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从培养皿中置于培养插件上的小鼠脑组织海马切片开始。
在显微镜下将含有切片的插入片段切下,并将其固定在电穿孔室中。
用含有电压门控钠通道阻断剂的缓冲液灌注腔室,以抑制过度兴奋并防止细胞毒性。
将含有目的基因质粒的移液管置于切片附近。
接近目标海马神经元时保持正压,以防止移液管堵塞,直至细胞膜出现凹陷。
切换至负压,以与膜形成密封。
交替使用正压和负压,以尽量减少细胞损伤。
施加电穿孔脉冲以瞬时通透细胞膜,促进质粒进入。
保持正压的同时撤出移液管,并对邻近的目标神经元重复电穿孔操作。
将电穿孔后的脑片转移至新的插入式培养插件中,并进行孵育,以允许目的基因的表达。
为准备用于电穿孔的脑片培养,将感兴趣的培养插件转移至分别装有900 µL培养基的3厘米培养皿中,并将培养物置于台式二氧化碳培养箱内。接着,用每插件1 mL脑片培养基对新鲜培养插件进行预孵育,置于3.5厘米培养皿中至少30分钟,并用10%次氯酸钠溶液对电穿孔装置的管路消毒5分钟。
灌流结束后,先用离子化高压灭菌水冲洗管路至少30分钟,然后再用经滤膜除菌、含0.001毫摩尔河豚毒素的aCSF进行灌流。将电穿孔仪的脉冲参数设置为:振幅负五伏,方波脉冲,脉冲串持续时间为500毫秒,频率50赫兹,脉宽500微秒。用五微升含质粒的内液填充玻璃移液管,并轻轻 flick 和轻敲管尖多次,以去除任何滞留的气泡。
使用解剖显微镜确认尖端未受损,并将移液器尖端牢固地安装到电极上。当尖端接触aCSF时,记录电穿孔仪显示的移液器电阻值。为分离切片培养物,用锋利的刀片切割培养插件膜,并使用尖头弯镊小心地将切片培养物转移至电穿孔室中。
然后用切片锚固定培养物的位置。对目标细胞进行电穿孔时,通过嘴部向移液管施加正压,并使用三维旋钮控制装置将移液管尖端移动至接近切片培养物表面。在显微镜下观察培养物,使移液管尖端接近目标细胞,并持续施加正压,直至细胞表面形成凹陷。
观察到凹陷后,迅速通过嘴部施加轻微的负压,使移液管尖端与细胞膜之间形成松散的密封。此时细胞膜会略微进入移液管内。应观察到移液管初始电阻约为原来的2.5倍,表现为扬声器发出的音调升高。
迅速重新施加正压,使凹陷重新形成。随后立即重复至少两次上述压力循环,中间不要停顿。最后一次压力脉冲后,保持负压一秒。
当扬声器发出的声音音调达到稳定的最高点时,使用脚踏开关快速脉冲电穿孔仪。电穿孔后,轻轻将移液管从细胞处回撤约100微米,期间不施加压力,然后重新施加正压,确认阻值与接近下一个细胞前的基线读数相近。当所有目标细胞完成电穿孔后,将脑片培养物转移至一个预先准备好的新鲜培养插件中,并将插件置于35摄氏度环境下培养,最长可维持三天。