59,60,61,80。正如本文所展示的半导体应用实例所示,AFM-IR 可支持工艺开发研究、污染分析、区域选择性沉积研究、光刻胶去除验证以及纳米级材料表征,使其成为半导体研究和先进制造领域的重要工具。
作者无任何利益冲突需要披露。
本研究所使用的Bruker Anasys nanoIR3-s AFM–IR系统由M. J. Murdock慈善信托基金资助购置(项目编号:202014907)。该系统位于博伊西州立大学表面科学实验室(SSL),该实验室隶属于FaCT核心设施(RRID: SCR 024733),并获得美国国立卫生研究院(NIH)通过国家普通医学科学研究所的机构发展奖(IDeA)项目资助,资助编号分别为P20GM148321和P20GM103408,其中前者也为作者C.M.E.和P.H.D.提供了部分支持。N.O.由卓越节能材料与器件中心(SUPREME Center)提供支持,该中心是半导体研究公司(SRC)的一个项目,由美国国防高级研究计划局(DARPA)资助。本材料的研究由美国空军研究实验室(AFRL)根据协议编号FA8650-20-2-5506资助支持。尽管存在任何版权标注,美国政府有权为政府用途复制和分发重印本。本文所表达的观点和结论仅代表作者立场,不应被解释为AFRL、NIH或美国政府的官方政策或背书,无论明示或暗示。
| 姓名 | 公司 | 目录编号 | 评论 |
|---|---|---|---|
| 原子力显微镜控制软件 | 布鲁克 | Analysis Studio v3.17 | 仪器控制,原子力显微镜成像,原子力显微镜–红外光谱采集及数据分析。 |
| 原子力显微镜图像处理与分析软件 | Gwyddion | V2.69 | 原子力显微镜数据处理与分析 |
| 原子力显微镜–红外探针(接触模式) | Bruker | PR-EX-CNIR-B-10 | 共振增强接触模式原子力显微镜–红外探针;标称弹性系数(k)= 0.2 N/m,共振频率(f0) = 13 kHz,针尖半径 (r) = 20 nm,金镀层悬臂梁及针尖。 |
| 原子力显微镜–红外探针,轻敲模式 | Bruker | PR-EX-TNIR-D-10 | 轻敲模式原子力显微镜–红外探针;标称弹簧常数(k)= 40 N/m,共振频率(f)0) = 300 kHz,针尖半径 (r) = 20 nm。用于顶照式AFM的金镀层悬臂梁和针尖–红外测量。可选轻敲模式探针:PR-EX-TNIR-A-10(k = 3 N/m,f0 = 75 kHz,r = 20 nm,金涂层悬臂梁和针尖。 |
| AFM/STM 金属样品圆盘 | Ted Pella | 16208 | 提供多种尺寸(直径):产品编号 #16223(6 mm 直径)、16207(10 mm)、16208(12 mm)、16218(15 mm)和 16219(20 mm)。 |
| 原子力显微镜 | 布鲁克(Anasys) | nanoIR3-s | 原子力显微镜–用于形貌成像、光谱分析和化学成像的红外系统。包含Analysis Studio软件和Zurich Instruments MFLI锁相放大器。 |
| 宽带光学参量振荡器(OPO)光源 | APE | Carmina 可调谐宽带中红外光源 | 宽带中红外光源,波长调谐范围为2.15–15 μ米(约670)–4650 cm-1)和约 20 cm 的带宽-1 或约170 cm-1 根据工作模式为窄带(ps)或宽带(fs)而定的半高全宽(FWHM)。支持原子力显微镜(AFM)–红外(脉冲)与红外散射式扫描近场光学显微镜(准连续波)工作模式。输出为线偏振TEM00 模式。在约22℃的外部水冷却条件下运行 °C. |
| 冷水机冷却液/防腐抑制剂 | Innovatek | 保护 IP 浓缩物 | 乙二醇基冷凝器冷却液及腐蚀抑制剂,设计为与蒸馏水按1:3比例混合使用。 |
