Fabricating Nanogaps by Nanoskiving

Parisa Pourhossein; Ryan C. Chiechi

doi:10.3791/50406

JoVE Journal
Chemistry

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JoVE Journal Chemistry

Fabricating Nanogaps by Nanoskiving

制造由Nanoskiving Nanogaps的

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07:36 min

May 13, 2013

DOI: 10.3791/50406-v

Parisa Pourhossein¹, Ryan C. Chiechi¹

¹Stratingh Institute for Chemistry and Zernike Institute for Advanced Materials,University of Groningen

Please note that some of the translations on this page are AI generated. Click here for the English version.

电寻址，高纵横比（> 1000:1）制造金属纳米线的差距可以使用铝和银的牺牲层自组装单分子膜为模板的单纳米分离。这些纳隙结构没有一个干净的房间或任何边缘光刻称为nanoskiving的的一种形式由光或电子束光刻工艺制作。

该程序的总体目标是使用纳米刮削制造高纵横比的纳米间隙电极。这是通过首先在硅晶片上沉积一层薄金膜并将其转移到环氧树脂衬底上来实现的。第二步是在金属膜上形成自组装的单层 Alcan 硫醇。

接下来，沉积第二层金膜。这是相对于第一个的偏移。最后一步是用超薄切片机切开结构的薄片。

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