聚焦离子束

1. 制备厚度为300nm的多孔滤膜，其尺度可与肾脏内皮细胞胞质相媲美

1. 将制备好的膜装入聚焦离子束（FIB）腔室。这些膜通常由专业人员制备（例如在制作惠斯通电桥时），可在半导体制造场所获得。若需自行制备，必须使用光刻技术。该过程的详细信息可参见 JoVE 网站上“生物工程合集”中的光刻视频。注意：操作样品或接触 FIB/SEM 任何内部组件时，务必佩戴腈手套。环境必须保持高度清洁，避免皮肤油脂污染。
2. 开启聚焦离子束和电子枪，并调整样品以达到共轭齐焦点。该点是指感兴趣区域（即膜）位于电子束和离子束路径上，且在 0 至 54 度倾角范围内均能保持对准的位置。

3. 调节聚焦离子束（FIB）的离子束电流和加速电压至30 kV和100 pA，聚焦于待刻蚀区域附近的区域。通过FIB刻蚀程序绘制直径约50 nm、中心间距为150 nm的圆形矩阵（见图1）。
4. 切换至电子束模式，在5 kV的加速电压下对区域进行成像。

图 1：聚焦离子束（FIB）在二氧化硅膜上加工出的孔洞，形成颗粒过滤器。

2. 在毛发上铣削标志图案

1. 使用碳导电胶带将一根毛发固定在显微镜样品 stub 上
2. 使用溅射镀膜仪对毛发进行金/碳镀膜。该工具会在样品表面镀上几纳米厚的导电材料，以便在成像或溅射过程中最大限度减少电荷积累伪影。
3. 打开聚焦离子束和电子枪，并调节至共焦齐焦点。
4. 将离子束电流和加速电压分别调节至 100pA 和 30kV，聚焦于待刻蚀区域附近约 15µm × 15µm 的区域。
5. 加载要刻蚀的图案/标志（以位图形式），调整电子束电流和加速电压，然后开始刻蚀。
6. 切换至电子束并成像该区域。结果如图2所示。

图2：使用聚焦离子束（FIB）在蜘蛛网上加工出的“节日快乐”图案。