| 压缩干燥空气 | Beacon Medaes | SPR30T | 超纯(99.999%)氮气的替代吹扫气体2 无法提供。内部无油空气压缩机加干燥器系统为整栋建筑的所有实验室供气。 |
| 氰基丙烯酸酯粘合剂(万能胶) | 大猩猩 | 7500101 | 用于将样品固定在磁性样品盘上的可选非导电粘合剂。带刷头和喷嘴的瞬间胶,便于将样品固定在磁性样品盘上。几乎所有以氰基丙烯酸酯为基础的瞬间胶均可使用,并可相互替代。 |
| 蒸馏水 | 阿尔伯特森斯 | 纯净生活 | 用于配制激光器-冷却器冷却液混合物。可从当地杂货店购买,也可从科学/化学试剂供应商处获取。 |
| 双面碳导电胶带 | Fisher Scientific | 50-285-81 | 用于磁性样品盘上临时/易拆卸的导电样品固定。导电性略低/方块电阻较高(50 Ω/在2)优于银浆。也可使用双面碳导电胶带。相关对比表格可参见 https://www.tedpella.com/adhesive_html/conductive-tapes-comparison.aspx。 |
| 电子束光刻系统 | FEI | Teneo Nabity NPGS | 用于对聚合物(PMMA)进行图形化,制备具有代表性的半导体聚合物光刻胶处理样品。 |
| 环氧粘合剂 | Loctite | EA E-60HP (237112) | 用于将样品固定在磁性样品盘上的可选非导电(绝缘)粘合剂。配备双腔筒注射混合器,便于使用并确保树脂与固化剂的正确配比。几乎所有双组分环氧树脂均可使用,并可根据额外的样品表征需求进行替换(如工作温度、真空脱气等)。 |
| 指甲油 | Sally Hansen | Teflon Tuff 10日持久指甲油 | 可选的临时粘合剂,用于将样品固定在磁性样品盘上。也可使用透明的LA Colors底油/封层。几乎所有在当地药店可购得的指皮护甲油均可使用。 |
| 异丙醇(IPA) | Fisher Scientific | A451-4 | 使用时以10%(v/v)的比例加入蒸馏水中,作为QCL冷水机冷却液,以防止藻类生长。 |
| 激光安全眼镜 | Thorlabs | LG11(A) | LG11 或 LG11A 型 Schott 玻璃红外激光防护眼镜 |
| 锁相放大器 | 苏黎世仪器 | MFLI | 原子力显微镜的信号解调与检测–红外测量 |
| 氮气供应 | Norco | SPG TUHPNI | 用于去除光路中水蒸气和二氧化碳的超高纯度(99.999%)仪器吹扫气体。 |
| 氧气去胶工具 | 格伦 | 1000P 等离子清洗机 | 用于代表性半导体晶圆加工器件制造实验。 |
| 光刻胶 | 默克 | AZ nLOF 2020 光刻胶 + AZ 726 显影液 | 用于代表性半导体晶圆加工器件制备样品的光刻胶和显影液。 |
| 光刻胶样品 | 自制(康奈尔大学) | N/A | 具有代表性的半导体晶圆加工器件制备样品采用AZ nLOF 2020/AZ 726涂覆于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的Ga之上2O3 在铁掺杂的(010)衬底上成膜并用于原子力显微镜(AFM)–红外表征。 |
| PMMA | Kayaku Advanced Materials | 495 PMMA A6 | 用于制备代表性的聚合物样品,以进行电子束光刻(EBL)图形化及后续的原子力显微镜(AFM)分析–红外表征。 |
| PMMA 样品 | 自制(博伊西州立大学) | N/A | 使用495 PMMA A6制备的代表性聚合物样品,经电子束光刻(EBL)图案化后用于原子力显微镜(AFM)分析–红外光谱表征。 |
| 聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET) | 自制(博伊西州立大学) | N/A | 用于激光准直和优化的红外活性对准样品。可通过旋涂或滴涂将PET、PMMA或其他含羰基聚合物涂覆于玻璃盖玻片、硅晶圆或其他适当平坦且理想情况下具有高反射性的基底上制备而成。 |
| 聚吡咯(PPy)样品 | 自制(北卡罗来纳州立大学) | N/A | 用于原子力显微镜分析的典型图案化区域选择性沉积(ASD)样品–红外光谱表征。 |
| 量子级联激光器(QCL) | Daylight Solutions | MIRcat 超宽带可调谐中红外激光器 | 可调谐中红外光源,配备四块芯片,覆盖范围2635–3000 cm-1, 1425–1835 cm-1, 955–1425 cm-1,以及 755–1005 cm-1线性偏振(>100:1 对比度)透射电子显微镜00 带宽输出模式 &<1 cm-1. 在约 21 ℃ 的外部水冷却条件下运行 °C. |
| 样品台 / 卡盘 | 布鲁克 | N/A | 原子力显微镜中的样品安装–红外测量 |
| 扫描电子显微镜(SEM) | FEI | Verios 460L | 用于补充表征(如适用)。 |
| 扫描电子显微镜(SEM) | 日立 | SU8700 | 如适用,用于互补表征。 |
| 二氧化硅(SiO₂)是一种广泛存在于自然界中的化合物,主要以石英、砂和燧石等形式存在。在工业和科研领域,二氧化硅因其优异的物理化学性质被广泛应用于半导体制造、催化剂载体、吸附材料、复合材料以及生物医学等领域。根据其结构和制备方法的不同,二氧化硅可分为晶态和非晶态两大类。晶态二氧化硅具有规则的晶体结构,如α-石英和β-石英;而非晶态二氧化硅则无长程有序结构,常见于溶胶-凝胶法、气相沉积法或沉淀法制备的材料中。 在实验室中,非晶态二氧化硅常通过正硅酸乙酯(TEOS)的水解与缩聚反应制备,该过程通常在碱性或酸性催化剂条件下进行。所得材料的比表面积高、孔隙结构可调,适用于负载药物、酶或其他功能分子。此外,表面修饰技术可进一步引入氨基、巯基或羧基等功能基团,以增强其在特定应用中的性能。 在生物医学应用中,二氧化硅纳米颗粒因其良好的生物相容性、低毒性及易于功能化等优点,被用于药物递送、基因转染、生物成像和癌症治疗等研究。然而,其潜在的细胞毒性仍需根据粒径、表面电荷、剂量及暴露途径等因素进行系统评估。 关键词:二氧化硅,SiO₂,纳米颗粒,溶胶-凝胶法,正硅酸乙酯,TEOS,药物递送,生物相容性,表面修饰,非晶态材料2涂覆有毯层的硅片 | 美光科技 | N/A | 用于制备AFM用PMMA样品的典型氧化层包覆硅片基底–红外测量。未掺杂的硅晶圆,表面覆盖100 nm厚的热氧化层。 |
| 氮化硅/二氧化硅图形化硅晶圆 | 东京电子有限公司(Tokyo Electron Limited,TEL) | N/A | 用于原子力显微镜的代表性图案化半导体晶圆样品–红外光谱表征。 |
| 银浆 | Ted Pella | 16062 | 用于将样品固定在磁性样品盘上的快干导电胶。Pelco 导电银漆(产品编号 #16062)的替代品包括产品编号 #16031(Pelco 胶体银基导电液态银漆)。相关对比表格可参见 https://www.tedpella.com/adhesive_html/Adhesive-Comparison.aspx。 |
| 光谱处理与显示软件 | OriginLab | Origin 10.0.5.157 | 红外光谱数据处理与绘图 |
| 镊子 | Sigma-Aldrich | 钛合金镊子 | 探针与样品处理 |
| 减振光学平台 | 纽波特 | Integrity 2 VCS | 用于在原子力显微镜实验中减小机械振动的光学平台–红外测量 |
| 水冷机 | ThermoTek | T257P-20 | 用于冷却红外激光源的循环冷却器。冷却液及运行条件应遵循制造商的建议。 |
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